光學材料用永久膜的制造方法、利用所述方法制作的硬化膜、使用所述硬化膜的有機el顯 ...的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光學材料用永久膜的制造方法，其對感光性樹脂組合物進行曝光并將所述曝光部去除，使其剩余部分硬化而制成永久膜，并且上述感光性樹脂組合物含有(A)特定交聯(lián)性聚合物、(B)1，2-醌二疊氮化合物及(C)溶劑，通過移相部的透射率為0.1％以上、50％以下的半色調相位差掩模，對所述感光性樹脂組合物照射選自g射線、h射線及i射線中的活性放射線，對上述樹脂進行曝光。
【專利說明】光學材料用永久膜的制造方法、利用所述方法制作的硬化 膜、使用所述硬化膜的有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種光學材料用永久膜的制造方法、利用所述方法制作的硬化膜、使 用所述硬化膜的有機電致發(fā)光（Electroluminescence, EL)顯示裝置及液晶顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 在有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置等中，就提高亮度、降低消耗電力等觀點而 言，設有層間絕緣膜。形成所述層間絕緣膜時，廣泛使用感光性樹脂組合物，其原因在于：用 以獲得必要圖案形狀的步驟數(shù)少，而且可獲得充分的平坦性等。
[0003] 對于如上所述的使用感光性樹脂組合物進行圖案形成所得的層間絕緣膜，要求其 相對介電常數(shù)（relative permittivity)低。另外，近年來，為了以良好的生產性來制造有 機EL顯示裝置或液晶顯示裝置，要求感光性樹脂組合物的高感度化。作為可應對此種需求 (needs)的材料，提出有在可形成相對介電常數(shù)低的層間絕緣膜的主粘合劑中導入有（氟 化）烴基的材料（參照專利文獻1)。另外，作為高感度的感光性樹脂組合物，例如提出有將 具有縮醛（acetal)結構或縮酮（ketal)結構的粘合劑或特定的堿可溶性樹脂與醌二疊氮 化合物組合而成的樹脂組合物（參照專利文獻2、專利文獻3)。
[0004] [現(xiàn)有技術文獻]
[0005] [專利文獻]
[0006] [專利文獻1]日本專利特開平10-026829號公報 [0007][專利文獻2]日本專利特開2011-221494號公報 [0008][專利文獻3]日本專利特開2011-138116號公報 [0009][專利文獻4]日本專利特開2000-031001號公報


【發(fā)明內容】

[0010] 發(fā)明要解決的問題
[0011] 再者，在半導體元件而非如上所述的光學產品的制造中，伴隨著其配線等的微細 化而提出了各種加工法。最近，正在開發(fā)以在微細化的基礎上進一步優(yōu)化品質為目的的技 術。其中，關于光刻（photo lithography),可列舉利用半色調掩模的技術作為最近實現(xiàn)了 實用化者。
[0012] 圖3為用以說明使用半色調掩模的曝光的原理的說明圖。如圖3所示，在典型的半 色調掩模30中，相對于光透射性的透明基材32,設有將一部分的透射光遮蔽的移相部（相 位變更膜）31。對所述相位變更膜31賦予使所照射的光L3的相位反轉的性質。此處，若假 定相位變更膜31為完全遮光性，則光L3大致以圖3中的曲線34的曝光強度對被加工基板 照射光。此處，曝光強度曲線34并非矩形而成為正弦曲線（sine curve)。其原因在于：透 過開口部s的光并非完全的直線光，而是以相應的寬幅擴散，在亮暗的邊界產生模糊。另一 方面，若嘗試僅取出透過相位變更膜31的光的成分，則可如曝光強度曲線35般來表示。輔 助線k表示光的相位上下反轉。經(jīng)分解成所述2個成分的光（曝光強度曲線34、曝光強度 曲線35)由于處于相反相位，故在照射位置一致的區(qū)域中所述光的強度被消除。結果，可進 行在亮暗的邊界具有更狹窄（sharp)的曝光強度曲線33的分布的曝光。由此得知，根據(jù)半 色調掩模，可對感光材料進行與開口部s更一致的并無亮暗模糊的曝光。根據(jù)此種作用原 理，為了提高更微細的電路配線的品質，而將半色調掩模應用于其感光材料的曝光（例如 參照上述專利文獻4)。
