液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】一種液晶顯示器包括：第一基板；柵極線，設置在第一基板上；數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上；第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上；濾色器，設置在第一鈍化層上；公共電極，設置在濾色器上；阻光構件，直接設置在公共電極上或者直接設置在公共電極下方；第二鈍化層，設置在公共電極和阻光構件上；和像素電極，設置在第二鈍化層上。
【專利說明】液晶顯示器

【技術領域】
[0001] 示例性實施例涉及顯示技術，更具體地，涉及液晶顯示器。

【背景技術】
[0002] 液晶顯示器是常見類型的面板顯示器，并且通常被配置成向電極施加電壓使液晶 層的液晶分子重新排列以調節(jié)被透射的光的量。傳統(tǒng)的液晶顯示器可以相對薄，但側面可 視性會不及正面可視性。如此，已經(jīng)開發(fā)出各種類型的液晶取向技術和驅動方法來提高傳 統(tǒng)的液晶顯示器的側面可視性。例如，為了實現(xiàn)廣視角，包括形成在一個基板上的像素電極 和公共電極的液晶顯示器備受關注。在這種液晶顯示器中，像素電極和公共電極這兩個場 發(fā)生電極中的至少一個可以具有多個切口（cutout)和通過多個切口定義的多個分支電極。
[0003] 為了防止(或者至少減少）液晶顯示器的非顯示區(qū)中的漏光，可以利用阻光構件。 如果阻光構件形成在與上面形成有像素電極的另一個基板面對的基板上，則由于兩個基板 的不對準，導致可能難以防止非顯示區(qū)中的漏光。這會降低顯示區(qū)的透射率。因此，阻光構 件可以形成在上面形成有像素電極的基板上。然而，如果阻光構件疊置場發(fā)生電極(諸如， 像素電極或公共電極）且絕緣層置于其間，則在阻光構件和場發(fā)生電極之間會形成寄生電 容。這會劣化液晶顯示裝置的顯示質量。
[0004] 這個【背景技術】部分中公開的以上信息只是為了增強對本發(fā)明構思的背景的理解， 因此，它可以包含不形成本領域普通技術人員在本國已經(jīng)得知的現(xiàn)有技術的信息。


【發(fā)明內容】

[0005] 示例性實施例提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器被配置成當像素電極、公共 電極和阻光構件形成在同一基板上時去除(或防止）在阻光構件和像素電極之間原本會出 現(xiàn)的寄生電容。進而，這可以防止顯示質量劣化。
[0006] 另外的方面將在隨后的詳細描述中闡述，并且部分地將根據(jù)本公開而清楚，或者 可以通過實踐本發(fā)明構思來獲知。
[0007] 根據(jù)示例性實施例，一種液晶顯示器包括：第一基板；柵極線，設置在第一基板 上；數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上；第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上；濾色器，設置在第 一鈍化層上；公共電極，設置在濾色器上；阻光構件，直接設置在公共電極上或者直接設置 在公共電極下方；第二鈍化層，設置在公共電極和阻光構件上；和像素電極，設置在第二鈍 化層上。
[0008] 根據(jù)示例性實施例，一種液晶顯示器包括：第一基板；柵極線，設置在第一基板 上；數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上；第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上；濾色器，設置在第 一鈍化層上；公共電極，設置在濾色器上；第二鈍化層，設置在公共電極上，第二鈍化層包 括開口；像素電極，設置在第二鈍化層上；和阻光構件，設置在第二鈍化層上。阻光構件通 過第二鈍化層中的開口連接到公共電極。
[0009] 根據(jù)示例性實施例，一種液晶顯示器包括：第一基板；柵極線，設置在第一基板 上；數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上；第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上；濾色器，設置在第 一鈍化層上；像素電極，設置在濾色器上；第二鈍化層，形成在像素電極上；公共電極，設置 在第二鈍化層上；和阻光構件，直接設置在公共電極上或者直接設置在公共電極下方。 [0010] 根據(jù)示例性實施例，一種液晶顯示器包括：基板；柵極線，設置在基板上；數(shù)據(jù)線， 設置在基板上；第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上；第一電極，設置在第一鈍化層上； 第二鈍化層，設置在第一電極上；第二電極，設置在第二鈍化層上，第二電極包括多個切口； 和阻擋層，設置在第二電極上。阻擋層覆蓋第二電極的切口的第一邊緣，在第二電極的切口 的邊緣之中，第一邊緣基本上平行于柵極線延伸。
[0011] 根據(jù)示例性實施例，兩個場發(fā)生電極和阻光構件可以形成在同一基板上，使得可 以防止(或者說減少）由于兩個基板之間的不對準導致的透光率劣化。以此方式，還可以防 止(或者說減少)原本會在阻光構件和像素電極之間出現(xiàn)的寄生電容。這可以防止顯示質量 劣化。
[0012] 以上的總體描述和以下的詳細描述是示例性和說明性的，并且旨在提供對要求保 護的主題的進一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 附圖被包括以提供對本發(fā)明構思的進一步理解，并入且構成本說明書的一部分， 附圖示出本發(fā)明構思的示例性實施例并且與描述一起用于說明本發(fā)明構思的原理。
[0014] 圖1是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。
[0015] 圖2是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線II-II截取的圖1的液晶顯示器的剖視 圖。
[0016] 圖3是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線II-II截取的圖1的液晶顯示器的替代的 首1J視圖。
[0017] 圖4是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線II-II截取的圖1的液晶顯示器的替代的 首1J視圖。
[0018] 圖5是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。
[0019] 圖6是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線VI-VI截取的圖5的液晶顯示器的剖視 圖。
[0020] 圖7是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線VI-VI截取的圖5的液晶顯示器的替代的 首1J視圖。
[0021] 圖8是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。
[0022] 圖9是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線IX-IX截取的圖8的液晶顯示器的剖視 圖。
[0023] 圖10是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線IX-IX截取的圖8的液晶顯示器的替代 的剖視圖。
[0024] 圖11是傳統(tǒng)的液晶顯示器的一部分的概念視圖。
[0025] 圖12是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的一部分的概念視圖。
[0026] 圖13是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的一部分的剖視圖。
[0027] 圖14是根據(jù)示例性實施例的圖8的液晶顯示器的部分A的剖視圖。
[0028] 圖15是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。
[0029] 圖16是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線XVI-XVI截取的圖15的液晶顯示器的剖 視圖。
[0030] 圖17是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線XVI-XVI截取的圖15的液晶顯示器的剖 視圖。
[0031] 圖18A、圖18B、圖18C和圖18D提供根據(jù)示例性實施例的各種實驗示例的透射率 的結果。

【具體實施方式】
[0032] 在下面的描述中，出于說明的目的，為了徹底理解各種示例性實施例，闡述了眾多 具體細節(jié)。然而，顯而易見，可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下或者用一個或多個等價布置 來實踐各種示例性實施例。在其它情形下，以框圖形式示出熟知的結構和裝置，以避免不必 要地混淆各種示例性實施例。
[0033] 在附圖中，為了清晰和描述的目的，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺 寸。另外，類似的參考標號表示類似的元件。
[0034] 當元件或層被稱作"在"另一元件或層"上"、"連接到"或者"結合到"另一元件或 層時，該元件或層可以直接在其它元件或層上、直接連接到或結合到其它元件或層,或者可 能存在中間元件或中間層。然而，當元件或層被稱作"直接"在另一元件或層"上"、"直接 連接到"或者"直接結合到"另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。出于本公開的目 的，"X、Y和Z中的至少一個"和"從X、Y和Z組成的組中選擇的至少一個"可以被理解為僅 僅X、僅僅Υ、僅僅Ζ、或Χ、Υ和Ζ中的兩個或更多個的任意組合，諸如(例如）ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和 ΖΖ。類似的標號始終表示類似的元件。如這里使用的，術語"和/或"包括一個或更多個相 關所列項的任意組合和全部組合。
