液浸構件及曝光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的液浸構件(5)，是在能于光學構件(13)下方移動的物體(P)上形成液浸空間(LS)，使得從光學構件的射出面(12)射出的曝光用光(EL)的光路(K)被液體(LQ)充滿。液浸構件具備配置在光學構件周圍至少一部分的第1構件(21)與能在第1構件的至少一部分的外側移動、具有回收液浸空間的液體的至少一部分的回收口(24)的第2構件(22)。
【專利說明】液浸構件及曝光裝置

【背景技術】
[0001]本發(fā)明是關于液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件制造方法、程序、及記錄媒體。
[0002]本申請案主張2012年4月10日申請的美國專利暫時申請61/622，235及2013年3月11日申請的美國專利申請第13/793，667號的優(yōu)先權，并將其內容援用于此。
[0003]在光刻制造工藝所使用的曝光裝置中，已知一種通過液體以曝光用光使基板曝光的液浸曝光裝置，例如下述的美國專利第7，864，292號。


【發(fā)明內容】

[0004]液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出、或殘留在基板等物體上時，即有可能發(fā)生曝光不良的情形。其結果，有可能產(chǎn)生不良元件。
[0005]本發(fā)明的態(tài)樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良的發(fā)生的液浸構件、曝光裝置及曝光方法。此外，本發(fā)明的態(tài)樣，其目的在提供一種能抑制不良元件的產(chǎn)生的元件制造方法、程序及記錄媒體。
[0006]本發(fā)明第I態(tài)樣，提供一種液浸構件，是以從光學構件的射出面射出的曝光用光的光路被液體充滿的方式，在能于該光學構件下方移動的物體上形成液浸空間，具備:第I構件，配置在該光學構件周圍的至少一部分；以及第2構件，能與該第I構件隔著間隙在該第I構件的下方移動，具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
[0007]本發(fā)明第2態(tài)樣，提供一種液浸構件，是以從光學構件的射出面射出的曝光用光的光路被液體充滿的方式，在能于該光學構件下方移動的物體上形成液浸空間，具備:第I構件，配置在該光學構件周圍的至少一部分；以及第2構件，能相對該曝光用光的該光路在該第I構件的至少一部分的外側移動，具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收□。
[0008]本發(fā)明第3態(tài)樣，提供一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光，其具備第I態(tài)樣的液浸構件。
[0009]本發(fā)明第4態(tài)樣，提供一種元件制造方法，包含:使用第I至3態(tài)樣中的任一態(tài)樣的曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后的該基板顯影的動作。
[0010]本發(fā)明第5態(tài)樣，提供一種曝光方法，是通過液體以曝光用光使基板曝光，包含:形成從光學構件的射出面射出的該曝光用光的光路被該液體充滿的液浸空間的動作；通過該液浸空間的液體以從該射出面射出的該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件是與配置在該光學構件周圍的至少一部分的第I構件隔著間隙配置在該第I構件下方、具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
[0011]本發(fā)明第6態(tài)樣,提供一種兀件制造方法,包含:使用第5態(tài)樣的曝光方法使基板曝光的動作，以及使曝光后基板顯影的動作。
[0012]本發(fā)明第7態(tài)樣，提供一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，包含:形成從光學構件的射出面射出的該曝光用光的光路被該液體充滿的液浸空間的動作；通過該液浸空間的液體以從該射出面射出的該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件是與配置在該光學構件周圍的至少一部分的第I構件隔著間隙配置在該第I構件下方、具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
[0013]本發(fā)明第8態(tài)樣，提供一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄有第7態(tài)樣的程序。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，能抑制曝光不良的發(fā)生。此外，根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，能抑制不良元件的產(chǎn)生。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1顯示第I實施形態(tài)的曝光裝置的一例的圖。
[0016]圖2顯示第I實施形態(tài)的液浸構件的一例的側視剖面圖。
[0017]圖3從下方觀察第I實施形態(tài)的液浸構件的圖。
[0018]圖4顯示第I實施形態(tài)的液浸構件的一部分的側視剖面圖。
[0019]圖5顯示第I實施形態(tài)的液浸構件的一動作例的圖。
[0020]圖6顯示第I實施形態(tài)的液浸構件的一動作例的圖。
[0021]圖7是用以說明第I實施形態(tài)的曝光裝置的一動作例的圖。
[0022]圖8是用以說明第I實施形態(tài)的曝光裝置的一動作例的示意圖。
[0023]圖9是用以說明第I實施形態(tài)的液浸構件的一動作例的示意圖。
[0024]圖10是用以說明第I實施形態(tài)的液浸構件的一動作例的示意圖。
[0025]圖11是用以說明速度剖線(speed profile)的一例的圖。
[0026]圖12是用以說明速度剖線的一例的圖。
[0027]圖13是用以說明第I實施形態(tài)的曝光裝置的一動作例的示意圖。
[0028]圖14顯示第2實施形態(tài)的液浸構件的一例的側視剖面圖。
[0029]圖15顯示第3實施形態(tài)的液浸構件的一例的側視剖面圖。
[0030]圖16是從下方觀察第4實施形態(tài)的液浸構件的圖。
[0031]圖17是從下方觀察第5實施形態(tài)的液浸構件的圖。
[0032]圖18顯示基板載臺的一例的圖。
[0033]圖19是用以說明元件制造方法的一例的流程圖。
[0034]符號說明:
[0035]2:基板載臺
[0036]3:測量載臺
[0037]5:液浸構件
[0038]6:控制裝置
[0039]7:存儲裝置
[0040]12:射出面
[0041]13:終端光學元件
[0042]21:第 I 構件
[0043]2IB:下面
[0044]21C:內面
[0045]2ID:外面
[0046]21G:導引面
[0047]2IH:開口
[0048]22:第 2 構件
[0049]22A:移動面
[0050]22B:下面
[0051]22C:內面
[0052]22D:外面
[0053]23:供應口
[0054]24:回收口
[0055]25:多孔構件
[0056]30:抑制部
[0057]31:膜
[0058]32:供氣部
[0059]33:供氣口
[0060]34:排氣口
[0061]40:驅動系統(tǒng)
[0062]EL:曝光用光
[0063]EX:曝光裝置
[0064]IL:照明系統(tǒng)
[0065]K:光路
[0066]LQ:液體
[0067]LS:液浸空間
[0068]P:基板

【具體實施方式】
[0069]以下，一邊參照圖示一邊說明本發(fā)明的實施形態(tài)，但本發(fā)明并不限定于此。以下的說明中，設定一 XYZ正交坐標系統(tǒng)，一邊參照此XYZ正交坐標系統(tǒng)一邊說明各部的位置關系。并設水平面內的既定方向為X軸方向、于水平面內與X軸方向正交的方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交的方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及z軸旋轉(傾斜)方向分別為θ X、Θ Y及Θ Z方向。
[0070]〈第I實施形態(tài)〉
[0071]首先，說明第I實施形態(tài)。圖1顯示第I實施形態(tài)的曝光裝置EX的一例的概略構成圖。本實施形態(tài)的曝光裝置EX是通過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光的液浸曝光裝置。于本實施形態(tài)，形成有將曝光用光EL的光路以液體LQ加以充滿的液浸空間LS。液浸空間是被液體充滿的部分(空間、區(qū)域)?；錚是通過液浸空間LS的液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態(tài)中，液體LQ是使用水(純水)。
[0072]又，本實施形態(tài)的曝光裝置EX，例如美國專利第6，897，963號說明書、歐洲專利公開第1，713，113號說明書等所揭示的具備基板載臺與測量載臺的曝光裝置。
[0073]圖1中，曝光裝置EX，具備:可保持掩膜M移動的掩膜載臺1、可保持基板P移動的基板載臺2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL的測量構件及測量器移動的測量載臺3、測量基板載臺2及測量載臺3的位置的測量系統(tǒng)4、以曝光用光EL照明掩膜M的照明系統(tǒng)IL、將經(jīng)曝光用光EL照明的掩膜M的圖案的像投影至基板P的投影光學系統(tǒng)PL、形成液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體的動作的控制裝置6、以及連接于控制裝置6用以存儲與曝光相關的各種信息的存儲裝置7。
[0074]又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系統(tǒng)PL及包含測量系統(tǒng)4的各種測量系統(tǒng)的基準框架8A、支承基準框架8A的裝置框架SB、配置在基準框架8A與裝置框架SB之間用以抑制振動從裝置框架8B傳遞至基準框架8A的防振裝置10、以及調整曝光用光EL行進的空間CS的環(huán)境(溫度、濕度、壓力及潔凈度中的至少一種)的腔室裝置9。于空間CS，至少配置有投影光學系統(tǒng)PL、液浸構件5、基板載臺2及測量載臺3。本實施形態(tài)中，掩膜載臺I及照明系統(tǒng)IL的至少一部分亦配置于空間CS。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態(tài)中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上的對準標記的檢測系統(tǒng)、或檢測基板P等物體的表面位置的檢測系統(tǒng)支承于基準框架8A。
