用于分離增強(qiáng)玻璃的方法及裝置及由該增強(qiáng)玻璃生產(chǎn)的物品的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示用于分離基板的方法及裝置，以及由經(jīng)分離的基板形成的物品。分離具有第一表面及第二表面的基板的方法包括定向激光束以穿過該第一表面且之后穿過該第二表面。該激光束具有位于該基板表面或該基板外部的束腰。引起該激光束與該基板之間的相對運(yùn)動以便掃描該基板的表面上欲沿引導(dǎo)路徑加以掃描的光斑。該基板經(jīng)該光斑內(nèi)所照射的部分吸收該激光束內(nèi)的光，以便該基板可沿該引導(dǎo)路徑分離。
【專利說明】用于分離增強(qiáng)玻璃的方法及裝置及由該增強(qiáng)玻璃生產(chǎn)的物口叩

【背景技術(shù)】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例一般而言是關(guān)于用于分離玻璃基板的方法，且更具體而言是關(guān)于用于分離增強(qiáng)玻璃基板的方法。本發(fā)明的實(shí)施例也是關(guān)于用于分離玻璃基板的裝置，及已與玻璃基板分離的玻璃塊。
[0002]薄的增強(qiáng)玻璃基板(諸如化學(xué)增強(qiáng)基板或熱增強(qiáng)基板)因其極好的強(qiáng)度及抗破壞性而已在消費(fèi)電子品(consumer electronics)中得到廣泛應(yīng)用。例如，該等玻璃基板可作為遮蓋基板并入移動電話、顯示設(shè)備(諸如電視及計算機(jī)監(jiān)視器)及各種其他電子設(shè)備中以用于LCD顯示器及LED顯示器及觸控應(yīng)用。為降低制造成本，可能希望用于消費(fèi)電子設(shè)備中的該等玻璃基板是藉由以下來形成:于單一大型玻璃基板上執(zhí)行多個設(shè)備的薄膜圖案化，隨后使用各種切割技術(shù)將該大型玻璃基板分段或分離成多個較小玻璃基板。
[0003]然而，儲存于中央張力區(qū)內(nèi)的壓縮應(yīng)力及彈性能的量值可使得化學(xué)增強(qiáng)玻璃基板或熱增強(qiáng)玻璃基板的切割及精制困難。高表面壓縮層及深壓縮層使得難以如傳統(tǒng)劃線及彎曲過程一般來對玻璃基板機(jī)械地劃線。此外，若該中央張力區(qū)中所儲存的彈性能足夠高，則該玻璃可在表面壓縮層遭穿透時以爆炸方式碎裂。在其他情況下，彈性能的釋放可引起碎裂脫離所要的分離路徑。因此，對用于分離增強(qiáng)玻璃基板的替代方法存在需要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本文揭示的一實(shí)施例可示范性地表征為一種方法(例如，用于分離基板的方法)，該方法包括:提供基板，該基板具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面，其中該第一表面及該第二表面中的至少一者受壓縮應(yīng)力且該基板的內(nèi)部是處于張力狀態(tài)；定向激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束具有處于該基板表面處或該基板外部的束腰；使該激光束沿引導(dǎo)路徑相對于該基板加以掃描；在沿該引導(dǎo)路徑的多個位置處用該激光束自該基板的表面移除材料；及，沿該引導(dǎo)路徑分離該基板。
[0005]本文揭示的另一實(shí)施例可示范性地表征為一種方法(例如，用于分離基板的方法)，該方法包括:提供基板，該基板具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面，其中該第一表面及該第二表面中的至少一者受壓縮應(yīng)力且該基板的內(nèi)部是處于張力狀態(tài)；在該基板內(nèi)的多個位置處加工該基板，其中該多個經(jīng)加工位置中的至少一個位于該第二表面處，且該多個位置中的至少一個位于該基板的該內(nèi)部中；及，沿引導(dǎo)路徑分離該基板。該加工可包括定向激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束于該基板的表面處的一光斑具有一強(qiáng)度及一積分通量，其足以激發(fā)光藉由該基板經(jīng)該光斑所照射的一部分的多光子吸收；及，使該激光束相對于該基板加以掃描，以使得該多個經(jīng)加工位置中的至少一些是沿引導(dǎo)路徑布置。
[0006]本文揭示的又一實(shí)施例可示范性地表征為一種用于分離基板的裝置，該基板具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面，其中該裝置包括:激光系統(tǒng)，其經(jīng)配置以沿光徑定向聚焦激光束，該聚焦激光束具有束腰；工件支撐系統(tǒng)，其經(jīng)配置以支撐該增強(qiáng)玻璃基板以使得該第一表面面朝該激光系統(tǒng)，且使得該束腰可定位于該基板的表面處或該基板外部；及控制器，其耦接至至少該激光系統(tǒng)及該工件支撐系統(tǒng)。該控制器可包括:處理器，其經(jīng)配置以執(zhí)行指令來控制至少該激光系統(tǒng)及該工件支撐系統(tǒng)，以便:定向該激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束于該基板的表面處的一光斑具有一強(qiáng)度及一積分通量，其足以激發(fā)光藉由該基板經(jīng)該光斑所照射的一部分的多光子吸收；及使該激光束沿引導(dǎo)路徑相對于該基板加以掃描。該控制器可進(jìn)一步包括內(nèi)存，其經(jīng)配置以儲存該等指令。
[0007]本文揭示的又一實(shí)施例可示范性地表征為一種制品，其包括:增強(qiáng)玻璃物品，其具有第一表面、第二表面及邊緣表面。該邊緣表面可包括:主邊緣區(qū)，其自該第二表面朝該第一表面延伸；及凹口區(qū)，其自該主邊緣區(qū)延伸至該第一表面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A及圖1B為俯視平面圖及橫截面視圖，其分別例示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的能夠加以分離的增強(qiáng)玻璃基板。
