成像光學系統(tǒng)和投射曝光設備的制作方法
【專利摘要】一種用于將物場成像于像場的成像光學單元。所述成像光學單元具有遮擋的光瞳(21)。該光瞳(21)具有中心(Z)，中心場點的主光線通過該中心，所述成像光學單元還具有多個成像光學組件。所述成像光學單元的連續(xù)光瞳遮擋區(qū)域(18)的重心(SP)離心地位于所述成像光學單元的光瞳(21)中。根據(jù)另一方面，所述成像光學單元以反射方式實現(xiàn)，最后一個反射鏡具有用于使成像光通過的通路開口。所述最后一個反射鏡的反射表面的邊緣區(qū)域連續(xù)地用于發(fā)射成像光，所述邊緣區(qū)域環(huán)繞通路開口。成像光路中的倒數(shù)第二個反射鏡實現(xiàn)為具有反射表面，其以閉合方式使用，即沒有開口。所述通路開口布置為使得其產(chǎn)生光瞳遮擋區(qū)域(18)，光瞳遮擋區(qū)域未居中地地位于成像光學單元的光瞳(21)中。這種成像光學單元導致良好校正的可成像場，同時具有高成像光通量。
【專利說明】成像光學系統(tǒng)和投射曝光設備
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 通過引用并入德國專利申請DE10 2012 208 793. 1的內(nèi)容。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及一種具有多個光學組件、尤其是反射鏡的成像光學單元，該多個光學 組件將物面中的物場成像至像面中的像場。本發(fā)明還涉及一種具有這種成像光學單元的光 學系統(tǒng)、一種具有這種光學系統(tǒng)的投射曝光設備、一種使用這種投射曝光設備制造微結(jié)構(gòu) 或納米結(jié)構(gòu)組件的方法以及一種通過該方法制造的微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)組件。

【背景技術(shù)】
[0004]從DE10 2009 046 685AUUS5,815, 310、DE10 2005 003 557AUWO 2010/091800AUUS6,750,948 82和WO2011/095209Al已知開始提及類型的成像光學 單元。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是發(fā)展開始提及類型的成像光學單元，使得同時產(chǎn)生具有高成像光 通量的良好校正的可成像場。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明，該目的通過將物場成像至像場的成像光學單元實現(xiàn)，
[0007]-其中，所述成像光學單元具有遮擋的光瞳，
[0008]-其中，所述光瞳具有中心，中心場點的主光線通過該中心，
[0009] -具有多個成像光學組件，
[0010] 其中，成像光學單元的連續(xù)光瞳遮擋區(qū)域的重心或質(zhì)心離心地位于成像光學單元 的光瞳中。
[0011] 成像光學單元的光瞳為由物場點發(fā)出的單獨成像光線相交且分別與相對于由這 些物場點發(fā)出的主光線的相同照明角關(guān)聯(lián)的成像光學單元成像光路中的區(qū)域。其中布置光 瞳的光瞳平面中的成像光強度分布相應地預定到達像場的照明角單位。如果對于每個場點 的不可能或禁止照明或成像角的光瞳遮擋區(qū)位于成像光學單元的由數(shù)值孔徑預定的外圍 光瞳中，成像光學單元總是具有遮擋的光瞳。因此，在成像光學單元具有遮擋的光瞳的情況 中，由成像光學單元的組件之間的遮擋產(chǎn)生或由成像光學單元的不貢獻于成像光路的光學 組件的至少之一產(chǎn)生的成像光路是不可能的。本發(fā)明背離先前的需求，即在遮擋系統(tǒng)中，光 瞳遮擋區(qū)總是布置為使得其重心中心地位于成像光學單元的光瞳中。與該需求背離導致設 計上的新自由度，其可用于帶來改進的像差校正。尤其認識到可實現(xiàn)具有光瞳遮擋的成像 光學單元，其中實際使用的照明角的光瞳遮擋不會減少通量。
[0012] 光瞳遮擋區(qū)域關(guān)于成像光學單元的對稱平面鏡像對稱的光瞳遮擋區(qū)域的鏡像對 稱性提供成像光學單元的相應鏡像對稱設計的選擇。對稱平面可為成像光學單元的子午 面。
