一種嵌段共聚物制劑及其相關(guān)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種嵌段共聚物制劑及其相關(guān)方法，提供了包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制劑，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物、和第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物。還提供了用所述嵌段共聚物制劑處理的基材。
【專利說(shuō)明】一種嵌段共聚物制劑及其相關(guān)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及自組裝嵌段共聚物領(lǐng)域。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制劑，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物和第二聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)二嵌段共聚物。
【背景技術(shù)】
[0002]已知由首尾相連的兩種或更多種不同的均聚物組成的一些嵌段共聚物能自組裝(self-assemble)成典型尺寸為10納米至50納米的周期性微結(jié)構(gòu)域(micro domain)。由于采用光刻技術(shù)以納米尺度尺寸(尤其是小于45納米)圖案化的費(fèi)用高、難度大，使用這種微結(jié)構(gòu)域在表面形成圖案的可能性正越來(lái)越受到關(guān)注。
[0003]但是，控制基材上嵌段共聚物微結(jié)構(gòu)域的橫向設(shè)置一直是個(gè)挑戰(zhàn)。過(guò)去采用光刻形成的預(yù)定形貌的基材和/或?qū)幕瘜W(xué)圖案化來(lái)解決該問(wèn)題。過(guò)去的研究證明，可引導(dǎo)薄層形式的自組裝嵌段共聚物微結(jié)構(gòu)域來(lái)遵循(follow)基材的化學(xué)圖案化，產(chǎn)生與化學(xué)預(yù)定圖案接近的周期性結(jié)構(gòu)。其它研究證明通過(guò)控制形貌預(yù)定圖案底部和側(cè)壁上嵌段共聚物的表面潤(rùn)濕性，可引導(dǎo)所述薄層來(lái)遵循所述形貌預(yù)定圖案。所述薄層形成與基材預(yù)設(shè)定圖案相比尺寸更小的線條/間距圖案，將形貌預(yù)定圖案細(xì)分為更高頻率的線條圖案，即，具有較小間距的線條圖案。對(duì)于形貌導(dǎo)向預(yù)定圖案和/或化學(xué)導(dǎo)向預(yù)定圖案而言，嵌段共聚物圖案化的限制在于該嵌段共聚物傾向于在該預(yù)定圖案表面的所有地方形成圖案。
[0004]目前，縮小指定基材上各種特征(例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的柵)尺寸的能力受到用來(lái)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光的光波長(zhǎng)(即193納米)的限制。這些限制對(duì)制造臨界尺寸(CD)小于50納米的特征產(chǎn)生巨大的挑戰(zhàn)。使用常規(guī)嵌段共聚物時(shí)，在自組裝過(guò)程中，難以實(shí)現(xiàn)取向控制和長(zhǎng)程有序。此外，這種嵌段共聚物通常不能為后續(xù)加工步驟提供足夠的耐刻蝕性。
[0005]竹中(Takenaka)等研究了將二嵌段共聚物用于導(dǎo)向自組裝(參見(jiàn)《聚合物科學(xué):B部分，聚合物物理，(JOURNAL OF POLYMER SCIENCE:PART B, Polymer Physics)》2010 年第48卷、第2297-2301頁(yè)的《通過(guò)嵌段共聚物導(dǎo)向自組裝來(lái)形成半間距小于10納米的長(zhǎng)程條紋圖案(Formation of long-range stripe patterns with sub-10-nm half-pitch fromdirected self-assembly of block copolymer)》)。具體來(lái)說(shuō)，竹中(Takenaka)等證明了使用聚(苯乙烯)-嵌段-聚(二甲基硅氧烷)二嵌段共聚物來(lái)導(dǎo)向自組裝成小于10納米的半間距，該二嵌段共聚物的分子量是15.8千克/摩爾；多分散性指數(shù)是1.03 ;以及，聚(苯乙烯)體積分?jǐn)?shù)是0.74聚(苯乙烯);其中，該二嵌段共聚物膜在170°C下真空退火24小時(shí)。
[0006]然而，仍需要在圖案化基材中使用的新的共聚物組合物。具體來(lái)說(shuō)，仍需要新共聚物組合物，該共聚物組合物使得能夠在中等長(zhǎng)度尺度(如，20-40納米)圖案化，并優(yōu)選的具有快速退火分布和低缺陷形成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種嵌段共聚物制劑，其包含:嵌段共聚物共混物，該嵌段共聚物共混物包括:第一聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB1")，其包括DBl聚(丙烯酸酯)嵌段、DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DBl數(shù)均分子量(MN_DB1)為10-1000千克/摩爾、DBl多分散性(PDdbi)為1-3 ;以及，第二聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚(丙烯酸酯)嵌段、DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DB2數(shù)均分子量(Mn_DB2)為1-1000千克/摩爾、DB2多分散性(PDdb2)為1_3 ;以及，^ 2重量％的抗氧化劑(以該嵌段共聚物共混物的重量為基準(zhǔn)計(jì))。
