中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的一種測試精度高、能極大提高信噪比的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，其中心波長6557±50nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80％、帶寬=170±20nm，400～11000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。
【專利說明】中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及醫(yī)用紅外氣體檢測濾光片，尤其是一種中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外濾光片過濾、截止可見光同時(shí)允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過物體時(shí)不會發(fā)生折射。利用紅外線的這個(gè)特性，只讓長波長的紅外線通過，濾除短波長的紫外線和可見光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對于醫(yī)用紅外氣體檢測分析過程中所使用的濾光片存在的問題是透過率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測量要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度 的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、33Inm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、744nm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、305 Inm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、1525nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、719nm厚度的ZnS層、349nm厚度的Ge層和348nm厚度的ZnS層。
[0005]上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0006]本實(shí)用新型所得到的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，其中心波長6557±50nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80%、帶寬=170±20nm，400~IlOOOnm (除通帶外)，Tavg<0.5%?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0007]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0010]實(shí)施例1:
[0011]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、331nm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、IAAxm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、305 Inm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、1525nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、719nm厚度的ZnS層、349nm厚度的Ge層和348nm厚度的ZnS層。
【權(quán)利要求】
1.一種中心波長6557nm的醫(yī)用紅外氣體檢測分析濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:81nm厚度的Ge層、553nm厚度的SiO層、207nm厚度的Ge層、180nm厚度的SiO層、398nm厚度的Ge層、728nm厚度的SiO層、78nm厚度的Ge層、332nm厚度的SiO層、219nm厚度的Ge層、319nm厚度的SiO層、132nm厚度的Ge層、535nm厚度的SiO層、123nm厚度的Ge層、331nm厚度的SiO層、306nm厚度的Ge層、488nm厚度的SiO層、76nm厚度的Ge層、373nm厚度的SiO層、336nm厚度的Ge層、398nm厚度的SiO層、168nm厚度的Ge層、766nm厚度的SiO層、297nm厚度的Ge層、744nm厚度的SiO層、254nm厚度的Ge層、277nm厚度的SiO層、352nm厚度的Ge層、709nm厚度的SiO層、348nm厚度的Ge層、360nm厚度的SiO層、126nm厚度的Ge層和200nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、3051nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、763nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、1525nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、719nm厚度的ZnS層、349nm厚度的Ge層和348nm厚度的ZnS層。
【文檔編號】G02B5/20GK203572995SQ201320780044
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 余初旺 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司