液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造方法。通過在第一基底基板上形成第一取向?qū)觼碇圃煲壕э@示裝置。第二取向?qū)有纬稍诘诙谆迳?。液晶設(shè)置在第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械囊粋€上。第一基底基板和第二基底基板組合。通過在對應(yīng)基底基板上形成取向溶液來形成第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械闹辽僖粋€。通過固化取向溶液來形成取向?qū)印Ｍㄟ^在基底基板上照射光，首先清洗基底基板，然后烘烤取向?qū)觼砣∠蛩鋈∠驅(qū)印?br> 【專利說明】液晶顯示裝置的制造方法
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2013年6月19日提交的韓國專利申請No. 10-2013-0070442的優(yōu)先 權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本公開內(nèi)容涉及液晶顯示裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 通常，液晶顯示裝置被分為扭曲向列液晶顯示裝置、水平電場施加型液晶顯示裝 置、或垂直取向液晶顯示裝置。
[0005] 在不施加電場的情況下，垂直取向液晶顯示裝置沿第一方向取向，液晶分子的縱 軸相對于基板表面垂直取向。因此，視角較大且對比率也較大。
[0006] 為了在不施加電場的情況下沿第一方向取向液晶分子，可以使用摩擦法或光取向 法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本公開內(nèi)容提供了一種使用光取向法形成取向?qū)拥姆椒ā?br> [0008] 本公開還提供了一種使用形成取向?qū)拥姆椒ㄖ圃斓母唢@示質(zhì)量的液晶顯示裝置。
[0009] 本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種液晶顯示裝置的制造方法，包括在第一基底 基板上形成第一取向?qū)右约霸诘诙谆迳闲纬傻诙∠驅(qū)印Ｔ撝圃旆椒òㄔ诘谝蝗?向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械囊粋€上滴液晶，以及組合第一基底基板和第二基底基板。
[0010] 通過在對應(yīng)基底基板上形成取向溶液并固化取向溶液以形成取向?qū)觼硇纬傻谝?取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械闹辽僖粋€。通過在基底基板上照射光以取向所述取向?qū)?，對基?基板進(jìn)行第一清洗，然后烘烤取向?qū)觼硇纬傻谝蝗∠驅(qū)雍偷诙∠驅(qū)又械闹辽僖粋€。
[0011] 在本發(fā)明的至少一個示例性實施方式中，第一清洗可以是濕法清洗。在這種情況 下，可以使用去離子水清洗基底基板。第一清洗可以進(jìn)一步包括使用泡沫噴射和氣刀。
[0012] 在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一清洗可以是干法清洗。在這種情況下，第一清 洗可以使用超聲波進(jìn)行。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，可以在曝光取向溶液之后在基底基板上進(jìn)行異物 的檢測。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種使用光取向法形成取向?qū)拥姆椒ā?br> [0015] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種質(zhì)量高、缺陷率減少的液晶顯示裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 發(fā)明概念的上述和其他特征通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實施方式而變得更 加顯而易見，在附圖中：
[0017] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置的框圖；
[0018] 圖2是圖1中所示的像素的等效電路圖；
[0019] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置的平面圖；
[0020] 圖4是沿圖3中的Ι-Γ線的截面圖；
[0021] 圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置的制造方法的流程 圖；
[0022] 圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的形成取向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D；