[0008]本發(fā)明提供一種方法，其包括:提供基材；提供本發(fā)明的嵌段共聚物制劑；將所述嵌段共聚物制劑膜應(yīng)用到所述基材上；任選的，烘烤該膜；退火該膜；處理該退火的膜，以從該退火的膜中去除DBl聚(丙烯酸酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸酯)嵌段，并將該退火的膜中的DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段轉(zhuǎn)化成SiOx。
[0009]本發(fā)明提供一種嵌段共聚物制劑，其包含:嵌段共聚物共混物，該嵌段共聚物共混物包括:第一聚(丙烯酸酯)_嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB1")，其包括DBl聚(丙烯酸酯)嵌段、DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DBl數(shù)均分子量(MN_DB1)為10-1000千克/摩爾、DBl多分散性(PDdbi)為1-3 ;以及，第二聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚(丙烯酸酯)嵌段、DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DB2數(shù)均分子量(Mn_DB2)為1-1000千克/摩爾、DB2多分散性(PDdb2)為1_3 ;其中，該嵌段共聚物制劑包含< 75重量％的聚(甲基丙烯酸甲酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物。
[0010]本發(fā)明提供一種嵌段共聚物制劑，其包含:嵌段共聚物共混物，該嵌段共聚物共混物包括:第一聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB1")，其包括DBl聚(丙烯酸酯)嵌段、DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DBl數(shù)均分子量(MN_DB1)為10-1000千克/摩爾、DBl多分散性(PDdbi)為1-3 ;以及，第二聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物( "DB2")，其包括DB2聚(丙烯酸酯)嵌段、DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DB2數(shù)均分子量(Mn_DB2)為1-1000千克/摩爾、DB2多分散性(PDdb2)為1_3 ;其中，該嵌段共聚物制劑包含< 0.001重量％的聚(甲基丙烯酸甲酯)_嵌段-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1顯示了根據(jù)實(shí)施例8制備的產(chǎn)品膜的俯視掃描電子顯微鏡(“SEM”)圖像。
[0012]圖2顯示了根據(jù)實(shí)施例9制備的產(chǎn)品膜的俯視掃描電子顯微鏡(“SEM”)圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0013]當(dāng)應(yīng)用到基材的表面時(shí)，在給定加工溫度下，與使用常規(guī)的含硅聚合物如PS-嵌段-PDMS相比，本發(fā)明的嵌段共聚物制劑具有改善的退火能力，可獲得更低缺陷的結(jié)構(gòu)。此外，當(dāng)加工該沉積的嵌段共聚物制劑以去除有機(jī)組分時(shí)，本發(fā)明的嵌段共聚物制劑的聚(丙烯酸甲硅烷基酯)結(jié)構(gòu)域中結(jié)合的無(wú)機(jī)部分可轉(zhuǎn)化成耐蝕刻的物質(zhì)(如掩模)。本發(fā)明的嵌段共聚物制劑使得能在導(dǎo)向自組裝應(yīng)用中使用熱加工，這具有重要意義，所述導(dǎo)向自組裝可用于形成周期性納米結(jié)構(gòu)，如在含硅基材上形成例如在20-40納米范圍的線/間距圖案。
[0014]本文和所附權(quán)利要求所使用的術(shù)語(yǔ)“PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物”是聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)的縮寫；其中所述聚(丙烯酸酯)嵌段包括來(lái)自丙烯酸酯單體、氘代丙烯酸酯單體、丙烯酸酯嵌段改性單體和氘代丙烯酸酯嵌段改性單體中至少一種的殘基；以及其中所述聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段包括來(lái)自丙烯酸甲硅烷基酯單體、氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體中至少一種的殘基。
[0015]本文及所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“氘代丙烯酸酯單體”是其中至少一個(gè)氫被氘取代的丙烯酸酯單體。
[0016]本文及所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“氘代丙烯酸酯嵌段改性單體”是指至少有一個(gè)氫被氘取代的丙烯酸酯改性單體。
