顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：第一基底；接地電極，設(shè)置在第一基底上；薄膜晶體管，設(shè)置在第一基底上；第一鈍化層，設(shè)置在薄膜晶體管上；光阻擋構(gòu)件和濾色器，設(shè)置在第一鈍化層上。場產(chǎn)生電極設(shè)置在光阻擋構(gòu)件和濾色器上。接地電極以矩陣布置在第一基底上并連接到接地端子。
【專利說明】顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是目前使用的最為常見的平板顯示器類型中的一種，液晶顯示器包括顯示裝置，顯示裝置將電壓施加到諸如像素電極和共電極的場產(chǎn)生電極以使液晶層的液晶分子重新排列，從而可以控制穿過液晶層的光的量。
[0003]光阻擋構(gòu)件被形成以防止在液晶顯示器的非顯示區(qū)域中漏光。如果光阻擋構(gòu)件形成在面對其上形成有像素電極的基底的另一基底上，則由于兩塊基底未對準(zhǔn)，而可能不能防止非顯示區(qū)域中的漏光并可能使顯示區(qū)域的透射率減小。
[0004]因此，光阻擋構(gòu)件可以形成在其上形成有像素電極的基底上。
[0005]然而，當(dāng)諸如光阻擋構(gòu)件的組成元件形成在單個(gè)基底上時(shí)，基底中產(chǎn)生的靜電受到限制而沒有正常放電，這可能導(dǎo)致諸如信號(hào)失真的缺陷。
[0006]在該【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于提高對本發(fā)明的背景的理解，因此，其可能包含未形成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講在本國中已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括通過其可以釋放靜電的接地電極。
[0008]本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中闡述，部分通過描述將是明顯的，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而明了。
[0009]本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:第一基底；接地電極，設(shè)置在第一基底上；薄膜晶體管，設(shè)置在第一基底上；第一鈍化層，設(shè)置在薄膜晶體管上；光阻擋構(gòu)件和濾色器，設(shè)置在第一鈍化層上；場產(chǎn)生電極，設(shè)置在光阻擋構(gòu)件和濾色器上。接地電極以矩陣形狀布置在第一基底上并連接到接地端子。
[0010]將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的，并且意圖提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理，包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，附圖被包含在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分:
[0012]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性布局視圖。
[0013]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0014]圖3是沿圖2中的線II1-1II截取的剖視圖。
[0015]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。
[0016]圖5是沿圖4中的線V-V截取的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]在下文中參照附圖更加充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于這里闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開是完全的，這些示例性實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為清晰起見，可能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
[0018]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在所述另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到所述另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。將理解的是，為了本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個(gè)(種)”可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z或者X、Y和Z中的兩項(xiàng)或多于兩個(gè)項(xiàng)中的任意組合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ΖΖ)。
[0019]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性布局視圖。
[0020]參照圖1，顯示裝置包括在第一基底110上的沿水平方向延伸的柵極線121和與柵極線121交叉并沿豎直方向延伸的數(shù)據(jù)線171。多個(gè)像素PX設(shè)置在第一基底110上，多個(gè)像素PX中的每個(gè)像素可以由柵極線121和數(shù)據(jù)線171形成，接地電極128也設(shè)置在第一基底110上。
[0021]接地電極128在顯示區(qū)域DP中以矩陣布置。接地電極128包括沿著與柵極線121平行的方向延伸的第一接地電極128a和沿著與數(shù)據(jù)線171平行的方向延伸的第二接地電極128b。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，接地電極128可以設(shè)置在設(shè)置有柵極線的水平處或下面。
[0022]第一接地電極128a和第二接地電極128b中的每個(gè)布置在顯示區(qū)域DP中并延伸到非顯示區(qū)域NDP以連接到接地端子GRD。因此，在第一基底110的表面上產(chǎn)生的靜電被釋放到接地端子GRD，從而減小由靜電導(dǎo)致的任何缺陷。