[0013] 光瞳遮擋區(qū)域的實施例（其中，光瞳中心位于光瞳遮擋區(qū)域的外面）使得主光線 (即，延伸通過光瞳中心的光線）可促成成像。這尤其可用在成像光的特定衍射級沿著主光 線延伸時。
[0014] 直徑關(guān)系（其中，光瞳具有在成像光學單兀的光瞳平面中的光瞳直徑，圍繞光瞳 中心的完全可用光瞳區(qū)域具有直徑為光瞳直徑的至少10% )使得可利用沒有遮擋的相應 大中心光瞳區(qū)域。圍繞光瞳中心的完全可用光瞳區(qū)域可為光瞳直徑的至少20%、可為至少 30%、可為至少40%、可為至少50%，或者甚至更大的比例。就光瞳與完全可用光瞳區(qū)域是 圓形的來說，相應直徑對應于圓的直徑。在光瞳和/或圍繞中心的完全可用光瞳區(qū)域的其 它形狀的情況下，典型直徑被指定為直徑，其例如是求多個直徑平均值的結(jié)果。
[0015] 光瞳遮擋區(qū)域可精密地調(diào)適以將成像輻射引導通過成像光學單元，其中，光瞳遮 擋區(qū)域
[0016]-具有沿著重心軸線的徑向維度上的徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍，光瞳中心和光瞳遮 擋區(qū)域的重心位于該重心軸線上，
[0017]-具有在垂直于重心軸線的切向維度上的切向光瞳遮擋區(qū)域范圍，
[0018] -其中，徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍與切向光瞳遮擋區(qū)域范圍的相差大于10%。
[0019] 切向光瞳遮擋區(qū)域域范圍可大于徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍。尤其是，徑向光瞳遮擋 區(qū)域范圍與切向光瞳遮擋區(qū)域范圍相差大于20%，大于30%，大于40%，大于50%，或者大 于甚至更大的比例。切向光瞳遮擋區(qū)域范圍可為徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍的幾倍。
[0020] 成像光學單元作為反射式透鏡的實施例允許高通量，甚至在沒有足夠的透射式光 學材料是可用的使用波長的情況下亦如此。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的成像光學單元的實施例具有在像場上游的成像光路中的倒數(shù)第二 個反射鏡和最后一個反射鏡，
[0022] -其中，中心場點的主光線以一入射角照在成像光學單元的最后一個反射鏡上，
[0023] -其中，在倒數(shù)第二個反射鏡上游的成像光路中，主光線通過最后一個反射鏡中的 通路開口并沿通路主光線區(qū)段延伸，
[0024] -其中，主光線沿最后一個反射鏡與像場之間的像場主光線區(qū)段延伸，
[0025] -其中，兩個主光線區(qū)段在共同平面中延伸并包括彼此之間的主光線角，
[0026] 該實施例尤其使其中可使用像場上游的最后一個反射鏡的中心的反射鏡布置成 為可能，這可促使像差減小。
[0027] 當要求中心對稱光瞳遮擋的成像關(guān)系得到需要時，使用產(chǎn)生附加光瞳遮擋區(qū)域的 附加遮擋組件，其中，兩個光瞳遮擋區(qū)域互補以形成關(guān)于光瞳中心（Z)以中心對稱方式布 置的總光瞳遮擋區(qū)域。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，開始指定的目的通過將物場成像至像場的反射式成像光 學單元實現(xiàn)，
[0029] -其中，成像光學單元具有遮擋的光瞳，
[0030] -其中，光瞳具有中心場點的主光線通過的中心，
[0031] -最后一個反射鏡在物場和像場之間的成像光路中，其中，最后一個反射鏡具有用 于成像光通過的通路開口，其中，最后一個反射鏡的反射表面的邊緣區(qū)域被連續(xù)地用于反 射成像光，該邊緣區(qū)域圍繞通路開口，
[0032] -其中，通路開口布置為使得這產(chǎn)生光瞳遮擋區(qū)域，其不中心地位于成像光學單元 的光瞳中。