[0035] 盡管在這里可以使用術語"第一"、"第二"等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/ 或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分應該不受這些術語的限制。這些術語用于 將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開來。 因此，在不脫離本公開的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可 被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。
[0036] 出于描述的目的，在這里可以使用空間相對術語諸如"之下"、"下方"、"下"、"上 方"、"上"等來描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關系?？臻g相對術語 意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用、操作和/或制造時的不同方位。例 如，如果在附圖中裝置被翻轉，則被描述為在其它元件或特征"下方"或"下面"的元件隨后 將被定位為在其它元件或特征"上方"。因此，示例性術語"下方"可以包含上方和下方這兩 種方位。此外，裝置可以被另外定位(例如，旋轉90度或者在其它方位)，如此，相應地解釋 這里使用的空間相對描述符。
[0037] 這里使用的術語是為了描述特定實施例的目的，而不意圖進行限制。如這里所使 用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復數(shù)形式。此外，當在本說明書 中使用術語"包含"和/或"包括"時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/ 或它們的組，但不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/ 或它們的組。
[0038] 這里，參照作為理想化示例性實施例和/或中間結構的示意性示圖的剖面示圖來 描述各種示例性實施例。如此，將預料到由于(例如）制造技術和/或公差導致的示圖的形 狀變化。因此，這里公開的示例性實施例應該不被理解為限于區(qū)域的具體示出的形狀，而是 將包括由于(例如）制造導致的形狀偏差。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域將通常在其邊緣 具有倒圓或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。 同樣地，通過注入而形成的掩埋區(qū)可導致掩埋區(qū)和穿過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中有 一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域本質是示意性的并且它們的形狀不意圖示出器件的區(qū) 域的實際形狀，而不是意圖進行限制。
[0039] 除非另有定義，否則這里使用的所有術語(包括技術術語和科技術語）具有與本公 開所屬領域的普通技術人員所通常理解的意思相同的意思。除非這里明確定義，否則術語 (諸如，在通用字典中定義的術語）應該被解釋為具有與相關領域的環(huán)境中它們的意思一致 的意思，而不將理想地或者過于正式地解釋它們的意思。
[0040] 圖1是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。圖2是沿著剖面線II-II截取 的圖1的液晶顯示器的剖視圖。
[0041] 參照圖1和圖2,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括第二基板210。第一基板110和第二基板210彼此面對。液晶層 3設置在下面板100和上面板200之間。
[0042] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上，第一基板110可以由任何合 適的材料(諸如(例如）透明玻璃、塑料等）形成。柵極線121可以包括與柵電極124和其它 層或外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。柵極線121可以由任何合適的導電材料諸如(例 如）基于鋁的金屬（例如，鋁（A1)或鋁合金)、基于銀的金屬（例如，銀（Ag)或銀合金)、基于 銅的金屬（例如，銅（Cu)或銅合金)、基于鑰的金屬（例如，鑰（Mo)或鑰合金)、基于鉻的金屬 (例如，鉻（Cr )或鉻合金)、基于鉭的金屬（例如，鉭（Ta)或鉭合金)、基于鈦的金屬（例如，鈦 (Ti)或鈦合金）等形成。柵極線121可以具有單層或多層結構，所述結構可以包括不同物 理性質的至少兩個導電層。
[0043] 根據(jù)示例性實施例，柵極絕緣層140可以由任何合適的材料諸如(例如）氮化硅 (SiN x)、氧化硅（SiOx)等形成，形成在柵極導體121和124上。柵極絕緣層140可以具有單 層或多層結構，所述結構可以包括不同物理性質的至少兩個絕緣層。
[0044] 半導體154可以由任何合適的材料(例如，非晶硅、多晶硅等）形成，形成在柵極絕 緣層140上。還料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和165形成 在半導體154上。歐姆接觸件163和165可以由任何合適的材料(諸如(例如）其中可以以 相對高的濃度摻雜諸如磷的η型雜質的n+氫化非晶硅或硅化物)形成。歐姆接觸件163和 165成對設置在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則可以省略歐姆接觸件 163 和 165。
[0045] 液晶顯示裝置還可以包括數(shù)據(jù)導體，所述數(shù)據(jù)導體包括數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)線171 包括源電極173和漏電極175,源電極173和漏電極175分別形成在歐姆接觸件163和165 和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括與另一層或外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。 數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且主要在第一(例如，垂直）方向上延伸，所述第一方向與主要 在第二(例如，水平）方向上延伸的柵極線121相交。數(shù)據(jù)線171可以具有彎曲形狀的第一 彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大(或至少增大的）透射率。數(shù)據(jù)線171還包括第二彎曲 部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與第一彎曲部分形成確定角度。也就是 說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的中心區(qū)域相遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù) 線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎曲成大致7°，所述垂直基準線垂直于柵 極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心區(qū)域的第二彎曲部分可以進一步彎曲，以 相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°。
[0046] 源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上。漏電極 175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175至少平行于數(shù)據(jù)線171的一部分。
[0047] 柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154 -起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0048] 根據(jù)示例性實施例，與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上的源電極173和平行于數(shù)據(jù)線 171延伸的漏電極175被形成為：使得薄膜晶體管的寬度增大而數(shù)據(jù)導體的面積沒有增大。 以此方式，可以增大液晶顯示器的開口率。
[0049] 數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由任何合適的材料諸如(例如)難熔金屬 (例如，鑰、鉻、鉭、鈦等或其合金）形成。還注意的是，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175 可以具有單層或多層結構（未示出），所述結構可以包括上述難熔金屬中的一種或更多種和 低電阻導電層(未示出）。多層結構的示例可以包括鉻或鑰(或其合金)下層和鋁(或其合金） 上層的雙層或者鑰(或其合金）下層、鋁(或其合金）中間層和鑰(或其合金）上層的三層。然 而，料想到，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由其它各種金屬或導體形成。
[0050] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(例如，有機絕緣材料、無機絕緣材 料等）形成。
[0051] 濾色器230形成在第一鈍化層180a上。濾色器230能夠唯一地顯示原色(諸如(例 如）紅色、綠色和藍色、或黃色、青色和紫紅色）中的一種。然而，料想到，可以與濾色器230 關聯(lián)地利用任何合適的顏色。即使未示出，濾色器230也還可以包括除了原色之外還顯示 原色的混合色或白色的其它濾色器。
[0052] 覆蓋件80設置在濾色器230上?？梢允÷愿采w件80。覆蓋件80可以防止濾色器 230的顏料流入(或者說污染)液晶層3。覆蓋件80可以由任何合適的材料(例如，無機絕緣 材料、有機絕緣材料等）形成。
[0053] 公共電極270形成在覆蓋件80上。公共電極270具有形成在作為整體板的基板 110的整個(或基本上整個)表面上的平面形狀。也就是說，從平面圖看，公共電極270可以 具有平面形狀。公共電極270具有第一開口 273,第一開口 273形成在對應于漏電極175的 外圍的區(qū)域中。設置在相鄰像素中的公共電極270彼此連接，使得從源(例如，顯示區(qū)外部 的外部源）供應的具有確定幅值的公共電壓可以被傳輸?shù)焦搽姌O270。
