液晶顯示面板、其制作方法以及液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板、其制作方法以及液晶顯示裝置，該液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及液晶層，其中陣列基板包括襯底基板、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄膜場效應(yīng)晶體管以及絕緣層，像素電極對應(yīng)陣列基板的第一區(qū)域，數(shù)據(jù)線、掃描線以及薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)陣列基板的第二區(qū)域，第一區(qū)域上的絕緣層的厚度小于第二區(qū)域上絕緣層的厚度。本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法以及液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示面板、其制作方法以及液晶顯示裝置通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度減少了液晶使用量。
【專利說明】液晶顯示面板、其制作方法以及液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種液晶顯示面板、其制作方法及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，使用液晶顯示裝置的用戶越來越多。與其他平板顯示器相比，液晶顯示裝置近年來在諸多技術(shù)方面獲得突破，性能明顯改善，從而其市場占有率空iu提聞。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示裝置在制作時，選擇合適的液晶盒厚度可以給液晶顯示裝置帶來更高的亮度以及更快的響應(yīng)時間。其中液晶填充于彩膜基板和陣列基板之間的密閉空間中，以形成合適厚度的液晶盒。此處液晶盒的厚度為彩膜基板的透明電極和陣列基板的透明電極之間的距離。
[0004]但是液晶作為液晶顯示裝置中購置成本較高的部件，不僅影響著液晶顯示裝置的性能，還影響著液晶顯示裝置的制作成本。因此每個液晶面板中的液晶使用的多少成為各大面板廠家能夠降低成本的關(guān)鍵因素。各大面板廠家均希望設(shè)計出一款既能保證液晶顯示裝置的性能，又能減少液晶使用量的液晶顯示裝置。
[0005]故，有必要提供一種液晶顯示面板、其制作方法及液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種可減少液晶使用量的液晶顯示面板、其制作方法及液晶顯示裝置；以解決現(xiàn)有的液晶顯示面板及液晶顯示裝置的顯示性能較差或制作成本較高的技術(shù)問題。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0008]本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示面板，其包括:陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層；
[0009]其中所述陣列基板包括:
[0010]襯底基板；
[0011]數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號；
[0012]掃描線，用于傳輸掃描信號；
[0013]像素電極，用于對所述液晶層施加偏轉(zhuǎn)電壓；
[0014]薄膜場效應(yīng)晶體管，用于將所述數(shù)據(jù)信號施加到所述像素電極上，以及
[0015]絕緣層，設(shè)置在所述襯底基板上，用于對所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管之間進行間隔處理；
[0016]其中所述像素電極對應(yīng)所述陣列基板的第一區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)所述陣列基板的第二區(qū)域；所述第一區(qū)域上的所述絕緣層的厚度小于所述第二區(qū)域上所述絕緣層的厚度。
[0017]在本發(fā)明實施例所述的液晶顯示面板中，所述絕緣層僅設(shè)置在所述第二區(qū)域上。
[0018]在本發(fā)明實施例所述的液晶顯示面板中，如所述絕緣層僅設(shè)置在所述第二區(qū)域上，則所述像素電極直接設(shè)置在所述襯底基板上。
[0019]在本發(fā)明實施例所述的液晶顯示面板中，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸入端與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸出端通過接觸孔與所述像素電極連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的控制端與所述掃描線連接。
[0020]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，其包括:
[0021]在所述襯底基板上沉積第一金屬層，并通過圖形化處理形成掃描線；
[0022]沉積第一絕緣層、有源層以及第二金屬層，并通過圖形化處理形成數(shù)據(jù)線以及薄膜場效應(yīng)晶體管；
[0023]沉積第二絕緣層，并通過圖形化處理形成接觸孔，并使所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度小于所述陣列基板的第二區(qū)域的絕緣層的厚度；其中所述絕緣層包括所述第一絕緣層和所述第二絕緣層；所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)所述陣列基板的第二區(qū)域；以及