[0009]圖2A為例示在基板中形成引導(dǎo)溝槽的過程的一實(shí)施例的平面圖，該基板是就圖1A及圖1B而言來示范性地描述。
[0010]圖2B為截取自圖2A的線IIB-1IB的橫截面視圖。
[0011]圖3A為橫截面視圖，其例示根據(jù)就圖2A及圖2B而言來示范性地描述的過程所形成的引導(dǎo)溝槽的一實(shí)施例。
[0012]圖3B為截取自圖3A的線IIIB-1IIB的橫截面視圖。
[0013]圖4及圖5為例示沿引導(dǎo)溝槽分離基板的過程的一實(shí)施例的橫截面視圖，該引導(dǎo)溝槽是就圖2A至圖3B而言來示范性地描述。
[0014]圖6A為例示增強(qiáng)玻璃塊的俯視平面圖，該等增強(qiáng)玻璃塊已根據(jù)就圖2A至圖5而言來示范性地描述的過程與圖1所示的基板分離。
[0015]圖6B為例示圖6A所示的一塊增強(qiáng)玻璃的側(cè)視平面圖。
[0016]圖7示意地例示裝置的一實(shí)施例，該裝置經(jīng)配置以執(zhí)行就圖2A至圖6B而言來示范性地描述的過程。

【具體實(shí)施方式】
[0017]以下參照隨附圖式更全面地描述本發(fā)明，該等隨附圖式中展示本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式來實(shí)施，且不應(yīng)解釋為限于本文闡述的實(shí)施例。實(shí)情為，提供此等實(shí)施例以便本揭露內(nèi)容將為徹底及完全的，且將為熟習(xí)此項技術(shù)者完全傳達(dá)本發(fā)明的范疇。在圖式中，為達(dá)明晰的目的，層及區(qū)的尺寸及相對尺寸可被夸示。
[0018]在以下描述中，相同參考符號在圖式中展示的若干視圖中指明相同或?qū)?yīng)的部件。如本文所用，單數(shù)形式「一」及「該」也意欲包括多個形式，除非上下文另有清楚指示。也應(yīng)理解，除非另作說明，否則諸如「頂部」、「底部」、「向外」、「向內(nèi)」及類似者的術(shù)語為簡便說法且不欲解釋為限制性術(shù)語。另外，每當(dāng)一群組是描述為「包括」一組要素中的至少一者及其組合時，應(yīng)理解的是，該群組可包括任何數(shù)目的彼等所列舉要素，基本上由彼等要素組成或由彼等要素組成，彼等要素是單獨(dú)的或彼此組合的。類似地，每當(dāng)一群組是描述為「由(一組要素中的至少一者及其組合)組成」時，應(yīng)理解的是，該群組可由任何數(shù)目的彼等所列舉要素組成，彼等要素是單獨(dú)的或彼此組合的。除非另作說明，否則在列舉時，值的范圍包括該范圍的上限及下限，以及上限與下限之間的任何子范圍。
[0019]總體上參照圖式，應(yīng)了解的是，圖例是出于描述特定實(shí)施例的目的且并非意欲限制揭露內(nèi)容或其所附的權(quán)利要求。圖式未必按比例繪制，且該等圖式的某些特征及某些視圖可在比例上夸示或做示意描繪，以達(dá)明晰及簡明的目的。
[0020]圖1A及圖1B為俯視平面圖及橫截面視圖，其分別例示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的能夠加以分離的增強(qiáng)玻璃基板。
[0021]參照圖1A及圖1B，增強(qiáng)玻璃基板100 (本文也簡單稱為「基板」)包括第一表面102、與該第一表面相對的第二表面104及邊緣106a、106b、108a及108b。通常，邊緣106a、106b、108a及108b自第一表面102延伸至第二表面104。雖然基板100例示為在自俯視平面圖進(jìn)行觀察時成基本上正方形，但是要了解基板100可在自俯視平面圖觀察時為任何形狀?；?00可由任何玻璃組合物形成，該玻璃組合物包括而不限于硅酸硼玻璃、堿石灰玻璃、硅酸鋁玻璃、硅酸鋁硼玻璃及類似物或其組合。根據(jù)本文所述的實(shí)施例分離的基板100可藉由增強(qiáng)過程來增強(qiáng)，該增強(qiáng)過程諸如離子交換化學(xué)增強(qiáng)過程、熱回火及類似過程或其組合。應(yīng)理解，雖然本文的實(shí)施例是就化學(xué)增強(qiáng)玻璃基板的情況來描述，但是其他類型的增強(qiáng)玻璃基板皆可根據(jù)本文示范性描述的實(shí)施例來分離。通常，基板100可具有大于200 μ m且小于1mm的厚度t。在一實(shí)施例中，厚度t可在500 μ m至2mm的范圍內(nèi)。在另一實(shí)施例中，厚度t可在600μπι至Imm的范圍內(nèi)。然而要了解，厚度t可大于1mm或小于200 μ m。
[0022]參照圖1B，基板100的內(nèi)部110包括壓縮區(qū)(例如，第一壓縮區(qū)IlOa及第二壓縮區(qū)IlOb)及張力區(qū)110c?；?00的位于壓縮區(qū)I1a及IlOb內(nèi)的部分保持于壓縮應(yīng)力狀態(tài)，該壓縮應(yīng)力狀態(tài)提供玻璃基板100的強(qiáng)度。基板100的位于張力區(qū)IlOc中的部分處于張應(yīng)力下以補(bǔ)償壓縮區(qū)IlOa及IlOb中的壓縮應(yīng)力。通常，內(nèi)部110內(nèi)的壓縮力及拉伸力彼此抵消，以便基板100的凈應(yīng)力為零。
[0023]如示范性所例示，第一壓縮區(qū)IlOa自第一主表面102朝第二主表面104延伸距離(或深度)dl，且因此具有厚度(或「層的深度」，D0L)dl。通常，dl可定義為自基板100的實(shí)體表面至內(nèi)部110內(nèi)的一點(diǎn)的距離，該內(nèi)部中的應(yīng)力為零。第二壓縮區(qū)IlOb的DOL也可為dl。
