一種mpo式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種MPO式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法，該器件包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，以及與所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒相匹配的外殼；所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝在外殼的內(nèi)部。本發(fā)明所述MPO式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法，可以克服現(xiàn)有技術(shù)中MPO精度低、穩(wěn)定性差以及與平面光波導(dǎo)功能器件集成難度大等缺陷，以實(shí)現(xiàn)精度高、穩(wěn)定性好和容易與平面光波導(dǎo)功能器件集成的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種MPO式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及光通訊和傳感網(wǎng)中的光器件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種MPO(Mult1-fiber Push On)式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法，尤其涉及FTTH (光纖到戶)網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)和高密度數(shù)據(jù)中心的網(wǎng)絡(luò)連接方面的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0003]FTTH (FiberToTheHome，顧名思義就是一根光纖直接到家庭)的迅速普及以及數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模部署，對(duì)光網(wǎng)絡(luò)器件提出了更高的要求。對(duì)于FTTX(Fiber-t0-the-x，光纖接入)的連接方案，要求光器件提高信道容量、提升傳輸速率、節(jié)省布線空間、縮短部署時(shí)間、降低綜合成本、具有高可靠性；而應(yīng)用在分光器、40G/100G SFP等光收發(fā)設(shè)備的連接方面的光器件要求是小型化、高通道的高速連接，易于系統(tǒng)的集成化；特別地，40Gb/s和IOOGb/s以太網(wǎng)應(yīng)用的主流方案，要求光器件能降低回波損耗、高通道數(shù)、高帶寬容量、當(dāng)應(yīng)用變化的時(shí)候，主干線纜可以重復(fù)使用。
[0004]MPO式光器件正是為了滿足這種日益增長(zhǎng)的需求而發(fā)展起來的新興光器件。高質(zhì)量低成本的MPO光器件，尤其是MPO式光分路器和MPO式光纖連接器，將對(duì)全面實(shí)現(xiàn)光纖到家庭和光纖到桌面起到關(guān) 鍵的作用；同樣地，MPO式光器件對(duì)于數(shù)據(jù)中心，將向著高速率、大容量、智能化的光物聯(lián)網(wǎng)絡(luò)方向發(fā)展，全面實(shí)現(xiàn)全光網(wǎng)絡(luò)云計(jì)算和儲(chǔ)存起到積極的作用。
[0005]在MPO型器件中要實(shí)現(xiàn)與光纖單芯連接的介入損耗相仿的光纖多芯連接，是困難的，需要亞微米級(jí)高精度定位的部件。傳統(tǒng)的MPO式光器件的套筒是用熱固性環(huán)氧樹脂的制造工藝，通過轉(zhuǎn)移成形(Transfer Modeling)法制造的，也有采用注塑成形的PPS新材料制成的，總的講，都是通過精密機(jī)械注模成形來完成的。這種方式因?yàn)闊峁绦詷渲枰欢ǖ臅r(shí)間來固化，不僅生產(chǎn)效率低，而且介入損耗比較大、不穩(wěn)定，更重要的是幾乎不能和平面光波導(dǎo)器件實(shí)現(xiàn)芯片層次的集成。
[0006]具體到MPO型光纖連接器，其介入損耗主要是多纖芯錯(cuò)位造成的主要因素包括:
I)在MPO式光纖連接器的套筒中光纖孔離設(shè)計(jì)位置的錯(cuò)位；2)光纖與光纖孔之間的間隙；
3)光纖芯離光纖中心的錯(cuò)位；4)導(dǎo)引插針與導(dǎo)引插針孔之間的間隙。
[0007]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在精度低、穩(wěn)定性差和集成難度大等缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于，針對(duì)上述問題，提出一種MPO式平面光波導(dǎo)器件，以實(shí)現(xiàn)精度高、穩(wěn)定性好和集成難度小的優(yōu)點(diǎn)。
[0009]本發(fā)明的第二目的在于，提出一種MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種MPO式平面光波導(dǎo)器件，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，以及與所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒相匹配的外殼；所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝在外殼的內(nèi)部。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，包括基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，嵌入在所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片相應(yīng)槽體中的光纖帶和光纖，以及通過所述光纖定位在MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上的導(dǎo)引插針。
[0012]進(jìn)一步地，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，還包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板；所述導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板，膠合式連接。
[0013]進(jìn)一步地，沿所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和相應(yīng)槽體的切割線的切開端面，具有7-9度(優(yōu)選為8度)的研磨拋光角。
[0014]進(jìn)一步地，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，包括具有MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的基底，以及通過微電子光刻工藝和深度刻蝕工藝設(shè)置在所述基底上的光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽；
