一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及到液晶顯示裝置生產(chǎn)的【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕裝置。該承載裝置包括：基臺(tái)；設(shè)置于所述基臺(tái)并用于支撐基板的多個(gè)干刻電極；套裝于每個(gè)干刻電極并將所述干刻電極與所述基板隔離的保護(hù)膜，且所述保護(hù)膜的韋氏硬度低于所述基板的韋氏硬度。在上述技術(shù)方案中，基板直接與保護(hù)膜接觸，由于保護(hù)膜的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度，因此，在基板與保護(hù)膜之間出現(xiàn)滑動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜不會(huì)劃傷基板，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低了刻蝕后的不良率，進(jìn)而提高了基板刻蝕后的質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及到液晶顯示裝置生產(chǎn)的【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及到一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置生產(chǎn)行業(yè)中，玻璃基板在進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，一般采用等離子對(duì)玻璃基板進(jìn)行刻蝕，這個(gè)過(guò)程中如果對(duì)玻璃基板不進(jìn)行位置固定，玻璃基板就會(huì)發(fā)生漂移，影響刻蝕效果和準(zhǔn)確度。為了固定玻璃基板，一般在干法刻蝕裝置中的下基臺(tái)使用干刻電極產(chǎn)生的靜電力吸附玻璃基板，具體的，位于基板上方的等離子刻蝕時(shí)產(chǎn)生負(fù)電荷，支撐基板的干刻電極產(chǎn)生正電荷，利用靜電吸附作用對(duì)玻璃基板進(jìn)行固定，防止其漂移。干刻時(shí)使用的承載裝置如圖1所示，包括基臺(tái)1，該基臺(tái)I上具有多個(gè)氣孔3，設(shè)置在基臺(tái)I上的多個(gè)用于支撐玻璃基板的干刻電極2,由于干刻電極2由硬度聞?dòng)诓ＡЩ宓奶沾砂?在長(zhǎng)期靜電作用及其他因素的影響下，干刻電極2表面沉淀了其他物質(zhì)，且容易牢牢地粘附在玻璃基板下表面，故在干刻結(jié)束，玻璃基板從承載裝置上抬起時(shí)，玻璃基板下表面極易被極劃傷，形成許多微小的裂痕(紋)，并且在后續(xù)工藝中，玻璃基板的溫度存在快速上升(達(dá)到300°C )及快速下降(室溫)，造成玻璃基板裂痕擴(kuò)大，且對(duì)玻璃基板內(nèi)部形成一定的破壞作用，即與干刻電極2接觸及周邊位置的玻璃基板均勻性降低，當(dāng)光通過(guò)時(shí)，容易造成光的散射，形成印花不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了 一種承載裝置及干法刻蝕裝置，用以提高基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低刻蝕后的不良率，提聞基板刻蝕后的質(zhì)量。
[0004]本發(fā)明提供了一種用于干法刻蝕的承載裝置，該承載裝置包括:
[0005]基臺(tái)；
[0006]設(shè)置于所述基臺(tái)并用于支撐基板的多個(gè)干刻電極；
[0007]套裝于每個(gè)干刻電極并將所述干刻電極與所述基板隔離的保護(hù)膜，且所述保護(hù)膜的韋氏硬度低于所述基板的韋氏硬度。
[0008]在上述技術(shù)方案中，基板直接與保護(hù)膜接觸，由于保護(hù)膜的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度，因此，在基板與保護(hù)膜之間出現(xiàn)滑動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜不會(huì)劃傷基板，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低了刻蝕后的不良率，進(jìn)而提高了基板刻蝕后的質(zhì)量。
[0009]優(yōu)選的，在所述保護(hù)膜與所述基板接觸時(shí)，所述保護(hù)膜與所述基板的接觸面積的直徑在0.3mm?0.5mm之間。限定了保護(hù)膜與基板的接觸面積，避免接觸過(guò)大。
