掩模板和過孔形成方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種掩模板和過孔形成方法，所述掩模板上具有透光圖案，所述透光圖案的邊緣為彎曲狀。本發(fā)明適用于所有需要進行曝光顯影的正性光刻膠材料和正性感光樹脂材料，將掩模板的透光圖案的邊緣設(shè)為彎曲狀，可以增加整體圖形的曝光量，由于該彎曲狀的邊緣的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，彎曲狀邊緣的光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，不會超過4μm，滿足高分辨率下精細化布線的要求。
【專利說明】掩模板和過孔形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種掩模板和過孔形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實現(xiàn)薄膜晶體管有源矩陣液晶顯示器(即TFT-1XD)的高分辨率，需要進行精細化布線，減小過孔尺寸；而為了降低器件的功耗，在TFT陣列基板上常增加有機樹脂層和需要進行光刻蝕。
[0003]常規(guī)正性感光樹脂過孔的尺寸受限于目前曝光設(shè)備的分辨率，在TFT-1XD制作工藝中，過孔的曝光尺寸難以突破曝光機分辨率的限制(即解像能力，其一般為4 μ m以上)，如圖1所示，現(xiàn)有的掩模板I的透光區(qū)域2—般為方形孔，尺寸只能設(shè)計為曝光設(shè)備的分辨率以上(大于4 μ m)，因此經(jīng)過曝光后，顯影后尺寸(簡稱DI⑶)往往在4 μ m以上；因此限制了樹脂過孔在高分辨率面板中的應(yīng)用。
[0004]本發(fā)明通過設(shè)計過孔圖形方案，并在具體試驗中優(yōu)化，以實現(xiàn)樹脂過孔的最小化。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)要解決的技術(shù)問題
[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何減小陣列基板上曝光過孔的尺寸。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種掩模板，所述掩模板上具有透光圖案，所述透光圖案的邊緣為彎曲狀。
[0009]進一步地，所述透光圖案的邊緣為鋸齒狀或波浪狀。
[0010]進一步地，所述透光圖案為方形孔。
[0011]進一步地，所述為方形孔的透光圖案至少有一組相對的側(cè)邊為彎曲狀。
[0012]進一步地，所述為方形孔的透光圖案彎曲狀的側(cè)邊的兩端彎曲高度高于或相等于其中部的高度。
[0013]進一步地，所述透光圖案的彎曲狀的邊緣的彎曲高度為0.4?0.75 μ m。
[0014]進一步地，所述方形孔的尺寸為3 μ mX 3 μ m。
[0015]進一步地，所述透光圖案為圓孔。
[0016]進一步地,所述圓孔的直徑為3 μ m。
[0017]本發(fā)明還提供一種過孔形成方法，在襯底基板上形成樹脂層或光刻膠層，將上述的掩模板置于所述樹脂層或光刻膠層的上方，對所述樹脂層或光刻膠層進行曝光形成過孔圖案。
[0018]進一步地，當樹脂層為非感光樹脂層時，在所述光刻膠層的下方先形成非感光樹脂層，然后再對光刻膠層進行曝光，在非感光樹脂層上形成過孔。
[0019](三)有益效果
[0020]上述技術(shù)方案所提供的一種掩模板和過孔形成方法，適用于所有需要進行曝光顯影的正性光刻膠材料和正性感光樹脂材料，將掩模板的透光圖案的邊緣設(shè)為彎曲狀，可以增加整體圖形的曝光量，由于該彎曲狀的邊緣的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，彎曲狀邊緣的光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，不會超過4 μ m，滿足高分辨率下精細化布線的要求。
[0021]進一步地，透光圖案為方形孔，其彎曲狀的側(cè)邊兩端的鋸齒高度高于其中部的鋸齒高度，可使得透光圖案的邊緣部分的曝光量相對于其中部要增大一些，可以使得最終顯影后的圖形邊緣清晰，避免過孔邊緣發(fā)黑的現(xiàn)象，且過孔顯影后尺寸小于4um，圖像清晰，具有良好的均一性，過孔精度高，可實現(xiàn)過孔最小化。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是現(xiàn)有技術(shù)掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2是本發(fā)明實施例一的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3是本發(fā)明實施例二的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4是本發(fā)明實施例三的掩模板其中一種結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0026]圖5是本發(fā)明實施例三的掩模板另一種結(jié)構(gòu)的不意圖；
[0027]圖6是本發(fā)明實施例四的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖7是本發(fā)明實施例五的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]其中，l/10a/10b/10c/10d/10e、掩模板；2/20a/20b/20c/20d/20e、透光圖案；20a-l/20b-l/20c-l/20d-l/20e-l、鋸齒狀的側(cè)邊。