所述光纖帶嵌入在光纖定位槽的內(nèi)部、且使光纖與光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；所述光纖穿過導(dǎo)引插針、并嵌入在導(dǎo)引插針定位槽的內(nèi)部。
[0015]進(jìn)一步地，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片或MPO式光纖連接器本體；和/或，
所述基底，包括石英基底或硅基底；和/或，
所述導(dǎo)引插針，包括光纖陶瓷插針；和/或，
所述光纖定位槽和/或?qū)б遽樁ㄎ徊郏╒形槽和/或U形槽。
[0016]同時(shí)，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案是:一種MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，包括:
⑴通過微電子的光刻工藝，在制作MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片時(shí)，在石英或硅基底上，準(zhǔn)確定出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽的位置；
⑵在上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片不被損壞的前提下，通過深刻蝕工藝，在已準(zhǔn)確定位出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽位置的石英或硅基底上，根據(jù)預(yù)設(shè)尺寸制作出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽，形成石英或硅基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片;
(3)將光纖帶嵌入到光纖定位槽內(nèi)，同時(shí)將光纖嵌入到導(dǎo)引插針定位槽內(nèi)；
⑷選用標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針，通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針，做成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的導(dǎo)引插針，形成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒；
(5)將MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝到與該套筒匹配的外殼內(nèi)，得到MPO式平面光波導(dǎo)器件。
[0017]進(jìn)一步地，在步驟⑶中，將光纖嵌入在光纖定位槽內(nèi)時(shí)，需要使光纖和光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；和/或，
在步驟⑷中，所述通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針的操作，具體包括:用光纖穿過光纖陶瓷插針，并將光纖嵌入到導(dǎo)引針定位槽中，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入插針的定位。
[0018]進(jìn)一步地，在步驟⑴之前，還包括:在石英或硅基底上制作出MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，并用掩膜保護(hù)好需要制作光纖定位槽和導(dǎo)引針定位槽部分的石英或硅基底；和/或，
在步驟⑷與步驟(5)之間，還包括:
加上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板，同時(shí)將導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板膠合；
MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和光纖定位槽、導(dǎo)引插針定位槽的切割線，切開MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片；
將上述切開端面研磨拋光成7-9度角(優(yōu)選為8度角)，以增加MPO式平面光波導(dǎo)器件的反射損耗。
[0019]進(jìn)一步地，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體或MPO式光纖連接器本體。
[0020]本發(fā)明各實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件及其制備方法，由于該器件包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，以及與MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒相匹配的外殼；ΜΡ0式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝在外殼的內(nèi)部；可以實(shí)現(xiàn)MPO式平面光波導(dǎo)器件精度的大幅提高，同時(shí)也方便和平面光波導(dǎo)器件實(shí)現(xiàn)芯片層次的集成；從而可以克服現(xiàn)有技術(shù)中精度低、穩(wěn)定性差和集成難度大的缺陷，以實(shí)現(xiàn)精度高、穩(wěn)定性好和集成難度小的優(yōu)點(diǎn)。
[0021]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。
[0022]下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1為本發(fā)明中MPO式平面光波導(dǎo)分路器的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2a和圖2b為沿著MPO式平面光波導(dǎo)分路器的芯片平面光波導(dǎo)部分和光纖、導(dǎo)引插針定位槽的切割線切割后的兩端面的側(cè)視圖；
圖3a和圖3b為是沿著MPO式平面光波導(dǎo)分路器的芯片平面光波導(dǎo)部分和光纖、導(dǎo)引插針定位槽的切割線切割后，并安裝定位了標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針的兩端面的側(cè)視圖；
圖4為本發(fā)明中MPO式光纖連接器的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5a和圖5b為沿著MPO式光纖連接器的芯片切割線切割后的兩端面的側(cè)視圖(兩端面圖相同)；
圖6a和圖6b為沿著MPO式光纖連接器的芯片切割線切割后，并安裝定位了標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針的兩端面的側(cè)視圖(兩端面圖相同)。