[0033] 離心布置的光瞳遮擋區(qū)域的優(yōu)點在反射式成像光學單元具有以完全線序閉合方 式使用的倒數(shù)第二個反射鏡的情況中突顯。這里，不強制光瞳遮擋區(qū)域具有離心地位于成 像光學單元的光瞳中的重心。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，開始陳述的目的通過將物場成像至像場的成像光學單元 實現(xiàn)，
[0035]-其中，該成像光學單元具有遮擋的光瞳，
[0036] 其中，成像光學單兀的總光瞳遮擋區(qū)域或其各部分相對于光瞳坐標系統(tǒng)的相互垂 直坐標具有與1偏尚的縱橫比。
[0037] 具有與1偏離的縱橫比的遮擋可精密地適配于照明光瞳中所需的照明角以及未 遮擋光瞳區(qū)域布置的必要性，從而傳送要成像的物體結(jié)構(gòu)上衍射的照明光。較小遮擋維度 和較大遮擋維度之間的縱橫比可為約〇. 9,可為約0. 8,可為約0. 7,可為約0. 6,可為約0. 5， 可為約〇. 4,可為約0. 3,或者可比這些甚至更小。
[0038] 該最后提及方面的光瞳遮擋區(qū)域可由連續(xù)部分或多個部分構(gòu)成。連續(xù)光瞳遮擋區(qū) 域或部分的至少之一可如橢圓、矩形或梯形一樣成形。在角形的光瞳遮擋區(qū)域或其部分的 情況中，光瞳遮擋區(qū)域或其部分的至少單獨角或所有角可以修圓的（rounded-off)方式實 施。
[0039] 上述各方面的成像光學單元的特征可以其任意組合的方式一起被使用。
[0040] 具有根據(jù)本發(fā)明的成像光學單元和用于將照明光引導至成像光學單元的照明光 學單元的光學系統(tǒng)、具有根據(jù)本發(fā)明的光學系統(tǒng)和用于照明和成像光的光源的投射光刻的 投射曝光設備、制造結(jié)構(gòu)化組件的方法，以及根據(jù)該方法制造的微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)組件的 優(yōu)點對應于在根據(jù)本發(fā)明的成像光學單元的上下文中已討論的那些。所述方法包含以下方 法步驟：
[0041]-提供掩模母版和晶片，
[0042]-借助根據(jù)本發(fā)明的投射曝光設備，將掩模母版上的結(jié)構(gòu)投射至晶片的光敏層上，
[0043] -在晶片上產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0044] 下面基于附圖將更詳細地說明本發(fā)明的示例實施例。圖中：
[0045] 圖1不意性地不出EUV微光刻的投射曝光設備；
[0046] 圖2示出成像光學單元的實施例的子午截面，該成像光學單元可用作根據(jù)圖1的 投射曝光設備中的投射鏡頭，其中示出了兩個選擇的場點的主光線及上慧差光線和下慧差 光線的成像光路；
[0047] 圖3示出像場前方的成像光路中的根據(jù)圖2的成像光學單元的最后一個反射鏡和 成像光學單元的倒數(shù)第三個反射鏡的平面圖，該倒數(shù)第三個反射鏡布置在該最后一個反射 鏡的成像光通路開口中，其中，對于成像光學單元的完整物場的八個典型場點，分別示出成 像光學單元的物方數(shù)值孔徑的25^^50^^75%和100%的孔徑區(qū)（所謂的覆蓋區(qū)）。
[0048] 圖3a示出物場的平面圖，用于說明典型場點的位置，它們被選擇為示出根據(jù)圖3 的空間區(qū)；
[0049] 圖4以類似于圖2的示圖示出成像光學單元的另一實施例；
[0050] 圖5以類似于圖3的示圖示出首先在根據(jù)圖4的成像光學單元的最后一個反射鏡 上的反射情況下的孔徑區(qū)，以及其次在成像輻射通過成像光學單元的倒數(shù)第三個反射鏡和 倒數(shù)第二個反射鏡之間的成像光路中的最后一個反射鏡的成像光通路開口時的孔徑區(qū)；
[0051] 圖6和7以類似于圖4和5的示圖示出成像光學單元的另一實施例；
[0052] 圖8示出照明具有離心光瞳遮擋區(qū)域的根據(jù)圖2、4和6的成像光學單元的物場的 照明光學單元的光瞳平面中的y線結(jié)構(gòu)的照明的強度分布，其中，照明為X雙極形式；
[0053] 圖9示意性地示出如圖8所示的y線結(jié)構(gòu)，該y線結(jié)構(gòu)布置在物場中；