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0031]本發(fā)明所提供的掩模板特別適用于但不局限于正性感光樹脂或正性光刻膠的曝光工藝，該掩模板上的透光圖案的邊緣為彎曲狀，該透光圖案的邊緣可為鋸齒狀或波浪狀等，以下實施例以鋸齒狀的邊緣為例進行詳細說明，當透光圖案為鋸齒狀時，彎曲高度即為鋸齒高度，所述鋸齒高度為齒頂?shù)烬X底的距離。
[0032]實施例一
[0033]如圖2所不,本發(fā)明實施例的一種掩模板,在掩模板IOa上具有透光圖案20a,該透光圖案20a中只有一組相對的側(cè)邊為鋸齒狀，且整個鋸齒狀的側(cè)邊20a_l的鋸齒高度h相
坐寸ο
[0034]本實施例中的透光圖案的側(cè)邊的鋸齒的齒頂角的角度Θ可為30-45°，優(yōu)選為45° ;透光圖案20a為方形孔，該方形孔的尺寸長aX寬b為3 μ mX 3 μ m ;整個鋸齒狀的側(cè)邊20a_l的鋸齒高度h為0.5 μ m。
[0035]本實施例將透光圖案相對的兩側(cè)邊設(shè)為鋸齒狀，可以增加整體圖形的曝光量，由于該鋸齒狀的側(cè)邊的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，鋸齒部分的正性光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，不會超過4 μ m,滿足高分辨率下精細化布線的要求。
[0036]實施例二[0037]如圖3所示，本實施例的一種掩模板，掩模板IOb上具有透光圖案20b，該透光圖案20b中只有一組相對的側(cè)邊為鋸齒狀，整個鋸齒狀的側(cè)邊20b-l的鋸齒高度h相等，本實施例的透光圖案20b為方形孔，該透光圖案20b具有鋸齒狀的側(cè)邊20b-l的兩端的鋸齒的齒底正好落在該透光圖案20b側(cè)邊的邊緣。
[0038]本實施例中的鋸齒邊的鋸齒的齒頂角的角度Θ可為30-45°，優(yōu)選為45° ;透光圖案20b的尺寸長aX寬b為3 μ mX3 μ m ;整個鋸齒狀的側(cè)邊20b_l的鋸齒高度h為0.75 μ m。
[0039]本實施例將透光圖案相對的兩側(cè)邊設(shè)為鋸齒狀，可以增加整體圖形的曝光量，由于該鋸齒狀的邊的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，鋸齒部分的正性光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，不會超過4 μ m,滿足高分辨率下精細化布線的要求。但本實施例與實施例一的區(qū)別在于，本實施例透光圖案的鋸齒邊位于另外兩側(cè)邊的邊緣無鋸齒，曝光后過孔邊緣會有些發(fā)黑。
[0040]實施例三
[0041]如圖4和圖5所不,本實施例提供的一種掩模板,掩模板IOc上具有透光圖案20c,該透光圖案20c的邊緣全部均為鋸齒狀。
[0042]其中，圖4中的透光圖案為圓孔形，而圖5中的透光圖案為方孔形，圖5中鋸齒狀的側(cè)邊20c-l具有四個。該透光圖案邊緣的鋸齒的齒頂角的角度Θ可為30-45°，優(yōu)選為40° ;圓孔形的透光圖案的直徑d為3 μ m ;方孔形的透光圖案的尺寸(長aX寬b)為3 μ mX 3 μ m ;整個鋸齒狀的邊緣的鋸齒高度h為0.5 μ m。
[0043]本實施例的透光圖案的邊緣全為鋸齒狀的掩模板，同樣可以增加整體圖形的曝光量，由于該鋸齒狀的邊緣的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，鋸齒部分的正性光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，可以基本滿足高分辨率下精細化布線的要求；但是，由于透光圖案的邊緣全為鋸齒狀，使得鋸齒過多，在曝光后過孔整體尺寸相比于其它的實施例偏大。
[0044]實施例四
[0045]如圖6所不,本實施例提供的一種掩模板,掩模板IOd上具有透光圖案20d,該透光圖案20d中只有一組相對的側(cè)邊為鋸齒狀，且鋸齒狀的側(cè)邊20d-l的兩端A區(qū)域的鋸齒高度h2高于其中部B區(qū)域的鋸齒高度hi。其中，類似于圖5中鋸齒狀的側(cè)邊的兩端的鋸齒的齒底位于透光圖案側(cè)邊的邊緣的情況也可以設(shè)計為其兩端的鋸齒高度高于其中部的鋸齒高度。
[0046]本實施例中的鋸齒狀的邊20d-l的鋸齒的齒頂角的角度Θ為30?45° ;其中，透光圖案20d為方形孔，該方形孔的尺寸(長aX寬b)為3μπιΧ3μπι ;鋸齒狀的側(cè)邊20d_l中部B區(qū)域的鋸齒高度hi為0.4 μ m,而鋸齒狀的側(cè)邊20d-l兩端A區(qū)域的鋸齒高度h2為0.7 μ m0
[0047]本實施例的掩模板，一方面，將透光圖案相對的兩側(cè)邊設(shè)為鋸齒邊，可以增加整體圖形的曝光量，由于該鋸齒狀的側(cè)邊20d-l的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，鋸齒部分的正性光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，曝光后得到的過孔不會超過4 μ m，滿足高分辨率下精細化布線的要求；另一方面，由于透光圖案邊緣相對于其中部而言，其透過的光較少，光強較弱，因此，在鋸齒狀的的邊緣區(qū)域的光刻膠曝光不是很充分，顯影后殘留嚴重，容易造成發(fā)黑現(xiàn)象，因此，本實施例的鋸齒狀的側(cè)邊的兩端的鋸齒高度高于其中部的鋸齒高度，可使得透光圖案的邊緣部分的曝光量相對于其中部要增大一些，可以使得最終顯影后的圖形邊緣清晰，避免過孔邊緣發(fā)黑的現(xiàn)象，且過孔顯影后尺寸小于4 μ m圖像清晰，具有良好的均一性，過孔精度高，可實現(xiàn)過孔最小化。