[0013] 己研究了將利用所述半色調掩模的曝光技術應用于上述光學材料中的層間絕緣 膜的形成。此處所應用的感光性樹脂與在制造過程中去除的半導體制造的抗蝕劑不同，要 求其形成永久膜。即，必須在對感光性樹脂進行曝光后，不因蝕刻而被去除，而是直接殘留 于器件的內部，對應于設備的壽命而長期維持其絕緣性等。因此，在簡單地運用適于半導體 制造中的半色調掩模的感光性樹脂的情況下，難以稱之為可滿足上述要求。另一方面，即便 為形成層間絕緣膜（永久膜）的感光性樹脂，也未知如上述專利文獻1?專利文獻3般的通 常的曝光技術中應用的技術是否直接在利用半色調掩模的曝光處理中顯示出良好的性能。
[0014] 本發(fā)明的目的在于提供一種光學材料用永久膜的制造方法，其在利用上述半色調 掩模的曝光中發(fā)揮優(yōu)異的感光特性，可適宜地形成適于有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置 的層間絕緣膜（永久膜）。
[0015] 解決問題的技術手段
[0016] 本發(fā)明的上述問題是通過以下手段來解決。
[0017] [1] 一種光學材料用永久膜的制造方法，其對感光性樹脂組合物進行曝光并將曝 光部去除，使其剩余部分硬化而制成永久膜，并且
[0018] 上述感光性樹脂組合物含有（A)特定交聯(lián)性聚合物、（B) 1，2-醌二疊氮化合物及 (C)溶劑，
[0019] 所述特定交聯(lián)性聚合物（A)為
[0020] (A-1)含有結構單元（a)及結構單元（b)的共聚物，上述結構單元（a)為具有羧基 的結構單元或具有酚性輕基的結構單元，上述結構單元（b)具有交聯(lián)基；或
[0021] (A-2)含有結構單元（a)的聚合物與含有結構單元（b)的聚合物的組合，上述結構 單元（a)為具有羧基的結構單元或具有酚性羥基的結構單元，上述結構單元（b)具有交聯(lián) 基，
[0022] 通過移相部的透射率為0. 1%以上、50%以下的半色調相位差掩模，對所述感光性 樹脂組合物照射選自g射線、h射線及i射線中的活性放射線，對上述樹脂進行曝光。
[0023] [2]如[1]所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中上述結構單元（b)具有選 自縮水甘油基部位、氧雜環(huán)丁烷部位及乙烯性不飽和基中的至少一個。
[0024] [3]如[1]或[2]所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中上述活性放射線為 將選自g射線、h射線及i射線中的多種混合而成的。
[0025] [4]如[1]至[3]中任一項所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中上述感光 性樹脂組合物的曝光量為30mJ/cm 2以上、1000mJ/cm2以下。
[0026] [5]如[1]至[4]中任一項所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中上述感光 性樹脂組合物還含有中空的微粒子。
[0027] [6]如[1]至[5]中任一項所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中上述感光 性樹脂組合物為化學增幅正型感光性樹脂組合物。
[0028] [7]如[1]至[6]中任一項所記載的光學材料用永久膜的制造方法，其中相對于上 述感光性樹脂組合物100質量份，應用3質量份?20質量份的1,2-醌二疊氮化合物。
[0029] [8]如[1]至[7]中任一項所記載的光學材料用永久膜的制造方法，還包括在曝光 后進行熱硬化的后烘烤步驟。
[0030] [9] 一種硬化膜，其是利用如[1]至[8]中任一項所記載的制造方法來制造。
[0031] [10]如[9]所記載的硬化膜，其為層間絕緣膜。
[0032] [11] -種有機EL顯示裝置，其具備如[9]或[10]所記載的硬化膜。
[0033] [12] -種液晶顯示裝置，其具備如[9]或[10]所記載的硬化膜。
[0034] 發(fā)明的效果
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的光學材料用永久膜的制造方法，可在利用上述半色調掩模的曝光中 發(fā)揮優(yōu)異的感光特性（分辨率等），而且可綜合地優(yōu)化耐溶劑性及防止膜薄化的性能、進而 圖案邊緣的平坦性，可適宜地形成適于有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置的層間絕緣膜（永 久膜）。