[0075]掩膜M包含形成有待投影至基板P的元件圖案的標線片(reticle)。掩膜M包含透射型掩膜，此種透射型掩膜具有例如玻璃板等的透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成的圖案。又，掩膜M亦可使用反射型掩膜。
[0076]基板P是用以制造元件的基板?；錚包含例如半導體晶片等的基材與該基材上形成的感光膜。感光膜是感光材(photoresist光阻劑)的膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜的保護膜(top-coat膜)。
[0077]照明系統(tǒng)IL對既定照明區(qū)域IR照射曝光用光EL。照明區(qū)域IR包含從照明系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL可照射的位置。照明系統(tǒng)IL以均勻照度分布的曝光用光EL照明配置在照明區(qū)域IR的掩膜M的至少一部分。從照明系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，是使用例如從水銀燈射出的輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子激光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子激光(波長193nm)及F2激光(波長157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。本實施形態(tài)中，曝光用光EL是使用紫外光(真空紫外光)的ArF準分子激光。
[0078]掩膜載臺I能在保持掩膜M的狀態(tài)下移動。掩膜載臺I是借由例如美國專利第6，452，292號說明書所揭示的包含平面馬達的驅動系統(tǒng)的作動而移動。本實施形態(tài)中，掩膜載臺I可借由驅動系統(tǒng)的作動，移動于X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及Θ Z方向的6個方向。又，驅動系統(tǒng)11可不包含平面馬達。例如，驅動系統(tǒng)11可包含線性馬達。
[0079]投影光學系統(tǒng)PL將曝光用光EL照射于既定投影區(qū)域PR。投影區(qū)域PR包含從投影光學系統(tǒng)PL射出的曝光用光EL可照射到的位置。投影光學系統(tǒng)PL將掩膜M的圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區(qū)域PR的基板P的至少一部分。本實施形態(tài)的投影光學系統(tǒng)PL是投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等的縮小系統(tǒng)。當然，投影光學系統(tǒng)PL亦可以是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一個。本實施形態(tài)中，投影光學系統(tǒng)PL的光軸與Z軸平行。又，投影光學系統(tǒng)PL可以是不包含反射光學元件的折射系統(tǒng)、不包含折射光學元件的反射系統(tǒng)、或包含反射光學元件與折射光學元件的反射折射系統(tǒng)中的任一種。
[0080]投影光學系統(tǒng)PL，包含具有曝光用光EL射出的射出面12的終端光學元件13。射出面12朝向投影光學系統(tǒng)PL的像面射出曝光用光EL。終端光學元件13是在投影光學系統(tǒng)PL的多個光學元件中、最接近投影光學系統(tǒng)PL的像面的光學元件。投影區(qū)域PR包含從射出面12射出的曝光用光EL可照射到的位置。本實施形態(tài)中，射出面12朝向一 Z軸方向，與XY平面平行。又，朝向一Z軸方向的射出面12，可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態(tài)中，終端光學元件13的光軸與Z軸平行。本實施形態(tài)中，從射出面12射出的曝光用光EL往一 Z軸方向行進。
[0081]基板載臺2，能在保持有基板P的狀態(tài)下，在包含來自射出面12的曝光用光EL可照射到的位置(投影區(qū)域PR)的XY平面內移動。測量載臺3，能在搭載有測量構件(測量器)C的狀態(tài)下，在包含來自射出面12的曝光用光EL可照射到的位置(投影區(qū)域PR)的XY平面內移動?；遢d臺2及測量載臺3的各個，能在基座構件14的導引面14G上移動。本實施形態(tài)中，導引面14G與XY平面實質平行。
[0082]又，本實施形態(tài)中，基板載臺2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示的將基板P保持成可釋放的第I保持部與配置在第I保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放的第2保持部。第I保持部將基板P保持成基板P的表面(上面)與XY平面實質平行。本實施形態(tài)中，被保持于第I保持部的基板P的上面與被保持于第2保持部的覆蓋構件T的上面，實質上配置在同一平面內。當然，被保持于第I保持部的基板P的上面與被保持于第2保持部的覆蓋構件T的上面可以不是配置在同一平面內，或覆蓋構件T的上面相對基板P的上面傾斜，或覆蓋構件T的上面包含曲面。
[0083]基板載臺2及測量載臺3，是借由例如美國專利第6452292號所揭示的包含平面馬達的驅動系統(tǒng)15的作動而移動。驅動系統(tǒng)15具有配置在基板載臺2的可動子2C、配置在測量載臺3的可動子3C、與配置在基座構件14的固定子14M?；遢d臺2及測量載臺3可分別借由驅動系統(tǒng)15的作動，在導引面14G上移動于X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及ΘΖ方向的6個方向。又,驅動系統(tǒng)15可不包含平面馬達。例如,驅動系統(tǒng)15可包含線性馬達。
[0084]測量系統(tǒng)4包含干涉儀系統(tǒng)。干涉儀系統(tǒng)包含對基板載臺2的測量鏡(miiTor)及測量載臺3的測量鏡照射測量光，以測量該基板載臺2及測量載臺3的位置的單元。又，測量系統(tǒng)可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示的編碼器系統(tǒng)。此夕卜，測量系統(tǒng)4亦可僅包含干涉儀系統(tǒng)及編碼器系統(tǒng)中的任一方。
[0085]實施基板P的曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據(jù)測量系統(tǒng)4的測量結果，實施基板載臺2 (基板P)及測量載臺3 (測量構件C)的位置控制。
[0086]其次，說明本實施形態(tài)的液浸構件5。圖2顯示本實施形態(tài)的液浸構件5的一例的側視剖面圖。圖3是從下側(一 Z軸側)觀察液浸構件5的圖。圖4是將圖2的一部分予以放大的圖。又，本實施形態(tài)中，液浸構件5是通過支承裝置50被支承于裝置框架SB。
[0087]液浸構件5,形成將從終端光學兀件13的射出面12射出的曝光用光EL的光路K以液體LQ加以充滿的液浸空間LS。液浸空間LS的一部分，是形成在能在包含與射出面12對向位置的XY平面內移動的物體與液浸構件5之間。
[0088]能在包含與射出面12對向位置的XY平面內移動的物體，包含可能與射出面12對向的物體，包含能配置在投影區(qū)域PR的物體。又，該物體包含能在終端光學元件13的下方移動的物體。本實施形態(tài)中，該物體包含基板載臺2的至少一部分(例如基板載臺2的覆蓋構件T)、被保持于基板載臺2(第I保持部)的基板P、及測量載臺3中的至少一個。于基板P的曝光中，以照射于基板P的曝光用光EL的光路K被液體LQ充滿的方式形成液浸空間LS。形成在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區(qū)域PR的基板P的表面部分區(qū)域被液體LQ覆蓋的液浸空間LS。
[0089]以下的說明中，與射出面12對向的物體設為基板P。又，如前所述，能與射出面12對向的物體，亦可以是基板載臺2及測量載臺3的至少一方、亦可以是與基板P、基板載臺2及測量載臺3不同的其他物體。又，有形成跨在基板載臺2的覆蓋構件T與基板P的液浸空間LS的情形，亦有形成跨在基板載臺2與測量載臺3的液浸空間LS的情形。
[0090]本實施形態(tài)中，液浸構件5具備配置在終端光學元件13 (曝光用光EL的光路)周圍的至少一部分的第I構件21與具有回收液體LQ的回收口 24的第2構件22。第2構件22的至少一部分配置在第I構件21的下方。第I構件21的至少一部分是配置在較第2構件22離開基板P (物體)的位置。第2構件22配置在第I構件21的至少一部分與基板P(物體)之間。此外，第2構件22的至少一部分是相對曝光用光EL的光路(終端光學元件13的光軸)配置在第I構件21的外側。本實施形態(tài)中，曝光用光EL的光路包含曝光用光EL在終端光學兀件13的光路(行進于終端光學兀件13的曝光用光EL的光路)的概念。又，曝光用光EL的光路是包含從射出面12射出的曝光用光EL的光路K的概念。本實施形態(tài)中，第I構件21是配置在終端光學元件13 (曝光用光EL在終端光學元件13的光路)周圍的至少一部分。此外，第I構件21亦可不配置在終端光學元件13的周圍而配置在從射出面12射出的曝光用光EL的光路K周圍的至少一部分。第I構件21亦可配置在終端光學元件13周圍的至少一部分及從射出面12射出的曝光用光EL的光路K周圍的至少一部分。
[0091]又，本實施形態(tài)中，液浸構件5具備供應用以形成液浸空間LS的液體LQ的供應口23。供應口 23是于相對終端光學元件13的光軸(光路K)的放射方向配置在回收口 24的內側。本實施形態(tài)中，供應口 23是配置于第I構件21。供應口 23配置在較回收口 24上方之處。又，供應口 23可配置在第2構件22、亦可配置在第I構件21及第2構件22的雙方。
[0092]本實施形態(tài)中，第I構件21隔著間隙配置在終端光學元件13周圍的至少一部分。本實施形態(tài)中，第I構件21為環(huán)狀。本實施形態(tài)中，第I構件21的一部分是配置在終端光學元件13的周圍，終端光學元件13與第I構件21之間形成間隙的環(huán)(loop)。間隙的形狀可以是圓形、亦可以是非圓形。