[0024]沉積透明電極層，并通過圖形化處理在所述陣列基板的第一區(qū)域形成所述像素電極。
[0025]在本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法中，所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的
厚度為零。
[0026]在本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法中，如所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度為零，則所述像素電極直接設(shè)置在所述襯底基板上。
[0027]在本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法中，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸入端與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸出端通過接觸孔與所述像素電極連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的控制端與所述掃描線連接。
[0028]本發(fā)明實施例還提供一種使用上述液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
[0029]相較于現(xiàn)有的液晶顯示面板及液晶顯示裝置，本發(fā)明的液晶顯示面板、其制作方法及液晶顯示裝置通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度來減少了液晶使用量；解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板及液晶顯示裝置的顯示性能較差或制作成本較高的技術(shù)問題。
[0030]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1A為現(xiàn)有的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖1B為沿圖1A的A-A’的截面線的截面圖；
[0033]圖1C為沿圖1A的B-B’的截面線的截面圖；
[0034]圖2A為本發(fā)明的液晶顯示面板的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2B為沿圖2A的C-C’的截面線的截面圖；
[0036]圖2C為沿圖2A的D-D’的截面線的截面圖；
[0037]圖3A為本發(fā)明的液晶顯示面板的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；[0038]圖3B為沿圖3A的E-E’的截面線的截面圖；
[0039]圖3C為沿圖3A的F-F’的截面線的截面圖；
[0040]圖4為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的流程圖。
【具體實施方式】
[0041]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0042]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。
[0043]請參照圖1A至圖1C，圖1A為現(xiàn)有的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1B為沿圖1A的A-A’的截面線的截面圖，圖1C為沿圖1A的B-B’的截面線的截面圖。該液晶顯示面板包括陣列基板11、彩膜基板12以及設(shè)置在陣列基板11和彩膜基板12之間的液晶層(圖中未示出)。其中陣列基板11包括襯底基板111、數(shù)據(jù)線112、掃描線113、像素電極114、薄膜場效應(yīng)晶體管115以及絕緣層116。其中數(shù)據(jù)線112設(shè)置在襯底基板111上，用于傳輸數(shù)據(jù)信號；掃描線113設(shè)置在襯底基板111上，用于傳輸掃描信號；像素電極114設(shè)置在襯底基板111上，用于對液晶層施加偏轉(zhuǎn)電壓；薄膜場效應(yīng)晶體管115用于將數(shù)據(jù)信號施加到像素電極114上；絕緣層116也設(shè)置在襯底基板111上，用于對數(shù)據(jù)線112、掃描線113、像素電極114以及薄膜場效應(yīng)晶體管115之間進行間隔處理。
[0044]由圖1B和圖1C可見，彩膜基板12與陣列基板11的像素電極114之間的距離為Al，該距離Al為保證液晶顯示面板的顯示質(zhì)量的最小距離，即再縮小彩膜基板12與陣列基板11的像素電極114之間的距離，將會降低液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。這時彩膜基板12與陣列基板11的薄膜場效應(yīng)晶體管115的距離為A3，彩膜基板12與陣列基板11的數(shù)據(jù)線112和掃描線113的區(qū)域的距離為A2。因此液晶層應(yīng)填滿彩膜基板12與陣列基板11的像素電極114、薄膜場效應(yīng)晶體管115、數(shù)據(jù)線112以及掃描線113之間的空間，這時使用的液晶量為該結(jié)構(gòu)的液晶顯不面板的最小液晶使用量。