[0036] 本發(fā)明的上述及其他特征及優(yōu)點將根據(jù)以下的記載及隨附的圖式而進一步明確。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1為示意性地表示液晶顯示裝置的一例的剖面圖，上述液晶顯示裝置應用使用 本發(fā)明的感光性樹脂組合物的硬化膜。
[0038] 圖2為示意性地表示EL顯示裝置的一例的剖面圖，上述EL顯示裝置應用使用本 發(fā)明的感光性樹脂組合物的硬化膜。
[0039] 圖3為示意性地表示利用半色調相位差掩模的曝光形態(tài)及其特征的說明圖。
[0040] 圖4為示意性地表示實施例中所用的半色調掩模的形態(tài)的平面圖。
[0041] 圖5為說明本發(fā)明的優(yōu)選實施形態(tài)的硬化膜的制造方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0042] 首先，對可適宜地使用本發(fā)明的感光性樹脂組合物的顯示裝置的例子加以說明。
[0043] 圖1為示意性地表示有源矩陣（active matrix)方式的液晶顯示裝置10的一例的 剖面圖。所述彩色液晶顯示裝置10為在背面具有背光單元2的液晶面板，且液晶面板中配 置有薄膜晶體管（Thin-Film Transistor, TFT)6的元件，所述薄膜晶體管6的元件與配置 于貼附有偏光膜的2片玻璃基板4、玻璃基板5之間的所有像素相對應。對于形成于玻璃基 板上的各元件，通過形成于硬化膜（層間絕緣膜）7中的接觸孔12來進行氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ΙΤ0)透明電極11的配線，上述ΙΤ0透明電極11形成像素電極。在ΙΤ0透明電 極11上，設有液晶8的層及配置有黑色矩陣3的紅綠藍（Red Green Blue，RGB)彩色濾光 片1。根據(jù)此種構成的器件，可自背面的背光2照射光L1，通過液晶8的開/關（0n/0ff) 的切換在必要的部位使彩色的光L2放射，顯示彩色圖像。
[0044] 圖2為示意性地表示有機EL顯示裝置的一例的剖面圖。此處表示底部發(fā)光 (bottom emission)型的有機EL顯示裝置中的基板的示意性剖面圖，具有平坦化膜24。在 玻璃基板26上形成底部柵極型的薄膜晶體管21，以覆蓋所述薄膜晶體管21的狀態(tài)形成包 含Si3N4的絕緣膜23。在絕緣膜23中，此處形成接觸孔后，在絕緣膜23上形成經(jīng)由所述接 觸孔而連接于薄膜晶體管21的配線22 (高度為1. Ο μ m)。配線22是用以將薄膜晶體管21 之間、或后續(xù)步驟中形成的有機EL元件與薄膜晶體管21連接的配線。進而，為了使因形成 配線22所致的凹凸平坦化，以填埋由配線22所致的凹凸的狀態(tài)在絕緣膜23上形成平坦化 膜（層間絕緣膜）24。
[0045] 在平坦化膜24上，形成有底部發(fā)光型的有機EL元件。即，在平坦化膜24上，經(jīng)由 接觸孔27連接于配線22而形成包含ΙΤ0的第一電極25。第一電極25相當于有機EL元件 的陽極。形成覆蓋第一電極25的邊緣的形狀的絕緣膜28,通過設置所述絕緣膜28,可防止 第一電極25與其后續(xù)步驟中形成的第二電極之間的短路（short)。
[0046] 進而，圖2中雖未圖示，但通過所需的圖案掩模來依序蒸鍍設置空穴傳輸層、有機 發(fā)光層及電子傳輸層，繼而在基板上方的整個面上形成包含A1的第二電極，使用密封用玻 璃板及紫外線硬化型環(huán)氧樹脂貼合，由此進行密封，獲得有源矩陣型的有機EL顯示裝置， 所述有源矩陣型的有機EL顯示裝置是對各有機EL元件連接有用以將其驅動的薄膜晶體管 21而成。
[0047] 本發(fā)明的感光性樹脂組合物可適宜地用作圖1的裝置中的上述硬化膜7或圖2的 裝置中的絕緣膜23的材料。尤其本發(fā)明的感光性樹脂組合物適于利用半色調相位差掩模 的曝光方式，在更微細地形成如本實施形態(tài)中所示的接觸孔或通孔般的加工部的加工形態(tài) 中發(fā)揮高的效果。以下，對本發(fā)明以其優(yōu)選實施形態(tài)為中心加以詳細說明。