[0024]結(jié)合附圖，本發(fā)明實(shí)施例中附圖標(biāo)記如下:
1-分路器的平面光波導(dǎo)；2-MP0式分路器芯片平面光波導(dǎo)部分和光纖、導(dǎo)引插針定位槽的切割線；3、6_標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針；4_基底(石英或硅);5_光纖定位槽；7_光纖芯；8-光纖；9_平面光波導(dǎo)；10_ V形槽(也可以是U形槽);11-光纖陶瓷插針；12-嵌入光纖帶到光纖定位槽、嵌入光纖到導(dǎo)弓I定位槽用的上蓋板(石英或硅)。
【具體實(shí)施方式】[0025]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0026]針對(duì)傳統(tǒng)的MPO式平面光波導(dǎo)器件套筒精度的問題，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，如圖1、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4、圖5a、圖5b、圖6a和圖6b所示，提供了一種MPO式平面光波導(dǎo)器件(包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器)及其制備方法，利用微電子和MEMS工藝中深度刻蝕的方法，來制作MPO式平面光波導(dǎo)器件的套筒，實(shí)現(xiàn)了 MPO式平面光波導(dǎo)器件精度的大幅提高，同時(shí)也方便和平面光波導(dǎo)器件實(shí)現(xiàn)芯片層次的集成，如MPO式平面光波導(dǎo)分路器。
[0027]MPO式平面光波導(dǎo)器件實(shí)施例
本實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，以及與MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒相匹配的外殼;ΜΡ0式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝在外殼的內(nèi)部。
[0028]具體地，上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，包括基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，嵌入在MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片相應(yīng)槽體中的光纖帶和光纖(如光纖8，包含光纖芯7)，以及通過光纖定位在MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上的導(dǎo)引插針。MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，還包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板[如嵌入光纖帶到光纖定位槽、嵌入光纖到導(dǎo)引定位槽用的上蓋板(石英或硅)12);導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板，膠合式連接。沿MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和相應(yīng)槽體的切割線(如MPO式分路器芯片平面光波導(dǎo)部分和光纖、導(dǎo)引插針定位槽的切割線2)的切開端面，具有7-9度(優(yōu)選為8度)的研磨拋光角。
[0029]上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，包括具有MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的基底(如基地4)，以及通過微電子光刻工藝和深度刻蝕工藝設(shè)置在基底上的光纖定位槽(如光纖定位槽5)和導(dǎo)引插針定位槽；光纖帶嵌入在光纖定位槽的內(nèi)部、且使光纖與光波導(dǎo)(如分路器的平面光波導(dǎo)I或平面光波導(dǎo)9)對(duì)準(zhǔn)；光纖穿過導(dǎo)引插針、并嵌入在導(dǎo)引插針定位槽的內(nèi)部。
[0030]上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體，包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器本體(可形成如圖1所示的MPO式平面光波導(dǎo)分路器)或MPO式光纖連接器本體(可形成如圖4所示的MPO式光纖連接器)；和/或，基底，包括石英基底或硅基底；和/或，導(dǎo)引插針，包括光纖陶瓷插針(如標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針3、6或光纖陶瓷插針11);和/或，光纖定位槽和/或?qū)б遽樁ㄎ徊?，包括V形槽和/或U形槽(如V形槽10)。
[0031]制備方法實(shí)施例
本實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，包括:
⑴通過微電子的光刻工藝，在制作MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片時(shí)，在石英或硅基底上，準(zhǔn)確定出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽的位置；
在步驟⑴之前，還包括:在石英或硅基底上制作出MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，并用掩膜保護(hù)好需要制作光纖定位槽和導(dǎo)引針定位槽部分的石英或硅基底；
⑵在上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片不被損壞的前提下，通過深刻蝕工藝，在已準(zhǔn)確定位出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽位置的石英或硅基底上，根據(jù)預(yù)設(shè)尺寸制作出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽，形成石英或硅基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片;
(3)將光纖帶嵌入到光纖定位槽內(nèi)，同時(shí)將光纖嵌入到導(dǎo)引插針定位槽內(nèi)；在步驟⑶中，將光纖嵌入在光纖定位槽內(nèi)時(shí)，需要使光纖和光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；