[0010]優(yōu)選的，所述保護(hù)膜中位于所述干刻電極頂端上方的部分的厚度在0.2mm?0.7_之間。保證了干刻電極能夠通過(guò)靜電吸附住基板。
[0011]優(yōu)選的，所述多個(gè)保護(hù)膜通過(guò)連接膜連接。便于保護(hù)膜的安裝與生產(chǎn)。
[0012]優(yōu)選的，所述多個(gè)保護(hù)膜與所述連接膜為一體結(jié)構(gòu)。便于保護(hù)膜的安裝與生產(chǎn)。[0013]優(yōu)選的，所述連接膜通過(guò)連接件與所述基臺(tái)固定連接。使得保護(hù)膜能夠穩(wěn)定的固定在干刻電極上。
[0014]優(yōu)選的，所述連接膜與所述基臺(tái)粘接連接。通過(guò)粘接劑將保護(hù)膜固定在干刻電極上。
[0015]優(yōu)選的，所述保護(hù)膜為有機(jī)復(fù)合材料保護(hù)膜、塑料保護(hù)膜或樹脂保護(hù)膜。具有較強(qiáng)的支撐強(qiáng)度以及較低的韋氏硬度。
[0016]優(yōu)選的，所述保護(hù)膜為聚四氟乙烯保護(hù)膜或聚丙烯樹脂保護(hù)膜。具有較強(qiáng)的支撐強(qiáng)度以及較低的韋氏硬度。
[0017]本發(fā)明還提供了一種干法刻蝕裝置，該干法刻蝕裝置包括上述任一種承載裝置。
[0018]在上述技術(shù)方案中，基板直接與保護(hù)膜接觸，由于保護(hù)膜的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度，因此，在基板與保護(hù)膜之間出現(xiàn)滑動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜不會(huì)劃傷基板，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，進(jìn)而提高了基板刻蝕后的質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)膜與連接膜為一體結(jié)構(gòu)的使用狀態(tài)參考圖；
[0022]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的橫截面為錐形的保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的橫截面為弧形的保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]附圖標(biāo)記:
[0025]1-基臺(tái)2-干刻電極3-氣孔
[0026]4-保護(hù)膜5-連接膜6-連接件
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了提聞基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低了刻蝕后的不良率，進(jìn)而提聞基板刻蝕后的質(zhì)量，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種承載裝置。在本發(fā)明的技術(shù)方案中，在干刻電極上套裝韋氏硬度低于基板的保護(hù)膜，使得干刻電極在承載基板時(shí)通過(guò)保護(hù)膜與基板接觸，避免了基板被劃傷，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，進(jìn)而提高了基板刻蝕后的質(zhì)量。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下以非限制性的實(shí)施例為例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0028]如圖2所示，圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的承載裝置的結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，以玻璃基板為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于干法刻蝕的承載裝置，該承載裝置包括:
[0030]基臺(tái)I ;
[0031]設(shè)置于基臺(tái)I并用于支撐基板的多個(gè)干刻電極2 ；
[0032]套裝于每個(gè)干刻電極2并將干刻電極2與基板隔離的保護(hù)膜4，且保護(hù)膜4的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度。