[0093]又，本實施形態(tài)中，第I構件21的一部分是配置在射出面12的下方。亦即，第I構件21的一部分是配置在射出面12與基板P(物體)的上面之間的光路K周圍。
[0094]第I構件21，具有至少一部分與終端光學元件13的射出面12對向的第I部分211、至少一部分配置在終端光學元件13的外面16周圍的第2部分212、與配置在第2部分212周圍的第3部分213。終端光學元件13的外面16不射出曝光用光EL。換言之，曝光用光EL不會通過外面16。本實施形態(tài)中，于終端光學元件13的光軸(光路K)周圍的至少一部分，外面16是于相對終端光學元件13的光軸(光路K)的放射方向朝外側向上方傾斜。
[0095]第3部分213配置在較第I部分211上方之處。又，第3部分213是于相對終端光學元件13的光軸(光路K)的放射方向配置在第I部分211的外側。
[0096]又，第I構件21亦可不具有第I部分211。例如，第I構件21可配置在較射出面12上方之處。此外，第I構件21亦可不具有第2部分212。例如，第I構件21 (第I部分211及第3部分213)可配置在射出面12的下方。
[0097]本實施形態(tài)中，第I構件21是通過支承裝置50被支承于裝置框架8B。本實施形態(tài)中，支承裝置50與第3部分213是連接的。在第I構件21不具有第3部分213的情形時，支承裝置50可連接于該第I構件21的至少一部分。裝置框架SB的位置是實質被固定的。支承裝置50在基板P (物體)的上方支承第I構件21。支承裝置50將第I構件21支承為在終端光學元件13與第I構件21之間形成間隙。投影光學系統(tǒng)PL(終端光學元件13)的位置是實質被固定的。第I構件21的位置亦實質被固定。亦即，本實施形態(tài)中，終端光學元件13及第I構件21實質上不會移動。終端光學元件13與第I構件21的相對位置不會變化。
[0098]第I構件21具有從射出面12射出的曝光用光EL可通過的開口 21H。第I部分211具有開口 21H。又，第I構件21具有至少一部分與射出面12對向的上面21A、與朝向上面21A的相反方向的下面21B。第I部分211具有上面21A及下面21B。上面21A與射出面12是隔著間隙對向。基板P(物體)可通過間隙與下面21B對向。上面21A配置在開口21H的上端周圍。下面21B配置在開口 21H的下端周圍。本實施形態(tài)中，上面21A與XY平面實質平行。下面21B與XY平面實質平行。下面21B能在與基板P (物體)之間保持液體LQ0
[0099]又，第I構件21，具有配置在上面21A周圍而與終端光學元件13的外面16對向的內面21C、與朝向內面21C的相反方向的外面21D。外面21D配置在下面21B的周圍。第2部分212具有內面21C及外面21D。外面16與內面21C隔著間隙對向。內面21C及外面21D于相對終端光學元件13的光軸(光路K)的放射方向朝外側向上方傾斜。又，內面21C及外面21D的至少一方可與終端光學元件13的光軸平行(與Z軸平行)。
[0100]又，第I構件21具有配置在內面21C周圍的上面21E、與朝向上面21E的相反方向的下面21G。第3部分213具有上面21E及下面21G。下面21G配置在外面21D的周圍。外面21D被配置成連接下面21B的外緣與下面21G的內緣。本實施形態(tài)中，上面21E及下面2IG與XY平面實質平行，但亦可不是平行。
[0101]第2構件22能相對第I構件21移動。又，第2構件22能相對終端光學元件13移動。亦即，本實施形態(tài)中，第2構件22與第I構件21的相對位置是會變化的。第2構件22與終端光學元件13的相對位置是會變化的。
[0102]本實施形態(tài)中，第2構件22能與XY平面實質平行的移動。又，第2構件22可以是僅能沿單一軸方向(例如，X軸方向、或Y軸方向)移動。又，除了往與XY平面實質平行的方向移動外，第2構件22亦可再移動于Z軸、Θ X、θγ及Θ Z中的至少一方向。
[0103]第2構件22能在第I構件21的至少一部分的下方移動。本實施形態(tài)中，第2構件22能在第3部分213的下方移動。又，第2構件22能相對曝光用光EL的光路(終端光學元件13的光軸)在第I構件21的至少一部分的外側移動。本實施形態(tài)中，第2構件22能相對曝光用光EL的光路(終端光學兀件13的光軸)在第I部分211及第2部分212的外側移動。在第2構件22具有第I部分211而不具有第2部分212的情形時，第2構件22能相對曝光用光EL的光路(終端光學兀件13的光軸)在第I部分211的外側移動。在第
2構件22具有第2部分212而不具有第I部分211的情形時，第2構件22能相對曝光用光EL的光路(終端光學兀件13的光軸)在第2部分212的外側移動。本實施形態(tài)中，第2構件22是通過支承裝置50被支承于裝置框架SB。
[0104]在與終端光學元件13的光軸平行的方向，第2構件22的至少一部分是被配置成能在第I構件21與基板P (物體)之間移動。第2構件22能在第I構件21與基板P (物體)之間移動。又，本實施形態(tài)中，第2構件22能與基板P(物體)的移動的至少一部分并行移動。又，本實施形態(tài)中，第2構件22能在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下移動。又，第2構件22能在第2構件22與基板P (物體)間的空間的至少一部分存在有液體LQ的狀態(tài)下移動。又，第2構件22能與基板P (物體)的移動協(xié)力移動、亦能與基板P (物體)分開獨立的移動。
[0105]又，第2構件22亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向時移動。換言之，第2構件22可在該第2構件22的下方不存在物體時移動。又，第2構件22，亦可在第2構件22與基板P (物體)間的空間不存在液體LQ時移動。例如，第2構件22可在未形成液浸空間LS時移動。
[0106]本實施形態(tài)中，第2構件22配置在終端光學元件13周圍的至少一部分。本實施形態(tài)中，第2構件22與第I構件21隔著間隙配置。第2構件22隔著間隙配置在第I構件21周圍的至少一部分。第2構件22隔著間隙相對曝光用光EL的光路(終端光學兀件13的光軸)配置在第I構件21的外側。又，第2構件22隔著間隙配置在第I構件21的至少一部分的下方。
[0107]本實施形態(tài)中，第2構件22為環(huán)狀。本實施形態(tài)中，第2構件22具有開口 26。第2構件的開口 26可供曝光用光EL通過。又，本實施形態(tài)中，第2構件22的開口 26可配置第I構件21的至少一部分。本實施形態(tài)中，第2構件22是在第3部分213的下方，配置在第2部分212的周圍。第2構件22被配置成在第2部分212及第3部分213之間形成有間隙。
[0108]如圖3所示，本實施形態(tài)中，第2構件22為圓環(huán)狀。本實施形態(tài)中，開口 26為實質圓形。
[0109]本實施形態(tài)中，第2構件22具有與第I構件21的下面21G對向的上面22A、與朝向上面22A的相反方向的下面22B。上面22A配置在開口 26的周圍。基板P (物體)可與下面22B對向。第I構件21的下面21G與第2構件22的上面22A是通過間隙對向?；錚 (物體)可通過間隙與下面22B對向。本實施形態(tài)中，第2構件22能與第I構件21隔著間隙在第I構件21的下面21G的下方移動。
[0110]本實施形態(tài)中，第2構件22的移動是被下面21G引導。在下面21G與上面21A隔著間隙對向的狀態(tài)下，第2構件22沿著下面21G移動。以下的說明中，將第I構件21的下面21G適當?shù)姆Q為導引面21G，將第2構件22的上面22A適當?shù)姆Q為移動面22A。又，第I構件21的下面21G可不具有作為導引面的功能。第2構件22可不具有第3部分213。
[0111]本實施形態(tài)中，第2構件22配置在第I構件21的外面21D的周圍。第2構件22在外面21D周圍的空間移動。第2構件22以不和第I構件21接觸的方式，在外面21D周圍的空間移動。第2構件22能與第I構件21隔著間隙在第I構件21 (第2部分212)的周圍移動。
[0112]本實施形態(tài)中，導引面21G是在下面21B及外面21D的周圍，配置在較下面21B上方處。第2構件22的下面22B配置在較第I構件21的下面21B上方處。又，第2構件22的下面22B可配置在較第I構件21的下面21B下方處。又，如前所述的未于第I構件21設置第2部分212的情形時，可在與第I構件21的下面21B同一面內、或較第I構件21的下面21B下方處，配置導引面21G。
[0113]如圖3所示，曝光裝置EX具備移動第2構件22的驅動系統(tǒng)40。本實施形態(tài)中，驅動系統(tǒng)40可使第2構件22在XY平面內移動。圖3所示例中，驅動系統(tǒng)40，包含連接于第2構件22的連接構件40C、可使連接構件40C移動于Y軸方向的第I致動器41、與可使第I致動器41移動于X軸方向的第2致動器42。第I致動器41及第2致動器42的至少一方，包含例如以羅倫茲力驅動的馬達等。當然，驅動系統(tǒng)40不限于圖3所示的形態(tài)。又，驅動系統(tǒng)40可以是僅能使第2構件22往單一軸方向(例如，X軸方向或Y軸方向)移動，亦可在除了往與XY平面實質平行的方向移動外，再加上使第2構件22往Z軸、Θ X、Θ Y及Θ Z中的至少一方向移動。
[0114]驅動系統(tǒng)40，是以導引面21G的至少一部分與移動面22A的至少一部分持續(xù)對向的方式移動第2構件22。換言之，驅動系統(tǒng)40，是以移動面22A的至少一部分不會突出至導引面21G外側的方式移動第2構件22。又，驅動系統(tǒng)40，是以第I構件21與第2構件22不會接觸的方式移動第2構件22。
[0115]本實施形態(tài)中，導引面21G與移動面22A之間不存在液體LQ。液體LQ對導引面2IG與移動面22A之間的浸入是受到抑制的。液浸構件5具備抑制液體LQ浸入導引面2IG與移動面22A間的間隙的抑制部30。抑制部30，抑制液體LQ從規(guī)定開口 26的第2構件22的移動面22A內緣與第I構件21的導引面21G間的間隙浸入導引面21G與移動面22A間的空間GS。抑制部30包含配置在導引面21G的撥液性的膜31。又，抑制部30包含配置在移動面22k的撥液性的膜31。又，膜31可配置在導引面21G及移動面22k的雙方、亦可僅配置在其中一方。借由膜31，液浸空間LS的液體LQ浸入導引面21G與移動面22A間的間隙的情形即受到抑制。
[0116]膜31對液體LQ的接觸角，例如為90度以上。又，膜31的接觸角可以是100度以上、亦可以是110度以上。膜31可以例如含氟的材料形成、或含硅的材料形成。膜31例如可含PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、或鐵氟龍(登錄商標)。