[0054] 圖10同樣示意性地示出在根據(jù)圖2、4和6的成像光學單元之一的光瞳平面中的、 根據(jù)圖8的雙極照明的極之一的照明光的強度分布，其中，附加地示出光瞳遮擋區(qū)域，其由 成像光學單元的成像光路中的最后一個反射鏡中的成像光通路開口導致，其中僅考慮根據(jù) 圖8的雙極照明的極強度絕對值；
[0055] 圖11至13以類似于圖8至10的示圖示出照明且成像與圖9相比具有較不緊密 線的y線結(jié)構(gòu)時的關(guān)系；
[0056] 圖14以類似于圖8的示圖示出y雙極照明的照明光瞳平面中的照明光強度分布；
[0057] 圖15以類似于圖9的示圖示出以根據(jù)圖14的照明設定照明的X線結(jié)構(gòu)；
[0058] 圖16以類似于圖10的示圖示出根據(jù)圖2、4和6的成像光學單元之一的光瞳平面 中的成像光強度分布，其中僅考慮根據(jù)圖14的雙極照明的極強度的絕對值；
[0059] 圖17至19以類似于圖14至16的示圖示出照明且成像與圖15相比具有較不緊 密線的X線結(jié)構(gòu)時的關(guān)系；
[0060] 圖20非常示意性地示出根據(jù)圖2、4和6的成像光學單元的最后一個反射鏡的區(qū) 域中的中心場點的主光線的角度關(guān)系；
[0061] 圖21至26以類似于圖8至13或14至19的示圖示出照明且成像與根據(jù)圖8至 13的實施例相比具有不同光瞳遮擋的y線結(jié)構(gòu)時的關(guān)系。

【具體實施方式】
[0062] 微光刻的投射曝光設備1具有照明光或成像光3的光源2。光源2是EUV光源，其 產(chǎn)生在例如5nm與30nm之間、尤其在5mn與15nm之間的波長范圍中的光。光源2尤其可 為具有13. 5nm的波長的光源或具有6. 9nm的波長的光源。其它EUV波長也是可能的。通 常，甚至可利用在投射曝光設備1中引導的照明光3的任意波長，例如可見波長或可用于 微光刻或適當?shù)募す夤庠春?或LED光源是可用的其它波長（例如，365nm、248nm、193nm、 157nm、129nm、109nm)。照明光3的光路被非常示意性地示于圖1中。
[0063] 照明光學單元6用于將照明光3從光源2引導至物面5中的物場4。使用投射光 學單元或成像光學單元7,以預定縮小比例將物場4成像在像面9中的像場8中。在X方 向上，像場8具有26mm的范圍，所述像場在y方向上延伸2mm。物場4和像場8為矩形的。 圖2和5等所示示例實施例之一可用作投射光學單元7。根據(jù)圖2的投射光學單元7以因 子4縮小成像。其它縮小比例也是可能的，例如5x、8x或甚至大于8x的縮小比例。在投射 光學單元7的根據(jù)圖2和5等的實施例中，像面9布置為平行于物面5。還稱為掩模母版 且與物場4重合的反射掩模10的部分在該情況中被成像。掩模母版10由掩模母版保持件IOa保持。掩模母版保持件IOa通過掩模母版位移驅(qū)動器IOb移動。
[0064] 投射光學單元7的成像發(fā)生在晶片形式的基板11的表面上，基板由基板保持件12 保持?；灞３旨?2通過基板位移驅(qū)動器12a移動。
[0065] 在圖1中，照明光3進入投射光學單元7的光束13示意性地示于掩模母版10與 所述投射光學單元之間，照明光3的離開投射光學單元7的光束14示意性地示于投射光學 單元7與基板11之間。投射光學單元7的像場側(cè)數(shù)值孔徑（NA)在圖1中未按比例再現(xiàn)。
[0066] 為了簡化投射曝光設備1與投射光學單元7的多個實施例的描述，在圖中指定笛 卡爾xyz坐標系統(tǒng)，由此顯現(xiàn)圖中示出的各組件的相應位置關(guān)系。在圖1中，X方向垂直于 示圖平面延伸并進入該示圖平面。y方向延伸到右邊，z方向向下延伸。
[0067] 投射曝光設備1為掃描器類型的。在投射曝光設備1運行期間，在y方向上掃描 掩模母版10和基板11二者。步進器類型投射曝光設備1也是可能的，其中，在基板11的 單獨曝光之間，掩模母版10和基板11二者在y方向上階梯式位移。這些位移因位移驅(qū)動 器IOb和12a的適當致動而相對于彼此以同步方式發(fā)生。
[0068] 圖2示出投射光學單元7的第一實施例的光學設計。圖2所示的是在各情況中的 三個單獨光線15的光路，三個單獨光線從圖2中在y方向上彼此分開的兩個物場點發(fā)出。 主光線16被示出，S卩，通過投射光學單元7的光瞳平面中的光瞳中心的單獨光線15,以及各 情況中的兩個物場點的上慧差光學和下慧差光線。
