光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠提高了散熱性且容易進行布線處理的光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊。其中，光布線基板（3）具備由金屬構成的第一導體層（31）、與第一導體層（31）平行配置的由金屬構成的第二導體層（32）、使第一導體層（31）和第二導體層（32）之間絕緣的絕緣體層（34），在該光布線基板（3）上安裝了包括光電轉換元件（11）的電子部件，在第二導體層（32）以及絕緣體層（34）以沿厚度方向貫通第二導體層（32）及絕緣體層（34）的方式形成有其內表面（60a）被實施了鍍銅層（33）的通孔（6），通孔（6）被配置成，由第一導體層（31）封堵的底面（60b）的至少一部分俯視時與安裝于第一導體層（31）的電子部件的焊盤的配置位置重合。
【專利說明】光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及形成了布線圖案的光布線基板及其制造方法、以及具有光布線基板的 光模塊。

【背景技術】
[0002] 以往，公知有電布線被圖案化，且安裝了光電轉換元件的光模塊(例如參照專利文 獻1)。
[0003] 專利文獻1所記載的光模塊具備：基板，其由絕緣樹脂層及形成于該絕緣樹脂層 的表面的金屬層構成；光電轉換元件，其被倒裝芯部片安裝在該基板上；半導體電路元件， 其通過引線接合法與基板連接；光波導，其與光纖光學連接；光信號路徑轉換部件，其形成 有對在光纖以及光波導的內部傳播的光進行反射的反射面。光電轉換元件的受發(fā)光面與光 信號路徑轉換部件的反射面對置。
[0004] 現有技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開2009-151072號公報
[0007] 然而，隨著近些年的信息處理裝置、通信裝置等電子設備中的部件的高密度化，也 要求光模塊小型化。然而，若光模塊小型化，則光布線基板的散熱面積也變小，從安裝于光 布線基板的電子部件產生的熱量不易散發(fā)。存在電子部件因光模塊內的溫度上升而損傷的 可能性。


【發(fā)明內容】

[0008] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠提高散熱性，且容易實施布線處理的光布線基 板、光布線基板的制造方法、以及光模塊。
[0009] 本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種光布線基板，該光布線基板具備由金屬 構成的第一導體層、與上述第一導體層平行配置的由金屬構成的第二導體層、以及使上述 第一導體層和上述第二導體層之間絕緣的絕緣體層，在該光布線基板上安裝有包括光電轉 換元件的電子部件，在上述第二導體層以及上述絕緣體層，以沿厚度方向貫通上述第二導 體層以及上述絕緣體層的方式形成有其內表面鍍覆了金屬的通孔，上述通孔被配置成，由 上述第一導體層封堵的底面的至少一部分俯視時與安裝于上述第一導體層的上述電子部 件的焊盤的配置位置重合。
[0010] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種具備上述光布線基板和上述電子 部件的光模塊。
[0011] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種光布線基板的制造方法，其是技術 方案1或2所述的光布線基板的制造方法，具有：在上述絕緣體層的第一主面形成上述第一 導體層，且在上述絕緣體層的第二主面形成第二導體層的第一工序；去除上述第一導體層 的一部分而形成布線圖案的第二工序；在整個厚度方向上對上述第二導體層以及上述絕緣 體層穿孔直至到達上述第一導體層的第三工序；在由上述第三工序形成的孔的內表面以及 上述第二導體層的表面形成鍍覆層的第四工序。
[0012] 根據本發(fā)明的光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊，能夠提供散熱 性，且容易進行布線處理。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式的光布線基板、以及具備該光布線基板的光模塊的 一個構成例的俯視圖。
[0014] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。