[0117]又，抑制部30，包含對導引面21G與移動面22A之間供應氣體的供氣部32。本實施形態(tài)中，供氣部32，包含配置在移動面22A、對導引面21G與移動面22A間的間隙供應氣體的供氣口 33。又，供氣口 33可配置在導引面21G。又，供氣口 33亦可配置在導引面21G及移動面22k的雙方。借由從供氣口 33供應的氣體，液浸空間LS的液體LQ浸入導引面21G與移動面22A間的間隙的情形受到抑制。
[0118]又，抑制部30可包含膜31而不包含供氣部32。或者，抑制部30亦可包含供氣部32而不包含膜31。
[0119]又，作為抑制部30，亦可于規(guī)定開口 26的第2構件22的移動面22A內緣近旁與第I構件21的導引面21G中的至少一方設置凸部。
[0120]本實施形態(tài)中，導引面21G與移動面22A之間形成有氣體軸承。借由氣體軸承，在導引面21G與移動面22A之間形成有間隙的狀態(tài)下，第2構件22以可移動的方式被支承于第I構件21。
[0121]本實施形態(tài)中，液浸構件5具有供氣口 33與配置于移動面22A、用以排出導引面21G與移動面22A間的間隙的氣體的至少一部分的排氣口 34。借由來自供氣口 33的氣體供應與從排氣口 34的氣體排出，在導引面21G與移動面22A之間形成氣體軸承。又，供氣口 33及排氣口 34亦可以是配置在導引面21G。
[0122]本實施形態(tài)中，液浸構件5具有將導引面21G與移動面22A間的空間GS與液浸構件5周圍空間(腔室裝置9形成的空間)CS加以連接的孔(開口)35。本實施形態(tài)中，開口 35是形成于第2構件22。開口 35配置在用以規(guī)定開口 26的移動面22k的內緣與供氣口 33(排氣口 34)之間。借由開口 35，空間GS被開放于液浸構件5周圍的空間CS(環(huán)境氣氛)。腔室裝置9形成的空間CS為大氣(大氣壓)的情形時，借由開口 35，空間GS開放于大氣。當然，腔室裝置9形成的空間CS可以不是大氣(大氣壓)。此外，亦可不設置開口35。
[0123]第2構件22具有配置在第I構件21的外面21D周圍的內面22C。內面22C連接移動面22A的內緣與下面22B的內緣。本實施形態(tài)中，內面22C是于相對終端光學元件13的光軸(光路K)的放射方向朝外側向下方傾斜。又，內面22C亦可與終端光學元件13的光軸平行(與Z軸平行)。
[0124]供應口 23通過形成在第I構件21內部的供應流路與液體供應裝置連接。供應口23，為形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置的液體LQ。本實施形態(tài)中，供應口 23是以面向射出面12與上面21A間的間隙的方式，配置于內面21C。又，供應口 23亦可以面向外面16與內面21C間的間隙的方式，配置于內面21C。從供應口 23供應的液體LQ，經(jīng)由開口2IH被供應至基板P (物體)上。
[0125]本實施形態(tài)中，第2構件22的回收口 24是配置成使基板P(物體)與之對向。本實施形態(tài)中，第2構件22包含多孔構件25。本實施形態(tài)中，第2構件22的下面22B包含多孔構件25的下面。回收口 24包含多孔構件25的孔。多孔構件25，例如包含燒結體或孔(pores)構件?；厥湛?24(多孔構件25的孔)與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置可將回收口 24與真空系統(tǒng)(未圖示)加以連接?；厥湛?24能回收液浸空間LS的液體LQ的至少一部分。從回收口 24回收的液體LQ被回收至液體回收裝置。又，亦可于第2構件22的內面22C設置可回收液體LQ的回收口。
[0126]本實施形態(tài)中，借由與來自供應口 23的液體LQ的供應動作并行實施從回收口 24的液體LQ的回收動作，據(jù)以在一側的終端光學元件13及液浸構件5與另一側的基板P (物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。
[0127]本實施形態(tài)中，液浸空間LS的液體LQ的界面LG的一部分是形成在第2構件22與基板P (物體)之間。第2構件22的下面22B的一部分及內面22C與液浸空間LS的液體LQ接觸。
[0128]又，本實施形態(tài)中，液浸空間LS的液體LQ的界面LG的一部分，形成在第I構件21的導引面21G的內緣與第2構件22的移動面22A的內緣之間。導引面21G及移動面22A不與液浸空間LS的液體LQ接觸。
[0129]又，本實施形態(tài)中，液浸空間LS的液體LQ的界面LG的一部分，形成在第I構件21的內面21C與終端光學元件13的外面16之間。
[0130]此外，亦可有液浸空間LS的液體LQ的界面LG的一部分，形成在基板P (物體)與第I構件21 (例如，導引面21G)之間的情形。
[0131]以下的說明中，將形成在第2構件22與基板P(物體)之間的液體LQ的界面LG適當?shù)姆Q為第I界面LGl、將形成在第I構件21與第2構件22之間的液體LQ的界面LG適當?shù)姆Q為第2界面LG2、將形成在第I構件21與終端光學元件13之間的液體LQ的界面LG適當?shù)姆Q為第3界面LG3。
[0132]圖5及圖6顯示第2構件22的一動作例的圖?？刂蒲b置6根據(jù)例如基板P(物體)的移動條件，與基板P (物體)的移動的至少一部分并行，移動第2構件22。
[0133]第2構件22可一邊移動、一邊從回收口 24回收液體LQ?？刂蒲b置6，與從回收口24的液體LQ的回收并行，移動第2構件22?？刂蒲b置6，一邊進行從供應口 23的液體LQ的供應與從回收口 24的液體LQ的回收以持續(xù)形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。
[0134]如前所述，第2構件22能在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，與XY平面實質平行的移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，在第I構件21 (第3部分213)與基板P (物體)之間移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，在第I構件21 (第2部分212)周圍的空間移動。
[0135]本實施形態(tài)中，第2構件22是以和基板P (物體)的相對移動變小的方式移動。又，第2構件22是以和基板P (物體)的相對移動，較第I構件21與基板P (物體)的相對移動變小的方式移動。例如，第2構件22可與基板P(物體)同步移動。例如，第2構件22亦可以追隨基板P (物體)的方式移動。
[0136]相對移動，包含相對速度及相對加速度中的至少一方。例如，第2構件22可在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，以和基板P (物體)的相對速度變小的方式移動。又，第2構件22亦可在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，以和基板P (物體)的相對加速度變小的方式移動。此外，第2構件22可在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，以和基板P (物體)的相對速度，較第I構件21與基板P(物體)的相對速度變小的方式移動。又，第2構件22可在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，以和基板P (物體)的相對加速度，較第I構件21與基板P (物體)的相對加速度變小的方式移動。
[0137]例如圖5所示，在基板P (物體)移動于+Y軸方向時，控制裝置6以第2構件22與基板P (物體)的相對速度變小的方式，使第2構件22移動于+Y軸方向。又，控制裝置6，亦可以第2構件22與基板P (物體)的相對速度變小的方式，一邊使第2構件22移動于+Y軸方向、一邊移動于+X軸方向及一 X軸方向中的至少一方。亦即，在基板P(物體)移動于+Y軸方向時，第2構件22可以和基板P (物體)的相對速度變小的方式，往包含+Y軸方向成分的XY平面內的任意方向移動。
[0138]又，如圖6所示，在基板P (物體)移動于一 Y軸方向時，控制裝置6以第2構件22與基板P (物體)的相對速度變小的方式，使第2構件22移動于一 Y軸方向。又，控制裝置6亦可以第2構件22與基板P (物體)的相對速度變小的方式，一邊使第2構件22移動于一 Y軸方向、一邊移動于+X軸方向及一 X軸方向中的至少一方。亦即，基板P(物體)移動于一 Y軸方向時，第2構件22可以和基板P (物體)的相對速度變小的方式，往包含一 Y軸方向成分的XY平面內的任意方向移動。
[0139]此外，基板P(物體)移動于+X軸方向時，第2構件22可以和基板P(物體)的相對速度變小的方式，往包含+X軸方向成分的XY平面內的任意方向移動。又，基板P(物體)移動于一 X軸方向時，第2構件22可以和基板P (物體)的相對速度變小的方式，往包含一X軸方向成分的XY平面內的任意方向移動。
[0140]其次，說明使用具有上述構成的曝光裝置EX使基板P曝光的方法。
[0141]在與液浸構件5分離的基板更換位置，進行將曝光前的基板P搬入(裝載于)基板載臺2(第I保持部)的處理。又，在基板載臺2離開液浸構件5的期間的至少一部分中，將測量載臺3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行從供應口 23的液體LQ的供應與從回收口 24的液體LQ的回收，在測量載臺3上形成液浸空間LS。
[0142]在將曝光前的基板P裝載于基板載臺2、并結束使用測量載臺3的測量處理后，控制裝置6移動基板載臺2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載臺2 (基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載臺2 (基板P)對向的狀態(tài)下，與從供應口 23的液體LQ的供應并行實施從回收口 24的液體LQ的回收，以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載臺2 (基板P)之間形成光路K被液體LQ充滿的液浸空間LS。
[0143]控制裝置6開始基板P的曝光處理?？刂蒲b置6，在基板P上形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，從照明系統(tǒng)IL射出曝光用光EL。照明系統(tǒng)IL以曝光用光EL照明掩膜M。來自掩膜M的曝光用光EL，通過投影光學系統(tǒng)PL及射出面12與基板P之間的液浸空間LS的液體LQ照射于基板P。據(jù)此，基板P即被通過液浸空間LS的液體LQ從射出面12射出的曝光用光EL曝光，掩膜M的圖案的像被投影至基板P。