[0023]在下文中，將更詳細(xì)地描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的接地電極128的特征。
[0024]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖3是沿圖2中的線II1-1II截取的剖視圖。圖2是圖1中的區(qū)域A的放大視圖。
[0025]參照圖2和圖3,液晶顯示器包括設(shè)置有第一基底110的下面板100、設(shè)置有第二基底210的相對的上面板200以及注入到它們之間的液晶層3。
[0026]由透明材料或不透明材料制成的接地電極128和剩余接地電極(residual groundelectrode)120設(shè)置在由透明玻璃或塑料制成的第一基底110上。包括柵電極124的柵極線121設(shè)置在剩余接地電極120上。剩余接地電極120和柵極線121可以具有基本上相同的平面形狀。
[0027]柵極線121不僅包括柵電極124，而且還包括用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路連接的寬的端部(未示出)。柵極線121可以由諸如鋁(Al)或鋁合金的鋁基金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基金屬、諸如鑰(Mo)或鑰合金的鑰基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)或者鈦(Ti)制成。然而，柵極線121可以具有包括物理性質(zhì)不同的至少兩層導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0028]接地電極128包括第一接地電極128a和第二接地電極128b，第一接地電極128a從與柵極線121相鄰的位置沿著與柵極線121平行的方向延伸，第二接地電極128b連接到第一接地電極128a并沿著與數(shù)據(jù)線171平行的方向延伸。第一接地電極128a設(shè)置在與剩余接地電極120相同的層上，不連接到剩余接地電極120和柵極線121并與剩余接地電極120和柵極線121絕緣。第二接地電極128b僅連接到兩個(gè)相鄰的第一接地電極128a中的一個(gè)。這容許第二接地電極128b不與柵極線121交叉并與其絕緣的結(jié)構(gòu)。
[0029]在平面視圖中，第二接地電極128b設(shè)置在與數(shù)據(jù)線171相鄰的位置處，但是也可以設(shè)置成與數(shù)據(jù)線171疊置。然而，第二接地電極128b形成為不與包括在柵極線121中的柵電極124交叉。
[0030]這里，接地電極128和柵極線121可以通過一個(gè)工藝形成。在第一基底110上形成諸如ITO的透明電極材料和金屬材料之后，涂覆感光膜，并使用半色調(diào)工藝來形成包括其處形成有柵極線121的第一部分、其處形成有接地電極128的第二部分以及柵極線121和接地電極128被從其處除去的第三部分的感光膜圖案。通過使用形成為掩模的感光膜圖案圖案化金屬材料和透明電極材料來形成接地電極128和柵極線121。在這種情況下，設(shè)置在柵極線121下面的透明電極材料保留以形成剩余接地電極120。
[0031]由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(S1x)制成的柵絕緣層140設(shè)置在接地電極128和柵極線121上。柵絕緣層140可以具有包括物理性質(zhì)不同的至少兩層絕緣層的多層結(jié)構(gòu)。
[0032]由非晶硅或多晶硅制成的半導(dǎo)體層154設(shè)置在柵絕緣層140上。半導(dǎo)體層154可以包括氧化物半導(dǎo)體。
[0033]歐姆接觸163和165形成在半導(dǎo)體層154上。歐姆接觸163和165可以由諸如硅化物或以高濃度摻雜有諸如磷的η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅的材料制成。歐姆接觸163和165可以位于半導(dǎo)體層154上。當(dāng)半導(dǎo)體層154是氧化物半導(dǎo)體時(shí)，可以省略歐姆接觸163和 165。
[0034]包括數(shù)據(jù)線171 (包括源電極173和漏電極175)的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸163和165以及柵絕緣層140上。
[0035]數(shù)據(jù)線171包括用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路連接的寬的端部(未示出)。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并主要沿著豎直方向延伸以與柵極線121交叉。
[0036]數(shù)據(jù)線171可以具有第一彎曲部分，第一彎曲部分具有彎曲形狀以獲得液晶顯示器的最大的透射率，第一彎曲部分可以在像素區(qū)域的中間區(qū)域彼此相遇以形成V形。彎曲以與第一彎曲部分形成角度的第二彎曲部分可以進(jìn)一步形成在像素區(qū)域的中間區(qū)域中。
[0037]數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以彎曲以相對于豎直參考線形成大約7度的角度的角，其中，豎直參考線與柵極線121延伸所沿的方向形成90°角。設(shè)置在像素區(qū)域的中間區(qū)域中的第二彎曲部分可以進(jìn)一步彎曲以相對于第一彎曲部分形成大約7度的角度至大約15度的角度的角。
[0038]源電極173對應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的一部分并設(shè)置在與數(shù)據(jù)線171相同的線上。漏電極175形成為與源電極173平行地延伸。因此，漏電極175平行于數(shù)據(jù)線171的一部分。
[0039]柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體層154—起形成薄膜晶體管(TFT)，薄膜晶體管的溝道在源電極173和漏電極175之間形成在半導(dǎo)體層154上。
[0040]根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器包括從數(shù)據(jù)線171延伸的源電極173和與數(shù)據(jù)線171平行地延伸的漏電極175，使得在未增加數(shù)據(jù)導(dǎo)體的面積的情況下可以增大薄膜晶體管的寬度，從而增大液晶顯示器的開口率。