[0045]請參照圖2A至圖2C，圖2A為本發(fā)明的液晶顯示面板的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為沿圖2A的C-C’的截面線的截面圖；圖2C為沿圖2A的D-D’的截面線的截面圖。其中陣列基板21包括襯底基板211、數(shù)據(jù)線212、掃描線213、像素電極214、薄膜場效應(yīng)晶體管215以及絕緣層216。本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板在現(xiàn)有的液晶顯示面板的基礎(chǔ)上，設(shè)置陣列基板21的第一區(qū)域上的絕緣層216的厚度小于陣列基板21的第二區(qū)域的絕緣層216的厚度。其中像素電極214對應(yīng)陣列基板21的第一區(qū)域，數(shù)據(jù)線212、掃描線213以及薄膜場效應(yīng)晶體管215對應(yīng)陣列基板21的第二區(qū)域。
[0046]其中薄膜場效應(yīng)晶體管215的輸入端與數(shù)據(jù)線212連接，薄膜場效應(yīng)晶體管215的輸出端通過絕緣層216上的接觸孔217與像素電極214連接，薄膜場效應(yīng)晶體管215的控制端與掃描線213連接。
[0047]請參照圖2B，彩膜基板22與陣列基板21的像素電極214之間的距離仍為Al，這樣可以保證液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。但是像素電極214對應(yīng)區(qū)域(陣列基板21的第一區(qū)域)的絕緣層216的厚度小于數(shù)據(jù)線212以及掃描線213對應(yīng)區(qū)域(陣列基板21的第二區(qū)域)的絕緣層216的厚度，這樣彩膜基板22與陣列基板21的數(shù)據(jù)線212和掃描線213的區(qū)域的距離為A4，這樣A4必然小于A2，(A2-A4)即為陣列基板21的第一區(qū)域的絕緣層216與陣列基板21的第二區(qū)域的絕緣層216的厚度差。
[0048]請參照圖2C，彩膜基板22與陣列基板21的像素電極214之間的距離仍為Al，這樣可以保證液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。但是像素電極214對應(yīng)區(qū)域(陣列基板21的第一區(qū)域)的絕緣層216的厚度小于薄膜場效應(yīng)晶體管215對應(yīng)區(qū)域(陣列基板21的第二區(qū)域)的絕緣層216的厚度，這樣彩膜基板22與陣列基板21的薄膜場效應(yīng)晶體管215的區(qū)域的距離為A5，這時A5必然小于A3，(A3-A5)即為陣列基板21的第一區(qū)域的絕緣層216與陣列基板21的第二區(qū)域的絕緣層216的厚度差。
[0049]這時如使用液晶層填滿彩膜基板22與陣列基板21的像素電極214、薄膜場效應(yīng)晶體管215、數(shù)據(jù)線212以及掃描線213之間的空間，使用的液晶量應(yīng)小于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的液晶顯不面板的最小液晶使用量。
[0050]因此本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板可通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度來減少液晶顯不面板的液晶使用量。
[0051]請參照圖3A至圖3C，圖3A為本發(fā)明的液晶顯示面板的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3B為沿圖3A的E-E’的截面線的截面圖；圖3(:為沿圖3A的F-F’的截面線的截面圖。本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板在現(xiàn)有的液晶顯示面板的基礎(chǔ)上，設(shè)置陣列基板31的第一區(qū)域上的絕緣層316的厚度小于陣列基板31的第二區(qū)域的絕緣層316的厚度。其中像素電極314對應(yīng)陣列基板31的第一區(qū)域，數(shù)據(jù)線312、掃描線313以及薄膜場效應(yīng)晶體管315對應(yīng)陣列基板31的第二區(qū)域。在本優(yōu)選實施例中陣列基板31的第一區(qū)域上的絕緣層316的厚度為零，絕緣層316僅設(shè)置在陣列基板31的第二區(qū)域上，像素電極314直接設(shè)置在襯底基板311上。
[0052]其中薄膜場效應(yīng)晶體管315的輸入端與數(shù)據(jù)線312連接，薄膜場效應(yīng)晶體管315的輸出端通過絕緣層316上的接觸孔317與像素電極314連接，薄膜場效應(yīng)晶體管315的控制端與掃描線313連接。
[0053]請參照圖3B，彩膜基板32與陣列基板31的像素電極314之間的距離仍為Al，這樣可以保證液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。但是像素電極314對應(yīng)區(qū)域(陣列基板31的第一區(qū)域)的絕緣層316的厚度為零，這樣彩膜基板32與陣列基板31的數(shù)據(jù)線312和掃描線313的區(qū)域的距離為A6，這樣A6必然小于A2，(A2-A6)即為陣列基板31的第二區(qū)域的絕緣層316的厚度。
[0054]請參照圖3C，彩膜基板32與陣列基板31的像素電極314之間的距離仍為Al，這樣可以保證液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。但是像素電極314對應(yīng)區(qū)域(陣列基板31的第一區(qū)域)的絕緣層316的厚度為零，這樣彩膜基板32與陣列基板31的薄膜場效應(yīng)晶體管315的區(qū)域的距離為A7，這時A7必然小于A3，(A3-A7)即為陣列基板31的第二區(qū)域的絕緣層316的厚度。