[0048] [半色調相位差掩模]
[0049] 半色調（halftone，HT)相位差掩模是指利用反相位的光使曝光時朝向圖案周邊 部的衍射光消除的掩模。關于其詳細情況，已根據(jù)隨附的圖3對其原理進行了描述。半色 調（HT)相位差掩模30可使用在透明基材32上在曝光圖案的外周設有特定透射率的移相 部（相位變更膜31)者。由圖3得知，根據(jù)所述曝光形態(tài)，因波形反轉的光彼此鄰接而照射， 故圖案的邊緣部分的光量差變大，可提高曝光分辨率。采用此種曝光方式的半導體加工方 法已為人所知，例如可參考日本專利特開2010-8868、日本專利特開2007-241136中記載的 順序或條件。再者，本發(fā)明中應用的半色調相位差掩模的形態(tài)并無特別限定，例如也可為將 移相層分為透射率調整層與相位調整層的積層型的掩模。
[0050] 另外，如上所述，所謂半色調相位差掩模，是指具有透射部及移相部的掩模，但本 發(fā)明中，除了具有透射部及移相部的掩模以外，還可使用具有透射部、移相部及遮光部的掩 模（以下，均同樣地記載為"半色調相位差掩模"）。
[0051] 在半導體制造中，在制造過程中形成且最終被去除的抗蝕劑膜是利用所述方法來 形成。相對于此，在本發(fā)明中，優(yōu)選為利用所述曝光方式來形成液晶顯示裝置等的永久硬化 膜，根據(jù)本發(fā)明，可適宜地應對所述利用形態(tài)而發(fā)揮高的效果。就更顯著地發(fā)揮所述效果的 觀點而言，本發(fā)明中，上述偏移部的透射率為0. 1 %以上，更優(yōu)選為1. 0%以上。其上限并無 特別限定，實際上為50%以下，尤其在僅具有透射部及移相部的掩模的情況下，通常移相部 的透射率的上限為20%以下。再者，在本說明書中，所謂相位變更膜（移相部）的透射率，是 指"將自光源照射的總光量設定為100%時，經(jīng)由相位變更膜部而照射的光量"的值。再者， 本說明書中，膜的透射率只要無特別說明，則是指在室溫（25°C )下照射5mJ/cm2?1000mJ/ cm2的g射線、h射線及i射線時的值。
[0052] 若對上述半色調相位差掩模區(qū)分狹義與廣義并示出其透射率的優(yōu)選范圍，則狹義 (整個面相位差）的情況下優(yōu)選為透射率為0.1 %?20%，更優(yōu)選為0.2%?20%。廣義 (有遮光部）的情況下優(yōu)選為透射率為〇· 1 %?50 %，更優(yōu)選為0· 2 %?50 %。
[0053] 相位差掩模的尺寸并無特別限定，為了更顯著地發(fā)揮本發(fā)明的效果，透射部s的 寬度優(yōu)選為〇. 5 μ m?5. 0 μ m，更優(yōu)選為1. 0 μ m?3. 0 μ m。相位變更膜（移相部）31的寬度 并無特別限定，就同樣的觀點而言，優(yōu)選為〇. 1 μ m?3. 0 μ m，更優(yōu)選為0. 2 μ m?2. 0 μ m。 再者，這些寬度在以圓形或矩形的區(qū)域為對象時，也可采用直徑或短邊的長度。相位變更膜 (移相部）31的相位差并無特別限定，典型而言為180°。
[0054] 若以偏移部的尺寸與上述掩模透射率的組合效果來說明，則在本發(fā)明中，優(yōu)選為 透射率為4. 8%以上、13%以下，且偏移部的寬度為3. 5μπι以上、6. 5μπι以下。通過設定為 所述范圍，可極為有效地抑制、防止膜薄化因漏光自身的曝光而再度變大的情況。
[0055] 半色調相位差掩模可廣泛地使用主要為了提高半導體元件的解析性而設計的半 色調相位差掩模。掩模的制作方法已知以下方法：如專利文獻（日本專利第3, 069, 769號 公報、日本專利第4, 764, 214號公報）所示，制作已制成了以金屬氧化物、金屬氮化物、金屬 氮氧化物為主成分的遮光膜及移相膜的空白掩模（mask blank)，并使用蝕刻抗蝕劑來獲得 所需的圖案。在本發(fā)明中，金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物的制膜方法并無特別限 定，優(yōu)選的移相部的圖案尺寸及透射率如上所述。