[0017]本文及所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體”是至少一個(gè)氫被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯單體。
[0018]本文及所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體”是至少一個(gè)氫被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體。
[0019]本文及所附權(quán)利要求中使用的術(shù)語(yǔ)“甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯〃和"TMSMMA"指具有下述分子結(jié)構(gòu)的單體:
【權(quán)利要求】
1.一種嵌段共聚物制劑，其包括: 嵌段共聚物共混物，該嵌段共聚物共混物包括: 第一聚(丙烯酸酯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB1")，其包括DBl聚(丙烯酸酯)嵌段、DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DBl數(shù)均分子量MN_DB1為10-1000千克/摩爾、DBl多分散性PDdbi為1-3 ；以及， 第二聚(丙烯酸酯)_嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚(丙烯酸酯)嵌段、DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DB2數(shù)均分子量Mn_DB2為1-1000千克/摩爾、DB2多分散性PDdb2為1-3 ；以及， ^ 2重量％的抗氧化劑，以該嵌段共聚物共混物的重量為基準(zhǔn)計(jì)。
2.如權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述嵌段共聚物制劑包括5-30重量％的抗氧化劑，以該嵌段共聚物共混物的重量為基準(zhǔn)計(jì)。
3.如權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，在該嵌段共聚物共混物中，DBl與DB2的重量比例是1:1-1:9。
4.如權(quán)利要求3所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述嵌段共聚物共混物是>33重量％-99重量％的DBl和I至≤50重量％的DB2。
5.如權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述抗氧化劑選自下組: 包含至少一種2，6 -雙-叔丁基苯酚部分的抗氧化劑； 包含至少一種具有下式結(jié)構(gòu)的部分的抗氧化劑
6.如權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述抗氧化劑選自下組
7.如權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于， 所述DBl聚(丙烯酸酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸酯)嵌段兩者都包括來(lái)自丙烯酸酯單體、氘代丙烯酸酯單體、丙烯酸酯嵌段改性單體和氘代丙烯酸酯嵌段改性單體中至少一種的殘基；所述DBl聚(丙烯酸酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸酯)嵌段兩者都包括> 75重量％的丙烯酸酯單體衍生單元；所述丙烯酸酯單體選自下組:(C1^5烷基)丙烯酸C6_14芳基酯、((V5烷基)丙烯酸CV5烷基酯；所述氘代丙烯酸酯單體選自下組:氘代(Cu烷基)丙烯酸C6_14芳基酯、氘代((V5烷基)丙烯酸Cu烷基酯；所述丙烯酸酯嵌段改性單體選自Cu烯烴和C3_7環(huán)烯烴；所述氘代丙烯酸酯嵌段改性單體選自氘代CV5烯烴和氘代C3_7環(huán)烯烴；以及， 所述DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段兩者都包括來(lái)自丙烯酸甲硅烷基酯單體、氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體中至少一種的殘基；所述DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段兩者都包括> 75重量％的丙烯酸甲硅烷基酯單體衍生單元；所述丙烯酸甲硅烷基酯單體具有以下結(jié)構(gòu)式
(R1 (R2) (R3) Si) rR4xOOCC (R5) =CR62 式中，R1、R2和R3各自獨(dú)立的選自下組=CV6烷基，甲硅烷基化CV6烷基，C^6烷氧基，甲硅烷基化CV6烷氧基，C6_1(l芳基，C6_1(l芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l芳基，甲硅烷基化C6_1Q芳氧基，C1,芳基烷基，C1,芳基烷氧基，甲硅烷基化C1,芳基烷基，甲硅烷基化C1,芳基烷氧基，C6,烷基芳基，C6_1(l烷基芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳氧基；r選自下組:0，1，2以及3 ；R4選自下組:(V3烷基；X選自下組:0以及I ;R5選自下組:氫以及甲基；R6是氫；所述丙烯酸甲硅烷基酯單體包括至少一個(gè)Si原子；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體具有以下結(jié)構(gòu)式