[0054] 阻光構件220直接形成在公共電極270上。阻光構件220包括：第一阻光構件 220a，沿著柵極線121的延伸方向形成并且疊置柵極線121和薄膜晶體管；第二阻光構件 220b，沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成并且疊置數(shù)據(jù)線171。第一阻光構件220a和第二阻 光構件220b彼此連接。第一阻光構件220a具有形成在與漏電極175的一部分疊置的區(qū)域 中的第二開口 221。即使已經(jīng)描述了阻光構件220包括沿著柵極線121的延伸方向形成的 第一阻光構件220a和沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成的第二阻光構件220b，也還是料想 至IJ，可以省略沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成的第二阻光構件220b。
[0055] 根據(jù)示例性實施例，阻光構件220直接設置在公共電極270上，阻光構件220和公 共電極270彼此物理地電連接。為此目的，注意的是，阻光構件220的一部分覆蓋公共電極 270中的第一開口 273的壁。因此，即使當阻光構件220的介電常數(shù)高使得電壓被很好傳送 時，阻光構件220的電勢可以等于公共電極270的電勢。從與漏電極17和濾色器230的外 圍對應的區(qū)域中去除阻光構件。
[0056] 第二鈍化層180b形成在阻光構件220上。第二鈍化層180b可以由任何合適的 材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。像素電極191形成在第二鈍化層 180b上。像素電極191包括與數(shù)據(jù)線的第一彎曲部分和第二彎曲部分基本上平行的彎曲邊 緣。像素電極191包括多個切口 92和通過多個切口 92限定的多個第一分支電極192。
[0057] 第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a和第二鈍化層180b中，以暴露漏電極 175。像素電極191通過第一接觸孔185物理地電連接到漏電極175。以此方式，像素電極 191可以被提供來自漏電極175的電壓。
[0058] 如上所述，公共電極270具有形成在與漏電極175的外圍對應的區(qū)域中的第一 開口 273,并且阻光構件220具有形成在與漏電極175的一部分疊置的區(qū)域中的第二開口 221。將像素電極191與漏電極175連接的第一接觸孔185形成在其中形成有公共電極270 的第一開口 273和阻光構件220的第二開口 221的位置。
[0059] 盡管未示出，但取向層可以形成在像素電極191和第二鈍化層180b上。取向層可 以是水平取向層并且被在確定的方向上摩擦。還料想到，取向層可以包括可以被光學取向 的光反應材料。
[0060] 分隔件325設置在第一基板110和第二基板210之間。分隔件325保持彼此面對 的第一基板110和第二基板210之間的間隙。
[0061] 著色構件326形成在對應于第一接觸孔185的位置。也就是說，著色構件326可 以至少部分地設置在第一接觸孔185中。著色構件326被形成為覆蓋阻光構件220的第二 開口 221，并且防止阻光構件220的第二開口 221周圍漏光。著色構件326設置在第一接觸 孔185周圍（或者覆蓋第一接觸孔185)，以防止第一接觸孔185周圍漏光并且補償因第一接 觸孔185而形成的階梯。注意的是，分隔件325和著色構件326可以由相同材料形成。
[0062] 液晶層3設置在第一基板110和第二基板210之間。液晶層3可以包括具有正介 電各向異性的向列液晶材料。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任 何其它類型或另外類型的液晶。液晶層3的液晶分子被布置成使得其主軸平行于基板110 和210設置。還可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何其它合適的布置。
[0063] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191被施以來自漏電極175的電壓并且公共電極270 被施以來自公共電壓施加單元的具有確定幅值的公共電壓，公共電壓施加單元可以設置在 顯示區(qū)外部。像素電極191和公共電極270 (場發(fā)生電極）產(chǎn)生電場，以使設置在這兩個電 極191和270上的液晶層3的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉(或者說使液晶分 子取向或者控制液晶分子的取向）。透過液晶層3傳播的光的偏振可以根據(jù)液晶分子的旋 轉方向（或取向）而變化。
[0064] 如上所述，像素電極191和公共電極270形成在第一基板110上，并且濾色器230 和阻光構件220也形成在第一基板110上。因此，可以防止原本會由于第一基板110和第 二基板210之間的不對準而造成的漏光或開口率的劣化。另外，阻光構件220直接形成在 公共電極270上，使得阻光構件220接觸公共電極270。因此，即使當阻光構件220由具有 高介電常數(shù)的材料形成使得電壓被很好地傳送到阻光構件220時，阻光構件220的電勢也 可以等于公共電極270的電勢。為此目的，即使阻光構件220和像素電極191彼此疊置且 第二絕緣層180b置于其間，也可以防止(或者說減少）不必要的寄生電容的出現(xiàn)。如此，可 以防止(或者說減少）原本會與形成寄生電容關聯(lián)出現(xiàn)的顯示質量的劣化。
[0065] 根據(jù)示例性實施例，由于阻光構件220被形成為直接接觸公共電極270 (從而與 公共電極270具有相等的電勢)，因此可以防止(或者說減少)在場發(fā)生電極(諸如，像素電極 191和公共電極270)和阻光構件220之間出現(xiàn)寄生電容，而不用使用介電常數(shù)低的相對昂 貴的材料來形成阻光構件220。
[0066] 繼續(xù)參照圖1，圖3是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線II-II截取的圖1的液晶顯 示器的替代的剖視圖。參照圖3,示出的液晶顯示器與圖1和圖2中描繪的液晶顯示器基本 上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0067] 參照圖3,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一基板 110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100和上 面板200之間。
[0068] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括柵電極124。 柵極絕緣層140形成在柵電極124和第一基板110上。半導體154形成在柵極絕緣層140 上并且歐姆接觸件163和165形成在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則 可以省略歐姆接觸件163和165。
[0069] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并 且與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175 平行于數(shù)據(jù)線171的至少一部分。
[0070] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機 絕緣材料等）形成。
[0071] 濾色器230形成在第一鈍化層180a上。覆蓋件80設置在濾色器230上。可以省 略覆蓋件80。覆蓋件80可以防止濾色器230的顏料流入（或者說污染）液晶層3。覆蓋件 80可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。
[0072] 阻光構件220形成在覆蓋件80上。阻光構件220包括：第一阻光構件220a，沿著 柵極線121的延伸方向形成并且疊置柵極線121和薄膜晶體管；第二阻光構件220b，沿著 數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成并且疊置數(shù)據(jù)線171。第一阻光構件220a和第二阻光構件220b 彼此連接。第一阻光構件220a具有形成在與漏電極175的部分疊置的區(qū)域中的第二開口 221。即使已經(jīng)描述了阻光構件220包括沿著柵極線121的延伸方向形成的第一阻光構件 220a和沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成的第二阻光構件220b，也料想到，可以省略第二阻 光構件220b。
[0073] 公共電極270直接形成在阻光構件220上。公共電極270具有形成在作為整體板 的基板110的整個(或基本上整個)表面上的平面形狀。公共電極270包括第一開口 273,第 一開口 273形成在對應于漏電極175的外圍的區(qū)域中。設置在相鄰像素中的公共電極270 彼此連接，使得從源供應的具有確定幅值的公共電壓可以被傳送到公共電極270。
[0074] 阻光構件220直接設置在公共電極270上，阻光構件220和公共電極270彼此物理 地電連接。因此，即使當阻光構件220的介電常數(shù)高使得電壓被很好傳送時，阻光構件220 的電勢也可以等于公共電極270的電勢。
[0075] 根據(jù)示例性實施例，從與漏電極175的外圍對應的區(qū)域中去除濾色器230。第二鈍 化層180b形成在公共電極270上。第二鈍化層180b可以由任何合適的材料(諸如（例如） 有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。
[0076] 像素電極191形成在第二鈍化層180b上。第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a 和第二鈍化層180b中，以暴露漏電極175。像素電極191通過第一接觸孔185物理地電連 接到漏電極175。以此方式，像素電極191可以被提供來自漏電極175的電壓。