[0041]數(shù)據(jù)線171和漏電極175可以由諸如鑰、鉻、鉭和鈦的難熔金屬或它們的合金制成，并且具有包括難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的示例包括雙層(包括鉻或鑰(合金)下層和鋁(合金)上層)和三層(包括鑰(合金)下層、鋁(合金)中間層和鑰(合金)上層)。然而，數(shù)據(jù)線171和漏電極175可以由除了上述材料之外的各種金屬或?qū)w制成。
[0042]第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、173和175、柵絕緣層140以及半導(dǎo)體層154的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料制成。
[0043]光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在第一鈍化層180a上。光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在與接地電極128、柵極線121、數(shù)據(jù)線171和半導(dǎo)體層154疊置的位置處。即使未示出，光阻擋構(gòu)件220也可以以矩陣布置。光阻擋構(gòu)件220被從與漏電極175的周圍對應(yīng)的區(qū)域除去。
[0044]濾色器230設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和第一鈍化層180a上。濾色器230自身可以顯示原色。原色的示例包括諸如紅、綠和藍(lán)的原色或者黃色、藍(lán)綠色或品紅色。即使未示出，但是濾色器還可以包括顯示原色的混合顏色或白色的濾色器。濾色器230被從與漏電極175的周圍對應(yīng)的區(qū)域除去。
[0045]有機(jī)層170設(shè)置在濾色器230上。有機(jī)層170防止濾色器230的顏料被引入到液晶層3，并且還使下面的層平坦。
[0046]共電極270設(shè)置在有機(jī)層170上。共電極270具有平面形狀，可以作為板形成在整個(gè)第一基底110上，并且可以具有形成在與漏電極175的周圍對應(yīng)的區(qū)域中的開口 273。即，共電極270可以具有平面形狀。
[0047]設(shè)置在相鄰的像素上的共電極270彼此連接以接收從顯示區(qū)域的外部施加的具有一定電平的共電壓。
[0048]第二鈍化層180b設(shè)置在共電極270上。第二鈍化層180b可以由有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料制成。
[0049]像素電極191設(shè)置在第二鈍化層180b上。像素電極191包括彎曲邊緣，彎曲邊緣與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分和第二彎曲部分基本上平行。像素電極191包括切除部92以及由切除部92限定的第一分支電極192。
[0050]第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a和第二鈍化層180b中以暴露漏電極175。像素電極191通過第一接觸孔185物理連接到并且電連接到漏電極175，以接收來自漏電極175的電壓。
[0051]即使未示出，但是取向?qū)右部梢酝扛苍谙袼仉姌O191和第二鈍化層180b上，取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)硬⑶已匾欢ǚ较蚰Σ?rub)。然而，在根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器中，取向?qū)涌梢园夥磻?yīng)性材料以進(jìn)行光取向。
[0052]分隔件325設(shè)置在第一基底110與第二基底210之間。
[0053]分隔件325用于維持第一基底110與面對第一基底110的第二基底210之間的距離。
[0054]著色構(gòu)件326設(shè)置在與第一接觸孔185對應(yīng)的位置處。
[0055]著色構(gòu)件326設(shè)置在第一接觸孔185附近以用于防止第一接觸孔185附近的漏光并用于補(bǔ)償由第一接觸孔185產(chǎn)生的臺(tái)階。
[0056]分隔件325和著色構(gòu)件326可以由相同的材料制成。
[0057]液晶層3設(shè)置在第一基底110和第二基底210之間。
[0058]液晶層3包括具有正介電各向異性的向列型液晶材料。液晶層3的液晶分子具有其主軸方向與基底110和210平行的結(jié)構(gòu)，該方向從第一基底110的取向?qū)拥哪Σ练较蛳虻诙?10成螺旋形狀以90度的角度扭曲。
[0059]像素電極191從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓，共電極270從設(shè)置在顯示區(qū)域外部的參考電壓施加單元接收具有一定電平的參考電壓。
[0060]作為場產(chǎn)生電極的像素電極191和共電極270產(chǎn)生電場，使得位于兩個(gè)電極191和270上的液晶層3的液晶分子沿與電場的方向平行的方向旋轉(zhuǎn)。穿過液晶層的光的偏振根據(jù)如上所述確定的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向而改變。
[0061]這樣，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器中，像素電極191和共電極270形成在第一基底I1上，濾色器230和光阻擋構(gòu)件220也形成在第一基底110上。因此，能夠防止由第一基底110與第二基底210之間的未對準(zhǔn)導(dǎo)致的開口率的劣化或漏光。
[0062]此外，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器中，光阻擋構(gòu)件220、濾色器230和有機(jī)層170設(shè)置在下面板100上,使得第一基底110與作為場產(chǎn)生電極之一的共電極270之間的厚度增加。因此，在第一基底110上產(chǎn)生的任何靜電沒有被正常釋放，從而在驅(qū)動(dòng)液晶顯示器時(shí)不能在屏幕上準(zhǔn)確地表現(xiàn)對比度，并且發(fā)生信號(hào)失真，導(dǎo)致余像的形成。然而，根據(jù)本示例性實(shí)施例，以矩陣形狀形成在第一基底110上的接地電極128連接到非顯示區(qū)域的接地端子來釋放靜電，因此解決了上述問題。