[0144]本實施形態(tài)的曝光裝置EX,是一邊使掩膜M與基板P同步移動于既定掃描方向、一邊將掩膜M的圖案的像投影至基板P的掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態(tài)中，以基板P的掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、掩膜M的掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向?？刂蒲b置6使基板P相對投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域PR移動于Y軸方向，并與該基板P往Y軸方向的移動同步，一邊相對照明系統(tǒng)IL的照明區(qū)域IR使掩膜M移于Y軸方向、一邊通過投影光學系統(tǒng)PL與基板P上的液浸空間LS的液體LQ對基板P照射曝光用光EL。
[0145]圖7顯示被保持于基板載臺2的基板P的一例的圖。本實施形態(tài)中，曝光對象區(qū)域的照射區(qū)域于基板P上配置有多個成矩陣狀?？刂蒲b置6，通過液浸空間LS的液體LQ以曝光用光EL使被保持于第I保持部的基板P的多個照射區(qū)域依序曝光。
[0146]例如為使基板P的第I照射區(qū)域S曝光，控制裝置6使基板P (第I照射區(qū)域S)相對投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域PR移動于Y軸方向，并與該基板P往Y軸方向的移動同步，一邊相對照明系統(tǒng)IL的照明區(qū)域IR使掩膜M移動于Y軸方向、一邊通過投影光學系統(tǒng)PL與基板P上的液浸空間LS的液體LQ對第I照射區(qū)域S照射曝光用光EL。據(jù)此，掩膜M的圖案的像即被投影于基板P的第I照射區(qū)域S，該第I照射區(qū)域S即因從射出面12出的曝光用光EL而曝光。第I照射區(qū)域S的曝光結束后，控制裝置6為開始其次的第2照射區(qū)域S的曝光，在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，使基板P于XY平面內與X軸交叉的方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜的方向等)移動，使第2照射區(qū)域S移至曝光開始位置。之后，控制裝置6即開始第2照射區(qū)域S的曝光。
[0147]控制裝置6，在基板P (基板載臺2)上形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，反復進行一邊相對來自射出面12的曝光用光EL照射的位置(投影區(qū)域PR)使照射區(qū)域移動于Y軸方向一邊使該照射區(qū)域曝光的動作，與在該照射區(qū)域的曝光后在基板P (基板載臺2)上形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，將基板P移動于XY平面內與Y軸方向交叉的方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜的方向等)以將次一照射區(qū)域配置于曝光開始位置的動作，一邊使基板P的多個照射區(qū)域依序曝光。
[0148]以下的說明中，將為使照射區(qū)域曝光而在基板P(基板載臺2)上形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，相對來自射出面12的曝光用光EL照射的位置(投影區(qū)域PR)使基板P(照射區(qū)域)移動于Y軸方向的動作，適當?shù)姆Q為掃描移動動作。并將某一照射區(qū)域的曝光完成后，在基板P (基板載臺2)上形成有液浸空間LS的狀態(tài)下，在開始次一照射區(qū)域的曝光為止的期間，于XY平面內移動基板P的動作，適當?shù)姆Q為步進移動動作?？刂蒲b置6—邊反復掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P的多個照射區(qū)域S依序曝光。又，掃描移動動作是專于Y軸方向的等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，于X軸方向相鄰的二個照射區(qū)域間的步進移動動作，包含于Y軸方向的加減速移動、及于X軸方向的加減速移動。
[0149]又，于掃描移動動作及步進移動動作的至少一部分中，亦有液浸空間LS的至少一部分形成在基板載臺2(覆蓋構件T)上的情形。
[0150]控制裝置6根據(jù)基板P上的多個照射區(qū)域S的曝光條件，控制驅動系統(tǒng)15移動基板P (基板載臺2)。多個照射區(qū)域S的曝光條件，例如是以稱為曝光配方(recipe)的曝光控制信息加以規(guī)定。曝光控制信息存儲于存儲裝置7?？刂蒲b置6根據(jù)該存儲裝置7存儲的曝光條件，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使多個照射區(qū)域S依序曝光?；錚 (物體)的移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內的移動軌跡中的至少一種。
[0151]控制裝置6，一邊移動基板載臺2使投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域PR與基板P，沿圖7中，例如箭頭Sr所示的移動軌跡相對移動，一邊對投影區(qū)域PR照射曝光用光EL，通過液體LQ以曝光用光EL使基板P的多個照射區(qū)域S依序曝光。
[0152]之后，反復上述處理，使多個基板P依序曝光。
[0153]本實施形態(tài)中，第2構件22是在基板P的曝光處理的至少一部分中移動。第2構件22，在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下基板P (基板載臺2)進行掃描移動動作及步進移動動作時，以和基板P (基板載臺2)的相對移動(相對速度、相對加速度)變小的方式移動。
[0154]圖8 (A)是以示意方式顯示使照射區(qū)域Sa及照射區(qū)域Sb依序曝光時的基板P的移動軌跡的一例的圖，圖8(B)則是以示意方式顯示使照射區(qū)域Sa及照射區(qū)域Sb依序曝光時的第2構件22的移動軌跡的一例的圖。
[0155]如圖8 (A)所示，照射區(qū)域Sa的曝光時，基板P是于終端光學元件13之下，依序移動于從位置dl至相對該位置dl于一 Y軸側相鄰位置d2的路徑Tp1、從位置d2至相對該位置d2于一 X軸側相鄰位置d3的路徑Tp2、從位置d3至相對該位置d3于+Y軸側相鄰位置d4的路徑Tp3、以及從位置d4至相對該位置d4于一 X軸側相鄰位置d5的路徑Tp4。位置dl、d2、d3、d4是在XY平面內的位置。
[0156]路徑Tpl的至少一部分是與Y軸平行的直線。路徑Tp3的至少一部分是與Y軸平行的直線。路徑Τρ2包含曲線。路徑Τρ4包含曲線。位置dl包含路徑Tpl的始點，位置d2包含路徑Tpl的終點。位置d2包含路徑Tp2的始點，位置d3包含路徑Tp2的終點。位置d3包含路徑Tp3的始點，而位置d4包含路徑Tp3的終點。位置d4包含路徑Tp4的始點，位置d5包含路徑Τρ4的終點。路徑Tpl是基板P往一 Y軸方向移動的路徑。路徑Τρ3是基板P往+Y軸方向移動的路徑。路徑Τρ2及路徑Τρ4是基板P往以一 X軸方向為主成分的方向移動的路徑。
[0157]在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下基板P移動于路徑Tpl時，是通過液體LQ被曝光用光EL照射于照射區(qū)域Sa?；錚移動于路徑Tpl的動作，包含掃描移動動作。又，在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下基板P移動于路徑Tp3時,是通過液體LQ被曝光用光EL照射于照射區(qū)域Sb。基板P移動于路徑Τρ3的動作，包含掃描移動動作。此外，基板P移動于路徑Τρ2的動作、以及移動于路徑Τρ4的動作，包含步進移動動作。
[0158]當基板P依序移動于路徑Tpl、Τρ2、Τρ3、Τρ4時，如圖8(B)所示，第2構件22依序移動于路徑Tnl、Τη2、Τη3、Τη4。路徑Tnl是從位置el至位置e2的路徑。路徑Tn2是從位置e2至位置e3的路徑。路徑Tn3是從位置e3至位置e4的路徑。路徑Tn4是從位置e4至位置el的路徑。路徑Tnl包含直線。路徑Tn2包含曲線。路徑Τη3包含直線。路徑Τη4包含曲線。路徑Tnl與路徑Τη3交叉。路徑Tnl及路徑Τη3相對X軸及Y軸的雙方傾斜。路徑Tnl是第2構件22 —邊移動于+X軸方向、一邊移動于一 Y軸方向的路徑。路徑Τη2是第2構件22往以一 X軸方向為主成分的方向移動的路徑。路徑Τη3是第2構件22一邊移動于+X軸方向、一邊移動于+Y軸方向的路徑。路徑Τη4是第2構件22往以一 X軸方向為主成分的方向移動的路徑。
[0159]亦即，本實施形態(tài)中，第2構件22是以描繪阿拉伯數(shù)字“8”的方式移動于XY平面內。
[0160]圖9及圖10顯示第2構件22以描繪“8”字的方式移動的狀態(tài)的一例。圖9及圖10是從基板P (物體)側往上觀察第2構件22的圖。第2構件22，可以從圖9 (A)所示狀態(tài)，依序經(jīng)由圖9 (B)、圖9 (C)、圖9 (D)、圖10 (A)、圖10⑶及圖10 (C)所示狀態(tài)，變化至圖10(D)所示狀態(tài)的方式移動。
[0161]圖11及圖12顯示借由掃描移動動作及步進移動動作使與X軸平行的相鄰多個照射區(qū)域一邊于+X軸方向步進移動、一邊依序曝光時的基板P(基板載臺2)的移動速度與配合該基板P的移動以描繪“8”字的方式移動的第2構件22的移動速度的關系的一例的圖。
[0162]圖1l(A)顯示了于X軸方向的基板P(基板載臺2)及第2構件22各自的移動速度。圖1l(B)顯示了于Y軸方向的基板P(基板載臺2)及第2構件22各自的移動速度。圖1UA)的線Vxp顯示于X軸方向的基板P(基板載臺2)的移動速度、線Vxn則顯示于X軸方向的第2構件22的移動速度。又，圖11 (B)的線Vyp顯示于Y軸方向的基板P(基板載臺2)的移動速度、線Vyn顯示于Y軸方向的第2構件22的移動速度。此外，圖11中，期間Ta代表基板P (基板載臺2)進行掃描移動動作的期間。期間Tb代表基板P (基板載臺2)進行步進移動動作的期間。如圖11所示，于基板P(基板載臺2)的掃描移動動作的期間Ta的至少一部分中，第2構件22往與基板P (基板載臺2)相同的掃描方向(Y軸方向)移動，并往與基板P (基板載臺2)的步進方向(+X軸方向)相反的方向(一 X軸方向)移動。又，于基板P (基板載臺2)的步進移動動作的期間Tb的至少一部分中，第2構件22往與基板P (基板載臺2)相同的掃描方向(Y軸方向)移動，并往與基板P (基板載臺2)的步進方向(+X軸方向)相同的方向(+X軸方向)移動。