[0048]實施例五
[0049]如圖7所不,本實施例提供的一種掩模板,掩模板IOe上具有透光圖案20e,該透光圖案20e為方形孔，其中只有一組相對的側(cè)邊為鋸齒狀的側(cè)邊，且該鋸齒狀的側(cè)邊20e_l的兩端A區(qū)域的鋸齒高度h2低于其中部B區(qū)域的鋸齒高度hi。
[0050]本實施例中的鋸齒狀的側(cè)邊20e_l的鋸齒的齒頂角的角度Θ為30?45° ;其中，本實施例為方形孔的透光圖案20e的尺寸(長aX寬b)為3 μ mX 3 μ m ;鋸齒狀的側(cè)邊20e_l中部B區(qū)域的鋸齒高度hi為0.7 μ m,而鋸齒狀的側(cè)邊20e-l兩端A區(qū)域的鋸齒高度h2為
0.4 μ m0
[0051]本實施例的掩模板，將透光圖案相對的兩側(cè)邊設(shè)為鋸齒狀的側(cè)邊，可以增加整體圖形的曝光量，由于該鋸齒狀的側(cè)邊的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，鋸齒部分的正性光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸小，不會超過4 μ m，滿足高分辨率下精細化布線的要求，但是邊緣鋸齒中心的高度較大，曝光后過孔圖案會存在變形，過孔圖案不均一的現(xiàn)象。
[0052]需要說明的是，本發(fā)明實施例中所述的彎曲狀側(cè)邊的兩端的鋸齒數(shù)不做限定，可以是兩端附近的幾個鋸齒的鋸齒高度高于其中部的鋸齒高度。
[0053]本發(fā)明一種過孔形成方法，在襯底基板上形成光刻膠層或樹脂層，將上述任一實施例中所提供的掩模板置于該光刻膠層或樹脂層的上方，曝光光線照射到掩模板上，光線透過掩模板上的透光圖案對該光刻膠層或樹脂層進行曝光形成過孔圖案。其中，光刻膠層可以為正性光刻膠層，樹脂層可以為正性感光樹脂層。當需要在非感光樹脂層上形成過孔時，需要在光刻膠層的下方先形成非感光樹脂層，然后再對光刻膠層進行曝光，由此會在非感光樹脂層上形成過孔，曝光后去除剩余的光刻膠。
[0054]本發(fā)明所提供的掩模板和采用該掩模板進行的過孔形成方法，將掩模板的透光圖案的邊緣設(shè)為彎曲狀，可以增加整體圖形的曝光量，由于該彎曲狀的邊緣的尺寸遠小于曝光機的分辨率，因此，彎曲狀邊緣的光刻膠或正性感光樹脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得過孔的整體尺寸??；其適用于所有需要進行曝光顯影的正性光刻膠材料和正性感光樹脂材料，本發(fā)明曝光后的過孔圖案顯影后尺寸小于4μπι，滿足高分辨率下精細化布線的要求，其圖像清晰，具有良好的均一性，過孔精度高，可實現(xiàn)過孔最小化，能夠應(yīng)用于高分辨率，精細布線的面板中。
[0055]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，所述掩模板上具有透光圖案，其特征在于，所述透光圖案的邊緣為彎曲狀。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光圖案的邊緣為鋸齒狀或波浪狀。
3.如權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光圖案為方形孔。
4.如權(quán)利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述為方形孔的透光圖案至少有一組相對的側(cè)邊為彎曲狀。
5.如權(quán)利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述為方形孔的透光圖案彎曲狀的側(cè)邊的兩端彎曲聞度聞于或相等于其中部的聞度。
6.如權(quán)利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述透光圖案的彎曲狀的邊緣的彎曲高度為 0.4 ?0.75 μ m。
7.如權(quán)利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述方形孔的尺寸為3μ mX 3 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光圖案為圓孔。
9.如權(quán)利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述圓孔的直徑為3μ m。
10.一種過孔形成方法，其特征在于，在襯底基板上形成樹脂層或光刻膠層，將如權(quán)利要求1-9任一項所述的掩模板置于所述樹脂層或光刻膠層的上方，對所述樹脂層或光刻膠層進行曝光形成過孔圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的過孔形成方法，其特征在于，當樹脂層為非感光樹脂層時，在所述光刻膠層的下方先形成非感光樹脂層，然后再對光刻膠層進行曝光，在非感光樹脂層上形成過孔。
【文檔編號】G03F7/20GK103760748SQ201410041885
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月28日
【發(fā)明者】盧凱, 史大為, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司