[0063]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的液晶顯示器的俯視圖。圖5是沿圖4中的線V-V截取的剖視圖。
[0064]將參照圖4和圖5描述的該示例性實(shí)施例包括與上面參照圖1至圖3描述的示例性實(shí)施例的構(gòu)造幾乎相同的構(gòu)造。在下文中，將主要描述不同的部分。
[0065]參照圖4和圖5，包括第一接地電極128a和第二接地電極128b的接地電極128設(shè)置在第一基底I1上,第一接地電極128a包括向著作為場產(chǎn)生電極之一的像素電極191所設(shè)置的像素區(qū)域突出的第一接地電極件128p。第一接地電極件128p設(shè)置在與第一接地電極128a相同的層上，柵絕緣層140和第一鈍化層180a設(shè)置在第一接地電極件128p上。第一接地電極件128p的上表面的一部分通過形成在柵絕緣層140和第一鈍化層180a中的接觸孔145暴露。
[0066]光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在第一鈍化層180a上并可以設(shè)置在與接地電極128、柵極線121、數(shù)據(jù)線171和半導(dǎo)體層154疊置的位置處。光阻擋構(gòu)件220可以覆蓋第一接地電極件128p的一部分。
[0067]濾色器230設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和第一鈍化層180a上，濾色器230通過形成在柵絕緣層140和第一鈍化層180a中的接觸孔145與第一接地電極件128p直接接觸。
[0068]如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一接地電極件128p通過接觸孔145與濾色器230直接接觸，從而不僅可以有效地釋放在第一基底110中產(chǎn)生的靜電，而且還可以有效地釋放在濾色器230中產(chǎn)生的靜電。此外，可以與在第一基底110中產(chǎn)生的靜電和在濾色器230中產(chǎn)生的靜電一起釋放在直接設(shè)置在濾色器230上的有機(jī)層170中產(chǎn)生的靜電。
[0069]上面描述了共電極270和像素電極191 二者設(shè)置在下面板100上并且在平面的共電極270和線性的像素電極191之間產(chǎn)生電場的液晶顯示器的示例，但是液晶顯示器不限于此。例如，當(dāng)諸如光阻擋構(gòu)件220、濾色器230或有機(jī)層170的厚的組成元件設(shè)置在下面板100上時(shí)，在第一基底110中產(chǎn)生的靜電可能變成麻煩，因此當(dāng)諸如有機(jī)層170的厚的組成元件設(shè)置在下面板100上時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例甚至可以應(yīng)用到諸如豎直取向(VA)模式的不同類型的液晶顯示器。
[0070]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括以矩陣形狀形成在基底上的接地電極，以將在基底或?yàn)V色器中產(chǎn)生的靜電釋放到接地端子，從而防止缺陷。
[0071]對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種修改和改變。因此，意圖使本發(fā)明覆蓋對本發(fā)明的修改和改變，只要它們落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 第一基底; 接地電極，設(shè)置在第一基底上； 薄膜晶體管，設(shè)置在第一基底上； 第一鈍化層，設(shè)置在薄膜晶體管上； 光阻擋構(gòu)件和濾色器，設(shè)置在第一鈍化層上；以及 場產(chǎn)生電極，設(shè)置在光阻擋構(gòu)件和濾色器上， 其中，接地電極以矩陣布置并連接到接地端子。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，接地電極設(shè)置在設(shè)置有連接到薄膜晶體管的柵極線的水平處或下面。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括設(shè)置在場產(chǎn)生電極與光阻擋構(gòu)件或?yàn)V色器之間的有機(jī)層。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，接地電極包括: 第一接地電極，沿著與柵極線平行的方向延伸；以及 第二接地電極，沿著與連接到薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線平行的方向延伸。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括設(shè)置在連接到薄膜晶體管的柵極線下面的剩余接地電極， 其中，剩余接地電極設(shè)置在與接地電極相同的層上。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，剩余接地電極包括與接地電極相同的材料。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括連接到薄膜晶體管的柵極線和數(shù)據(jù)線， 其中，接地電極包括沿著與柵極線平行的方向延伸的第一接地電極和沿著與數(shù)據(jù)線平行的方向延伸的第二接地電極，數(shù)據(jù)線連接到薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，接地電極與光阻擋構(gòu)件疊置。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，場產(chǎn)生電極包括: 像素電極； 共電極；以及 設(shè)置在像素電極和共電極之間的絕緣層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，像素電極包括切除部，共電極是平面的。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104076559SQ201410052567
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月25日
【發(fā)明者】孫玉秀, 姜玲求, 金賢昱, 宋溱鎬, 張殷齊, 洪性珍 申請人:三星顯示有限公司