[0015] 圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的E部放大圖。
[0016] 圖4是圖1的D-D線剖視圖。
[0017] 圖5是圖1的C部放大圖。
[0018] 圖6 (a)?（e)是表示光布線基板的收納部及其周邊部的形成過程的剖視說明圖。
[0019] 圖中：1 一光模塊，3-光布線基板，3a-安裝面，4一按壓部件，5 -光纖，5a-前 端面，6-通孔，11 一光電轉換兀件，12 -半導體電路兀件，31-第一導體層，31a-表面， 31b一背面，32-第二導體層，32a-表面，32b-背面，33-鍛銅層，34-絕緣體層，34a-第 一王面，34b -第_王面，34c -端面，41 一凹部，41a -內表面，51 -芯部，52 -包層，60- 底孔，60a -內表面，60b-底面，61-第一通孔，62-第_通孔，63-第二通孔，110-王體 部，111 一第一焊盤，112-第_.焊盤，113-第二焊盤，114 一受發(fā)光部，120-王體部，121、 121a -焊盤，300-收納部，300a-支承面，301-第一布線圖案，302-第二布線圖案， 303-第三布線圖案，303a-反射面，304-半導體電路元件用布線圖案，311-基底導體 層，311a-表面，311b-背面，311c-傾斜面，311d -去除部分，311e -凹部，312-鍛鎮(zhèn)層， 313-鍍金層，610b、620b、630b-底面，L一光路。

【具體實施方式】
[0020] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式的光布線基板、以及具備該光布線基板的光模塊的 一個構成例的俯視圖。
[0021] (光模塊1的構成）
[0022] 該光模塊1具備光布線基板3、倒裝芯部片安裝于光布線基板3的安裝面3a的光 電轉換元件11、以及與光電轉換元件11電連接的半導體電路元件12。
[0023] 光電轉換元件11在主體部110設置有第一焊盤111、第二焊盤112、以及第三焊 盤。這里，焊盤是用于將要安裝的部件安裝于基板的表面的軟釬焊用的銅箔。第一焊盤111 與形成于光布線基板3的安裝面3a的第一布線圖案301電連接。第二焊盤112與形成于 光布線基板3的安裝面3a的第二布線圖案302電連接。第三焊盤113與形成于光布線基 板3的安裝面3a的第三布線圖案303電連接。在第三布線圖案303形成有用于反射在光 纖5中傳播的光的反射面303a。光電轉換元件11被安裝于該反射面303a的上方。
[0024] 在本實施方式中，光電轉換元件11的與光纖5的長度方向平行的方向的尺寸例如 是350 μ m，與光纖5的長度方向垂直的方向的尺寸例如是250 μ m。
[0025] 光電轉換元件11是將電信號轉換為光信號，或將光信號轉換為電信號的元件。作 為前者的例子，列舉半導體激光元件、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等發(fā)光元 件。另外，作為后者的例子，列舉光電二極管等受光元件。光電轉換元件11構成為從設置 于光布線基板3的安裝面3a側的受發(fā)光部114向與光布線基板3垂直的方向射出或入射 光。
[0026] 半導體電路元件12被倒裝芯部片安裝于光布線基板3的安裝面3a，在主體部120 設置有多個(在本實施方式中為10個)焊盤121。多個焊盤121分別與形成于光布線基板3 的安裝面3a的半導體電路元件用布線圖案304電連接。多個焊盤121中的信號傳輸用的 一個焊盤121a與連接了光電轉換元件11的第三焊盤113的第三布線圖案303連接，由此， 半導體電路元件12和光電轉換元件11電連接。
[0027] 在光電轉換元件11是將電信號轉換為光信號的元件的情況下，半導體電路元件 12是驅動光電轉換兀件11的驅動1C。在光電轉換兀件11是將光信號轉換為電信號的兀 件的情況下，半導體電路元件12是對從光電轉換元件11輸入的信號進行放大的接收1C。
[0028] 另外，在光布線基板3上除了安裝有光電轉換元件11以及半導體電路元件12之 夕卜，還可以安裝連接器、IC (Integrated Circuit)、或有源元件（晶體管等)、無源元件（電阻 器、電容器等）等電子部件。另外，也可以在電子部件和光布線基板3之間填充具有導熱性 的樹脂。該情況下，從電子部件產生的熱量容易經由樹脂傳遞至光布線基板3。