[0024]取決于過程參數(shù)，諸如基板100的組成及藉以增強(qiáng)基板100的化學(xué)處理及/或熱處理，dl可通常大于10 μ m，該等過程參數(shù)全部為熟習(xí)此項技術(shù)者所知。在一實(shí)施例中，dl大于20 μ m。在一實(shí)施例中，dl大于40 μ m。在另一實(shí)施例中，dl大于50 μ m。在又一實(shí)施例中，dl甚至可大于100 μ m。要了解，基板100可以任何方式制備以產(chǎn)生dl小于ΙΟμπι的壓縮區(qū)。在所例示的實(shí)施例中，張力區(qū)IlOc延伸至邊緣表面106a及106b (以及邊緣表面108a及108b)。然而在另一實(shí)施例中，額外壓縮區(qū)可沿邊緣表面106a、106b、108a及108b延伸。因此，總體而言，壓縮區(qū)形成自基板100的表面延伸至基板100內(nèi)部中的壓縮應(yīng)力外部區(qū)及處于張力狀態(tài)下的由壓縮應(yīng)力外部區(qū)圍繞的張力區(qū)110c。
[0025]取決于上述過程參數(shù)，壓縮區(qū)IlOa及IlOb中的壓縮應(yīng)力的量值是分別于第一表面102及第二表面104處或其附近(也即ΙΟΟμπι內(nèi))進(jìn)行量測，且可大于69MPa。例如，在一些實(shí)施例中，壓縮區(qū)I 1a及IlOb中的壓縮應(yīng)力的量值可大于lOOMPa，大于200MPa，大于300MPa,大于 400MPa，大于 500MPa，大于 600MPa，大于 700MPa，大于 800MPa，大于 900MPa 或甚至大于lGPa。張力區(qū)IlOc中的張應(yīng)力的量值可藉由以下獲得:
CS X DOL
[0026]CT 一 -
t _ 2 X DOL
[0027]其中CT為基板100內(nèi)的中心張力，CS為以MPa表示的壓縮區(qū)中的最大壓縮應(yīng)力，t為以mm表示的基板100的厚度，且DOL為以mm表示的壓縮區(qū)的層深度。
[0028]已示范性地描述能夠根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例加以分離的基板100，現(xiàn)描述分離基板100的示范性實(shí)施例。實(shí)施此等方法之后，基板100可沿諸如引導(dǎo)路徑112的引導(dǎo)路徑分離。雖然引導(dǎo)路徑112是例示為延直線延伸，但是要了解引導(dǎo)路徑112的全部或部分可沿曲線延伸。
[0029]圖2A至圖5例示分離諸如基板100的增強(qiáng)玻璃基板的過程的一實(shí)施例，該過程包括于基板100中形成引導(dǎo)溝槽且隨后沿該引導(dǎo)溝槽分離基板100。具體而言，圖2A及圖2B為俯視平面圖及橫截面視圖，其分別例示形成引導(dǎo)溝槽的過程的一實(shí)施例；圖3八及圖38為橫截面視圖及側(cè)視平面視圖，其分別例示根據(jù)就第2A圖及第2B圖而言來示范性地描述的過程所形成的引導(dǎo)溝槽的一實(shí)施例；及圖4及圖5為例示沿引導(dǎo)溝槽分離基板的過程的一實(shí)施例的橫截面視圖，該引導(dǎo)溝槽是就圖2A至圖3B而言來示范性地描述。
[0030]參照圖2A及圖2B，引導(dǎo)溝槽(例如，圖3A及圖3B所示的引導(dǎo)溝槽200)可由以下形成:定向激光束202于基板上且隨后使該射束202相對于基板100于沿引導(dǎo)路徑112的兩點(diǎn)(例如，圖1A所例示的點(diǎn)A及點(diǎn)B)之間加以掃描至少一次。如所例示，點(diǎn)A位于邊緣106b而B點(diǎn)與邊緣106a間隔分開。要了解，點(diǎn)中的一或兩者皆可位于不同于所例示者的位置處。例如，點(diǎn)B可位于邊緣106a處。圖2A及圖2B例示在射束202已部分完成第一掃描的狀態(tài)下的形成引導(dǎo)溝槽的過程，該狀態(tài)中，射束202正在自點(diǎn)A掃描至點(diǎn)B。
[0031]通常，激光束202是沿光徑定向于基板上，以使得射束202穿過第一表面102且之后穿過第二表面104。在一實(shí)施例中，射束202內(nèi)的光是提供為一系列激光的脈沖，且射束202可沿光徑藉由以下來定向:首先產(chǎn)生激光束且隨后接著將該激光束焦點(diǎn)以產(chǎn)生束腰204。在所例示實(shí)施例中，束腰204是位于基板100外部，以使得相比于第一表面102，束腰204更接近于第二表面104。藉由將束腰204定位于基板100外部，相比于第一表面102更接近于第二表面104，射束202可非線性地聚焦于基板100內(nèi)以在基板的長的狹窄區(qū)內(nèi)(例如，歸因于非線性克爾效應(yīng)、繞射、電漿散焦等等的平衡)損壞基板100的內(nèi)部110，從而可促進(jìn)基板100的后續(xù)分離。然而，藉由改變聚焦射束202的方式，束腰204可提供成相比于第一表面102而更接近于第二表面104。在其他實(shí)施例中，束腰204可相交第一表面102 (以便處于第一表面102處)或第二表面104 (以便處于第二表面104處)。
[0032]在所例示實(shí)施例中，束腰204是位于基板100外部，以便與基板(例如當(dāng)沿光徑量測時)間隔分開大于0.5mm的距離。在一實(shí)施例中，束腰204與基板100間隔分開小于3mm的距離。在一實(shí)施例中，束腰204可與基板100間隔分開1.5mm的距離。然而要了解，束腰204可與基板100間隔分開大于3mm或小于0.5mm的距離。在一些實(shí)施例中，束腰204與基板100間隔分開的距離可基于相比于第二表面104，束腰204是否更接近于第一表面102來選擇。如下文更詳細(xì)論述，束腰204與基板100間隔分開的距離可基于用于輔助基板100分離的引導(dǎo)溝槽的所要構(gòu)型來選擇。
[0033]通常，激光束202內(nèi)的光具有大于10nm的至少一波長。在一實(shí)施例中，激光束202內(nèi)的光可具有小于3000nm的至少一波長。例如，激光束202內(nèi)的光可具有為523nm、532nm、543nm及類似波長或其組合的波長。如上所述，射束202內(nèi)的光是提供為一系列激光的脈沖。在一實(shí)施例中，脈沖中的至少一者可具有大于10毫微微秒(fs)的脈沖持續(xù)時間。在另一實(shí)施例中，脈沖中的至少一者可具有小于500毫微秒(ns)的脈沖持續(xù)時間。在又一實(shí)施例中，至少一脈沖可具有為約10微微秒(ps)的脈沖持續(xù)時間。此外，射束202可沿光徑以大于1Hz的重復(fù)速率來定向。在一實(shí)施例中，射束202可沿光徑以小于10MHz的重復(fù)速率來定向。在另一實(shí)施例中，射束202可沿光徑以約400kHz的重復(fù)速率來定向。要了解，射束202的功率可基于射束202內(nèi)的光的波長及脈沖持續(xù)時間連同其他參數(shù)一起來選擇。例如，當(dāng)射束202具有綠色波長(例如523nm、532nm、543nm及類似波長)且脈沖持續(xù)時間為約1ps時，射束202的功率可具有20W的功率(或約20W)。在另一實(shí)例中，當(dāng)射束202具有UV波長(例如355nm及類似波長)且脈沖持續(xù)時間為約小于1ns (例如Ins)時，射束202的功率可具有在1W至20W(或約1W至約20W)范圍內(nèi)的功率。然而要了解，射束202的功率可按需要來選擇。