[0163]圖12㈧顯示了于X軸方向的基板P (基板載臺2)與第2構件22的相對速度。圖12(B)顯示了于Y軸方向的基板P (基板載臺2)與第2構件22的相對速度。圖12㈧的線Λ Vx，顯示于X軸方向的基板P (基板載臺2)與第2構件22的相對速度。圖12⑶的線AVy，顯示于Y軸方向的基板P(基板載臺2)與第2構件22的相對速度。又，圖12(A)中，同時顯示于X軸方向的基板P(基板載臺2)的移動速度Vxp、圖12(B)中同時顯示了于Y軸方向的基板P (基板載臺2)的移動速度Vyp。
[0164]如圖12所示，當基板P(基板載臺2)進行掃描移動動作及步進移動動作時，借由第2構件22以描繪“8”字的方式移動，可使基板P (基板載臺2)與第2構件22的相對速度(AVx, AVy)至少較基板P(基板載臺2)的移動速度(Vxp、Vyp)小。此外，可使基板P(基板載臺2)與第2構件22的相對速度(Λ Vx、Λ Vy)至少較基板P (基板載臺2)與第I構件21的相對速度(Vxp、Vyp)小。
[0165]又，圖11的期間Ta中，第2構件22等速移動于掃描方向時的速度(絕對值)雖較基板P(基板載臺2)等速移動于掃描方向時的速度(絕對值)小，但亦可以是相同的。此夕卜，圖11的期間Ta中，可以沒有第2構件22等速移動于掃描方向的期間。又，圖11的期間Tb中，第2構件22移動于步進方向時的最大速度(絕對值)雖較基板P(基板載臺2)移動于步進方向時的最大速度(絕對值)小，但亦可以是相同的。此外，圖11的期間Tb，第2構件22移動于掃描方向時的速度(絕對值)雖較基板P(基板載臺2)移動于掃描方向時的速度(絕對值)小，但亦可以是相同的。又，期間Ta中第2構件22往步進方向移動時的最大速度(絕對值)，可與期間Tb中第2構件22往步進方向移動時的最大速度(絕對值)相同、亦可不同。例如，可使期間Ta中第2構件22往步進方向移動時的最大速度(絕對值)，大于較期間Tb中第2構件22往步進方向移動時的最大速度(絕對值)。
[0166]如以上的說明，本實施形態(tài)，由于在第I構件21的下方設置了具有可移動可能的回收口 24的第2構件22，因此即使在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下基板P等的物體在XY平面內移動，例如液體LQ從液浸構件5與物體之間的空間流出、或液體殘留在物體上的情形亦會受到抑制。又，液浸空間LS的液體LQ中產(chǎn)生氣泡(氣體部分)的情形亦會受到抑制。
[0167]又，借由以和物體的相對移動(相對速度、相對加速度)變小的方式移動第2構件22，即使在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下物體以高速度移動，液體LQ流出、液體LQ殘留、液體LQ中產(chǎn)生氣泡的情形亦會受到抑制。
[0168]因此，能抑制曝光不良的發(fā)生、及產(chǎn)生不良元件。
[0169]又，本實施形態(tài)中，第I構件21是配置在終端光學元件13周圍的至少一部分，因此在形成有液浸空間LS的狀態(tài)下物體移動、或第2構件22移動的情形時，終端光學元件13與第I構件21之間壓力產(chǎn)生變動、或在第I構件21與終端光學元件13間的液體LQ的第3界面LG3的形狀產(chǎn)生大變動的情形會受到抑制。因此，例如液體LQ中產(chǎn)生氣泡、對終端光學元件13作用過多的力的情形皆會受到抑制。此外，本實施形態(tài)中，由于第I構件21實質上不移動，因此終端光學元件13與第I構件21間的壓力產(chǎn)生大變動、或在終端光學元件13與第I構件21間的液體LQ的第3界面LG3的形狀產(chǎn)生大變動的情形會受到抑制。
[0170]又，第I構件21可以是能移動的。第I構件21，亦可以是能移動于X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及Θ Z的6個方向中的至少一方向。例如，為調整終端光學元件13與第I構件21的位置關系、或調整第I構件21與第2構件22的位置關系，可移動第I構件21。此夕卜，可與基板P(物體)的移動的至少一部分并行，移動第I構件21。例如，可于XY平面內移動較第2構件22短的距離。又，第I構件21可以較第2構件22低的速度移動?；蛘撸贗構件21可以較第2構件22低的加速度移動。
[0171]又，本實施形態(tài)中，第I構件21的導引面21G與第2構件22的移動面22A之間不存在液體LQ，因此第2構件22可平滑地移動。
[0172]又，導引面21G與移動面22A之間亦可存在液體LQ。此外，可省略抑制部30。
[0173]又，本實施形態(tài)中，第I構件21與第2構件22之間可以不形成氣體軸承。又，本實施形態(tài)中，第I構件21可不具有第3部分213。此場合，可以不在第2構件22的上方配置第I構件21。亦即，第2構件22可以不在第I構件21的下方移動。此外，本實施形態(tài)中，第I構件21及第2構件22雖是被支承在裝置框架8B，但第I構件21亦可被支承在與裝置框架8B不同的其他框架。例如，第I構件21可被支承于基準框架8A。
[0174]又，本實施形態(tài)中，由于第2構件22的內面22C是于相對光路K的放射方向朝外側向下方傾斜，因此在內面22C與液浸空間LS的液體LQ接觸的狀態(tài)下移動，液浸空間LS的壓力大幅變動、或于液浸空間LS的液體LQ產(chǎn)生不期望的流動的情形皆會受到抑制。
[0175]又，圖8等所示例中，雖在使照射區(qū)域Sa曝光后、使相對該照射區(qū)域Sa配置在X軸方向的照射區(qū)域Sb曝光的情形時，移動第2構件22，但亦可例如圖13(A)所示，在使配置于Y軸方向的照射區(qū)域Sc、照射區(qū)域Sd及照射區(qū)域Se依序曝光后，使相對該等照射區(qū)域Se、ScUSc配置于X軸方向的照射區(qū)域Sf、照射區(qū)域Sg及照射區(qū)域Sh依序曝光時，如圖13(B)所示，移動第2構件22。圖13所示例中，亦可使第2構件22以例如描繪數(shù)字“8”的方式移動。
[0176]又，上述實施形態(tài)中，基板P在進行掃描移動動作及步進移動動作時，第2構件22可不描繪阿拉伯數(shù)字“8”。例如，可將第2構件22做成僅能移動于Y軸方向，在基板P(基板載臺2)進行掃描移動動作時,移動于與基板P相同的Y軸方向。
[0177]又，上述實施形態(tài)中，第2構件22雖是以導引面21G與移動面22k持續(xù)對向的方式移動，但第2構件22亦可以移動面22k的至少一部分突出至導引面21G外側的方式移動。此外，第2構件22亦可以和第I構件21的至少一部分接觸的方式移動。
[0178]又，上述實施形態(tài)中，第2構件22可在液浸空間LS形成的狀態(tài)下，以X軸方向的移動距離較Y軸方向的移動距離長的方式移動，或以Y軸方向的移動距離較X軸方向的移動距離長的方式移動。又，第2構件22可于X軸方向，移動較開口 21H的尺寸長的距離、短的距離、或相等距離。此外，第2構件22可移動較照射區(qū)域S的尺寸長的距離、短的距離、或相等距離。再者，第2構件22可移動較下面21B的尺寸長的距離、短的距離、或相等距離。
[0179]<第2實施形態(tài)>
[0180]接著，說明第2實施形態(tài)。以下的說明中，對與上述實施形態(tài)相同或同等的構成部分是賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0181]圖14顯示本實施形態(tài)的第2構件222的一例的圖。如圖14所示，第2構件222的外面22D，可于相對光路K的放射方向朝外側向上方傾斜。如此，即使例如第I界面LGl移動至下面22B的外側，亦可借由傾斜的外面22D抑制液體LQ的流出。例如，圖14中，基板P (物體)往一 Y軸方向移動的情形時，第I界面LGl有可能往一 Y軸方向移動。由于設置了傾斜的外面22D，因此在外面22D與基板P (物體)的上面之間，第I界面LGl往一 Y軸方向的移動即受到抑制。
[0182]又，即使第2構件222移動，亦能借由傾斜的外面22D抑制液體LQ的流出。
[0183]又，本實施形態(tài)中亦可不設置氣體軸承、或第I構件21不具有第3部分213。以下的實施形態(tài)亦同。
[0184]〈第3實施形態(tài)〉
[0185]接著，說明第3實施形態(tài)。以下的說明中，對與上述實施形態(tài)相同或同等的構成部分是賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0186]圖15顯示第3實施形態(tài)的第2構件223的一例的圖。本實施形態(tài)中，第2構件223包含網(wǎng)眼板(mesh plate) 253與支承該網(wǎng)眼板253的基座構件254。網(wǎng)眼板253與基座構件254之間形成空間223S。網(wǎng)眼板253，具有基板P (物體)可對向的下面253B、面向空間223S的上面253A、以及形成為將上面253A與下面253B加以連接的多個孔(開口)?；厥湛?24包含網(wǎng)眼板253的孔(開口)。與下面253B接觸的液體LQ的至少一部分，可通過回收口 24流入空間223S。
[0187]圖15所示例中，空間223S與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置包含真空系統(tǒng)(未圖示)。本實施形態(tài)中，上面253A側的壓力與下面253B側的壓力的差是被調整為通過回收口 24僅回收網(wǎng)眼板253與物體之間的液體LQ，而不回收氣體。又，通過多孔構件實質上僅回收液體而限制氣體回收的技術的一例，例如已揭示于美國專利第7，292，313號說明書等。
[0188]本實施形態(tài)中，第2構件223亦可一邊移動、一邊回收液體LQ。本實施形態(tài)，亦能借由第2構件223的移動，抑制曝光不良的發(fā)生。
[0189]<第4實施形態(tài)>
[0190]接著，說明第4實施形態(tài)。以下的說明中，對與上述實施形態(tài)相同或同等的構成部分是賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0191]圖16顯示本實施形態(tài)的第2構件224的一例的圖。第2構件224具有配置第I構件21的至少一部分的開口 264。于X軸方向的開口 264與于Y軸方向的開口 264的尺寸不同。圖16所示例中，于X軸方向的開口 264的尺寸較于Y軸方向的開口 264的尺寸小。當然，于X軸方向的開口 264的尺寸可以較于Y軸方向的開口 264的尺寸大。圖16所示例中，第2構件224的開口 264的形狀為橢圓形。
