一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法
【專利摘要】一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法，包括：在進行新試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)參照同一設備的同工藝、同層間結構之曝光能量；在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算。在改變設備進行試運行時，其計算方法包括：步驟S1：羅列設備的曝光能量矩陣，以及光刻工藝中的工藝條件參數(shù)；步驟S2：進行條件匹配，并基于所述條件下的曝光能量參數(shù)計算曝光能量參數(shù)參考值Dose_Ref（n）；步驟S3：基于數(shù)據(jù)庫中樣本的曝光能量參數(shù)Dose_Ref（n）之權重Wt（n）和時間Day（n），獲取預測的曝光能量參數(shù)Dose_JI。本發(fā)明光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法在進行曝光能量預測時，可大幅度提高試運行成功率，節(jié)約成本。
【專利說明】一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體【技術領域】，尤其涉及一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法。
【背景技術】
[0002]目前，自動化制程控制(Automated Process Control, APC)在光刻制程控制中得到廣泛應用。例如，通過自動化制程控制進行曝光能量參數(shù)調控以保證生產線關鍵尺寸參數(shù)符合工藝要求。
[0003]但是，在實際生產中，由于不同產品在線量有高低，勢必產生一定問題。其主要歸因于小批量的產品不能提供足夠的數(shù)據(jù)去預測準確值。特別地，在產品在線量復雜的車間，會出現(xiàn)更多的試運行問題。在進行試運行的過程中很難預測曝光能量參數(shù)，所以必須通過測試，以進行曝光能量參數(shù)計算。同時，所述測試晶圓在測試結束后還需要返工。然而，返工的測試晶圓不合格率相對較高，增加生產成本。
[0004]故針對現(xiàn)有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗，積極研究改良，利用生產線大批量的產品為小批量產品的試運行提供曝光能量參數(shù)的預測，于是有了本發(fā)明一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術中，所述小批量的產品不能提供足夠的數(shù)據(jù)去預測準確值，以及返工的試車晶圓不合格率相對較高，增加生產成本等缺陷提供一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法。
[0006]為實現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法，所述方法利用生產線大批量的產品為小批量產品的試運行提供曝光能量參數(shù)的預測，具體包括:在進行新試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)參照同一設備的同工藝、同層間結構之曝光能量；在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算。
[0007]可選地，所述在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)基于在每種工具上的曝光能量比例進行計算，其計算方法進一步包括:
[0008]執(zhí)行步驟S1:羅列相關設備中滿足光刻工藝條件參數(shù)的曝光能量矩陣，所述工藝參數(shù)包括產品相關工藝、層間結構、光阻厚度、曝光照度設定、關鍵尺寸值、設備類型；
[0009]執(zhí)行步驟S2:進行條件匹配，并基于上述條件下的曝光能量參數(shù)計算曝光能量參數(shù)參考值Dose_Ref (η)；
[0010]執(zhí)行步驟S3:基于數(shù)據(jù)庫中樣本的曝光能量參數(shù)Dose_Ref (η)之權重Wt (η)和時間Day (η),獲取所述預測的曝光能量參數(shù)Dose_JI ；
[0011]其中，所述時間Day (η)表征數(shù)據(jù)庫中滿足工藝條件的樣本到當前的時間，Pilot_time表征設定的時間常數(shù)；[0012]權重
【權利要求】
1.一種光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法，其特征在于，所述方法包括:在進行新試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)參照同一設備的同工藝、同層間結構之曝光能量；在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算。
2.如權利要求1所述的光刻試運行中曝光能量參數(shù)的預測方法，其特征在于，所述在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數(shù)基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算，其計算方法進一步包括:執(zhí)行步驟S1:羅列相關設備中滿足光刻工藝條件參數(shù)的曝光能量矩陣，所述工藝參數(shù)包括產品相關工藝、層間結構、光阻厚度、曝光照度設定、關鍵尺寸值、設備類型；執(zhí)行步驟S2:進行條件匹配，并基于上述條件下的曝光能量參數(shù)計算曝光能量參數(shù)參考值 Dose_Ref (η)；執(zhí)行步驟S3:基于數(shù)據(jù)庫中樣本的曝光能量參數(shù)Dose_Ref (η)之權重Wt (η)和時間Day (η),獲取所述預測的曝光能量參數(shù)Dose_JI ；其中，所述時間Day (η)表征數(shù)據(jù)庫中滿足工藝條件的樣本到當前的時間,Pilot_time表征設定的時間常數(shù)；)權重
【文檔編號】G03F7/20GK103698985SQ201410010119
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2014年1月9日 優(yōu)先權日:2014年1月9日
【發(fā)明者】陸向宇, 鮑曄 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司