[0077] 如圖3中看到的，公共電極270具有第一開口 273,第一開口 273形成在對應于漏 電極175的外圍的區(qū)域中，并且阻光構件220具有第二開口 221，第二開口 221形成在與漏 電極175的一部分疊置的區(qū)域中。作為與圖2關聯(lián)描述的構造的替代，阻光構件220設置在 濾色器230和公共電極270之間。為此目的，公共電極270不覆蓋阻光構件220中的第二 開口 221的壁。另外，阻光構件220不覆蓋公共電極270中的第一開口的壁。將像素電極 191與漏電極175連接的第一接觸孔185形成在其中形成有公共電極270的第一開口 273 和阻光構件220的第二開口 221的位置。
[0078] 盡管未示出，但取向層可以形成在像素電極191和第二鈍化層180b上。取向層可 以是水平取向層并且被在確定的方向上摩擦。還料想到，取向層可以包括可以被光學取向 的光反應材料。
[0079] 分隔件325設置在第一基板110和第二基板210之間。分隔件325保持彼此面對 的第一基板110和第二基板210之間的間隙。著色構件326形成在對應于第一接觸孔185 的位置。著色構件326被形成為覆蓋阻光構件220的第二開口 221并且防止(或減少)阻光 構件220的第二開口 221周圍漏光。著色構件326設置在第一接觸孔185周圍（或者至少 部分地設置在第一接觸孔185中），以防止(或減少）第一接觸孔185周圍漏光。以此方式， 著色構件326可以補償因第一接觸孔185而形成的階梯。為此目的，注意的是，分隔件325 和著色構件326可以由相同材料形成。
[0080] 液晶層3設置在第一基板110和第二基板210之間。液晶層3可以包括具有正介 電各向異性的向列液晶材料。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任 何其它合適類型的液晶。
[0081] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191可以被施加來自漏電極175的電壓，并且公共電 極270可以被施加來自公共電壓施加單元的具有確定幅值的公共電壓，公共電壓施加單元 可以設置在顯示區(qū)外部。像素電極191和公共電極270 (場發(fā)生電極）產(chǎn)生電場，以使設置 在這兩個電極191和270上的液晶層3的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉（或者 說控制液晶分子的取向）。經(jīng)過液晶層3的光的偏振可以根據(jù)液晶分子的旋轉(或取向）方 向而變化。
[0082] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191和公共電極270形成在第一基板110上，并且濾 色器230和阻光構件220也形成在第一基板110上。因此，可以防止(或減少）原本會由于 第一基板110和第二基板210之間的不對準而造成的漏光或開口率的劣化。另外，阻光構 件220直接形成在公共電極270下方，使得阻光構件220接觸公共電極270。因此，即使當 阻光構件220由具有高介電常數(shù)的材料形成使得電壓被很好地發(fā)送到阻光構件220時，阻 光構件220的電勢也可以等于公共電極270的電勢。如此，即使阻光構件220和像素電極 191彼此疊置且第二絕緣層180b置于其間，也可以防止(或減少）寄生電容的出現(xiàn)。以此方 式，可以防止(或減少）原本會與形成寄生電容關聯(lián)出現(xiàn)的顯示質量的劣化。
[0083] 在示例性實施例中，由于阻光構件220被形成為直接接觸公共電極270以具有相 等的電勢，因此可以防止(或減少)在場發(fā)生電極(諸如，像素電極191和公共電極270)和阻 光構件220之間出現(xiàn)寄生電容，而不用使用介電常數(shù)低的相對昂貴的材料來形成阻光構件 220。
[0084] 繼續(xù)參照圖1，圖4是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線II-II截取的圖1的液晶顯 示器的替代的剖視圖。參照圖4,示出的液晶顯示器與圖1和圖2中描繪的液晶顯示器基本 上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0085] 參照圖4,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一基板 110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100和上 面板200之間。
[0086] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括柵電極124。 柵極絕緣層140形成在柵電極124和第一基板110上。半導體154形成在柵極絕緣層140 上并且歐姆接觸件163和165形成在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則 可以省略歐姆接觸件163和165。
[0087] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并 且與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175 平行于數(shù)據(jù)線171的至少一部分。
[0088] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。濾色器230形成在第一鈍化層180a上。覆蓋件80設置在濾色器230上。 可以省略覆蓋件80。覆蓋件80可以防止濾色器230的顏料流入(或者說污染）液晶層3。
[0089] 公共電極270形成在覆蓋件80上。公共電極270具有形成在作為整體板的第一 基板110的整個(或基本上整個)表面上的平面形狀。第二鈍化層180b形成在公共電極270 上。第二鈍化層180b可以由任何合適的材料(諸如(例如)有機絕緣材料、無機絕緣材料等） 形成。像素電極191形成在第二鈍化層180b上。
[0090] 根據(jù)示例性實施例，第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a和第二鈍化層180b 中，以暴露漏電極175。像素電極191通過第一接觸孔185物理地電連接到漏電極175。以 此方式，像素電極191可以被提供來自漏電極175的電壓。
[0091] 阻光構件220形成在第二鈍化層180b上。阻光構件220與像素電極191分隔開。 阻光構件220包括：第一阻光構件220a，沿著柵極線121的延伸方向形成并且疊置柵極線 121和薄膜晶體管；第二阻光構件220b，沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成并且疊置數(shù)據(jù)線 171。第一阻光構件220a和第二阻光構件220b彼此連接。即使已經(jīng)描述了阻光構件220 包括沿著柵極線121的延伸方向形成的第一阻光構件220a和沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向 形成的第二阻光構件220b，也料想到，可以省略第二阻光構件220b。
[0092] 第二接觸孔186形成在第二鈍化層180b中，以暴露公共電極270的一部分。阻光 構件220通過第二鈍化層180b中形成的第二接觸孔186物理地電連接公共電極270。因 此，即使當阻光構件220的介電常數(shù)高使得電壓被很好傳送時，阻光構件220的電勢也可以 等于公共電極270的電勢。
[0093] 盡管未示出，但取向層可以形成在像素電極191和第二鈍化層180b上。取向層可 以是水平取向層并且被在確定的方向上摩擦。還料想到，取向層可以包括可以被光學取向 的光反應材料。
[0094] 如圖4中看到的，分隔件325設置在第一基板110和第二基板210之間。分隔件 325保持彼此面對的第一基板110和第二基板210之間的間隙。著色構件326形成在對應 于第一接觸孔185的位置并且從分隔件325延伸。換句話講，著色構件326和分隔件325 可以是具有雙重目的的單個組件。著色構件326設置在第一接觸孔185周圍（或者至少部 分設置在第一接觸孔185中)，以防止(或減少)第一接觸孔185周圍漏光并且補償因第一接 觸孔185而形成的階梯。
[0095] 分隔件325和著色構件326可以由相同材料形成。與圖2和圖3的液晶顯示器不 同的是，阻光構件220可以與分隔件325和著色構件326形成在同一層。另外，阻光構件 220可以形成在通過第一接觸孔185與漏電極175連接的像素電極191上。因此，阻光構件 220不具有設置在圖2和圖3的液晶顯示器中的形成有第一接觸孔185的區(qū)域中的第二開 □ 221。
[0096] 液晶層3設置在第一基板110和第二基板210之間。液晶層3包括具有正介電各 向異性的向列液晶材料。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何其 它合適類型的液晶。
[0097] 像素電極191被施加來自漏電極175的電壓，并且公共電極270被施加來自公共 電壓施加單元的具有確定幅值的公共電壓，公共電壓施加單元可以設置在顯示區(qū)外部。像 素電極191和公共電極270 (場發(fā)生電極）產(chǎn)生電場，以使設置在這兩個電極191和270上 的液晶層3的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉(或者說控制液晶分子的取向）。經(jīng) 過液晶層3的光的偏振根據(jù)液晶分子的旋轉(或取向）方向而變化。
[0098] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191和公共電極270形成在第一基板110上，并且濾 色器230和阻光構件220也形成在第一基板110上。因此，可以防止(或減少）原本會由于 第一基板110和第二基板210之間的不對準而造成的漏光或開口率的劣化。另外，形成在 第二鈍化層180b上的阻光構件220b通過第二接觸孔186物理地電連接到公共電極270。 因此，即使當阻光構件220由具有高介電常數(shù)的材料形成使得電壓被很好地傳送到阻光構 件220時，阻光構件220的電勢也可以等于公共電極270的電勢。如此，即使阻光構件220 和像素電極191彼此疊置使第二絕緣層180b置于其間，也可以防止(或減少)寄生電容的出 現(xiàn)。以此方式，可以防止(或減少）原本會與形成寄生電容關聯(lián)出現(xiàn)的顯示質量的劣化。
[0099] 在示例性實施例中，由于阻光構件220被形成為直接接觸公共電極270以具有相 等的電勢，因此可以防止(或減少)在場發(fā)生電極(諸如，像素電極191和公共電極270)和阻 光構件220之間出現(xiàn)寄生電容，而不用使用介電常數(shù)低的相對昂貴的材料來形成阻光構件 220。