⑷選用標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針，通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針，做成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的導(dǎo)引插針，形成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒；在步驟⑷中，通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針的操作，具體包括:用光纖穿過光纖陶瓷插針，并將光纖嵌入到導(dǎo)引針定位槽中，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入插針的定位；在步驟⑷與步驟(5)之間，還包括:
加上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板，同時(shí)將導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板膠合；
MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和光纖定位槽、導(dǎo)引插針定位槽的切割線，切開MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片；
將上述切開端面研磨拋光成7-9度角(優(yōu)選為8度角)，以增加MPO式平面光波導(dǎo)器件的反射損耗；
(5)將MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝到與該套筒匹配的外殼內(nèi)，得到MPO式平面光波導(dǎo)器件。
[0032]上述實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件(包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器)的制備方法，具體由以下方法制作而成:
在制作好MPO式平面光波導(dǎo)器件(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器)的石英或硅基底上，通過微電子的光刻準(zhǔn)確定出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽的位置；
在保護(hù)好MPO式平面光波導(dǎo)器件芯片(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器芯片)的情況下，通過深刻蝕工藝制作出尺寸精準(zhǔn)的槽，形成石英或硅基的帶槽的平面光波導(dǎo)分路器芯片；
將光纖帶嵌入到光纖定位槽內(nèi)，同時(shí)將光纖也嵌入到導(dǎo)引插針定位槽內(nèi)；
選用標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針，通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖定位好光纖陶瓷插針做成MPO式平面光波導(dǎo)器件(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器)的導(dǎo)引插針，形成MPO式平面光波導(dǎo)器件(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器)的套筒；將MPO式平面光波導(dǎo)器件(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器)的套筒，封裝到外殼內(nèi)作出MPO式平面光波導(dǎo)器件(如MPO式平面光波導(dǎo)分路器)。
[0033]同理，在沒有MPO式平面光波導(dǎo)分路器結(jié)構(gòu)的空白石英或硅基底上，通過上述方法步驟，制成MPO式光連接器。
[0034]上述實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件(包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器)的制備方法，通過在石英或硅基底上深度刻蝕，形成MPO式光分路器和MPO式光連接器的導(dǎo)引插針定位槽；采用標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針，作為MPO式光分路器和光連接器的導(dǎo)引插針；通過嵌入光纖到導(dǎo)引插針定位槽，同時(shí)使光纖穿過光纖陶瓷插針，然后膠連光纖陶瓷插針和定位槽基底，實(shí)現(xiàn)MPO式平面光波導(dǎo)器件導(dǎo)引插針的準(zhǔn)確定位，得到能夠和平面光波導(dǎo)器件實(shí)現(xiàn)芯片層次集成的MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器。
[0035]例如，在上述實(shí)施例中，MPO式平面光波導(dǎo)分路器芯片(相當(dāng)于MPO式平面光波導(dǎo)器件的套筒)是經(jīng)過下面的步驟來制作完成的:
(I)在石英或硅基底上制作出平面光波導(dǎo)分路器，并用掩膜保護(hù)好需要制作光纖定位槽和導(dǎo)引針定位槽部分的石英或硅基底；
⑵通過微電子的光刻準(zhǔn)確定出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽的位置，如圖1所示；⑶在保護(hù)好光分路器部分的情況下，通過深刻蝕工藝制作出尺寸精準(zhǔn)的槽，使嵌入槽內(nèi)的光纖正好對(duì)準(zhǔn)光分路器的平面光波導(dǎo)，如圖2a和圖2b所示；
⑷將光纖嵌入到光纖定位槽內(nèi)，使光纖和光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；
(5)用光纖穿過光纖陶瓷插針并將光纖嵌入到導(dǎo)引針定位槽中，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入插針的定位；
(6)加上芯片的上蓋板，同時(shí)將導(dǎo)入插針和芯片基底以及上蓋板膠合；
(7)沿圖1的切割線切開芯片，其切開端面如圖3a和圖3b所示；
(8)將端面研磨拋光成7-9度角(優(yōu)選為8度角)，以增加器件的反射損耗，將MPO式光分路器芯片(ΜΡ0式平面光波導(dǎo)器件的套筒)封裝到外殼內(nèi)即可作出MPO式平面光波導(dǎo)分路器。
[0036]同樣地，如在上述步驟中去掉平面光波導(dǎo)部分，如圖4、圖5a、圖5b、圖6a和圖6b所示，即可制作出MPO式光纖連接器。
[0037]綜上所述，本發(fā)明上述各實(shí)施例的MPO式平面光波導(dǎo)器件(包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器)及其制備方法，利用微電子的深度刻蝕工藝，在平面光波導(dǎo)的石英或硅基底上形成定位槽；然后，通過在光纖定位槽中嵌入定位光纖陶瓷插針，作為MPO式光分路器的導(dǎo)引插針，實(shí)現(xiàn)光波導(dǎo)陣列和光纖帶的準(zhǔn)確插拔式對(duì)準(zhǔn)，形成MPO式平面光波導(dǎo)分路器；同樣地，通過在光纖定位槽中嵌入定位光纖陶瓷插針，作為MPO式光連接器的導(dǎo)引插針，實(shí)現(xiàn)光纖帶與光纖帶的準(zhǔn)確插拔式對(duì)準(zhǔn)，形成MPO式光纖連接器。這種MPO式平面光波導(dǎo)器件(包括MPO式平面光波導(dǎo)分路器和MPO式光纖連接器)，對(duì)于FTTH網(wǎng)絡(luò)建設(shè)以及數(shù)據(jù)中心高密度網(wǎng)絡(luò)連接應(yīng)用具有實(shí)際的意義。