[0055]這時如使用液晶層填滿彩膜基板32與陣列基板31的像素電極314、薄膜場效應(yīng)晶體管315、數(shù)據(jù)線312以及掃描線313之間的空間，使用的液晶量應(yīng)小于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的液晶顯不面板的最小液晶使用量，同時還小于液晶顯不面板的第一優(yōu)選實施例中的最小液晶使用量。[0056]因此本優(yōu)選實施例的液晶顯示面板在第一優(yōu)選實施例的基礎(chǔ)上可通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度來進一步減少液晶顯示面板的液晶使用量。
[0057]請參照圖4，圖4為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的流程圖。本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法用于制作上述的液晶顯示面板的陣列基板，其包括:
[0058]步驟S401，在襯底基板上沉積第一金屬層，并通過圖形化處理形成掃描線；
[0059]步驟S402，沉積第一絕緣層、有源層以及第二金屬層，并通過圖形化處理形成數(shù)據(jù)線以及薄膜場效應(yīng)晶體管；
[0060]步驟S403，沉積第二絕緣層，并通過圖形化處理形成接觸孔，并使陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度小于陣列基板的第二區(qū)域的絕緣層的厚度；
[0061]步驟S404，沉積透明電極層，并通過圖形化處理在陣列基板的第一區(qū)域形成像素電極；
[0062]本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法結(jié)束于步驟S404。
[0063]下面詳細說明本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法中的各步驟的具體流程。
[0064]在步驟S401中，在襯底基板上沉積第一金屬層，然后對該第一金屬層進行圖形化處理，從而在襯底基板上形成掃描線，這里第一金屬層的材料優(yōu)選由鋁金屬層和鑰金屬層組合構(gòu)成，當(dāng)然也可以使用其它材料，譬如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、T1、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)。隨后轉(zhuǎn)到步驟S402。
[0065]在步驟S402中，在形成了掃描線的襯底基板上沉積第一絕緣層、有源層以及第二金屬層，并對有源層以及第二金屬層進行圖形化處理，從而在第二金屬層上形成數(shù)據(jù)線以及薄膜場效應(yīng)管，其中該薄膜場效應(yīng)晶體管的輸入端與數(shù)據(jù)線連接，薄膜場效應(yīng)晶體管的控制端與掃描線連接。其中第一絕緣層的材料優(yōu)選為所為氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，有源層的材料優(yōu)選為多晶硅(Poly-Silicon)。第二金屬層的材料優(yōu)選由鋁金屬層和鑰金屬層組合構(gòu)成，當(dāng)然也可以使用其它材料，譬如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、T1、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)。隨后轉(zhuǎn)到步驟S403。
[0066]在步驟S403中，在形成了薄膜場效應(yīng)晶體管以及數(shù)據(jù)線的襯底基板上沉積第二絕緣層，并通過圖形化處理該第二絕緣層形成接觸孔，同時使陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度小于陣列基板的第二區(qū)域的絕緣層的厚度，這里的絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，像素電極對應(yīng)陣列基板的第一區(qū)域，數(shù)據(jù)線、掃描線以及薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)陣列基板的第二區(qū)域。隨后轉(zhuǎn)到步驟S404。
[0067]在步驟S404中，在形成了接觸孔的襯底基板上沉積透明電極層，并通過圖形化處理該透明電極層在陣列基板的第一區(qū)域形成像素電極。該薄膜場效應(yīng)晶體管的輸出端通過接觸孔與像素電極連接，具體如圖2A-圖2C所示。由于陣列基板的第一區(qū)域上的絕緣層的厚度小于陣列基板的第二區(qū)域的絕緣層的厚度，這樣在保證彩膜基板與陣列基板的第一區(qū)域的像素電極之間的距離的基礎(chǔ)上，還可進一步縮小彩膜基板和陣列基板之間的距離，這樣就縮小了彩膜基板與陣列基板的第二區(qū)域的薄膜場效應(yīng)晶體管之間的距離，從而可以減少用于填充彩膜基板與陣列基板的第二區(qū)域之間的液晶量，從而減少了液晶顯示面板的液晶使用量。
[0068]優(yōu)選的，在步驟S403中，可通過圖形化處理使陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度為零。這樣在步驟S404中，絕緣層僅設(shè)置在陣列基板的第二區(qū)域上，像素電極直接設(shè)置在襯底基板上，具體如圖3A-圖3C所示。這樣可以最大程度縮小彩膜基板與陣列基板的第二區(qū)域的薄膜場效應(yīng)晶體管之間的距離，從而最大程度的減少用于填充彩膜基板與陣列基板的第二區(qū)域之間的液晶量，從而減少了液晶顯示面板的液晶使用量。