[0029] 光纖5被配置成其前端面與形成于第三布線圖案303的反射面303a對置，被按壓 部件4從光布線基板3的安裝面3a的上方按壓。
[0030] (光布線基板3的構成）
[0031] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的E部放大圖。
[0032] 光纖5具有芯部51以及包層52。在本實施方式中，光纖5的芯部51的直徑例如 是50 μ m，包層52的徑向的厚度例如是37. 5 μ m。即，光纖5的直徑(將芯部51以及包層52 加在一起的直徑）是125 μ m。
[0033] 光布線基板3具備由金屬構成的第一導體層31、與第一導體層31平行配置的由金 屬構成的第二導體層32、對第一導體層31和第二導體層32之間進行絕緣的絕緣體層34。
[0034] 第一導體層31例如是在由銅等導電性良好的的金屬構成的基底導體層311的表 面31 la層疊由鎳（Ni)構成的鍍鎳層312以及由金（Au)構成的鍍金層313而構成的。在本 實施方式中，第一導體層31的厚度例如是40?80 μ m。
[0035] 如圖3 (b)所示，鍍鎳層312以及鍍金層313也層疊在形成于基底導體層311的 傾斜面311c的表面。反射面303a形成于傾斜面311c的鍍金層313的最外層表面。
[0036] 在第一導體層31形成有上述的第一布線圖案301、第二布線圖案302、第三布線圖 案303、以及半導體電路元件用布線圖案304。形成于第三布線圖案303的一部分的反射面 303a (傾斜面311c)形成在與光纖5的芯部51對置的位置。
[0037] 如圖3 (a)所不，從光纖5 (芯部51)射出光時，反射面303a將該出射光反射至光 電轉換元件11側。在光電轉換元件11為受光元件的情況下，由反射面303a反射的光從設 置于光電轉換元件11的主體部110的受發(fā)光部114入射至光電轉換元件11內，光電轉換 元件11將基于該入射光的光信號轉換為電信號。
[0038] 另外，在光電轉換元件11為發(fā)光元件的情況下，光電轉換元件11將從半導體電路 元件12輸出的電信號轉換為光信號，從受發(fā)光部114射出表示該光信號的光。該出射光被 反射面303a反射至光纖5前端面5a側，而入射至芯部51內，在光纖5內傳播。在圖3(a) 中，以單點劃線表示將光纖5作為傳輸介質的光的光路L。
[0039] 絕緣體層34例如由聚酰亞胺等樹脂構成。絕緣體層34的厚度方向的尺寸是光纖 5的包層52的徑向的厚度尺寸的0. 8倍以上1. 2倍以下。在本實施方式中，絕緣體層34的 厚度方向的尺寸例如是38 μ m。
[0040] 在光布線基板3以跨越第一導體層31以及絕緣體層34的整個厚度方向的方式形 成有沿光纖5的長度方向延伸且容納光纖5的至少一部分的收納部300。在該收納部300 的一端(末端）的絕緣體層34形成有與光纖5的包層52對置的端面34c。
[0041] 第二導體層32例如由銅等導電性良好的的金屬構成，具有對收納于收納部300的 光纖5進行支承的支承面300a。更具體而言，收納部300貫通第一導體層31以及絕緣體層 33的整個厚度方向，且露出了第二導體層32的背面32b。因此，第二導體層32的背面32b 的一部分形成為收納部300的支承面300a。另外，第二導體層32在表面32a層疊有由銅 (Cu)構成的鍍銅層33。另外，與第一導體層31相同，也可以在第二導體層32形成布線圖 案。
[0042] 如圖2所示，收納部300被按壓部件4從第一導體層31的上方覆蓋，通過填充至 收納部300內的粘接劑等將光纖5固定。在本實施方式中，光纖5的包層52的外周面與收 納部300的內表面接觸。
[0043] 圖4是圖1的D-D線剖視圖。圖5是圖1的C部放大圖。在圖5中，以雙點劃線 表不光電轉換兀件11以及半導體電路兀件12,以虛線表不多個第一通孔61。
[0044] 在第二導體層32以及絕緣體層34上形成有沿厚度方向貫通第二導體層32以及 絕緣體層34而形成的多個通孔6。更具體而言，如圖4所示，通孔6構成為，具有底孔60， 該底孔60沿厚度方向貫通第二導體層32以及絕緣體層34,且形成有被第一導體層31的背 面31b封堵的底面60b，在通孔6的內表面60a鍍覆金屬而構成。因此，第一導體層31的 背面31b的一部分形成為底孔60的底面60b。在本實施方式中，利用層疊于第二導體層32 的表面32a的鍍銅層33,對底孔60的內表面60a以及底面60b實施鍍覆。