[0056] 根據(jù)本發(fā)明，通過采用上述樹脂組合物的配方，并將其與利用半色調相位差掩模 的曝光組合，圖案邊緣部的平滑性優(yōu)化。關于所述效果，可作如下推測。由于曝光時稍許 到達掩模圖案的端部的光，在圖案端部也因1，2_醌二疊氮化合物的反應而產生稍許酸。 由于所產生的酸，圖案端部的堿浸透性稍許增大，以沿著端部的方式而產生高度為幾納米 (nm)?幾十納米的凸起狀的局部膨潤。在由采用移相部的掩模來進行曝光的情形時，對圖 案端部的照射光量僅以消除反相位的光的程度減少。由此推測，圖案端部的堿浸透性的增 大得到抑制，圖案平滑性優(yōu)化。
[0057] 在本發(fā)明中，通過使用半色調相位差掩模而膜薄化減少的原因雖然包括未闡明的 方面，但可作如下推測。在曝光中，存在向圖案部以外的周邊區(qū)域的漏光。二元掩模曝光中， 由漏光引起的曝光導致圖案周邊部的溶解性降低，產生膜薄化。另一方面，自掩模的透射部 入射的漏光被由移相部進行了相位反轉的光所消除，周邊部的抗蝕劑的溶解性不降低。因 此，可推測膜薄化優(yōu)化。另外，通過使用半色調相位差掩模而耐溶劑性提高的原因雖不明 確，但可認為其原因在于：因自移相部入射的光而促進抗蝕劑的交聯(lián)，形成溶劑難以滲入的 膜。
[0058] [感光性樹脂組合物]
[0059] 本發(fā)明的感光性樹脂組合物含有（A)特定交聯(lián)性樹脂、（B) 1，2-醌二疊氮化合物 及（C)溶劑。對各成分加以說明。
[0060] 〈特定交聯(lián)性樹脂（A) >
[0061] 特定交聯(lián)性樹脂優(yōu)選為含有堿可溶性基而可溶于堿性水溶液中的樹脂，通過含有 羧基或酚性羥基而被賦予了堿可溶性的樹脂較為合適。根據(jù)所述性質，在以下說明中，有時 將所述樹脂稱為"堿可溶性樹脂"。
[0062] 本發(fā)明的感光性樹脂組合物優(yōu)選為在形成層間絕緣膜等硬化膜時，經(jīng)由曝光、顯 影而形成圖案，進而通過加熱使形成后的圖案硬化。因此，樹脂（A)更優(yōu)選為在堿性水溶液 中為可溶性、且可通過加熱而硬化的樹脂。具有此種特性的樹脂可通過在樹脂中導入堿可 溶性基及交聯(lián)性基這兩者而獲得。
[0063] 以下，將特定交聯(lián)性樹脂的優(yōu)選實施形態(tài)分為兩種。
[0064] (A1)含有結構單元（a)及結構單元（b)的共聚物，上述結構單元（a)為具有羧基 的結構單元或具有酚性羥基的結構單元，上述結構單元（b)具有交聯(lián)基
[0065] (A2)含有結構單元（a)的聚合物與含有結構單元（b)的聚合物的組合，上述結構 單元（a)為具有羧基的結構單元或具有酚性羥基的結構單元，上述結構單元（b)具有交聯(lián) 基
[0066] ?結構單元a (堿可溶性部位）
[0067] 第1實施形態(tài)的特定共聚物（A1)的具有羧基的重復單元（al)例如可列舉：來源 于不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和三羧酸等分子中具有至少1個羧基的不飽和羧酸 等具有羧基的自由基聚合性化合物的重復單元。
[0068] (al :含羧基的重復單元）
[0069] 用于形成具有羧基的重復單元的不飽和羧酸可使用如下所列舉的。即，不飽和單 羧酸例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、α-氯丙烯酸、肉桂酸等。另外，不飽和二 羧酸例如可列舉：馬來酸、富馬酸、伊康酸、朽1康酸（citraconic acid)、中康酸（mesaconic acid)等。
[0070] 另外，用于形成具有羧基的重復單元的不飽和多元羧酸也可為其酸酐。所述酸酐 具體可列舉：馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐等。另外，不飽和多元羧酸也可為多元羧酸的 單（2-甲基丙烯酰氧基烷基）酯，例如可列舉：琥珀酸單（2-丙烯酰氧基乙基）酯、琥珀酸 單（2-甲基丙烯酰氧基乙基）酯、鄰苯二甲酸單（2-丙烯酰氧基乙基）酯、鄰苯二甲酸單 (2-甲基丙烯酰氧基乙基）酯等。
[0071] 進而，不飽和多元羧酸也可為其兩末端二羧基聚合物的單（甲基）丙烯酸酯，例如 可列舉：ω-羧基聚己內酯單丙烯酸酯、ω -羧基聚己內酯單甲基丙烯酸酯等。
[0072] 另外，不飽和羧酸也可使用丙烯酸-2-羧基乙酯、甲基丙烯酸-2-羧基乙酯、馬來 酸單烷基酯、富馬酸單烷基酯、4-羧基苯乙烯等。
[0073] 其中，就顯影性的觀點而言，為了形成具有羧基的重復單元，優(yōu)選為使用丙烯酸、 甲基丙烯酸或不飽和多元羧酸的酸酐等。