[0034]通常，射束202的參數(shù)(本文也稱為「射束參數(shù)」)，諸如上述波長、脈沖持續(xù)時間、重復(fù)速率及功率，以及其他參數(shù)，諸如光斑尺寸、光斑強(qiáng)度、積分通量及類似參數(shù)或其組合，皆可經(jīng)選擇以使得射束202于第一表面102處的一光斑206具有強(qiáng)度及積分通量，其足以切除基板100經(jīng)光斑206所照射的一部分或足以由第一表面102經(jīng)光斑206所照射的一部分誘導(dǎo)射束202內(nèi)的光的多光子吸收。然而，藉由改變例如聚焦射束202的方式，光斑206可移動至第二表面104。因此，基板100于第一表面102或第二表面104處的部分可在該部分藉由光斑206照射時移除。在一實(shí)施例中，光斑206可具有直徑大于I μ m的環(huán)形形狀。在另一實(shí)施例中，光斑206的直徑可小于ΙΟΟμπι。在又一實(shí)施例中，光斑206的直徑可為約30μηι。然而要了解,直徑可大于ΙΟΟμπι或小于I μ m。也要了解,光斑206可具有任何形狀(例如，橢圓形、線形、正方形、梯形及類似形狀或其組合)。
[0035]通常，射束202可沿引導(dǎo)路徑112的兩點(diǎn)A與B之間加以掃描至少一次。在一實(shí)施例中，射束202可沿引導(dǎo)路徑的兩點(diǎn)之間加以掃描至少5次。在另一實(shí)施例中，射束202可沿引導(dǎo)路徑的兩點(diǎn)之間加以掃描至少10次。通常，射束202可以大于或等于lm/s的掃描速率沿引導(dǎo)路徑112的至少一部分的兩點(diǎn)之間加以掃描。在另一實(shí)施例中，射束202可以大于2m/s的掃描速率沿引導(dǎo)路徑112的至少一部分的兩點(diǎn)之間加以掃描。然而要了解，射束202也可以小于lm/s的掃描速率沿引導(dǎo)路徑112的至少一部分的兩點(diǎn)之間加以掃描。例如，射束202可以80mm/s、75mm/s、50mm/s、30mm/s或類似者來掃描。也要了解，射束202于兩點(diǎn)A與B之間掃描的掃描速率及次數(shù)可基于上述射束參數(shù)以及引導(dǎo)溝槽200的所要深度、基板的組成、與基板100分離的塊片所要的邊緣質(zhì)量來選擇。
[0036]引導(dǎo)溝槽參數(shù)，諸如寬度(例如，以「wl」表示，參見圖2A)、深度(例如，以「d2」表示，參見圖3A)、引導(dǎo)溝槽200 —末端的位置、橫截面輪廓及類似參數(shù)，皆可藉由調(diào)整一或多個掃描參數(shù)、束腰置放參數(shù)及/或上述射束參數(shù)來選擇。示范性掃描參數(shù)包括上述掃描速率、于點(diǎn)A與B之間掃描的次數(shù)及類似參數(shù)或其組合。示范性束腰置放參數(shù)包括束腰204是否位于基板100外部及束腰204與基板100間隔分開多遠(yuǎn)，束腰204是否更接近于第一表面102或第二表面104，束腰204是否處于第一表面102或第二表面104，及類似參數(shù)或其組合。完成形成引導(dǎo)溝槽的過程后，形成如第3A圖及第3B圖所示的引導(dǎo)溝槽200。
[0037]參照圖3A及圖3B，引導(dǎo)溝槽200于沿引導(dǎo)路徑112的任何位置處的深度d2可界定為自形成該引導(dǎo)溝槽的基板100的實(shí)體表面(例如第一表面102，如示范性所例示)至引導(dǎo)溝槽200的下表面300的距離。取決于上述射束參數(shù)、掃描參數(shù)及束腰置放參數(shù)，沿引導(dǎo)路徑112的任何位置處的d2可大于dl，等于dl或小于dl。當(dāng)d2大于dl時，d2可在大于dl5% (或小于5% )至100% (或100%以上)的范圍內(nèi)。當(dāng)d2小于dl時，d2可在小于dll% (或小于1%)至90% (或90%以上)的范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，上述射束參數(shù)、掃描參數(shù)、束腰置放參數(shù)及類似參數(shù)可經(jīng)選擇以使得d2可大于30 μ m。在另一實(shí)施例中，d2可小于50 μ m。在又一實(shí)施例中，d2可為約40 μ m。
[0038]如圖3A所示，引導(dǎo)溝槽200的末端302與基板100的邊緣106a間隔分開。末端302于基板100內(nèi)的位置相應(yīng)于圖1A中所示點(diǎn)B的位置。因此，若點(diǎn)B重新定位于邊緣106a，則引導(dǎo)溝槽200的末端302將與邊緣106a重合(以便處于邊緣106a處)。
[0039]參照圖3B，上述射束參數(shù)、掃描參數(shù)、束腰置放參數(shù)及類似參數(shù)可經(jīng)選擇以調(diào)整下表面300的曲率半徑。取決于上述射束參數(shù)、掃描參數(shù)、束腰置放參數(shù)、基板參數(shù)(例如，基板組成、壓縮區(qū)深度、壓縮區(qū)內(nèi)壓縮應(yīng)力的量值、張力區(qū)內(nèi)張應(yīng)力的量值及類似參數(shù)或其組合)，及類似參數(shù)或其組合，引導(dǎo)溝槽參數(shù)(例如，引導(dǎo)溝槽200的d2、引導(dǎo)溝槽200的曲率半徑、引導(dǎo)溝槽200的末端302相對于基板100的邊緣的位置，及類似參數(shù))可經(jīng)選擇以促進(jìn)基板100沿引導(dǎo)路徑112所要分離。例如，若深度d2太小及/或若曲率半徑太大，則基板100可沿不合需要地偏移遠(yuǎn)離引導(dǎo)路徑112的一路徑分離，或可不合需要地于基板100中產(chǎn)生小裂紋，從而可降低與基板100分離的增強(qiáng)玻璃塊的強(qiáng)度。