[0045] 多個通孔6配置成，在從光布線基板3的安裝面3a (參照圖1)側觀察的俯視視圖 中，底面60b的至少一部分與安裝于第一導體層31的表面31a的光電轉換元件11的焊盤 (第一焊盤111、第二焊盤112、以及第三焊盤113)、以及半導體電路元件12的焊盤121的配 置位置重疊。參照圖5,更加具體地進行說明。在圖5中，將針對光電轉換元件11的第一焊 盤111的通孔設為第一通孔61、將針對半導體電路元件12的焊盤121的通孔設為第二通孔 62、將針對光電轉換元件11的第三焊盤113的通孔設為第三通孔63進行說明。
[0046] 第一通孔61被配置成，在從光布線基板3的安裝面3a側觀察的俯視視圖中，底面 610b的一部分與連接于第一布線圖案301的光電轉換元件11的第一焊盤111的配置位置 重疊。更具體而言，從第一導體層31的表面31a側透視光布線基板3時，第一通孔61的底 面610b與光電轉換元件11的第一焊盤111的一部分重疊。
[0047] 第三通孔63被配置成，從光布線基板3的安裝面3a側觀察的俯視視圖中，底面 630b與連接于第三布線圖案303的光電轉換元件11的第三焊盤113的配置位置重疊。更 具體而言，從第一導體層31的表面31a側透視光布線基板3時，第三通孔63的底面630b 與光電轉換元件11的第三焊盤113的整體重疊。另外，第三通孔63也可以像第一通孔61 那樣，其底面630b與第三焊盤113的一部分重疊。
[0048] 多個(在圖5中為三個）第二通孔62分別被配置成，從光布線基板3的安裝面3a 側觀察的俯視視圖中，底面620b與連接于半導體電路元件用布線圖案304的半導體電路元 件12的多個(在圖5中為三個）的焊盤121的配置位置重疊。更具體而言，在從第一導體 層31的表面31a側透視光布線基板3時，第二通孔62的底面620b與光電轉換元件12的 焊盤121的整體重疊。另外，第二通孔62也可以像第一通孔61那樣，其底面620b與焊盤 121的一部分重疊。
[0049] 如圖4所示，也可以將多個通孔6中的任意一個通孔6配置成，從光布線基板3的 安裝面3a側觀察的俯視視圖中，底面60b的至少一部分與半導體電路元件12的主體部120 的配置位置重疊。由此，能夠更高效地將從半導體電路元件12產生的熱量傳遞至第二導體 層32。另外，并不局限于將多個通孔6中的任意一個通孔6配置成，底面60b的至少一部分 與半導體電路元件12的主體部120的配置位置重疊，也可以配置成與光電轉換元件11的 主體部110、以及其他的電子部件的主體部的配置位置重疊。
[0050] (光布線基板3的制造方法）
[0051] 接下來，參照圖6對光布線基板3的制造方法進行說明。
[0052] 圖6 (a)?（e)是表示光布線基板3的收納部300及其周邊部的形成過程的剖視 說明圖。
[0053] 光布線基板3的制造工序具有：在絕緣體層34的第一主面34a形成基底導體層 311，且在絕緣體層34的第二主面34b形成第二導體層32的第一工序；去除基底導體層311 的一部分而形成布線圖案(第一布線圖案301、第二布線圖案302、第三布線圖案303、以及 半導體電路元件用布線圖案304)，且形成成為收納部300的凹部311e的第二工序；在基底 導體層311形成傾斜面311c的第三工序；以跨越整個厚度方向的方式對第二導體層32以 及絕緣體層34進行穿孔直至到達基底導體層311 (第一導體層31)而形成底孔60,且跨越 整個厚度方向地去除相當于凹部311e的底面的絕緣體層34直至到達第二導體層32而形 成收納部300以及端面34c的第四工序；在第二導體層32的表面32a以及底孔60的內表 面60a形成鍍銅層33的第五工序；在基底導體層311的表面311a、第二導體層32的背面 32b、以及傾斜面311c層疊鍍鎳層312以及鍍金層313的第六工序。以下，對第一?第六工 序進行更加詳細的說明。
[0054] 在第一工序中，如圖6 (a)所示，例如通過粘接、蒸鍍、或化學鍍在絕緣體層34的 第一主面34a的整體形成基底導體層311，在絕緣體層34的第二主面34b的整體形成第二 導體層32。在本實施方式中，基底導體層311以及第二導體層32主要由具有良好的導電性 的銅構成。