[0074] 進而，一并具有碳碳間不飽和鍵基與羧基的重復單元也作為本發(fā)明中的具有羧基 的重復單元而有用。所述重復單元優(yōu)選為后述其他重復單元（c)的說明中所列舉的使存在 于具有碳碳間不飽和鍵基的重復單元中的羥基、與酸酐反應所得的重復單元。
[0075] 酸酐可使用公知的，具體可列舉：馬來酸酐、琥珀酸酐、伊康酸酐、鄰苯二甲酸酐、 四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、氯橋酸酐等二元酸酐；偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸 酐、二苯甲酮四羧酸酐、聯(lián)苯四羧酸酐等酸酐。這些中，就顯影性的觀點而言，優(yōu)選為鄰苯二 甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐或琥珀酸酐。就顯影性的觀點而言，酸酐相對于羥基的反應率優(yōu) 選為 lOmol%?lOOmol%,更優(yōu)選為 30Π1Ο11%?lOOmol%。
[0076] 作為結構單元al，優(yōu)選為具有下述（al-1)的式子所表示的結構單元。
[0077] [化 1]
[0078]

【權利要求】
1. 一種光學材料用永久膜的制造方法，其為對感光性樹脂組合物進行曝光并將所述曝 光部分去除，使其剩余部分硬化而制成永久膜的光學材料用永久膜的制造方法，并且 所述感光性樹脂組合物含有（A)特定交聯(lián)性聚合物、(B) 1，2-醌二疊氮化合物及（C)溶 劑， 所述特定交聯(lián)性聚合物（A)為 (A-1)含有結構單元（a)及結構單元（b)的共聚物，所述結構單元（a)為具有羧基的結 構單元或具有酚性輕基的結構單元，所述結構單元（b)具有交聯(lián)基；或 (A-2)含有結構單元（a)的聚合物與含有結構單元（b)的聚合物的組合，所述結構單元 (a)為具有羧基的結構單元或具有酚性羥基的結構單元，所述結構單元（b)具有交聯(lián)基， 通過移相部的透射率為〇. 1 %以上、50%以下的半色調相位差掩模，對所述感光性樹脂 組合物照射選自g射線、h射線及i射線中的活性放射線，對所述樹脂進行曝光。
2. 根據(jù)權利要求1所述的光學材料用永久膜的制造方法，其中所述結構單元（b)具有 選自縮水甘油基部位、氧雜環(huán)丁烷部位及乙烯性不飽和基中的至少一個。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的光學材料用永久膜的制造方法，其中所述活性放射線為 將選自g射線、h射線及i射線中的多種混合而成。
4. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的光學材料用永久膜的制造方法，其中所述感光 性樹脂組合物的曝光量為30mJ/cm2以上、1000mJ/cm 2以下。
5. 根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的光學材料用永久膜的制造方法，其中所述感光 性樹脂組合物為化學增幅正型感光性樹脂組合物。
6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的光學材料用永久膜的制造方法，其中相對于所 述感光性樹脂組合物100質量份，應用3質量份?20質量份的1,2-醌二疊氮化合物。
7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的光學材料用永久膜的制造方法，還包括在曝光 后進行熱硬化的后烘烤步驟。
8. -種硬化膜，其是利用根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的制造方法來制造。
9. 根據(jù)權利要求8所述的硬化膜，其為層間絕緣膜。
10. -種有機電致發(fā)光顯示裝置，其包括根據(jù)權利要求8或9所述的硬化膜。
11. 一種液晶顯示裝置，其包括根據(jù)權利要求8或9所述的硬化膜。
【文檔編號】G02F1/1333GK104254806SQ201380021805
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年4月25日 優(yōu)先權日:2012年4月27日
【發(fā)明者】佐竹亮, 安藤豪, 山下史繪, 中村秀之 申請人:富士膠片株式會社