[0040]圖4及圖5為例示沿引導(dǎo)溝槽分離基板的過程的一實(shí)施例的橫截面視圖，該引導(dǎo)溝槽如圖2A至圖3B所示。
[0041]在一實(shí)施例中，上述引導(dǎo)溝槽參數(shù)可經(jīng)選擇以確保在形成引導(dǎo)溝槽200后，基板100自發(fā)地分離(例如沿引導(dǎo)溝槽200分離)。然而在所例示實(shí)施例中，上述引導(dǎo)溝槽參數(shù)經(jīng)選擇以使得阻止基板100沿引導(dǎo)溝槽200自發(fā)地分離。在該等實(shí)施例中，可執(zhí)行一或多種額外過程以在形成引導(dǎo)溝槽200之后于基板100內(nèi)部形成通氣裂紋。該通氣裂紋的寬度、深度、尺寸等等可經(jīng)選擇及/或調(diào)整(例如，基于一或多個額外過程的參數(shù)來選擇及/或調(diào)整)以確?；?00可于形成通氣裂紋后沿引導(dǎo)路徑112分離。因此，通氣裂紋及引導(dǎo)溝槽200可經(jīng)配置以使得基板100可于形成通氣裂紋后沿引導(dǎo)路徑112分離。通氣裂紋可以任何方式形成。例如，通氣裂紋可由以下形成:于基板100上的激光輻射、機(jī)械地沖擊基板100、化學(xué)腐蝕基板100及類似者或其組合。
[0042]當(dāng)藉由定向激光輻射于基板100上來形成通氣裂紋時，激光輻射可具有大于10nm的至少一波長。在一實(shí)施例中，激光輻射可具有小于11 μ m的至少一波長。例如，激光輻射可具有小于3000nm的至少一波長。在另一實(shí)施例中，激光輻射具有選自由以下組成的群的至少一波長:266nm、523nm、532nm、543nm、780nm、800nm、1064nm、1550nm、10.6 μ m 及類似波長。在一實(shí)施例中，該激光輻射可定向至引導(dǎo)溝槽200中，引導(dǎo)溝槽200外部，或其組合。類似地，該激光輻射可定向于基板100的表面邊緣處或遠(yuǎn)離該邊緣。在一實(shí)施例中，該激光輻射可具有類似于束腰200的束腰。該束腰可定位于基板100外部或至少部分地與基板100的任何部分重合。當(dāng)藉由機(jī)械地沖擊基板100來形成通氣裂紋時，基板100的一部分可藉由任何適合的方法(例如，藉由撞擊、研磨、切割及類似方法或其組合)機(jī)械地沖擊。當(dāng)藉由化學(xué)腐蝕基板100來形成通氣裂紋時，基板100的一部分可于接觸蝕刻劑(例如，干蝕刻劑、濕蝕刻劑及類似物或其組合)之后移除。
[0043]在其他實(shí)施例中，通氣裂紋特征可為:由移除基板100的一部分來形成。參照圖4，根據(jù)一實(shí)施例的通氣裂紋可由移除基板100的一部分形成，以便沿引導(dǎo)路徑112形成一起始溝槽，諸如起始溝槽400。因此，起始溝槽400可與引導(dǎo)溝槽200對準(zhǔn)。然而在另一實(shí)施例中，起始溝槽400可與引導(dǎo)路徑112間隔分開，以便不與引導(dǎo)溝槽200對準(zhǔn)。在此實(shí)施例中，起始溝槽400仍足夠接近于引導(dǎo)路徑112以便起始一裂紋，該裂紋可傳播至弓I導(dǎo)溝槽200。
[0044]在一實(shí)施例中，起始溝槽400及引導(dǎo)溝槽200自同一表面(例如第一表面102，如示范性所例示)延伸至基板100中。在所例示的實(shí)施例中，起始溝槽400自表面102延伸至基板100中。然而在另一實(shí)施例中，起始溝槽400可自引導(dǎo)溝槽200(例如，自引導(dǎo)溝槽200的下表面300)延伸至基板100中。在所例示實(shí)施例中，起始溝槽400自引導(dǎo)溝槽200的末端302沿引導(dǎo)路徑112延伸(例如朝向邊緣106b)。然而在另一實(shí)施例中，起始溝槽400可自基板100的邊緣106a沿引導(dǎo)路徑112延伸，或可自引導(dǎo)路徑200的任何位置沿引導(dǎo)路徑112延伸。起始溝槽400的寬度可大于、小于或等于引導(dǎo)溝槽200的寬度《I。如示范性所例示，起始溝槽400的長度(例如沿圖1A所示的引導(dǎo)路徑112來量測)小于引導(dǎo)溝槽200的長度(例如，也沿引導(dǎo)路徑112來量測)。然而在其他實(shí)施例中，起始溝槽400的長度可等于或大于引導(dǎo)溝槽200的長度。
[0045]如示范性所例示，起始溝槽400延伸至深度d3，以使得下表面402延伸至張力區(qū)IlOc中。然而在另一實(shí)施例中，起始溝槽400可幾乎延伸至張力區(qū)IlOc或延伸至壓縮區(qū)IlOa與張力區(qū)IlOc之間的邊界。類似于深度d2，起始溝槽400的深度d3可界定為自形成該起始溝槽的基板100的實(shí)體表面(例如第一表面102，如示范性所例示)至起始溝槽400的下表面402的距離。當(dāng)大于dl時，d3可在大于dl5% (或小于5% )至100% (或100%以上)的范圍內(nèi)。當(dāng)小于dl時，d3可在小于dll% (或小于1% )至90% (或90%以上)的范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，上述射束參數(shù)、掃描參數(shù)、束腰置放參數(shù)及類似參數(shù)或其組合可經(jīng)選擇以使得d3可為至少20 μ m、至少30 μ m、至少40 μ m、至少50 μ m、大于50 μ m、小于20μηι,及類似者。在另一實(shí)施例中，d3可為約40μηι或約50μηι。起始溝槽400可由任何所要的方法形成。例如，起始溝槽400可由以下形成:定向激光輻射于基板100上、機(jī)械地沖擊基板100 (例如藉由切割、研磨等等)、化學(xué)腐蝕基板100及類似者或其組合。
[0046]在形成通氣裂紋后，通氣裂紋自發(fā)地沿引導(dǎo)溝槽200傳播以沿弓I導(dǎo)路徑112分離基板100。例如，且參照圖5，通氣裂紋的前緣500可沿箭頭502所指示的方向沿引導(dǎo)溝槽200傳播。參考數(shù)字504標(biāo)識基板100的一部分的新邊緣表面，其已沿引導(dǎo)路徑112分離。
