顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制作方法，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，該陣列基板上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分位于銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并位于彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)之間。本發(fā)明通過(guò)在陣列基板上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，阻擋銀漿導(dǎo)電層的銀漿滲入到陣列基板最外圍的金屬導(dǎo)線附近，防止電信號(hào)受到銀漿的影響，從而保證了面板的品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制作方法。 【背景技術(shù)】
[0002]應(yīng)用于手機(jī)等電子產(chǎn)品的TFT-LCD (thin film transistor - liquid crystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)小尺寸產(chǎn)品一般通過(guò)以下方法制得:彩膜基板先與陣列基板對(duì)盒，然后經(jīng)過(guò)一次切割，母板Glass基板變成Q-panel，Q-panel彩膜表面會(huì)鍍ITO(IndiumTinOxide,氧化銦錫)，然后再進(jìn)行一次切割，由Q-panel切割成single panel,single panel在后續(xù)的模組制作過(guò)程中涂覆銀衆(zhòng)。
[0003]現(xiàn)有的TFT-LCD小尺寸產(chǎn)品為了能快速將表面積聚的電荷導(dǎo)走，往往在彩膜表面鍍一層Ι--，然后通過(guò)銀漿涂覆將ITO與single panel上接地信號(hào)相連，從而消除靜電的影響。
[0004]現(xiàn)有的TFT-1XD顯示面板外圍結(jié)構(gòu)，最外圍金屬引線到singlepanel切割邊緣之間為平鋪的柵絕緣(GI)層及鈍化(PVX)層，沒(méi)有任何花樣設(shè)計(jì)。另外，小尺寸產(chǎn)品往往需要用銀衆(zhòng)將彩膜表面的ITO和panel外圍的接地信號(hào)線相連，當(dāng)由Q-panel切割成singlepanel時(shí)，切割邊緣會(huì)造成人眼難以觀察到的破損，而銀衆(zhòng)容易從微破損處滲入到singlepanel最外圍的金屬引線附近,引起電信號(hào)異常,從而引起panel (面板)的品質(zhì)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:如何防止顯示面板在涂覆銀漿導(dǎo)電層時(shí)銀漿易滲入至金屬引線附近而影響電信號(hào)。
[0007](二)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，該陣列基板上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分位于銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)。
[0009]優(yōu)選地，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)包括用于存儲(chǔ)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的多個(gè)漏孔。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板的最外圍金屬引線為柵極導(dǎo)線或數(shù)據(jù)線導(dǎo)線。
[0011]優(yōu)選地，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)包括用于存儲(chǔ)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的多個(gè)漏孔和用于疏導(dǎo)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的槽道，多個(gè)所述漏孔位于所述槽道的槽底。
[0012]優(yōu)選地，所述多個(gè)漏孔中的至少一部分排布于所述陣列基板的最外圍金屬引線與所述陣列基板的邊緣之間。
[0013]優(yōu)選地，所述漏孔靠近且不連通所述陣列基板的最外圍金屬引線。
[0014]優(yōu)選地，所述漏孔貫穿所述陣列基板的柵絕緣層及鈍化層，且止于所述陣列基板的襯底基板。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，所述方法包括在設(shè)置銀漿導(dǎo)電層之前形成漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)的步驟，其中，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分形成于所述銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間。
[0017]優(yōu)選地，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)通過(guò)過(guò)孔掩膜和過(guò)孔蝕刻工藝形成。
[0018](三)有益效果
[0019]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0020]本發(fā)明通過(guò)在陣列基板上設(shè)置漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，阻擋銀漿導(dǎo)電層的銀漿滲入到陣列基板最外圍的金屬導(dǎo)線附近，防止電信號(hào)由于電容效應(yīng)等而受到銀漿的影響，從而保證了面板的品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是現(xiàn)有顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1中陣列基板沿A-A’線的剖面圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實(shí)施例顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是圖3中陣列基板沿B-B’線的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0026]需要說(shuō)明的是，圖1和圖3為從彩膜基板14 一側(cè)俯視顯示面板的示意圖，彩膜基板14和陣列基板15正對(duì),且彩膜基板14位于陣列基板15的上方,陣列基板15的一端為未被彩膜基板14覆蓋的部分。且為了方便示意，圖中陣列基板15上被彩膜基板14覆蓋部分的結(jié)構(gòu)為透過(guò)彩膜基板14可視的結(jié)構(gòu)，即圖中所示的彩膜基板14只是示意了其與陣列基板15的位置關(guān)系以及大小關(guān)系，并不是對(duì)其具體結(jié)構(gòu)等的限定。
[0027]圖1是現(xiàn)有顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，顯示面板包括陣列基板15和彩膜基板14，陣列基板15和彩膜基板14對(duì)盒而重疊，陣列基板15邊緣的一端未覆蓋有彩膜基板14，這通常是通過(guò)切割掉一部分彩膜基板14實(shí)現(xiàn)的。如圖1所示，陣列基板15未覆蓋有彩膜基板14的一端具有接地信號(hào)區(qū)5(圖中GND處)，接地信號(hào)區(qū)5連接到接地線而接地，接地信號(hào)區(qū)5例如可以是焊盤(PAD)形式。例如可以在接地信號(hào)區(qū)5旁設(shè)置ITO (氧化銦錫)層I來(lái)與接地信號(hào)區(qū)5導(dǎo)通，此時(shí)ITO層I實(shí)際上也成為接地信號(hào)區(qū)。銀漿導(dǎo)電層2設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層(圖中未示出，實(shí)際上就涂覆在彩膜基板表面上)與陣列基板15的接地信號(hào)區(qū)5。