[0069] 物面5平行于像面9。
[0070] 根據(jù)圖2的投射光學單元7具有總共六個反射鏡，其按單獨光線15的光路的順序 從物場4開始依次標為Ml至M6。投射光學單元7還可具有不同數(shù)量的反射鏡，例如四個反 射鏡或八個反射鏡。反射鏡Ml至M6的計算的反射表面示于圖2中。如從根據(jù)圖2的示圖 可見，僅使用這些計算的反射鏡表面的一部分。僅該反射鏡表面的實際使用區(qū)域在實際情 況中呈現(xiàn)在真實的反射鏡Ml至M6上。這些使用的反射表面由鏡體以已知方式保持。
[0071] 除了反射鏡M6,投射光學單元7的所有反射鏡Ml至M5都具有連續(xù)使用的反射表 面，而沒有成像光3的通路開口。物場4與像場8之間的成像光路中的倒數(shù)第二個反射鏡 M5尤其具有完全連續(xù)或閉合的使用反射表面，即沒有開口。
[0072] 反射鏡Ml至M6承載用于優(yōu)化它們對入射的EUV照明光3的反射的多重反射層。 多重反射層被設計用于13. 5nm的工作波長。反射的優(yōu)化可得到改善，則單獨光線15在反 射鏡表面上的入射角越接近垂直入射?？偟膩碚f，投射光學單元7具有對于所有單獨光線 15的小反射角。
[0073] 投射光學單元7的全部六個反射鏡Ml至M6實現(xiàn)為自由形式表面，其不能通過旋 轉(zhuǎn)對稱函數(shù)描述。至少一個或者甚至沒有反射鏡Ml至M6具有這種自由形式反射表面的投 射光學單元7的其它實施例也是可能的。
[0074] 這種自由形式表面可由旋轉(zhuǎn)對稱參考表面產(chǎn)生。由US2007-0058269Al已知微 光刻投射曝光設備的投射光學單元的反射鏡的這種自由形式反射表面。
[0075] 數(shù)學上，自由形式表面可由作為錐基區(qū)域與自由形式表面多項式的和（等式1)或 作為雙錐基區(qū)域和自由形式表面多項式的和（等式2)的以下等式描述：

【權(quán)利要求】
1. 將物場（7)成像于像場⑶的成像光學單元（7 ;22 ;23)， -其中，所述成像光學單元（7 ;22 ;23)具有遮擋的光瞳（21)， -其中，所述光瞳（21)具有中心（Z)，中心場點的主光線（16)通過該中心， -具有多個成像光學組件（Ml至M6)， 其特征在于，所述成像光學單元（7 ;22 ;23)的連續(xù)光瞳遮擋區(qū)域（18)的重心（SP)離 心地位于所述成像光學單元（7 ;22 ;23)的光瞳（21)中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像光學單元，其特征在于，所述光瞳遮擋區(qū)域（18)關(guān)于所 述成像光學單元（7 ;22 ;23)的對稱平面（yz)鏡像對稱。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成像光學單元，其特征在于，所述光瞳（21)的中心（Z) 位于所述光瞳遮擋區(qū)域（18)的外部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像光學單元，其特征在于，所述光瞳（21)在所述成像光學 單元（7 ;22 ;23)的光瞳平面中具有光瞳直徑（2A'），其中，圍繞所述光瞳（21)的中心（Z) 的完整可用光瞳區(qū)域具有為所述光瞳直徑（2A'）的至少10%的直徑（B' -C'）。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的成像光學單元，其特征在于，所述光瞳遮擋區(qū)域 (18) -在沿重心軸線的徑向維度（y)上具有徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍（2C'），所述光瞳（21) 的中心（Z)和所述光瞳遮擋區(qū)域（18)的重心（SP)位于所述重心軸線上， -在垂直于所述重心軸線（y)的切向維度（x)上具有切向光瞳遮擋區(qū)域范圍（2D'）， -其中，所述徑向光瞳遮擋區(qū)域范圍（2C'）與所述切向光瞳遮擋區(qū)域范圍（2D'）相差 多于10%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的成像光學單元，實現(xiàn)為反射式透鏡。