[0047]圖6Α為例示增強(qiáng)玻璃塊的俯視平面圖，該等增強(qiáng)玻璃塊已根據(jù)就圖2Α至圖5而言來示范性地描述的過程與圖1所示的基板分離。圖6Β為例示圖6Α所示的一塊增強(qiáng)玻璃的側(cè)視平面圖。
[0048]參照圖6Α及圖6Β，在裂紋500沿引導(dǎo)溝槽200的長度傳播之后，基板100完全分離成增強(qiáng)玻璃物品(本文也稱為「物品」)600及602。各物品600或602可包括第一表面102’及第二表面104’，其分別相應(yīng)于基板100的第一表面102及第二表面104。各物品可進(jìn)一步包括于分離基板100之后獲得的邊緣604。通常,邊緣604可包括邊緣表面504及凹口區(qū)606。凹口區(qū)606相應(yīng)于基板100的暴露于引導(dǎo)溝槽200、起始溝槽400或其組合的部分。因此，凹口區(qū)606自邊緣表面504的邊緣608及第一表面102’的邊緣610延伸。凹口區(qū)606可具有大于、小于或等于深度d2或d3中任何深度的深度d4。在一實(shí)施例中，d4可大體上等于d2或d3。通常，d4可量測為邊緣608與610之間的沿至少大體上垂直于第一表面102’ (或第二表面104’)的方向或沿至少大體上平行于邊緣表面504的方向的距離。類似地，凹口區(qū)606可具有大于、小于或等于寬度wl的寬度w2。在一實(shí)施例中，w2可大體上為wl的50%。通常，《2可量測為邊緣608與610之間的沿至少大體上垂直于第一表面504的方向或沿至少大體上平行于第一表面102’(或第二表面104’ )的方向的距離。
[0049]諸如物品600或602的增強(qiáng)玻璃物品可用作保護(hù)蓋板(如本文所用，術(shù)語「蓋板」包括窗戶及類似物)以用于顯示器及觸控屏幕應(yīng)用，諸如但不限于可攜式通訊及娛樂設(shè)備，諸如電話、音樂播放器、視訊播放器及類似物；及用作用于信息相關(guān)終端機(jī)(IT)(例如，便攜計算機(jī)、膝上型計算機(jī)等等)設(shè)備的顯示屏幕；以及用于其他應(yīng)用。要了解，如上就圖6A及圖6B而言來示范性描述的物品600及602可使用任何所要裝置來形成。圖7示意地例示裝置的一實(shí)施例，該裝置經(jīng)配置以執(zhí)行就圖2A至圖6B而言來示范性地描述的過程。
[0050]參照第7圖，諸如裝置700的裝置可分離諸如基板100的增強(qiáng)玻璃基板。裝置700可包括工件定位系統(tǒng)及激光系統(tǒng)。
[0051]通常，工件支撐系統(tǒng)經(jīng)配置以支撐基板100，以使得第一表面102面朝激光系統(tǒng)且使得束腰可相對于如上就圖2B而言來示范性地描述的基板100進(jìn)行定位。如示范性所例示，工件支撐系統(tǒng)可包括經(jīng)配置以支撐基板100的卡盤，諸如卡盤702 ;及經(jīng)配置以移動該卡盤702的可移動平臺704。卡盤702可經(jīng)配置以僅接觸基板100的第二表面104的一部分(如所例示)或可接觸第二表面104全部。通常，可移動平臺704經(jīng)配置以相對于激光系統(tǒng)橫向地移動卡盤702。因此，可移動平臺704可經(jīng)操作以使束腰相對于基板100加以掃描。
[0052]通常，激光系統(tǒng)經(jīng)配置以沿光徑定向諸如上述射束202的射束(其中射束202具有如上就束腰204而言來示范性地描述的束腰)。如示范性所例示，激光系統(tǒng)可包括雷射706，其經(jīng)配置以產(chǎn)生激光束702a ;及光學(xué)總成708，其經(jīng)配置以聚焦射束702a來產(chǎn)生束腰204。光學(xué)總成708可包括透鏡且可沿由箭頭708a所指示的方向移動來改變射束202的束腰相對于基板100的位置(例如沿z軸)。激光系統(tǒng)可進(jìn)一步包括射束導(dǎo)引系統(tǒng)710，其經(jīng)配置以將射束202的束腰相對于基板100及工件支撐系統(tǒng)橫向地移動。在一實(shí)施例中，射束導(dǎo)引系統(tǒng)710可包括電流計、快速導(dǎo)引鏡、聲光偏轉(zhuǎn)器、電光偏轉(zhuǎn)器及類似物或其組合。因此，射束導(dǎo)引系統(tǒng)710可經(jīng)操作以使束腰相對于基板100加以掃描。
[0053]裝置700可進(jìn)一步包括控制器712，其以可通訊方式耦接至激光系統(tǒng)的一或多個組件、耦接至工件支撐系統(tǒng)的一或多個組件或其組合?？刂破骺砂ㄌ幚砥?14及內(nèi)存716。處理器714可經(jīng)配置以執(zhí)行藉由內(nèi)存716儲存指令，以便控制激光系統(tǒng)、工件支撐系統(tǒng)或其組合中至少一組件的操作，以便可執(zhí)行如上就圖1至圖5而言來示范性地描述的實(shí)施例。
[0054]通常，處理器714可包括定義各種控制功能的運(yùn)算邏輯(未示出)，且可呈專用硬件形式，諸如固線式狀態(tài)機(jī)、執(zhí)行可程序化指令的處理器及/或呈如熟習(xí)此項技術(shù)者將思及的不同形式。運(yùn)算邏輯可包括數(shù)字電路、模擬電路、軟件或此等類型中任何類型的混合組合。在一實(shí)施例中，處理器714包括可程序化微控器微處理器或另一處理器，該另一處理器可包括一或多個經(jīng)布置以根據(jù)運(yùn)算邏輯來執(zhí)行儲存于內(nèi)存716中的指令的處理單元。內(nèi)存716可包括一或多種類型，包括半導(dǎo)體、磁性及/或光學(xué)種類，及/或可為依電性及/或非依電性種類。在一實(shí)施例中，內(nèi)存716儲存可藉由運(yùn)算邏輯執(zhí)行的指令?；蛘呋蛄硗?，內(nèi)存716可儲存藉由運(yùn)算邏輯調(diào)處的數(shù)據(jù)。在一布置中，運(yùn)算邏輯及內(nèi)存皆包括于控制器/處理器形式的運(yùn)算邏輯中，該運(yùn)算邏輯管理且控制裝置700的任何組件的操作態(tài)樣，盡管在其他布置中，其可為獨(dú)立的。