[0023] 圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的形成取向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D；
[0024] 圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的形成取向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D；
[0025] 圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的形成取向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D；
[0026] 圖10是示出了在曝光之后進(jìn)行烘烤或不進(jìn)行烘烤的情況下的取向?qū)拥母飨虍愋?特性的示圖；
[0027] 圖11是用于比較根據(jù)形成取向?qū)拥姆椒ǖ娜毕萋实氖緢D；
[0028] 圖12是示出了當(dāng)在進(jìn)行曝光之后使用超聲波進(jìn)行清洗時的異物數(shù)量的示圖；
[0029] 圖13示出了在進(jìn)行清洗或不進(jìn)行清洗的情況下的最終制造出的液晶顯示裝置的 產(chǎn)率；
[0030] 圖14是示出了在進(jìn)行清洗或不進(jìn)行清洗的情況下的最終制造出的液晶顯示裝置 的異物數(shù)量的示圖；
[0031] 圖15是示出了在進(jìn)行清洗或不進(jìn)行清洗的情況下的對比率的示圖；
[0032] 圖16是示出了在進(jìn)行清洗或不進(jìn)行清洗的情況下的余像的示圖。

【具體實施方式】
[0033] 下文將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。然而，本發(fā)明的 實施方式可實施為多種不同形式且不應(yīng)解釋為受限于本文中陳述的實施方式。相反，這些 實施方式的提供使得公開內(nèi)容是全面且完整的，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員完整傳達(dá)了本發(fā)明 的范圍。
[0034] 在附圖中，類似的參考編號可以用于類似的元件。為了清楚說明，可能放大層和區(qū) 域的尺寸。需要理解的是，雖然在本文中可能用術(shù)語第一、第二等來描述各個元件，但這些 元件不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。
[0035] 還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層(或膜）被稱為'在另一層或基板上'時，該層(或膜）可以直 接在另一層或基板上，或這還可以存在中間層。進(jìn)一步地，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層被稱為'在另 一層下方'時，該層可以直接在下方，以及還可以存在一個或多個中間層。另外，還應(yīng)當(dāng)理解 的是，當(dāng)層被稱為'在兩個層之間'時，該層可以是兩個層之間的僅一個層，或還可存在一個 或多個中間層。同樣的參考編號在全文中可以表不同樣的兀件。
[0036] 下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施方式。
[0037] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置的框圖，圖2是圖1中所示 的像素的等效電路圖。
[0038] 參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置可以包括圖像顯示部分 DPP、柵極驅(qū)動部分⑶R、用于驅(qū)動圖像顯示部分DPP的數(shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR、以及用于控制柵 極驅(qū)動部分GDR和數(shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR的驅(qū)動的定時控制器TC。
[0039] 圖像顯示部分DPP可以包括多根柵極線GL、多根數(shù)據(jù)線DL以及多個像素PXL。如 圖2所示,例如，圖像顯示部分DPP可以包括液晶顯示面板,該液晶顯示面板包括第一基板 SUBl、面向第一基板SUBl的第二基板SUB2、以及設(shè)置在第一基板SUBl與第二基板SUB2之 間的液晶層LC。
[0040] 多根柵極線GL和多根數(shù)據(jù)線DL設(shè)置在第一基板SUBl上。多根柵極線GL可以沿 列方向延伸并且沿行方向布置成彼此平行。多根數(shù)據(jù)線DL可以沿行方向延伸并且沿列方 向布置成彼此平行。