[0033]在上述實(shí)施例中，基板在刻蝕時(shí)通過(guò)承載裝置來(lái)支撐，此時(shí)，基板直接與保護(hù)膜4接觸，并通過(guò)干刻電極2的靜電將基板吸附固定，由于保護(hù)膜4的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度，因此，在基板與保護(hù)膜4之間出現(xiàn)滑動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜4不會(huì)劃傷基板，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低了刻蝕后的不良率，進(jìn)而提高了基板刻蝕后的質(zhì)量。
[0034]其中的保護(hù)膜4為有機(jī)復(fù)合材料保護(hù)膜4、塑料保護(hù)膜4或樹脂保護(hù)膜4。具體的，該保護(hù)膜4可以由聚四氟乙烯、聚丙烯樹脂類為主材料的物理化學(xué)穩(wěn)定性好且耐高溫、高強(qiáng)度、耐沖擊的有機(jī)復(fù)合材料或其他塑料、樹脂材料制備而成，如:聚四氟乙烯，該材料除了上述性能之外，還有著優(yōu)異的耐化學(xué)腐蝕性能，也有著一個(gè)優(yōu)異的力學(xué)性能一摩擦因數(shù)小，其摩擦因數(shù)在0.01?0.10之間，加上其韋氏硬度也小于玻璃基板，故不會(huì)損傷玻璃基板，也能在特殊生產(chǎn)環(huán)境下穩(wěn)定使用。此外，為了達(dá)到使用要求，可以用石墨、二硫化鑰、三氧化二鋁、玻纖、碳纖維作為填充物，來(lái)提高純聚四氟乙烯力學(xué)性能。而聚丙烯樹脂選用抗沖擊性聚丙烯樹脂，它除了擁有常規(guī)聚丙烯樹脂的優(yōu)異性能外，在對(duì)其添加乙丙橡膠、聚烯烴等彈性體沖擊改性劑后，還擁有較強(qiáng)的物理力學(xué)性能及抗沖擊性能。
[0035]基臺(tái)I上設(shè)置的干刻電極2采用陣列排列或其他的方式排列，保護(hù)膜4與每個(gè)干刻電極2 —一對(duì)應(yīng)，由于干刻電極2之間是孤立的，因此，為了方便保護(hù)膜4的安裝，較佳的，多個(gè)保護(hù)膜4通過(guò)連接膜5連接，從而方便保護(hù)膜4在套裝在干刻電極2上時(shí)的定位，便于保護(hù)膜4的安裝。更佳的，作為一種優(yōu)選方案，多個(gè)保護(hù)膜4與連接膜5為一體結(jié)構(gòu)，從而便于保護(hù)膜4的生產(chǎn)以及安裝，同時(shí)，增強(qiáng)了保護(hù)膜4與干刻電極2之間的連接強(qiáng)度，在玻璃基板與保護(hù)膜4之間出現(xiàn)相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜4通過(guò)連接膜5將力進(jìn)行分散，從而保證了保護(hù)膜4能夠穩(wěn)定的套裝在干刻電極2上。
[0036]在保護(hù)膜4制作時(shí)，保護(hù)膜4與連接膜5可以采用一體成型，增加保護(hù)膜4的穩(wěn)定性，在具體的制備過(guò)程可以采用不同的生產(chǎn)工藝，如:擠壓成型、模具法或3D打印等方法制備。整個(gè)膜片在制備出后為整張一體的薄膜，且每?jī)蓚€(gè)電極上的保護(hù)膜4通過(guò)連接膜5連接。同時(shí)，現(xiàn)有的干刻電極2的基臺(tái)I上具有氣孔3，連接膜5上具有與該氣孔3匹配的通孔，從而保證從氣孔3吹出的冷氣能夠與玻璃基板接觸。為了保證吹出的冷氣能夠與玻璃基板充分接觸，較佳的，在保護(hù)膜4與玻璃基板接觸時(shí)，保護(hù)膜4與基板的接觸面積的直徑在0.3mm?0.5mm之間。具體的,保護(hù)膜4在與玻璃基板接觸時(shí)會(huì)發(fā)生一定得形變,形成一個(gè)圓形的接觸面，為了保證冷氣能夠充分與玻璃基板接觸，因此，保護(hù)膜4與玻璃基板的接觸面積越小越好，較佳的，該圓形接觸面的直徑可以為0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm等任意介于0.3mm到0.5mm之間的數(shù)值。
[0037]在承載裝置支撐玻璃基板時(shí)，需要通過(guò)干刻電極2上的靜電將玻璃基板進(jìn)行固定，因此，干刻電極2上的保護(hù)膜4的厚度不能太厚，以保證干刻電極2上的靜電能夠吸附住玻璃基板，較佳的，所述保護(hù)膜4中位于所述干刻電極2頂端上方的部分的厚度在
0.2mm?0.7mm之間。即位于干刻電極2的頂端的保護(hù)膜4的厚度在0.2mm?0.7mm之間，即位于干刻電極2頂端的保護(hù)膜4的厚度可以為:0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm等任意介于0.2mm?0.7mm之間的任意厚度值。更佳的，該膜厚選擇為0.5mm,即保證了保護(hù)膜4具有一定的厚度，使得保護(hù)膜4能夠有足夠的強(qiáng)度，避免磨損過(guò)大造成破損，同時(shí)，也保證了干刻電極2產(chǎn)生的靜電能夠吸附住玻璃基板。