[0038]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，以及與所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒相匹配的外殼；所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝在外殼的內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，包括基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，嵌入在所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片相應(yīng)槽體中的光纖帶和光纖，以及通過所述光纖定位在MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上的導(dǎo)引插針。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，還包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板；所述導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板，膠合式連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，沿所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和相應(yīng)槽體的切割線的切開端面，具有7-9度的研磨拋光角。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，包括具有MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的基底，以及通過微電子光刻工藝和深度刻蝕工藝設(shè)置在所述基底上的光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽； 所述光纖帶嵌入在光纖定位槽的內(nèi)部、且使光纖與光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；所述光纖穿過導(dǎo)引插針、并嵌入在導(dǎo)引插針定位槽的內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件，其特征在于，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體或MPO式光纖連接器本體；和/或， 所述基底，包括石英基底或硅基底；和/或， 所述導(dǎo)引插針，包括光纖陶瓷插針；和/或， 所述光纖定位槽和/或?qū)б遽樁ㄎ徊?，包括V形槽和/或U形槽。
7.—種MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，其特征在于，包括: ⑴通過微電子的光刻工藝，在制造MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片時(shí)，在石英或硅基底上，準(zhǔn)確定出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽的位置； ⑵在上述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片不被損壞的前提下，通過深刻蝕工藝，在已準(zhǔn)確定位出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽位置的石英或硅基底上，根據(jù)預(yù)設(shè)尺寸制作出光纖定位槽和導(dǎo)引插針定位槽，形成石英或硅基底上帶槽的MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片; (3)將光纖帶嵌入到光纖定位槽內(nèi)，同時(shí)將光纖嵌入到導(dǎo)引插針定位槽內(nèi)； ⑷選用標(biāo)準(zhǔn)光纖陶瓷插針，通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針，做成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的導(dǎo)引插針，形成MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒； (5)將MPO式平面光波導(dǎo)器件本體的套筒，封裝到與該套筒匹配的外殼內(nèi)，得到MPO式平面光波導(dǎo)器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，其特征在于，在步驟⑶中，將光纖嵌入在光纖定 位槽內(nèi)時(shí)，需要使光纖和光波導(dǎo)對(duì)準(zhǔn)；和/或， 在步驟⑷中，所述通過嵌入到導(dǎo)引插針槽中的光纖，定位好光纖陶瓷插針的操作，具體包括:用光纖穿過光纖陶瓷插針，并將光纖嵌入到導(dǎo)引針定位槽中，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入插針的定位。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，其特征在于，在步驟⑴之前，還包括:在石英或硅基底上制作出MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片，并用掩膜保護(hù)好需要制作光纖定位槽和導(dǎo)引針定位槽部分的石英或硅基底；和/或， 在步驟⑷與步驟(5)之間，還包括: 加上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的上蓋板，同時(shí)將導(dǎo)入插針、MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片的基底、以及上蓋板膠合； MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片上MPO式平面光波導(dǎo)器件本體部分和光纖定位槽、導(dǎo)引插針定位槽的切割線，切開MPO式平面光波導(dǎo)器件本體芯片； 將上述切開端面研磨拋光成7-9度角，以增加MPO式平面光波導(dǎo)器件的反射損耗。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的MPO式平面光波導(dǎo)器件的制備方法，其特征在于，所述MPO式平面光波導(dǎo)器件本體，包括MPO式平面光波導(dǎo)器件本體或MPO式光纖連接器本體。
【文檔編號(hào)】G02B6/136GK103792618SQ201410004129
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】孫麥可 申請(qǐng)人:孫麥可