[0069]這樣即完成了本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法。
[0070]本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法可通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度來減少液晶顯不面板的液晶使用量。
[0071]本發(fā)明還提供一種使用上述液晶顯示面板的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置的使用原理與上述的液晶顯示面板的優(yōu)選實施例中的描述相同，具體請參見上述液晶顯示面板的優(yōu)選實施例中的描述。
[0072]因此本發(fā)明的液晶顯示面板、其制作方法及液晶顯示裝置通過減少陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度來減少了液晶使用量；解決了現(xiàn)有的液晶顯示面板及液晶顯示裝置的顯示性能較差或制作成本較高的技術(shù)問題。
[0073]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括:陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層； 其中所述陣列基板包括: 襯底基板； 數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號； 掃描線，用于傳輸掃描信號； 像素電極，用于對所述液晶層施加偏轉(zhuǎn)電壓； 薄膜場效應(yīng)晶體管，用于將所述數(shù)據(jù)信號施加到所述像素電極上，以及絕緣層，設(shè)置在所述襯底基板上，用于對所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、所述像素電極以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管之間進行間隔處理； 其中所述像素電極對應(yīng)所述陣列基板的第一區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)所述陣列基板的第二區(qū)域；所述第一區(qū)域上的所述絕緣層的厚度小于所述第二區(qū)域上所述絕緣層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層僅設(shè)置在所述第二區(qū)域上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，如所述絕緣層僅設(shè)置在所述第二區(qū)域上，則所述像素電極直接設(shè)置在所述襯底基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸入端與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸出端通過接觸孔與所述像素電極連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的控制端與所述掃描線連接。
5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在所述襯底基板上沉積第一金屬層，并通過圖形化處理形成掃描線； 沉積第一絕緣層、有源層以及第二金屬層，并通過圖形化處理形成數(shù)據(jù)線以及薄膜場效應(yīng)晶體管； 沉積第二絕緣層，并通過圖形化處理形成接觸孔，并使所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度小于所述陣列基板的第二區(qū)域的絕緣層的厚度；其中所述絕緣層包括所述第一絕緣層和所述第二絕緣層；所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線以及所述薄膜場效應(yīng)晶體管對應(yīng)所述陣列基板的第二區(qū)域；以及 沉積透明電極層，并通過圖形化處理在所述陣列基板的第一區(qū)域形成所述像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度為零。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，如所述陣列基板的第一區(qū)域的絕緣層的厚度為零，則所述像素電極直接設(shè)置在所述襯底基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸入端與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的輸出端通過接觸孔與所述像素電極連接，所述薄膜場效應(yīng)晶體管的控制端與所述掃描線連接。
9.一種使用上述權(quán)利要求1-4中任一的液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
【文檔編號】G02F1/1333GK103955098SQ201410143419
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月10日
【發(fā)明者】姜佳麗, 杜鵬, 施明宏 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司