[0041] 多個像素PXL可以分別與柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL連接，并且每個像素PXL可以包 括薄膜晶體管（Tr)、液晶電容器Clc以及存儲電容器Cst。
[0042] 薄膜晶體管（Tr)可以包括與柵極線GL連接的柵電極、與數(shù)據(jù)線DL連接的源電極 以及與液晶電容器Clc和存儲電容器Cst連接的漏電極。
[0043] 液晶電容器Clc可以包括設(shè)置在第一基板SUBl上作為兩個端子的像素電極PE和 公共電極CE。液晶層LC可以用作電介質(zhì)。像素電極PE可以與薄膜晶體管Tr的漏電極進(jìn) 行電連接，公共電極CE可以接收參考電壓Vcom。
[0044] 每個像素PXL可以包括設(shè)置在第二基板SUB2上與像素電極PE對應(yīng)并示出多個基 色中的一個或多個的濾色片CF。與圖2不同，濾色片CF可以形成在像素電極PE上或下方， 該像素電極PE設(shè)置在第一基板SUBl上。
[0045] 參照圖1，定時控制器TC可以從液晶顯示裝置的外面接收多個圖像信號RGB和多 個控制信號CS。定時控制器TC可以轉(zhuǎn)換圖像信號RGB的數(shù)據(jù)格式以匹配數(shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR 的接口規(guī)范，并向數(shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR提供所轉(zhuǎn)換的圖像信號R'G'B'。定時控制器TC可以 生成數(shù)據(jù)控制信號D-CS，例如輸出啟動信號、水平啟動信號等。定時控制器TC可以基于多 個控制信號CS生成柵極控制信號G-CS，例如垂直啟動信號、垂直時鐘信號以及垂直時鐘條 信號?？梢韵驍?shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR提供數(shù)據(jù)控制信號D-CS，并且可以向柵極驅(qū)動部分GDR提 供柵極控制信號G-CS。
[0046] 柵極驅(qū)動部分GDR可以響應(yīng)于從定時控制器TC提供的柵極控制信號G-CS依次輸 出柵極信號。因此，可以通過柵極信號以列單位依次掃描多個像素PXL。
[0047] 數(shù)據(jù)驅(qū)動部分DDR響應(yīng)于從定時控制器TC提供的數(shù)據(jù)控制信號D-CS將圖像信號 R'G'B'轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓并輸出所述數(shù)據(jù)電壓?？梢詫⑺敵龅臄?shù)據(jù)電壓施加給圖像顯示 部分DPP。
[0048] 因此，每個像素PXL可以由柵極信號導(dǎo)通，并且所導(dǎo)通的像素PXL可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動 部分DDR接收對應(yīng)數(shù)據(jù)電壓以顯示具有所需灰度的圖像。
[0049] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示裝置的平面圖，圖4是沿圖3中 的1-1'線的截面圖。由于每個像素的結(jié)構(gòu)相同，因此為了方便說明，一個像素可以與像素 中的鄰近該一個像素的柵極線和數(shù)據(jù)線一起示出。
[0050] 參照圖2和圖4,液晶顯示裝置包括第一基板SUB1、面向第一基板SUBl的第二基 板SUB2、以及設(shè)置在第一基板SUBl與第二基板SUB2之間的液晶層IX。
[0051] 第一基板SUBl可以包括第一基底基板BSl、多根柵極線GL、多根數(shù)據(jù)線DL、多個像 素PXL、以及覆蓋像素的第一取向?qū)覣LNl。第一基底基板BSl可以具有大致四方形狀并且 可以使用透明絕緣材料形成。
[0052] 柵極線GL在第一基底基板BSl上可以沿第一方向Dl延伸。
[0053] 柵極絕緣層GI可以設(shè)置在其上形成柵極線GL的第一基底基板BSl上。柵極絕緣 層GI可以使用絕緣材料，例如氮化硅、氧化硅等形成。
[0054] 數(shù)據(jù)線DL可以越過（across)柵極線GL和柵極絕緣層GI沿與第一方向Dl交叉 成直角的第二方向D2延伸。
[0055] 每個像素PXL可以與柵極線GL之一和數(shù)據(jù)線DL之一連接。每個像素可以包括薄 膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極PE、覆蓋像素電極PE的鈍化層PSV、設(shè)置有與像素 電極PE的間隔的公共電極CE、以及與公共電極CE連接的存儲線STL。存儲線STL可以與 像素電極PE重疊以形成存儲電容器。薄膜晶體管可以包括柵電極GE、柵極絕緣層GI、半導(dǎo) 體圖案SM、源電極SE以及漏電極DE。
[0056] 柵電極GE可以從柵極線GL突出或可以設(shè)置在柵極線GL的一部分上。