(R7 (R8) (R9) Si) tR10yOOCC (Rn) =CR122 式中，R7、R8和R9各自獨(dú)立的選自下組=CV6烷基，甲硅烷基化CV6烷基，C^6烷氧基，甲硅烷基化CV6烷氧基，C6_1(l芳基，C6_1(l芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l芳基，甲硅烷基化C6_1Q芳氧基，C1,芳基烷基，C1,芳基烷氧基，甲硅烷基化C1,芳基烷基，甲硅烷基化C1,芳基烷氧基，C6,烷基芳基，C6_1(l烷基芳氧基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳基，甲硅烷基化C6_1(l烷基芳氧基，氣代CV6烷基，氣代甲娃烷基化Cu烷基，氣代(V6烷氧基，氣代甲娃烷基化C1-S烷氧基，氣代C6_1(l芳基，氣代C6_1(l芳氧基，氣代甲娃烷基化C6_1(l芳基，氣代甲娃烷基化c6_1(l芳氧基，氘代C1,芳基烷基，氘代C1,芳基烷氧基，氘代甲硅烷基化C1,芳基烷基，氣代甲娃烷基化C1,芳基烷氧基，氣代C6_1(l烷基芳基，氣代C6_1(l烷基芳氧基，氣代甲硅烷基化c6_1(l烷基芳基，氘代甲硅烷基化C6,烷基芳氧基；t選自下組:0，1，2和3 ;R1(I選自下組:(^_3烷基和氣代CV3烷基；y是O或者I ;R11選自下組:氧、氣、甲基和氣代甲基；R12選自下組:氫和氘；其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體包括至少一個(gè)Si原子；以及，其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體包括至少一個(gè)氘；所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體選自烯烴和環(huán)烯烴；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體選自氘代烯烴和氘代環(huán)烯烴。
8.如權(quán)利要求7所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于， 所述丙烯酸酯單體選自下組:(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯；所述氘代丙烯酸酯單體選自下組:氘代(甲基)丙烯酸丁酯、氘代(甲基)丙烯酸丙酯、氘代(甲基)丙烯酸乙酯、氘代(甲基)丙烯酸甲酯；所述丙烯酸酯嵌段改性單體是乙烯；以及，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性單體是氘代乙烯；以及， 所述丙烯酸甲硅烷基酯單體選自下組:(甲基)丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三乙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三丙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三異丙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三丁基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三-仲-丁基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三異丁基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(仲-丁基甲基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(仲-丁基二甲基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(二甲基丙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(單甲基二丙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(甲基乙基丙基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸雙-(三甲基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸三-(三甲基甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷基)甲酯；(甲基)丙烯酸(三甲基甲硅烷氧基)甲酯；(甲基)丙烯酸三-(三甲基甲硅烷氧基)丙酯；(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷氧基)甲酯；(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷氧基)丙酯；(甲基)丙烯酸(三甲氧基甲硅烷基)丙酯；以及，(甲基)丙烯酸(三乙氧基甲硅烷基)丙酯；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯單體選自下組:氣代(甲基)丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(三乙基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(三丙基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(三異丙基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(三丁基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