[0038]保護(hù)膜4的外形結(jié)構(gòu)可以選用不同的形狀，如:所述保護(hù)膜4的橫截面為如圖3和圖4所示的錐面形形狀，也可以采用如圖5所示的弧面形形狀，或者其他的任意可實(shí)施的外形結(jié)構(gòu)，在此不再一一列舉。
[0039]通過(guò)上述描述可以看出，保護(hù)膜4僅需將干刻電極2以及玻璃基板隔離開來(lái)即可，只需位于干刻電極2的頂端上方的保護(hù)膜4具有一定的厚度、以及保護(hù)膜4與玻璃基板的接觸面積不過(guò)大即可，對(duì)于保護(hù)膜4其他部位的特征則無(wú)需進(jìn)行限制，因此，保護(hù)膜4其他部分可以采用鏤空或者其他結(jié)構(gòu)連減少其成本，同時(shí)也可以采用如圖3和圖4所示的包裹住干刻電極2的結(jié)構(gòu)，其具體結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況而定。
[0040]在保護(hù)膜4具體安裝時(shí)，可以采用不同的連接方式進(jìn)行固定，如通過(guò)連接件6固定，或通過(guò)粘接劑粘接，如圖4和圖5所示，采用在每隔一段合適的距離使用連接件6將其固定在基臺(tái)I上，如圖3所示，采用粘結(jié)劑，使得連接膜5緊貼在基臺(tái)I上，從而保證貼附后的承載裝置的平坦度及穩(wěn)定性。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種干法刻蝕裝置，該干法刻蝕裝置包括上述任一種承載裝置。
[0042]在上述實(shí)施例中，采用基板直接與保護(hù)膜4接觸，并通過(guò)干刻電極2的靜電將基板吸附固定，由于保護(hù)膜4的韋氏硬度低于基板的韋氏硬度，因此，在基板與保護(hù)膜4之間出現(xiàn)滑動(dòng)時(shí)，保護(hù)膜4不會(huì)劃傷基板，提高了基板在刻蝕時(shí)的安全性，降低了刻蝕后的不良率，進(jìn)而提聞了基板刻蝕后的質(zhì)量。
[0043]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于干法刻蝕的承載裝置，其特征在于，包括: 基臺(tái); 設(shè)置于所述基臺(tái)并用于支撐基板的多個(gè)干刻電極； 套裝于每個(gè)干刻電極并將所述干刻電極與所述基板隔離的保護(hù)膜，且所述保護(hù)膜的韋氏硬度低于所述基板的韋氏硬度。
2.如權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，在所述保護(hù)膜與所述基板接觸時(shí)，所述保護(hù)膜與所述基板的接觸面積的直徑在0.3mm?0.5mm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜中位于所述干刻電極頂端上方的部分的厚度在0.2mm?0.7mm之間。
4.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的承載裝置，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)膜通過(guò)連接膜連接。
5.如權(quán)利要求4所述的承載裝置，其特征在于，所述多個(gè)保護(hù)膜與所述連接膜為一體結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的承載裝置，其特征在于，所述連接膜通過(guò)連接件與所述基臺(tái)固定連接。
7.如權(quán)利要求5所述的承載裝置，其特征在于，所述連接膜與所述基臺(tái)粘接連接。
8.如權(quán)利要求5所述的承載裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜為有機(jī)復(fù)合材料保護(hù)膜、塑料保護(hù)膜或樹脂保護(hù)膜。
9.如權(quán)利要求8所述的承載裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜為聚四氟乙烯保護(hù)膜或聚丙烯樹脂保護(hù)膜。
10.一種干法刻蝕裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的承載裝置。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103913876SQ201410098750
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】梁魁, 陳曦, 封賓, 袁劍峰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司