[0100] 圖5是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。圖6是根據(jù)示例性實施例的沿 著剖面線VI-VI截取的圖5的液晶顯示器的剖視圖。
[0101] 參照圖5和圖6,液晶顯不器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100 和上面板200之間。
[0102] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上，第一基板110可以由任何合 適的材料(諸如(例如）透明玻璃、塑料等）形成。柵極線121可以包括與柵電極124和其它 層或外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。柵極線121可以由任何合適的導電材料諸如(例 如）基于鋁的金屬（例如，鋁（A1)或鋁合金)、基于銀的金屬（例如，銀（Ag)或銀合金)、基于 銅的金屬（例如，銅（Cu)或銅合金)、基于鑰的金屬（例如，鑰（Mo)或鑰合金)、基于鉻的金屬 (例如，鉻（Cr )或鉻合金)、基于鉭的金屬（例如，鉭（Ta)或鉭合金)、基于鈦的金屬（例如，鈦 (Ti)或鈦合金）等形成。柵極線121可以具有單層或多層結構，所述結構可以包括不同物 理性質的至少兩個導電層。
[0103] 根據(jù)示例性實施例，柵極絕緣層140可以由任何合適的材料諸如(例如）氮化硅 (SiN x)、氧化硅（SiOx)等形成，形成在柵極導體121和124上。柵極絕緣層140可以具有單 層或多層結構，所述結構可以包括不同物理性質的至少兩個絕緣層。
[0104] 半導體154可以由任何合適的材料(例如，非晶硅、多晶硅等）形成，形成在柵極絕 緣層140上。還料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和165形成 在半導體154上。歐姆接觸件163和165可以由任何合適的材料(諸如(例如）其中可以以 相對高的濃度摻雜諸如磷的η型雜質的n+氫化非晶硅或硅化物)形成。歐姆接觸件163和 165成對設置在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則可以省略歐姆接觸件 163 和 165。
[0105] 液晶顯示裝置還可以包括分別形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上 的包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體。數(shù)據(jù)線171包括與另一層 或外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。數(shù)據(jù)線171發(fā)送數(shù)據(jù)信號并且主要在第一(例如， 垂直)方向上延伸，所述第一方向與主要在第二(例如，水平)方向上延伸的柵極線121相交。 數(shù)據(jù)線171可以具有彎曲形狀的第一彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大(或至少增大的） 透射率。數(shù)據(jù)線171還包括第二彎曲部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與 第一彎曲部分形成確定的角度。也就是說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的 中心區(qū)域中相遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎 曲成大致7°，所述垂直基準線垂直于柵極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心 區(qū)域中的第二彎曲部分可以進一步彎曲，以相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°的角 度。
[0106] 源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上。漏電極 175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175至少平行于數(shù)據(jù)線171的一部分。
[0107] 柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154 -起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0108] 根據(jù)示例性實施例，與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上的源電極173和平行于數(shù)據(jù)線 171延伸的漏電極175被形成為使得薄膜晶體管的寬度增大而數(shù)據(jù)導體的面積沒有增大。 以此方式，可以增大液晶顯示器的開口率。
[0109] 數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由任何合適的材料諸如(例如)難熔金屬 (例如，鑰、鉻、鉭、鈦等或其合金）形成。還注意的是，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175 可以具有單層或多層結構（未示出），所述結構可以包括上述難熔金屬中的一種或更多種的 膜和低電阻導電層（未示出）。多層結構的示例可以包括鉻或鑰（或其合金）下層和鋁(或其 合金）上層的雙層或者鑰(或其合金）下層、鋁(或其合金）中間層和鑰(或其合金）上層的三 層。然而，料想到，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由其它各種金屬或導體形成。
[0110] 第一鈍化層180a設置在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(例如，有機絕緣材料、無機絕緣材 料等）形成。
[0111] 濾色器230形成在第一鈍化層180a上。濾色器230能夠唯一地顯示原色(諸如(例 如）紅色、綠色和藍色、或黃色、青色和紫紅色）中的一種。然而，料想到，可以與濾色器230 關聯(lián)地利用任何合適的顏色。即使未示出，濾色器230也還可以包括除了原色之外還顯示 原色的混合色或白色的其它濾色器。
[0112] 覆蓋件80設置在濾色器230上。可以省略覆蓋件80。覆蓋件80可以防止濾色器 230的顏料流入(或者說污染)液晶層3。覆蓋件80可以由任何合適的材料(例如，無機絕緣 材料、有機絕緣材料等）形成。
[0113] 像素電極191形成在覆蓋件80上。像素電極191具有平面形狀（也就是說，平板 形狀)，并且設置在一個像素區(qū)中。第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a中，以暴露漏電 極175的一部分。像素電極191通過第一接觸孔185物理地電連接到漏電極175。然而，料 想到，像素電極191可以直接形成在漏電極175上，以直接接觸漏電極175。
[0114] 如圖6中看到的，第二鈍化層180b形成在像素電極191和覆蓋件80上。第二鈍 化層180b可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。公 共電極270形成在第二鈍化層180b上。各個像素區(qū)的公共電極270彼此連接，以被施加來 自公共電壓施加單元的參考公共電壓，公共電壓施加單元可以設置在顯示區(qū)外部。
[0115] 根據(jù)示例性實施例，公共電極270具有與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分和第二彎曲 部分基本上平行的彎曲邊緣。設置在相鄰像素中的公共電極270彼此連接。公共電極270 具有多個第二切口 272和通過多個第二切口 272限定的多個分支電極271。
[0116] 在示例性實施例中，阻光構件220直接形成在公共電極270上。阻光構件220包 括：第一阻光構件220a，沿著柵極線121的延伸方向形成并且疊置柵極線121和薄膜晶體 管；第二阻光構件220b，沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成并且疊置數(shù)據(jù)線171。第一阻光 構件220a和第二阻光構件220b彼此連接。即使已經(jīng)描述了阻光構件220包括沿著柵極線 121的延伸方向形成的第一阻光構件220a和沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成的第二阻光構 件220b，也還是料想到，可以省略第二阻光構件220b。
[0117] 根據(jù)示例性實施例，阻光構件220直接設置在公共電極270上，阻光構件220和公 共電極270彼此物理地電連接。因此，即使當阻光構件220的介電常數(shù)高使得電壓被很好 傳送時，阻光構件220的電勢也可以等于公共電極270的電勢。
[0118] 盡管未示出，但取向層可以形成在公共電極270和第二鈍化層180b上。取向層可 以是水平取向層并且被在預定方向上摩擦。還料想到，取向層可以包括可以被光學取向的 光反應材料。
[0119] 分隔件325設置在第一基板110和第二基板210之間。分隔件325保持彼此面對 的第一基板110和第二基板210之間的間隙。分隔件325可以與阻光構件220形成在同一 層。也就是說，分隔件325可以從阻光構件220延伸，從而構成具有多個組成部件的單個特 征。盡管未示出，但液晶顯示器還可以包括在對應于第一接觸孔185的位置形成的著色構 件。著色構件可以至少部分地設置在第一接觸孔185中（或者設置在第一接觸孔185周圍)， 以防止第一接觸孔185周圍漏光并且補償因第一接觸孔185而形成的階梯。分隔件325和 著色構件可以由相同材料形成。料想到，著色構件可以從分隔件325延伸。以此方式，阻光 構件220、分隔件325和著色構件可以構成單個特征的組成部件。
[0120] 如圖6中看到的，液晶層3設置在第一基板110和第二基板210之間。液晶層3 可以包括具有正介電各向異性的向列液晶材料。還料想到，可以與這里描述的示例性實施 例關聯(lián)地利用任何其它合適類型的液晶分子。液晶層3的液晶分子具有其主軸平行于顯示 面板100和200并且液晶分子的方向可以從第一基板110的取向層的摩擦方向向著第二基 板210螺旋扭曲90°的結構。