[0055]在一實(shí)施例中，控制器712可控制激光系統(tǒng)及工件定位系統(tǒng)中一者或兩者的操作以使用激光706形成起始溝槽400。在另一實(shí)施例中，控制器712可控制激光系統(tǒng)、工件定位系統(tǒng)及通氣裂紋起始系統(tǒng)中至少一者的操作以形成起始溝槽400。
[0056]在一實(shí)施例中，諸如通氣裂紋起始系統(tǒng)718的通氣裂紋起始系統(tǒng)可包括于裝置700內(nèi)部。通氣裂紋起始系統(tǒng)718可包括通氣裂紋起始設(shè)備720，其可操作以形成上述起始溝槽400。通氣裂紋起始設(shè)備720可耦接至定位總成722 (例如，雙軸機(jī)器人)，該定位總成經(jīng)配置以移動通氣裂紋起始設(shè)備720 (例如，沿藉由箭頭718a及718b中一者或兩者所指示的方向移動)。通氣裂紋起始設(shè)備720可包括砂輪、切刀、激光源、蝕刻劑噴嘴及類似物或其組合。在另一實(shí)施例中，另一通氣裂紋起始系統(tǒng)可包括諸如激光724的激光，其可操作來產(chǎn)生光束且定向該光束至上述激光系統(tǒng)中，從而促進(jìn)起始溝槽400的形成。在又一實(shí)施例中，另一通氣裂紋起始系統(tǒng)可包括輔助激光系統(tǒng)，其經(jīng)配置以產(chǎn)生激光束726，該激光束足以如上示范性所述形成起始溝槽400。因此，輔助激光系統(tǒng)可包括激光728，其可操作以產(chǎn)生光束728a ;光學(xué)總成730，其經(jīng)配置以聚焦該射束728a以便定向射束726至基板100。
[0057]前文說明本發(fā)明的實(shí)施例，且不欲解釋為本發(fā)明的限制。雖然已描述本發(fā)明的少數(shù)示例實(shí)施例，但熟習(xí)此項技術(shù)者應(yīng)易了解，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新穎教示內(nèi)容及優(yōu)點(diǎn)之情況下，可能對示例實(shí)施例中進(jìn)行許多修改。因此，所有此等修改意欲包括在如權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的范疇內(nèi)。因此，應(yīng)理解，前文說明本發(fā)明且不欲解釋為將本發(fā)明限于所揭示的本發(fā)明的特定示例實(shí)施例，并且對所揭示的示例實(shí)施例以及其他實(shí)施例的修改皆欲包括在附加權(quán)利要求的范疇內(nèi)。本發(fā)明藉由以下權(quán)利要求來界定,其中包括該權(quán)利要求的等效物。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包括: 提供一基板，該基板具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，其中該第一表面及該第二表面中的至少一者受壓縮應(yīng)力且該基板的一內(nèi)部是處于一張力狀態(tài)； 定向一激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束具有處于該基板一表面處或該基板外部的一束腰； 使該激光束沿一引導(dǎo)路徑相對于該基板加以掃描； 在沿該引導(dǎo)路徑的多個位置處用該激光束自該基板的一表面移除材料；及 沿該引導(dǎo)路徑分離該基板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基板為一增強(qiáng)玻璃基板。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該基板具有大于200μ m的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該基板具有小于600μ m的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基板包括: 一壓縮區(qū)，其自該第一表面及該第二表面中的至少一者延伸至該基板的該內(nèi)部中；及 一張力區(qū)，其鄰近于該壓縮區(qū)， 其中該壓縮區(qū)的厚度大于10 μ m。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該壓縮區(qū)內(nèi)的壓縮應(yīng)力大于600MPa。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該壓縮區(qū)的該厚度大于40μ m。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該壓縮區(qū)的該厚度大于50μ m。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該束腰在該基板外部。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中相比于該第一表面，該束腰更接近于該第二表面。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該激光束內(nèi)的光具有大于10nm且小于3000nm的至少一波長。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該激光束內(nèi)的光具有處在紫外光譜中的至少一波長。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中定向該激光束包括定向該激光的至少一脈沖，該脈沖具有大于10毫微微秒(fs)且小于500毫微秒(ns)的脈沖持續(xù)時間。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中定向該激光束包括以大于1Hz且小于10MHz的重復(fù)速率定向該激光的脈沖。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使該激光束沿一引導(dǎo)路徑相對于該基板加以掃描包括在該引導(dǎo)路徑上的兩點(diǎn)之間掃描該激光束至少一次。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括在沿該引導(dǎo)路徑的兩點(diǎn)之間掃描該激光束至少5次。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括沿該引導(dǎo)路徑的至少一部分以小于lm/s的掃描速率掃描該激光束。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括沿該引導(dǎo)路徑的至少一部分以大于lm/s的掃描速率掃描該激光束。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包括沿該引導(dǎo)路徑的至少一部分以約2m/s的掃描速率掃描該激光束。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該引導(dǎo)路徑的至少一部分是以直線形式沿該第一表面延伸。