[0057] 柵電極GE可以包括金屬。柵電極GE可以使用鎳、鉻、鑰、鋁、鈦、銅、鎢、或其合金 等形成。柵電極GE可以使用金屬形成為單層或多層。例如，柵電極GE可以是通過一個接 一個地疊置鑰、鋁和鑰而獲得的三層，或通過一個接一個地疊置鈦和銅而獲得的雙層。可選 地，柵電極GE可以是使用鈦和銅的合金等獲得的單層。
[0058] 柵極絕緣層GI可以設(shè)置在第一基底基板BSl的整個表面上并且可以覆蓋柵極線 GL和柵電極GE。
[0059] 半導(dǎo)體圖案SM可以設(shè)置在柵極絕緣層GI上。半導(dǎo)體層SM可以越過柵極絕緣層 GI設(shè)置在柵電極GE上。半導(dǎo)體圖案SM的一部分可以與柵電極GE重疊。半導(dǎo)體圖案SM可 以包括設(shè)置在柵極絕緣層GI上的有源圖案ACT以及形成在有源圖案ACT上的歐姆接觸層 0ΗΜ。有源圖案ACT可以形成為非晶硅薄膜，歐姆接觸層OHM可以形成為η+非晶硅薄膜。歐 姆接觸層OHM可以設(shè)置在有源圖案ACT的一部分與在下列步驟中描述的源電極SE之間，以 及有源圖案ACT的另一部分與在下列步驟中描述的漏電極DE之間。歐姆接觸層OHM使有 源圖案ACT與源電極SE和漏電極DE之間分別歐姆接觸。
[0060] 源電極SE可以從數(shù)據(jù)線DL分支。源電極SE可以形成在歐姆接觸層OHM上，源電 極SE的一部分可以與柵電極GE重疊。
[0061] 漏電極可以越過半導(dǎo)體圖案SM設(shè)置有與源電極SE的間隔。漏電極DE可以形成 在歐姆接觸層上，漏電極DE的一部分可以與柵電極GE重疊。
[0062] 源電極SE和漏電極DE可以使用鎳、鉻、鑰、鋁、鈦、銅、鎢和/或其合金等形成。源 電極SE和漏電極DE可以使用金屬形成為單層或多層。例如，源電極SE和漏電極DE可以 是通過一個接一個地疊置鈦和銅而獲得的雙層?？蛇x地，源電極SE和漏電極DE可以是使 用鈦和銅的合金等獲得的單層。
[0063] 可以暴露源電極SE和漏電極DE之間的有源圖案ACT的上表面，并且可以根據(jù)柵 電極GE電壓的施加來獲得在源電極SE和漏電極GE之間形成導(dǎo)電通道的通道部分CHN。源 電極SE和漏電極DE可以與半導(dǎo)體圖案SM的在源電極SE和漏電極GE之間獨(dú)立形成的通 道部分CHN之外的部分重疊。
[0064] 像素電極PE可以設(shè)置在漏電極DE和柵極絕緣層GI上。像素電極PE的一部分可 以直接設(shè)置在漏電極DE和柵極絕緣層GI的一部分上并且可以與漏電極DE連接。因此，從 平面圖看，像素電極PE的一部分可以與漏電極DE重疊。從平面圖看，像素電極PE可以具 有大致四方形狀，然而，像素電極PE可以具有符合各個像素PXL的形狀的各種形狀，而沒有 限制。像素電極PE可以形成為不包括諸如狹縫的圖案的一個板。
[0065] 像素電極PE可以使用透明導(dǎo)電材料形成。例如，像素電極PE可以使用透明導(dǎo)電 氧化物形成。透明導(dǎo)電氧化物例如可以包括銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、銦錫鋅 氧化物（ITZO)等。
[0066] 鈍化層PSV可以設(shè)置在包括形成在其上的像素電極PE的第一基底基板BSl上。鈍 化層PSV可以覆蓋通道部分CHN和像素電極PE。鈍化層PSV例如可以包括氮化硅、氧化硅 等。
[0067] 公共電極CE可以形成在鈍化層PSV上。公共電極CE可以與像素電極PE的一部 分重疊。從平面圖看，公共電極CE不會與像素電極PE和漏電極DE的重疊部分重疊。例 如，當(dāng)像素電極PE和漏電極DE的重疊區(qū)域被稱為第一區(qū)域PEl，并且像素電極PE和漏電 極DE的非重疊區(qū)域被稱為第二區(qū)域PE2時，公共電極CE不與第一區(qū)域PEl重疊并與第一 區(qū)域PEl分開。
[0068] 公共電極CE可以包括通過除去公共電極CE的一部分而形成的多個狹縫SLT。狹 縫SLT可以設(shè)置為具有相對于第一方向Dl或第二方向D2的傾斜方向。例如，公共電極CE可以包括多個區(qū)域，所述多個區(qū)域包括傾斜方向彼此不同的狹縫SLT。在這種情況下，區(qū)域 可以相對于與像素PXL交叉的假想線基本上線對稱，或者可以相對于像素中的點基本上點 對稱。在圖3中，例如，狹縫SLT被示為相對于與像素交叉的假想線IML沿第一方向線對稱。 [0069] 公共電極CE可以包括針對各個像素形成的主干部分CEa、以及由狹縫SLT隔開并 從主干部分CEa突出并延伸出的多個分支部分CEb。分支部分CEb彼此之間可以隔開所需 間隔。公共電極CE的分支部分CEb可以與像素電極PE-起形成電場。
[0070] 分支部分CEb可以形成為沿所需方向平行延伸。主干部分CEa和分支部分CEb可 以以各種形狀設(shè)置。例如，分支部分CEb可以沿與主干部分CEa的延伸方向垂直的兩個方 向突出并延伸?？蛇x地，主干部分CEa可以形成為具有多個彎曲部的彎曲形狀。
[0071] 公共電極CE可以使用透明導(dǎo)電材料形成。公共電極CE可以使用導(dǎo)電金屬氧化物， 例如ITO、IZO、ITZO等形成。