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像光學單元，具有在所述像場（8)上游的成像光路中的倒 數(shù)第二個反射鏡（M5)和最后一個反射鏡（M6)， -其中，中心場點的主光線（16)以入射角（a'）照在所述成像光學單元（7 ;22 ;23)的 最后一個反射鏡（M6)上， -其中，在所述倒數(shù)第二個反射鏡（M5)上游的成像光路中，所述主光線（16)穿過所述 最后一個反射鏡（M6)中的通路開口（17)，并沿通路主光線區(qū)段（16D)延伸， -其中，所述主光線（16)沿所述最后一個反射鏡（M6)和所述像場（8)之間的像場主光 線區(qū)段（16B)延伸， -其中，兩個主光線區(qū)段（16D，16B)在共同的平面（yz)中延伸，并彼此之間包括主光線 角（a)， 其特征在于，所述入射角（a'）大于所述主光線角（a)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的成像光學單元，其特征在于產(chǎn)生附加光瞳遮擋 區(qū)域（39b)的附加遮擋組件，其中，兩個光瞳遮擋區(qū)域互補以形成總光瞳遮擋區(qū)域（39)，所 述總光瞳遮擋區(qū)域相對于所述光瞳（21)的中心（Z)以中心對稱方式布置。
9. 將物場（7)成像于像場（8)的反射式成像光學單元（7 ;22 ;23)， -其中，所述成像光學單元（7 ;22 ;23)具有遮擋的光瞳（21)， -其中，所述光瞳（21)具有中心（Z)，中心場點的主光線（16)通過該中心， -具有位于所述物場（7)和所述像場（8)之間的成像光路中的最后一個反射鏡（M6)， 其中，所述最后一個反射鏡（M6)具有用于使成像光（3)通過的通路開口（17)，其中，所述最 后一個反射鏡（M6)的反射表面的邊緣區(qū)域被連續(xù)地用于反射所述成像光（3)，所述邊緣區(qū) 域環(huán)繞所述通路開口（17)， -具有位于所述成像光路中的倒數(shù)第二個反射鏡（M5)，所述倒數(shù)第二個反射鏡具有以 閉合方式使用的反射表面，即不具有開口， -其中，所述通路開口（17)布置成產(chǎn)生光瞳遮擋區(qū)域（18)，所述光瞳遮擋區(qū)域未居中 地位于所述成像光學單元（7 ;22 ;23)的光瞳（21)中。
10. 將物場（7)成像于像場⑶的成像光學單元（7 ;22 ;23)， -其中，所述成像光學單元（7 ;22 ;23)具有遮擋的光瞳（21)， 其特征在于，所述成像光學單元（7 ;22 ;23)的總光瞳遮擋區(qū)域（39a，39b)或其部分關(guān) 于光瞳坐標系（X，y)的相互垂直的坐標具有與1偏離的縱橫比（A/B)。
11. 光學系統(tǒng) -具有根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的成像光學單元（7)， -具有用于將照明光（3)引導至所述成像光學單元（7)的物場（4)的照明光學單元 (6)。
12. 用于投射光刻的投射曝光設備 -具有根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學系統(tǒng)， -具有用于照明和成像光（3)的光源（2)。
13. 制造結(jié)構(gòu)化組件的方法，包含以下方法步驟： _提供掩模母版（10)和晶片（11)， -借助于根據(jù)權(quán)利要求12所述的投射曝光設備，將所述掩模母版（10)上的結(jié)構(gòu)投射至 所述晶片（11)的光敏層上， -在所述晶片（11)上產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法制造的結(jié)構(gòu)化組件。
【文檔編號】G02B17/06GK104380169SQ201380027345
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月25日
【發(fā)明者】A.埃普爾, R.米勒, H-J.羅斯塔爾斯基 申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司