[0121] 在示例性實施例中，像素電極191可以被施加來自漏電極175的電壓，并且公共電 極270可以被施加來自公共電壓施加單元的具有確定幅值的公共電壓，公共電壓施加單元 可以設置在顯示區(qū)外部。像素電極191和公共電極270 (場發(fā)生電極）產(chǎn)生電場，以使設置 在這兩個電極191和270上的液晶層3的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉（或者 說使液晶分子取向）。經(jīng)過液晶層3的光的偏振可以根據(jù)液晶分子的旋轉方向（或取向）而 變化。
[0122] 如上所述，像素電極191和公共電極270形成在第一基板110上，并且濾色器230 和阻光構件220也形成在第一基板110上。因此，可以防止(或減小）原本會由于第一基板 110和第二基板210之間的不對準而造成的漏光或開口率的劣化。另外，阻光構件220直接 形成在公共電極270上，使得阻光構件220接觸公共電極270。因此，即使當阻光構件220 由具有高介電常數(shù)的材料形成使得電壓被很好地傳輸?shù)阶韫鈽嫾?20時，阻光構件220的 電勢也可以等于公共電極270的電勢。因此，即使阻光構件220和像素電極191彼此疊置 使第二絕緣層180b置于其間，也可以防止(或者說減少）寄生電容的出現(xiàn)。以此方式，可以 防止(或者說減少）原本會由于寄生電容而出現(xiàn)的顯示質量的劣化。
[0123] 根據(jù)示例性實施例，由于阻光構件220被形成為直接接觸公共電極270(從而具有 相等的電勢)，因此可以防止(或減少）在場發(fā)生電極(諸如，像素電極191和公共電極270) 和阻光構件220之間出現(xiàn)寄生電容，而不用使用介電常數(shù)低的相對昂貴的材料來形成阻光 構件220。
[0124] 繼續(xù)參照圖5,圖7是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線VI-VI截取的圖5的液晶顯 示器的替代的剖視圖。參照圖7,示出的液晶顯示器與圖5和圖6中描繪的液晶顯示器基本 上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0125] 參照圖7,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一基板 110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100和上 面板200之間。
[0126] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括柵電極124。 柵極絕緣層140形成在柵電極124和第一基板110上。半導體形成在柵極絕緣層140上， 并且歐姆接觸件163和165形成在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則可 以省略歐姆接觸件163和165。
[0127] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并 且與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175 平行于數(shù)據(jù)線171的至少一部分。
[0128] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機 絕緣材料等）形成。
[0129] 濾色器230形成在第一鈍化層180a上。覆蓋件80設置在濾色器230上?？梢允?略覆蓋件80。覆蓋件80可以防止濾色器230的顏料流入（或者說污染）液晶層3。覆蓋件 80可以由任何合適的材料(諸如(例如）無機絕緣材料、有機絕緣材料等）形成。
[0130] 像素電極191形成在覆蓋件80上。像素電極191具有平面形狀（也就是說，板形 狀）并且設置在一個像素區(qū)中。像素電極191通過形成在第一鈍化層180a上的第一接觸 孔185物理地電連接到漏電極175。第二鈍化層180b形成在像素電極191上。第二鈍化層 180b可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。
[0131] 阻光構件220形成在第二鈍化層180b上。阻光構件220包括：第一阻光構件 220a，其沿著柵極線121的延伸方向形成并且疊置柵極線121和薄膜晶體管；第二阻光構件 220b，其沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成并且疊置數(shù)據(jù)線171。第一阻光構件220a和第二 阻光構件220b彼此連接。即使已經(jīng)描述了阻光構件220包括沿著柵極線121的延伸方向 形成的第一阻光構件220a和沿著數(shù)據(jù)線171的延伸方向形成的第二阻光構件220b，也還是 料想到，可以省略第二阻光構件220b。
[0132] 公共電極270直接形成在阻光構件220上。公共電極270具有與數(shù)據(jù)線171的第 一彎曲部分和第二彎曲部分基本上平行的彎曲邊緣。設置在相鄰像素中的公共電極270彼 此連接。公共電極270具有多個第二切口 272和通過多個第二切口 272限定的多個分支電 極 271。
[0133] 根據(jù)示例性實施例，公共電極270直接設置在阻光構件220上，使得阻光構件220 和公共電極270彼此物理地電連接。因此，即使當阻光構件220的介電常數(shù)高使得電壓被 很好傳輸時，阻光構件220的電勢也可以等于公共電極270的電勢。
[0134] 盡管未示出，但取向層可以形成在公共電極270和第二鈍化層180b上。取向層可 以是水平取向層并且被在預定方向上摩擦。還料想到，取向層可以包括可以被光學取向的 光反應材料。
[0135] 盡管未示出，但液晶顯示器可以包括設置在第一基板110和第二基板210之間的 分隔件和設置在對應于第一接觸孔185的位置的著色構件。分隔件和著色構件可以由相同 材料形成。為此目的，分隔件和著色構件可以是單個特征的組成構件，或者，換句話講，分隔 件和著色構件可以從彼此延伸（或突出）。
[0136] 如圖7中看到的，液晶層3設置在第一基板110和第二基板210之間。液晶層3 可以包括具有正介電各向異性的向列液晶材料。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實 施例關聯(lián)地利用任何其它合適類型的液晶。
[0137] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191可以被施加來自漏電極175的電壓，并且公共電 極270可以被施加來自公共電壓施加單元的具有確定幅值的公共電壓，公共電壓施加單元 可以設置在顯示區(qū)外部。像素電極191和公共電極270 (場發(fā)生電極）產(chǎn)生電場，以使設置 在這兩個電極191和270上的液晶層3的液晶分子在平行于電場方向的方向上旋轉（或者 說使液晶分子取向）。經(jīng)過液晶層3的光的偏振可以根據(jù)液晶分子的旋轉(或取向）方向而 變化。
[0138] 在示例性實施例中，像素電極191和公共電極270形成在第一基板110上并且濾 色器230和阻光構件220也形成在第一基板110上。因此，可以防止（或減少）原本會由于 第一基板110和第二基板210之間的不對準而造成的漏光或開口率的劣化。另外，阻光構 件220直接形成在公共電極270上，使得阻光構件220接觸公共電極270。因此，即使當阻 光構件220由具有高介電常數(shù)的材料形成使得電壓被很好地傳輸?shù)阶韫鈽嫾?20時，阻光 構件220的電勢也可以等于公共電極270的電勢。因此，即使阻光構件220和像素電極191 彼此疊置使第二絕緣層180b置于其間，也可以防止(或減少）寄生電容的出現(xiàn)。以此方式， 可以防止(或減?。┰緯c形成寄生電容關聯(lián)出現(xiàn)的顯示質量的劣化。
[0139] 根據(jù)示例性實施例，由于阻光構件220被形成為直接接觸公共電極270以具有相 等的電勢，因此可以防止(或減少)在場發(fā)生電極(諸如，像素電極191和公共電極270)和阻 光構件220之間出現(xiàn)寄生電容，而不用使用介電常數(shù)低的相對昂貴的材料來形成阻光構件 220。
[0140] 圖8是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。圖9是沿著剖面線IX-IX截取 的圖8的液晶顯示器的剖視圖。
[0141] 參照圖8和圖9,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100 和上面板200之間。
[0142] 首先，將描述下基板100。
[0143] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上，第一基板110可以由任何合 適的材料(諸如(例如）透明玻璃、塑料等）形成。柵極線121包括與柵電極124和其它層或 外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。柵極線121可以由任何合適的導電材料諸如(例如） 基于鋁的金屬（例如，鋁（A1)或鋁合金)、基于銀的金屬（例如，銀（Ag)或銀合金)、基于銅的 金屬（例如，銅（Cu)或銅合金)、基于鑰的金屬（例如，鑰（Mo)或鑰合金)、基于鉻的金屬（例 如，鉻（Cr)或鉻合金)、基于鉭的金屬(例如，鉭（Ta)或鉭合金)、基于鈦的金屬(例如，鈦（Ti) 或鈦合金)等形成。柵極線121可以具有單層或多層結構，所述結構可以包括不同物理性質 的至少兩個導電層。
[0144] 根據(jù)示例性實施例，柵極絕緣層140可以由任何合適的材料(例如，氮化硅（SiNx)、 氧化硅（SiO x)等）形成，形成在柵極導體121和124上。柵極絕緣層140可以具有單層或 多層結構，所述結構可以包括不同物理性質的至少兩個絕緣層。
[0145] 半導體154可以由任何合適的材料(例如，非晶硅、多晶硅等）形成，形成在柵極絕 緣層140上。還料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和165形成 在半導體154上。歐姆接觸件163和165可以由任何合適的材料(諸如(例如）其中可以以 相對高的濃度摻雜諸如磷的η型雜質的n+氫化非晶硅或硅化物)形成。歐姆接觸件163和 165成對設置在半導體154上。如果半導體154是氧化物半導體，則可以省略歐姆接觸件 163 和 165。