[0028]圖3是本發(fā)明實(shí)施例顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，比較圖1和圖3可知，本發(fā)明實(shí)施例的改進(jìn)之處就在于在陣列基板15上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)6。漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)6的至少一部分位于銀漿導(dǎo)電層2和所述陣列基板15的最外圍金屬引線3之間，從而防止銀漿導(dǎo)電層2中的銀漿滲入到最外圍金屬引線3附近，最外圍金屬引線3例如為柵極導(dǎo)線，還可以為數(shù)據(jù)線導(dǎo)線或者為其他任何外接信號(hào)的信號(hào)線。
[0029]從圖3可知，漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)6包括用于存儲(chǔ)銀漿導(dǎo)電層3的多余銀漿的多個(gè)漏孔4和用于疏導(dǎo)銀漿導(dǎo)電層2中銀漿的槽道，多個(gè)漏孔4位于所述槽道的槽底，多個(gè)漏孔4中的至少一部分排布于陣列基板15的最外圍金屬引線3與陣列基板15的邊緣之間。
[0030]圖2是圖1中陣列基板沿A-A’線的剖面圖。圖4是圖3中陣列基板沿B_B’線的剖面圖。圖4與圖2的區(qū)別在于，圖2中并無(wú)漏孔，而圖4中的漏孔4貫穿陣列基板15的柵絕緣(GI)層9及鈍化(PVX)層7，且止于陣列基板15的襯底基板10。當(dāng)然所述漏孔還可以僅貫穿PVX層7 —層或者貫穿PVX層7和GI層9的一部分，只要該漏孔的底部低于PVX層7的表面可以容置一部分導(dǎo)電銀漿即可。當(dāng)然，圖4示意的是陣列基板邊緣結(jié)構(gòu)為襯底基板10上依次設(shè)置有GI層9和PVX層7的情況，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)的陣列基板，陣列基板的邊緣還可以為襯底基板10上設(shè)置其他層的結(jié)構(gòu)，其漏孔還可以貫穿這些層中的一層、多層或者某些層的部分，對(duì)于這些結(jié)構(gòu)的變形，本發(fā)明均不做限定。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在陣列基板上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，阻擋銀漿導(dǎo)電層的銀漿滲入到陣列基板最外圍的金屬導(dǎo)線附近，防止電信號(hào)受到銀漿的影響，從而保證了顯示面板的品質(zhì)。即使顯示面板在切割時(shí)邊緣受損，也不會(huì)使得涂覆銀漿時(shí)銀漿滲入到陣列基板15最外圍的金屬導(dǎo)線附近。
[0032]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，當(dāng)然還可包括實(shí)現(xiàn)顯示裝置功能的其他器件，在此不再贅述。
[0033]本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例還提供制作上述顯示面板的方法，所述顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，所述方法包括在設(shè)置銀漿導(dǎo)電層之前形成漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)的步驟，其中，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分形成于所述銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間。制作時(shí)，漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)在設(shè)置銀漿導(dǎo)電層之前形成，漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)通過(guò)過(guò)孔掩膜(Mask)和過(guò)孔蝕刻工藝形成，例如通過(guò)現(xiàn)有的陣列基板的4Mask或5Mask工藝實(shí)現(xiàn),在PVX過(guò)孔Mask時(shí)形成漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)圖案，再通過(guò)PVX刻蝕形成最終的漏孔結(jié)構(gòu)。制作的其他工藝都可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，在此不再贅述。當(dāng)然，該漏孔的形成還可以與其他層結(jié)構(gòu)的mask工藝時(shí)形成，或者可以單獨(dú)一次mask形成，或者可以采用其他的構(gòu)圖工藝形成，這些本發(fā)明不做限定。
[0034]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，該陣列基板上設(shè)有漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分位于銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)包括用于存儲(chǔ)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的多個(gè)漏孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板的最外圍金屬引線為柵極導(dǎo)線或數(shù)據(jù)線導(dǎo)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)包括用于存儲(chǔ)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的多個(gè)漏孔和用于疏導(dǎo)所述銀漿導(dǎo)電層多余銀漿的槽道，多個(gè)所述漏孔位于所述槽道的槽底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述多個(gè)漏孔中的至少一部分排布于所述陣列基板的最外圍金屬引線與所述陣列基板的邊緣之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的顯示面板，其特征在于，所述漏孔靠近且不連通所述陣列基板的最外圍金屬引線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述漏孔貫穿所述陣列基板的柵絕緣層及鈍化層，且止于所述陣列基板的襯底基板。
8.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的顯示面板。
9.一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述方法包括在設(shè)置銀漿導(dǎo)電層之前形成漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)的步驟，其中，所述銀漿導(dǎo)電層設(shè)置在所述陣列基板上并連通彩膜基板的ITO層與所述陣列基板的接地信號(hào)區(qū)，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)至少一部分形成于所述銀漿導(dǎo)電層和所述陣列基板最外圍金屬引線之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述漏孔結(jié)構(gòu)區(qū)通過(guò)過(guò)孔掩膜和過(guò)孔蝕刻工藝形成。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103941504SQ201410045796
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月8日
【發(fā)明者】田露 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司