[0055] 在第二工序中，如圖6 (b)所示，通過蝕刻去除基底導體層311的一部分，分別形 成第一布線圖案301、第二布線圖案302、第三布線圖案303、以及半導體電路元件用布線圖 案304,且形成成為收納部300的凹部311e。更具體而言，在與基底導體層311的去除部分 311d對應的部分以及與凹部311e對應的部分以外的部分涂敷抗蝕劑，通過蝕刻使未涂敷 抗蝕劑的部分的基底導體層311溶解。由此，與去除部分31 Id以及凹部31 le對應的基底 導體層311溶解，僅留下與第一布線圖案301、第二布線圖案302、第三布線圖案303、以及半 導體電路元件用布線圖案304對應的基底導體層311。
[0056] 另外，在本工序中，也可以與基底導體層311同樣地，通過蝕刻去除第二導體層32 的一部分，在第二導體層32形成布線圖案。
[0057] 在第三工序中，如圖6 (c)所示，從基底導體層311的表面311a朝向背面311b相 對于絕緣體層34傾斜地切削基底導體層311，從而形成傾斜面311c。
[0058] 在第四工序中，如圖6 (d)所示，從與第二導體層32的表面32a垂直的方向照射 激光。作為該激光，更具體而言，例如能夠使用準分子激光器、UV激光器(紫外線激光器)。 通過該激光的照射，第二導體層32以及絕緣體層34被在厚度方向上穿孔，形成底孔60。在 本實施方式中，通過調節(jié)激光的照射時間，能夠僅照削（照射光而削除）第二導體層32以及 絕緣體層34。因此，基底導體層311的背面311b的通過該激光的照射而露出的部分形成為 封堵底孔60的一端的底面60b。
[0059] 另外，在第四工序中，從與相當于凹部311e的底面的絕緣體層34的第一主面34a 垂直的方向照射激光。由此，形成收納光纖5的收納部300,且收納部300的末端的端面34c 形成于絕緣體層34。該激光的強度是能夠照削絕緣體層34但不會照削基底導體層311以 及第二導體層32的強度。因此，第二導體層32的背面32b的通過該激光的照射而露出的 部分形成為收納部300的支承面300a。在本實施方式中，端面34c形成為與收納部300的 支承面300a (第二導體層32的背面32b)垂直，成為將光纖5插入收納部300時用于定位 的限位面。
[0060] 在第五工序中，如圖6 (e)所示，例如通過粘接、蒸鍍、或化學鍍在第二導體層32 的表面32a的整體以及底孔60的內表面60a形成鍍銅層33。
[0061] 在第六工序中，在基底導體層311的表面31 la、傾斜面311c以及第二導體層32的 表面32a實施鎳（Ni)、金（Cu)的鍍覆等，形成鍍鎳層312以及鍍金層313。例如能夠通過化 學鍍進行該鍍鎳（Ni)以及鍍金（Au)。在鍍金層13的最外層表面形成反射面303a。
[0062] (實施方式的作用以及效果）
[0063] 根據以上說明的第一實施方式，得到以下作用以及效果。
[0064] 由于形成于光布線基板3的多個通孔6被配置成，從光布線基板3的安裝面3a側 觀察的俯視視圖中，底面60b的至少一部分與安裝于第一導體層31的光電轉換元件11的 焊盤(第一焊盤111、第二焊盤112、以及第三焊盤113)、以及半導體電路元件12的焊盤121 的配置位置重疊，所以，能夠經由通孔6將從光電轉換元件11以及半導體電路元件12產生 的熱量傳遞至第二導體層32而得以散發(fā)。另外，經由通孔6,從第一導體層31向第二導體 層32的布線處理變得容易。
[0065] (實施方式的總結）
[0066] 接下來，引用實施方式的附圖標記等記載能夠從以上說明的實施方式把握的技術 思想。但以下記載的各附圖標記等并不將要求保護的范圍中的構成要素局限于實施方式所 具體示出的部件等。
[0067] [1] 一種光布線基板（3)，該光布線基板（3)具備由金屬構成的第一導體層（31)、 與上述第一導體層（31)平行配置的由金屬構成的第二導體層（32)、使上述第一導體層 (31)和上述第二導體層（32)之間絕緣的絕緣體層（34)，在該光布線基板（3)上安裝了包括 光電轉換元件（11)的電子部件，在上述第二導體層（32 )以及上述絕緣體層（34)，以沿厚度 方向貫通上述第二導體層（32)以及上述絕緣體層（34)的方式形成有其內表面（60a)鍍覆 了金屬（鍍銅層33)的通孔（6)，上述通孔（6)被配置成，由上述第一導體層（31)封堵的底 面（60b)的至少一部分俯視時與安裝于上述第一導體層（31)的上述電子部件的焊盤的配 置位置重合。
[0068] [2]根據[1]所述的光布線基板（3)，上述通孔（6)的底面（60b)的至少一部分俯 視時與上述光電轉換元件（11)的焊盤(第一焊盤111、第二焊盤112、第三焊盤113)的配置 位置重合。