[0146] 液晶顯示裝置還可以包括分別形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上 的包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體。數(shù)據(jù)線171包括與另一層 或外部驅動電路連接的寬端部(未示出）。數(shù)據(jù)線171發(fā)送數(shù)據(jù)信號并且主要在第一(例如， 垂直)方向上延伸，所述第一方向與主要在第二(例如，水平)方向上延伸的柵極線121相交。 數(shù)據(jù)線171可以具有彎曲形狀的第一彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大(或至少增大的） 透射率。數(shù)據(jù)線171還包括第二彎曲部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與 第一彎曲部分形成確定的角度。也就是說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的 中心區(qū)域中相遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎 曲成大致7°，所述垂直基準線垂直于柵極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心 區(qū)域中的第二彎曲部分可以進一步彎曲，以相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°的角 度。
[0147] 源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在同一條線上。漏電極 175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175至少平行于數(shù)據(jù)線171的一部分。
[0148] 柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154 -起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0149] 根據(jù)示例性實施例，與數(shù)據(jù)線171設置在同一層上的源電極173和平行于數(shù)據(jù)線 171延伸的漏電極175被形成為使得薄膜晶體管的寬度增大而數(shù)據(jù)導體的面積沒有增大。 以此方式，增大液晶顯示器的開口率。
[0150] 數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由任何合適的材料諸如(例如)難熔金屬 (例如，鑰、鉻、鉭、鈦等或其合金）形成。還注意的是，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175 可以具有單層或多層結構（未示出），所述結構可以包括上述難熔金屬中的一種或更多種和 低電阻導電層(未示出）。多層結構的示例可以包括鉻或鑰(或其合金)下層和鋁(或其合金） 上層的雙層或鑰(或其合金)下層、鋁(或其合金)中間層和鑰(或其合金)上層的三層。然而， 料想到，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由其它各種金屬或導體形成。
[0151] 第一鈍化層180a設置在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(例如，有機絕緣材料、無機絕緣材 料等）形成。
[0152] 濾色器230形成在第一鈍化層180a上。濾色器230能夠唯一地顯示原色(諸如(例 如）紅色、綠色和藍色、或黃色、青色和紫紅色）中的一種。然而，料想到，可以與濾色器230 關聯(lián)地利用任何合適的顏色。即使未示出，濾色器230也還可以包括除了原色之外還顯示 原色的混合色或白色的其它濾色器。濾色器230可以由任何合適的材料(例如，有機材料等） 制成。各濾色器230可以沿著數(shù)據(jù)線171延伸，在數(shù)據(jù)線171的邊界上彼此鄰近的濾色器 240可以相互疊置。在形成有第一接觸孔185的位置可以不形成濾色器230。
[0153] 公共電極270形成在濾色器230上。公共電極270可以由任何合適的材料諸如(例 如）透明導電材料(例如，氧化鋁鋅（azo)、氧化鎵鋅（gzo)、氧化銦錫ατο)、氧化銦鋅αζο) 等）制成。還料想到，可以利用一種或更多種導電聚合物（ΙΡ)，諸如(例如）聚苯胺（ΡΑΝΙ)、 聚（3,4-亞乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PED0T :PSS)。公共電極 270 具有形成在作 為整體板的基板110的整個(或基本上整個)表面上的平面形狀。公共電極270包括第一開 口 273,第一開口 273形成在對應于薄膜晶體管的外圍的區(qū)域中。設置在相鄰像素中的公共 電極270可以彼此連接，使得從(例如）顯示區(qū)的外部源供應的具有確定幅值的公共電壓可 以被傳輸?shù)焦搽姌O270。第二鈍化層180b形成在公共電極270上。第二鈍化層180b可 以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。
[0154] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191形成在第二鈍化層180b上。像素電極191包括 與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分和第二彎曲部分基本上平行的彎曲邊緣。像素電極191包括 多個切口 92和通過多個切口 92限定的多個第一分支電極192。像素電極191的分支電極 192疊置平面形狀的公共電極270。
[0155] 在第一切口 92中，與和柵極線191相鄰的橫向端部部分93相遇的分支部分的端 部主要平行于第一切口 92的分支部分延伸。也就是說，與第一切口 92的橫向端部部分93 相遇的分支部分的端部平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分。
[0156] 第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a、濾色器230和第二鈍化層180b中，以暴 露漏電極175。像素電極191通過第一接觸孔185電連接到漏電極175。以此方式，像素電 極191可以被提供數(shù)據(jù)電壓。第一接觸孔185可以形成在與公共電極270中形成的第一開 口 273對應的位置。
[0157] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在像素電極191的一部分上。阻擋層20包括 (例如)相對低介電的有機材料。阻擋層20還可以包括黑色顏料，如此，阻擋層20可以用作 阻光構件。阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第一切口 92的橫向端部，以減小施加到第 一切口 92的端部的邊緣場的影響。阻擋層20的厚度可以具有大約2. 5或更大的光學密度 (0D)。光學密度是指示入射光的阻擋程度的單位，并且可以根據(jù)等式1來計算。
[0158] 0D=-LogX (透射光的強度/入射光的強度）等式1
[0159] 例如，如果厚度是大約1. 5 μ m，則使用每毫米單位厚度的光學密度是大約1. 7的 材料，光學密度變成2. 5。阻擋層20的最大厚度可以是液晶顯示器的盒間隙（cell gap)， 例如，液晶層3的厚度。以此方式，阻擋層20的厚度可以是范圍從光學密度是大約2. 5或 更大的厚度至盒間隙厚度的值。通過設置阻擋層20的邊緣和第一切口 92的端部之間的間 隙，在覆蓋第一切口端部的部分，阻擋層20的光學密度0D可以變成大約2. 5或更大。阻擋 層20的介電常數(shù)可以小于大約50,并且可以由金屬材料(諸如(例如）鉻（Cr))或含有黑色 染料的有機材料制成。
[0160] 根據(jù)示例性實施例，使用阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第一切口 92的橫向 端部，以防止(或者說減少)由于邊緣場的影響而導致液晶層3的液晶分子的不規(guī)則移動，所 述邊緣場是當像素電極191和/或公共電極270被提供對應電壓時可以在第一切口 92的 端部產(chǎn)生的。如所描述的，可以防止可能在切口 92的端部出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動， 從而防止(或減?。┮壕э@示器的透射率的劣化。
[0161] 盡管未示出，但還料想到，第一取向層可以形成在像素電極191和阻擋層20上。
[0162] 現(xiàn)在，將描述上面板200。
[0163] 另外，盡管未示出，但第二取向層可以形成在第二基板210上，第二基板210可以 由任何合適的材料(諸如(例如）透明玻璃、塑料等）制成。第一取向層和第二取向層可以 是水平取向層；然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何合適的取向 層。
[0164] 液晶層3可以包括液晶分子，并且液晶分子可以被取向，使得當沒有電場施加到 液晶分子時，其長軸平行于或垂直于兩個面板100和200的表面。液晶層3可以具有正或 負的介電各向異性。液晶層3的液晶分子可以被取向，使得它們在確定的方向上預傾斜，液 晶分子的預傾斜方向可以根據(jù)液晶層3的介電各向異性來改變。
[0165] 在下面板100的第一基板110的外部，例如，在下面板100下方，還可以包括被配 置成產(chǎn)生將被供應到兩個面板100和200的光的背光單元(未示出）?？梢员皇┘訑?shù)據(jù)電壓 的像素電極191與可以接收公共電壓的公共電極270 -起在液晶層3中產(chǎn)生電場，以確定 液晶層3的液晶分子的方向并且實現(xiàn)對應圖像的顯示。
[0166] 根據(jù)示例性實施例，包括黑色顏料的阻擋層20可以形成在像素電極191的一部分 上，而不是形成另外的阻光構件。以此方式，可以減小像素電極191的切口 92的橫向端部 產(chǎn)生的邊緣場的影響，同時，阻擋層20可以用作阻光構件。進而，這可以防止(或減小）原 本會在切口 92的端部部分出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動以及防止液晶顯示器的透射率劣 化。
[0167] 繼續(xù)參照圖8,圖10是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線IX-IX截取的圖8的液晶 顯示器的替代的剖視圖。參照圖10,示出的液晶顯示器與圖8和圖9中描繪的液晶顯示器 基本上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0168] 參照圖8和圖10,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100 和上面板200之間。