(三-仲-丁基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(三異丁基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(仲-丁基甲基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(仲-丁基二甲基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(二甲基丙基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(單甲基二丙基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(甲基乙基丙基甲硅烷基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸雙-(三甲基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸三-(三甲基甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷基)甲酯；氣代(甲基)丙烯酸(三甲基甲硅烷氧基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸三-(三甲基甲硅烷氧基)丙酯；氘代(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷氧基)甲酯；氘代(甲基)丙烯酸(五甲基二甲硅烷氧基)丙酯；氘代(甲基)丙烯酸(三甲氧基甲硅烷基)丙酯；以及，氘代(甲基)丙烯酸(三乙氧基甲硅烷基)丙酯；所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體是乙烯；以及，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性單體是氘代乙烯。
9.如權(quán)利要求8所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述嵌段共聚物制劑還包括聚(甲基丙烯酸甲酯)均聚物(“HPMMA”)；所述聚(甲基丙烯酸甲酯)均聚物(“HPMMA”)與所述嵌段共聚物共混物的重量比例是1:9-1:4 ；DB1與DB2重量比例是1:1_1:2.5 ；DB1中DBl聚(丙烯酸酯)嵌段的重量分?jǐn)?shù)WfPAra_DB1是0.7-0.75 ;MN_DB1是20-60千克/摩爾；PDdm是1.-1.2 ；DB2中DBl聚(丙烯酸酯)嵌段的重量分?jǐn)?shù)fffPAcr_DB2是0.7-0.75 ;MN_DB2是20-60千克/摩爾；PDDB2是1.-1.2 ;所述丙烯酸酯單體是甲基丙烯酸甲酯；以及，所述丙烯酸甲硅烷基酯單體是(甲基)丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯。
10.一種方法，該方法包括: 提供基材； 提供權(quán)利要求1所述的嵌段共聚物制劑； 將所述嵌段共聚物制劑膜應(yīng)用到所述基材上； 任選地，烘烤所述膜； 退火所述膜； 處理該退火的膜，以從該退火的膜中去除DBl聚(丙烯酸酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸酯)嵌段，并將該退火的膜中的DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段和DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段轉(zhuǎn)化成SiOx。
11.一種嵌段共聚物制劑，其包括: 嵌段共聚物共混物，該嵌段共聚物共混物包括: 第一聚(丙烯酸酯)_嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB1")，其包括DBl聚(丙烯酸酯)嵌段、DBl聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DBl數(shù)均分子量(MN_DB1)為10-1000千克/摩爾、DBl多分散性(PDdbi)為1-3 ;以及， 第二聚(丙烯酸酯)_嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚(丙烯酸酯)嵌段、DB2聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段、且DB2數(shù)均分子量Mn_DB2為1-1000千克/摩爾、DB2多分散性PDdb2為1-3 ； 其中，所述嵌段共聚物制劑包括<75重量％的聚(甲基丙烯酸甲酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物。
12.如權(quán)利要求11所述的嵌段共聚物制劑，其特征在于，所述嵌段共聚物制劑包括<0.001重量％的聚(甲基丙烯酸甲酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物。
【文檔編號(hào)】G03F7/004GK103984206SQ201410043564
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】P·赫斯塔德, P·特雷福納斯, 顧歆宇, 張?jiān)姮|, V·靳茲伯格, E·沃格爾, D·默里 申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司, 陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司