[0072] 存儲線STL可以設(shè)置在第一基底基板BSl和柵極絕緣層GI之間并與柵極線GL有 一定距離。存儲線STL可以使用與柵極線GL相同的材料形成，并且可以通過一個圖案化工 藝與柵極線GL-起形成。
[0073] 存儲線STL可以沿第一方向延伸并且可以沿第二方向突出以與數(shù)據(jù)線DL的一部 分和像素電極PE重疊。存儲線STL和像素電極PE可以存儲電容器并且柵極絕緣層GI被 插在中間。
[0074] 在柵極絕緣層GI和鈍化層PSV中，可以除去柵極絕緣層GI的一部分和鈍化層PSV 的一部分以形成暴露存儲線STL的一部分的第一接觸孔。公共電極CE可以通過第一接觸 孔與存儲線STL連接。向存儲線STL和公共電極CE施加同一電平的公共電壓。由于通過 存儲線STL向每個像素的公共電極CE施加公共電壓，因此可以向整個顯示區(qū)域中的公共電 極CE施加沒有電壓降的同一電平的電壓。
[0075] 第一取向?qū)覣LNl可以設(shè)置在其上形成有公共電極CE的第一基底基板SUBl上，并 且可以取向液晶層中的液晶分子。第一取向?qū)覣LNl可以通過例如在基板上涂覆光學(xué)取向 層的組成材料并照射部分偏振光或完全偏振光以執(zhí)行光反應(yīng)來獲得，并且可以沿一個方向 取向液晶層中的液晶分子。
[0076]第一取向?qū)覣LNl可以包括一種或多種材料，該一種或多種材料利用所提供的光 進(jìn)行反應(yīng)并賦予第一取向?qū)覣LNl各向異性。例如，第一取向?qū)覣LNl可以用具有光敏基團(tuán) 的高分子形成，由此當(dāng)光敏基團(tuán)暴露在光下時，根據(jù)光的照射方向，第一取向?qū)覣LNl可以 具有取向特性。高分子例如可以包括聚酰胺酸、通過部分酰亞胺化（imidizing)聚酰胺酸 而獲得的高分子、或通過使聚酰胺酸環(huán)化脫水（cyclodehydrizing)而獲得的聚酰亞胺。 [0077] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，光敏基團(tuán)可以是可誘導(dǎo)光分解或光異構(gòu)化的官能 團(tuán)。
[0078] 根據(jù)示例性實施方式，當(dāng)?shù)谝蝗∠驅(qū)覣LNl通過光異構(gòu)化而賦予各向異性特性時， 第一取向?qū)覣LNl可以是包括基于環(huán)丁烷的二酐或其衍生物和二胺的聚酰胺酸或聚酰亞 胺。基于環(huán)丁烷的二酐可以是環(huán)丁烷四羧酸二酐，二胺可以是芳香族二胺。環(huán)丁烷四羧酸 二酐及其衍生物可以用以下化學(xué)式1表示。
[0079] 【化學(xué)式1】

【權(quán)利要求】
1. 一種液晶顯示裝置的制造方法，所述方法包括： 在第一基底基板上形成第一取向?qū)樱? 在第二基底基板上形成第二取向?qū)樱? 在所述第一取向?qū)踊蛩龅诙∠驅(qū)由显O(shè)置液晶；以及 組合所述第一基底基板和所述第二基底基板， 其中，所述第一取向?qū)雍退龅诙∠驅(qū)又械闹辽僖粋€的形成包括： 在所述第一基底基板和所述第二基底基板中的對應(yīng)基底基板上形成取向溶液； 固化所述取向溶液以形成取向?qū)樱? 照射所述基底基板以取向所述取向?qū)樱? 對所述基底基板執(zhí)行第一清洗；以及 烘烤所述取向?qū)印?br> 2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一清洗是濕法清洗。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一清洗包括使用去離子水清洗所述基底 基板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一清洗進(jìn)一步包括使用泡沫噴射和使用 氣刀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括在烘烤所述取向溶液之后執(zhí)行第二清洗。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第二清洗是干法清洗。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，使用超聲波進(jìn)行所述第二清洗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一清洗是干法清洗。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，使用超聲波進(jìn)行所述第一清洗。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在烘烤所述取向溶液之后執(zhí)行第二清洗。
【文檔編號】G02F1/1337GK104238191SQ201410126625
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月19日
【發(fā)明者】鄭進(jìn)秀, 李準(zhǔn)宇, 全栢均, 徐奉成 申請人:三星顯示有限公司