21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該引導(dǎo)路徑的至少一部分是以曲線形式沿該第一表面延伸。
22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除材料包括自該第二表面移除材料。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中自該基板的該表面移除材料包括形成一延伸至該基板中的引導(dǎo)溝槽。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該引導(dǎo)溝槽沿該引導(dǎo)路徑延伸。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該基板包括一增強(qiáng)玻璃基板，其具有一壓縮區(qū)，該壓縮區(qū)自該第一表面及該第二表面中的該至少一者延伸至該基板的該內(nèi)部中，且其中該引導(dǎo)溝槽的至少一部分的深度大于或等于該壓縮區(qū)的該厚度。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中該引導(dǎo)溝槽的至少一部分的深度小于該壓縮區(qū)的該厚度。
27.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該引導(dǎo)溝槽經(jīng)配置以使得基板可于形成該引導(dǎo)溝槽后沿該引導(dǎo)路徑分離。
28.如權(quán)利要求23所述的方法，其中該引導(dǎo)溝槽經(jīng)配置以使得基板于形成該引導(dǎo)溝槽后仍為結(jié)合的，且其中分離該基板包括在形成該引導(dǎo)溝槽之后于該基板內(nèi)形成一通氣裂紋，且其中該通氣裂紋及該引導(dǎo)溝槽經(jīng)配置以使得該基板可于形成該通氣裂紋后沿該引導(dǎo)溝槽分離。
29.—種方法,其包括: 提供一基板，該基板具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，其中該第一表面及該第二表面中的至少一者受壓縮應(yīng)力且該基板的一內(nèi)部是處于一張力狀態(tài)； 在該基板內(nèi)的多個位置處加工該基板，其中該多個經(jīng)加工位置中的至少一個位于該第二表面處，且該多個位置中的至少一個位于該基板的該內(nèi)部中；該加工包括: 定向一激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束于該基板的一表面處的一光斑具有一強(qiáng)度及一積分通量，其足以激發(fā)光藉由該基板經(jīng)該光斑所照射的一部分的多光子吸收；及 使該激光束相對于該基板加以掃描，以使得該多個經(jīng)加工位置中的至少一些是沿一引導(dǎo)路徑布置 '及 沿該引導(dǎo)路徑分離該基板。
30.如權(quán)利要求29所述的方法,其中該光斑具有一橢圓形。
31.如權(quán)利要求29所述的方法,其中該光斑位于該基板的該第二表面處。
32.如權(quán)利要求29所述的方法，其中加工該基板包括形成自該第二表面延伸至該基板的該內(nèi)部中的一引導(dǎo)溝槽。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中該引導(dǎo)溝槽沿該引導(dǎo)路徑延伸。
34.一種用于分離一基板的裝置，該基板具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，其中該裝置包括: 一激光系統(tǒng)，其經(jīng)配置以沿一光徑定向一聚焦激光束，該聚焦激光束具有一束腰； 一工件支撐系統(tǒng)，其經(jīng)配置以支撐該增強(qiáng)玻璃基板以使得該第一表面面朝該激光系統(tǒng)，且使得該束腰可定位于該基板的一表面處或該基板外部 '及 一控制器，其耦接至至少該激光系統(tǒng)及該工件支撐系統(tǒng)，該控制器包括: 一處理器，其經(jīng)配置以執(zhí)行指令來控制至少該激光系統(tǒng)及該工件支撐系統(tǒng)，以便: 定向該激光束以穿過該第一表面且于穿過該第一表面之后穿過該第二表面，其中該激光束于該基板的一表面處的一光斑具有一強(qiáng)度及一積分通量，其足以激發(fā)光藉由該基板經(jīng)該光斑所照射的一部分的多光子吸收；及 使該激光束沿一引導(dǎo)路徑相對于該基板加以掃描；及 一內(nèi)存，其經(jīng)配置以儲存該等指令。
35.一種制造的物品，其包括: 一增強(qiáng)玻璃物品，其具有一第一表面、一第二表面及一邊緣表面，其中該邊緣表面包括: 一主邊緣區(qū)，其自該第二表面朝該第一表面延伸 '及 一凹口區(qū)，其自該主邊緣區(qū)延伸至該第一表面。
36.如權(quán)利要求35所述的物品，其中該凹口區(qū)沿該第一表面的一邊緣延伸。
【文檔編號】G02F1/13GK104136967SQ201380009631
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月28日
【發(fā)明者】張海濱, 徐倩 申請人:伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司