[0192]又，圖3及圖16等所示例中，第2構件(22等)的開口(26等)雖不具角部，但亦可具角部。例如，第2構件(22等)的開口(26等)可以是三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、八角形等多角形。
[0193]又，圖3、圖16等所示例中，第2構件(22等)的開口(26等)與第2構件22的外形雖大致為相同形狀(相似)，但可以不是相同形狀。
[0194]<第5實施形態(tài)>
[0195]接著，說明第5實施形態(tài)。以下的說明中，對與上述實施形態(tài)相同或同等的構成部分是賦予相同符號，并簡化或省略其說明。
[0196]圖17顯示本實施形態(tài)的第2構件225的一例的圖。如圖17所示，在XY平面內的第2構件225的外形，實質上為四角形。第2構件225的開口 265為圓形。當然，開口 265可以是例如四角形、六角形、八角形等的多角形、橢圓形。
[0197]本實施形態(tài)中，第2構件225不具有多孔構件。圖17中，回收口 24是在第2構件225的下面圍繞光路K配置有多個?；厥湛?24可將液體LQ與氣體加以一起回收。液浸空間LS的液體LQ的第I界面LGl是配置于回收口 24。
[0198]本實施形態(tài)，亦可借由第2構件225的移動，抑制曝光不良的發(fā)生。
[0199]又，上述實施形態(tài)中，第2構件(22等)雖是環(huán)繞終端光學元件13的光軸的環(huán)狀構件，但第2構件亦可以是配置在光軸周圍配置多個。又，可將該等多個第2構件做成可獨立移動。此外，亦可是多個第2構件中、一部分第2構件移動、一部分第2構件不移動。
[0200]又，上述實施形態(tài)中，控制裝置6包含含CPU等的電腦系統(tǒng)。又，控制裝置6包含可實施電腦系統(tǒng)與外部裝置間的通信的接口。存儲裝置7，例如包含RAM等的存儲器、硬盤、諸如⑶一 ROM的記錄媒體。于存儲裝置7上安裝有用以控制電腦系統(tǒng)的作業(yè)系統(tǒng)(OS)，內存儲有用以控制曝光裝置EX的程序。
[0201]又，亦可于控制裝置6連接可輸入輸入信號的輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、鼠標等的輸入機器、或可輸入來自外部裝置的數(shù)據(jù)的通信裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等的顯示裝置。
[0202]包含記錄在存儲裝置7的程序的各種信息，可由控制裝置(電腦系統(tǒng))6加以讀取。于存儲裝置7中，存儲有使控制裝置6實施通過充滿在射出曝光用光的光學構件的射出面與基板之間的曝光用光的光路的第I液體以曝光用光使基板曝光的液浸曝光裝置的控制的程序。
[0203]又，存儲在存儲裝置7中的程序，可依上述實施形態(tài)使控制裝置6實施:形成從光學構件的射出面射出的該曝光用光的光路被該液體充滿的液浸空間的動作；通過該液浸空間的液體以從該射出面射出的該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件是與配置在該光學構件周圍的至少一部分的第I構件隔著間隙配置在該第I構件下方、具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
[0204]借由將存儲裝置7中存儲的程序讀取至控制裝置6，基板載臺2、測量載臺3及液浸構件5等曝光裝置EX的各種裝置及協(xié)同動作，在形成有第I液浸空間LS的狀態(tài)下，實施基板P的液浸曝光等的各種處理。
[0205]又，上述各實施形態(tài)中，雖然投影光學系統(tǒng)PL的終端光學元件13的射出面12側(像面?zhèn)?的光路K被液體LQ充滿，但投影光學系統(tǒng)PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示的終端光學元件13的入射側(物體面?zhèn)?光路亦被液體LQ充滿的投影光學系統(tǒng)。
[0206]又，上述各實施形態(tài)中，曝光用的液體LQ雖是使用水，但亦可以是水以外的液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系統(tǒng)PL或基板P的表面的感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(Fomblin oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
[0207]又，上述各實施形態(tài)的基板P，雖包含半導體元件制造用的半導體晶片，亦可包含顯示元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或曝光裝置所使用的掩膜或標線片的原版(合成石英、硅晶片)等。
[0208]又，上述各實施形態(tài)中，雖然曝光裝置EX是使掩膜M基板P同步移動以對掩膜M的圖案進行掃描曝光的步進掃描(step&scan)方式的掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使掩膜M與基板P在靜止的狀態(tài)下，使掩膜M的圖案一次曝光，并使基板P依序步進移動的的步進重復(step&repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。
[0209]再者，于曝光裝置EX是步進重復方式的曝光中，亦可在使第I圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)，使用投影光學系統(tǒng)PL將第I圖案的縮小像轉印至基板P上后，在第2圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)，使用投影光學系統(tǒng)PL將第2圖案的縮小像與第I圖案局部重迭而一次曝光至基板P上(接合方式的一次曝光裝置)。又，接合方式的曝光裝置，亦可以是于基板P上至少將二個圖案局部的重迭轉印，并使基板P依序移動的步進接合(step&stitch)方式的曝光裝置。
[0210]又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6，611，316號所揭示的將二個掩膜的圖案通過投影光學系統(tǒng)在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上的一個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。此外，本發(fā)明亦能適用于近接方式的曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror project1n aligner)等。
[0211]又，上述各實施形態(tài)中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6，341，007號說明書、美國專利第6，208，407號說明書及美國專利第6，262，796號說明書等所揭示的具備多個基板載臺的雙載臺型的曝光裝置。例如圖18所示，在曝光裝置EX具備二個基板載臺2001,2002的場合，可配置成與射出面12對向的物體，包含一方的基板載臺、該一方的基板載臺的第I保持部所保持的基板、另一方的基板載臺、以及該另一方的基板載臺的第I保持部所保持的基板中的至少一者。
[0212]此外，曝光裝置EX亦可以是具備多個基板載臺與測量載臺的曝光裝置。
[0213]曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P的半導體元件制造用的曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置，或用以制造薄膜磁頭、攝像元件(CXD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或掩膜等的曝光裝置。
[0214]又，上述實施形態(tài)中，雖是使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透射型掩膜，但亦可取代此掩膜，使用例如美國專利第6，778，257號公報所揭示，根據(jù)待曝光圖案的電子數(shù)據(jù)來形成透射圖案或反射圖案、或形成發(fā)光圖案的可變成形掩膜(電子掩膜、主動掩膜或圖像產(chǎn)生器)。又，亦可取代具有非發(fā)光型圖像顯示元件的可變成形掩膜，而裝備包含自發(fā)光型圖像顯示元件的圖案形成裝置。
[0215]上述各實施形態(tài)中，曝光裝置EX雖具備投影光學系統(tǒng)PL，但亦可將上述各實施形態(tài)所說明的構成要件適用于不使用投影光學系統(tǒng)PL的曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態(tài)所說明的構成要件適用于在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，通過該光學構件對基板照射曝光用光的曝光裝置及曝光方法。
[0216]又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示的借由在基板P上形成干涉條紋，據(jù)以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。
[0217]上述實施形態(tài)的曝光裝置EX，是借由組裝各種次系統(tǒng)(含各構成要素)，以能保持既定的機械精度、電氣精度、光學精度的方式所制造。為確保此等各種精度，于組裝前后，對各種光學系統(tǒng)進行用以達成光學精度的調整、對各種機械系統(tǒng)進行用以達成機械精度的調整、對各種電氣系統(tǒng)進行用以達成電氣精度的調整。從各種次系統(tǒng)至曝光裝置EX的組裝制造工藝，包含機械連接、電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。當然，從各種次系統(tǒng)至曝光裝置EX的組裝步驟前，有各次系統(tǒng)個別的組裝步驟。在各種次系統(tǒng)組裝至曝光裝置EX的步驟結束后，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體的各種精度。此外，曝光裝置EX的制造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理的無塵室進行。
[0218]半導體元件等微元件，如圖19所示，經(jīng)過進行微元件的功能、性能設計的步驟201，根據(jù)此設計步驟制作掩膜M (標線片)的步驟202，制造元件基材的基板P的步驟203，包含依據(jù)上述實施形態(tài)而以從掩膜M的圖案射出的曝光用光EL使基板P曝光的動作以及使曝光后基板P顯影的動作的基板處理(曝光處理)的基板處理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等加工工藝)205，以及檢查步驟206等而制造。