[0069] [3] -種具備[1]或[2]所述的光布線基板（3)和上述電子部件的光模塊（1)。
[0070] [4] -種光布線基板（3)的制造方法，其是[1]或[2]所述的光布線基板（3)的制 造方法，具有：在上述絕緣體層（34)的第一主面（34a)形成上述第一導體層（31 )，且在上述 絕緣體層（34)的第二主面（34b)形成第二導體層（32)的第一工序；去除上述第一導體層 (31)的一部分而形成布線圖案(第一布線圖案301、第二布線圖案302、第三布線圖案303、 以及半導體電路元件用布線圖案304)的第二工序；跨越整個厚度方向地對上述第二導體 層（32)以及上述絕緣體層（34)穿孔直至到達上述第一導體層（31)的第三工序；在由上述 第三工序形成的孔(底孔60)的內表面（60a)、以及上述第二導體層（32)的表面（32a)形成 鍍覆層(鍍銅層33)的第四工序。
[0071] 以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但上述所記載的實施方式并不對要求保 護的范圍所涉及的發(fā)明進行限定。另外，應注意如下這點，并不是在實施方式中說明的特征 的結合的全部都是用于解決發(fā)明的課題的方法所必須的。
[0072] 在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內，能夠適當加以變形來實施本發(fā)明。例如，在上述 實施方式中，對在光布線基板3形成了一個收納部300以及光模塊1的情況進行了說明，但 并不局限于此，也可以在光布線基板3上形成多個收納部300以及光模塊結構。
[0073] 另外，在上述實施方式中，對第一導體層31的基底導體層311以及第二導體層 32為銅（Cu)的情況進行了說明，但并不局限于此，第一導體層31的基底導體層311以及 第二導體層32的一部分或全部例如也可以是鋁（A1)。另外，鍍層中的材質也不局限于上 述的材質。絕緣體層34的材質也不局限于聚酰亞胺，例如也可以是PET (Polyethylene terephthalate :聚對苯二甲酸乙二醇酯）。
[0074] 另外，在上述實施方式中，使用激光形成了底孔60、收納部300,但并不局限于此， 也可以通過調節(jié)了激光的透射率的蔭罩卜''一々）、切割等機械加工來形成。在機 械加工的情況下，能夠以比利用激光的加工的成本更低的成本來形成底孔60、收納部300。
[0075] 另外，在上述實施方式中，第二通孔62僅形成于半導體電路元件12的下方，但并 不局限于此，也可以形成于光電轉換元件11、其他的圖示省略的電子部件的下方。
[0076] 另外，第二通孔62也可以是跨越整個厚度方向地貫通第一導體層31、絕緣體層 34、以及第二導體層32而形成的貫通孔。
【權利要求】
1. 一種光布線基板，該光布線基板具備由金屬構成的第一導體層、與上述第一導體層 平行配置的由金屬構成的第二導體層、以及使上述第一導體層和上述第二導體層之間絕緣 的絕緣體層，在該光布線基板上安裝有包括光電轉換元件的電子部件， 上述光布線基板的特征在于， 在上述第二導體層以及上述絕緣體層，以沿厚度方向貫通上述第二導體層以及上述絕 緣體層的方式形成有其內表面鍍覆了金屬的通孔， 上述通孔被配置成，由上述第一導體層封堵的底面的至少一部分俯視時與安裝于上述 第一導體層的上述電子部件的焊盤的配置位置重合。
2. 根據權利要求1所述的光布線基板，其特征在于， 上述通孔的底面的至少一部分俯視時與上述光電轉換元件的焊盤的配置位置重合。
3. -種具備權利要求1或2所述的光布線基板和上述電子部件的光模塊。
4. 一種光布線基板的制造方法，其是權利要求1或2所述的光布線基板的制造方法，其 特征在于，具有 ： 在上述絕緣體層的第一主面形成上述第一導體層，且在上述絕緣體層的第二主面形成 第二導體層的第一工序； 去除上述第一導體層的一部分而形成布線圖案的第二工序； 跨越整個厚度方向地對上述第二導體層以及上述絕緣體層穿孔直至到達上述第一導 體層的第三工序； 在由上述第三工序形成的孔的內表面以及上述第二導體層的表面形成鍍覆層的第四 工序。
【文檔編號】G02B6/42GK104142544SQ201410103444
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權日:2013年5月7日
【發(fā)明者】安田裕紀, 平野光樹, 石川浩史 申請人:日立金屬株式會社