[0219]又，上述各實施形態(tài)的要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素的情形。此外，在國家法律法規(guī)許可范圍內，援用上述各實施形態(tài)及變形例所引用的關于曝光裝置等的所有日本公開公報及美國專利的揭示作為本文記載的一部分。
【權利要求】
1.一種液浸構件,是以從光學構件的射出面射出的曝光用光的光路被液體充滿的方式，在能于該光學構件下方移動的物體上形成液浸空間，具備: 第I構件，配置在該光學構件周圍的至少一部分；以及 第2構件，能與該第I構件隔著間隙在該第I構件的下方移動，具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
2.如權利要求1所述的液浸構件，其中，該第2構件能與和該光學構件的光軸垂直的既定面實質平行的移動。
3.如權利要求1或2所述的液浸構件，其中，該第2構件能在該第I構件與該物體之間移動。
4.如權利要求1至3中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件，是在該第2構件與該物體之間的空間中至少一部分存在該液體的狀態(tài)下，與該物體的移動的至少一部分并行移動。
5.如權利要求1至4中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件能一邊從該回收口回收該液體、一邊移動。
6.如權利要求1至5中任一項所述的液浸構件，其中，該回收口被配置使該物體與之對向。
7.如權利要求1至6中任一項所述的液浸構件，其中，該第I構件實質上不移動。
8.如權利要求1至7中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件被支承為可移動。
9.如權利要求8所述的液浸構件，其中，該第I構件具有與該光學構件的光軸垂直的既定面實質平行的第I面；以及 該第2構件具有與該第I面對向的第2面，且沿該第I面移動。
10.如權利要求9所述的液浸構件，其中，該第I面與該第2面之間不存在液體。
11.如權利要求9或10所述的液浸構件，其中，該液浸空間的該液體的界面的至少一部分形成在該第I面的內緣與該第2面的內緣之間。
12.如權利要求9至11中任一項所述的液浸構件，其進一步具備抑制該液體浸入該第I面與該第2面間的間隙的抑制部。
13.如權利要求12所述的液浸構件，其中，該抑制部包含配置在該第I面及該第2面中至少一方的撥液性的膜。
14.如權利要求12或13所述的液浸構件，其中，該抑制部包含將氣體供應至該第I面與該第2面之間的供氣部。
15.如權利要求9至14中任一項所述的液浸構件，其中，于該第I面與該第2面之間形成氣體軸承。
16.如權利要求15所述的液浸構件，其進一步具有配置在該第I面及該第2面中的至少一方、將氣體供應至該第I面與該第2面的間隙的供氣口與排出該間隙的氣體的至少一部分的排氣口； 借由該供氣口的氣體供應及該排氣口的氣體排出形成該氣體軸承。
17.如權利要求9至16中任一項所述的液浸構件，其中，該第I構件具有配置在從該射出面射出的該曝光用光可通過的開口周圍、能在該第I構件與該物體之間保持該液體的下面；以及 該第I面是在該下面周圍、配置在較該下面上方之處。
18.如權利要求17所述的液浸構件，其中，該第2構件具有該物體可對向的下面；以及 該第2構件的該下面配置在較該第I構件的該下面上方之處。
19.如權利要求17或18所述的液浸構件，其中，該第I構件具有連接該下面的外緣與該第I面的內緣的外面；以及 該第2構件在該外面周圍的空間移動。
20.如權利要求19所述的液浸構件，其中，配置在該外面周圍的該第2構件的內面，是于相對該光路的放射方向朝外側向下方傾斜。
21.如權利要求1至20中任一項所述的液浸構件，其中，該第I構件是隔著間隙配置在該光學構件周圍的至少一部分。
22.如權利要求1至21中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件包含多孔構件；以及 該回收口包含該多孔構件的孔。
23.如權利要求1至22中任一項所述的液浸構件，其進一步具有供應用以形成該液浸空間的液體的供應口。
24.如權利要求23所述的液浸構件，其中，該供應口是于相對該光路的放射方向配置在該回收口的內側。
25.如權利要求23或24所述的液浸構件，其中，該供應口是配置于該第I構件。
26.—種液浸構件,是以從光學構件的射出面射出的曝光用光的光路被液體充滿的方式，在能于該光學構件下方移動的物體上形成液浸空間，具備: 第I構件，配置在該光學構件周圍的至少一部分；以及 第2構件，能相對該曝光用光的該光路在該第I構件的至少一部分的外側移動，具有回收該液浸空間的液體的至少一部分的回收口。
27.如權利要求26所述的液浸構件，其中，該第2構件是隔著間隙配置在該第I構件周圍的至少一部分。
28.如權利要求26或27所述的液浸構件，其中，該第I構件包含配置在該光學構件的外面周圍的部分；以及 該第2構件在該部分周圍的空間移動。
29.如權利要求28所述的液浸構件，其中，該第2構件具有配置在該第I構件的該部分的該外面周圍的內面，以該外面與該內面不接觸的方式移動。
30.如權利要求26至29中任一項所述的液浸構件,其中，該第2構件能與和該光學構件的光軸垂直的既定面實質平行的移動。
31.如權利要求26至30中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件能在該第I構件與該物體之間移動。
32.如權利要求26至31中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件能在該第2構件與該物體間的空間的至少一部分存在該液體的狀態(tài)下，與該物體的移動的至少一部分并行移動。
33.如權利要求26至32中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件能一邊從該回收口回收該液體、一邊移動。
34.如權利要求26至33中任一項所述的液浸構件，其中，該回收口被配置成使該物體與之對向。
35.如權利要求26至34中任一項所述的液浸構件，其中，該第I構件實質上不移動。
36.如權利要求26至35中任一項所述的液浸構件，其中，該第2構件包含多孔構件；以及 該回收口包含該多孔構件的孔。
37.如權利要求26至36中任一項所述的液浸構件，其進一步具有供應用以形成該液浸空間的液體的供應口。
38.如權利要求37所述的液浸構件，其中，該供應口是于相對該光路的放射方向配置在該回收口的內側。
39.如權利要求37或38所述的液浸構件，其中，該供應口是配置于該第I構件。
40.一種曝光裝置，是通過液體以曝光用光使基板曝光，其具備如權利要求1至39中任一項所述的液浸構件。
41.如權利要求40所述的曝光裝置，其中，該第2構件是以和該物體的相對速度變小的方式移動。
42.如權利要求40或41所述的曝光裝置，其中，該第2構件是以和該物體的相對速度較該第I構件與該物體的相對速度小的方式移動。
43.如權利要求40至42中任一項所述的曝光裝置，其中，該第2構件與該物體同步移動。
44.如權利要求40至43中任一項所述的曝光裝置，其中，該第2構件依序移動于該既定面內的從第I位置至第2位置的第I路徑、包含從該第2位置至第3位置的曲線的第2路徑、從與該第I路徑交叉的該第3位置至第4位置的第3路徑、以及包含從該第4位置至該第I位置的曲線的第4路徑。
45.如權利要求44所述的曝光裝置，其中，在形成有該液浸空間的狀態(tài)下，該物體依序移動于至少一部分與該既定面內的第I軸平行的第5路徑、從該第I路徑終點的第5位置在與該第I軸正交的第2軸平行的方向至在與該第5位置的一側相鄰的第6位置的第6路徑、從至少一部分與該第I軸平行的該第6位置至第7位置的第7路徑、以及從該第7位置在與該第2軸平行的方向至在與該第7位置的一側相鄰的第8位置的第8路徑； 該第1、第3路徑相對于該第I軸及該第2軸的雙方傾斜； 在該物體移動于該第5、第6、第7、第8路徑時，該第2構件移動于該第1、第2、第3、第4路徑。
46.如權利要求45所述的曝光裝置，其進一步具備保持該基板可移動的基板載臺； 該物體包含該基板及該基板載臺中的至少一方。
47.如權利要求40至46中任一項所述的曝光裝置，其進一步具備移動該第2構件的驅動系統(tǒng)。
48.一種元件制造方法，包含: 使用如權利要求40至47中任一項所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光后的該基板顯影的動作。
49.一種曝光方法,是通過液體以曝光用光使基板曝光,包含:形成從光學構件的射出面射出的該曝光用光的光路被該液體充滿的液浸空間的動作；通過該液浸空間的該液體以從該射出面射出的該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件是與配置在該光學構件周圍的至少一部分的第I構件隔著間隙配置在該第I構件下方、具有回收該液浸空間的該液體的至少一部分的回收□。
50.如權利要求49所述的曝光方法，其中，在使該基板上的一照射區(qū)域曝光的掃描移動動作期間的至少一部分中，該第2構件(22)于與該基板相同的掃描方向移動、并于與該基板的步進方向相反的方向移動。
51.如權利要求49或50所述的曝光方法，其中，在該基板上的一照射區(qū)域的曝光結束后、至次一照射區(qū)域的曝光開始為止的步進移動動作期間的至少一部分中，該第2構件(22)于與該基板相同的掃描方向移動、并于與該基板相同的步進方向移動。
52.—種兀件制造方法,包含: 使用權利要求49至51中任一項所述的曝光方法使基板曝光的動作；以及 使曝光后的該基板顯影的動作。
53.一種程序，是使電腦實施通過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的控制，包含: 形成從光學構件的射出面射出的該曝光用光的光路被該液體充滿的液浸空間的動作；通過該液浸空間的該液體以從該射出面射出的該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件是與配置在該光學構件周圍的至少一部分的第I構件隔著間隙配置在該第I構件下方、具有回收該液浸空間的該液體的至少一部分的回收□。
54.一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄有如權利要求53所述的程序。
【文檔編號】G03F7/20GK104350425SQ201380029835
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權日:2012年4月10日
【發(fā)明者】柴崎祐一 申請人:株式會社 尼康