[0169] 首先，將描述下面板100。
[0170] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括與柵電極124 和其它層或外部驅動電路連接的柵極焊盤部分(未示出）?？梢杂扇魏魏线m的材料(例如，氮 化硅（SiN x)、氧化硅（SiOx)等)形成的柵極絕緣層140形成在柵極導體121和124上?？梢?由任何合適的材料(例如，非晶硅、多晶硅等）形成的半導體154形成在柵極絕緣層140上。 還料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和165形成在半導體154 上。也就是說，歐姆接觸件163和165成對地設置在半導體154上。如果半導體154是氧 化物半導體，則可以省略歐姆接觸件163和165。
[0171] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括與另一層或外部驅動 電路連接的數(shù)據(jù)焊盤部分(未示出）。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且主要在第一方向(例如， 垂直方向）上延伸，以與主要在第二方向(例如，水平方向）上延伸的柵極線121相交。數(shù)據(jù) 線171可以具有彎曲形狀的第一彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大（或至少增大的）透射 率。數(shù)據(jù)線171還包括第二彎曲部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與第一 彎曲部分形成確定的角度。也就是說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的中心 區(qū)域中相遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎曲成 大致7°，所述垂直基準線垂直于柵極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心區(qū)域處 的第二彎曲部分進一步彎曲，以相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°的角度。
[0172] 在示例性實施例中，源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在 同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175平行于數(shù)據(jù)線171的至 少一部分。柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154-起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0173] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171U73和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機 絕緣材料等）形成。
[0174] 有機層180形成在第一鈍化層180a上。有機層180形成在數(shù)據(jù)線171上，以防止 (或減少)形成在有機層180上的電極和數(shù)據(jù)線171之間的不必要的連接。在其中形成有第 一接觸孔185的部分中可以不形成有機層180。
[0175] 根據(jù)示例性實施例，公共電極270形成在有機層180上。公共電極270具有形成 在作為整體板的基板110的整個(或基本上整個）表面上的平面形狀。為此目的，公共電極 270包括第一開口 273,第一開口 273形成在對應于薄膜晶體管的外圍的區(qū)域中。設置在相 鄰像素中的公共電極270可以彼此連接，使得可以從顯示區(qū)的外部向各公共電極270供應 具有確定幅值的公共電壓。
[0176] 第二鈍化層180b形成在公共電極270上。第二鈍化層180b可以由任何合適的 材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。像素電極191形成在第二鈍化層 180b上。像素電極191包括與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分和第二彎曲部分基本上平行的彎 曲邊緣。像素電極191包括多個切口 92和通過多個切口 92限定的多個第一分支電極192。 像素電極191的第一分支電極192與平面形狀的公共電極270疊置。
[0177] 在第一切口 92中，與和柵極線191相鄰的橫向端部部分93相遇的分支部分的端 部主要平行于第一切口 92的分支部分延伸。也就是說，與第一切口 92的橫向端部部分93 相遇的分支部分的端部平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分。
[0178] 第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a、有機層220和第二鈍化層180b中，以暴 露漏電極175。像素電極191通過第一接觸孔185電連接到漏電極175。以此方式，可以借 助漏電極175向像素電極191提供數(shù)據(jù)電壓。第一接觸孔185可以形成在與公共電極270 中形成的第一開口 273對應的位置。
[0179] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在像素電極191的一部分上。阻擋層20包括 (例如)相對低介電的有機材料。阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第一切口 92的橫向端 部93,以減小施加到第一切口 92的端部的邊緣場的影響。阻擋層20的厚度可以具有大約 2. 5或更大的光學密度（0D)。阻擋層20的最大厚度可以是液晶顯示器的盒間隙，例如，液 晶層3的厚度。以此方式，阻擋層20的厚度可以是范圍從光學密度是大約2. 5或更大的厚 度至盒間隙厚度的值。通過設置阻擋層20的邊緣和第一切口 92的端部之間的間隙，在覆 蓋第一切口 92的端部93的部分，阻擋層20的光學密度0D可以變成大約2. 5或更大。阻 擋層20的介電常數(shù)可以小于大約50,并且可以由金屬材料(諸如(例如）鉻（Cr))或含有黑 色染料的有機材料制成。
[0180] 根據(jù)示例性實施例，用阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第一切口 92的橫向端 部93,以防止(或減少）由于邊緣場的影響而導致液晶層3的液晶分子的不規(guī)則移動，所述 邊緣場是當像素電極191和/或公共電極270被提供對應電壓時可以在第一切口 92的端 部93產(chǎn)生的。如所描述的，可以防止可能在切口 92的端部93出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移 動，從而防止(或減少）液晶顯示器的透射率的劣化。
[0181] 盡管未示出，但還料想到，第一取向層可以形成在像素電極191和阻擋層20上。
[0182] 現(xiàn)在，將描述上面板200。
[0183] 阻光構件220形成在第二基板210上，第二基板210可以由任何合適的材料(諸如 (例如)透明玻璃、塑料等)制成。阻光構件220還可以被稱為黑色矩陣。阻光構件220可以 被配置成防止(或減少)像素/子像素之間的漏光。多個濾色器230形成在基板210上和阻 光構件220的開口中。覆蓋件250形成在濾色器230和阻光構件220上。覆蓋件250可以 由任何合適的材料(諸如(例如)有機材料)制成。覆蓋件250可以被配置成防止濾色器230 被暴露并且提供平坦表面?？梢允÷愿采w件250。
[0184] 盡管未示出，但第二取向層可以形成在覆蓋件250上。第一取向層和第二取向層 可以是水平取向層。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何合適的 取向層。
[0185] 液晶層3可以包括液晶分子(未示出），并且液晶分子可以被取向，使得當沒有電場 施加到液晶分子時，其長軸平行于或垂直于面板100和200。液晶層3可以具有正或負的介 電各向異性。液晶層3的液晶分子可以被取向，使得它們在確定方向上預傾斜，液晶分子的 預傾斜方向可以根據(jù)液晶層3的介電各向異性來改變。
[0186] 在下面板100的第一基板110的外部，例如，在下面板100下方，還可以包括被配 置成產(chǎn)生將被供應到兩個面板100和200的光的背光單元(未示出）。可以被施加數(shù)據(jù)電壓 的像素電極191與可以接收公共電壓的公共電極270 -起在液晶層3中產(chǎn)生電場，以確定 液晶層3的液晶分子的方向并且實現(xiàn)對應圖像的顯示。
[0187] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在像素電極191的一部分上，使得可以減少像 素電極191的第一切口 92的端部產(chǎn)生的邊緣場的影響，從而防止(或減少)原本會在切口 92 的端部部分出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動。進而，這可以防止(或減少）液晶顯示器的透射 率劣化。
[0188] 現(xiàn)在，將參照圖11和圖12描述阻擋層20的作用。圖11是傳統(tǒng)的液晶顯示器的 一部分的概念視圖。圖12是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的一部分的概念視圖。
[0189] 參照圖11，在傳統(tǒng)的液晶顯示器中，在與場發(fā)生電極191a中形成的切口 92a的邊 緣垂直的方向上會施加邊緣場。當存在切口 92a的分支部分時，在與切口 92a的分支部分 的邊緣垂直的方向上會產(chǎn)生第一邊緣場F1。以此方式，切口 92a的分支部分外圍的第一液 晶分子31a可以平行于第一邊緣場F1的方向旋轉。這些第一液晶分子31a可以彼此碰撞， 使得第一液晶分子31a在與分支電極192a主要延伸的長度方向平行的方向上旋轉，例如， 在與第一邊緣場F1的方向垂直的方向上旋轉。
[0190] 在切口 92a的端部93a，在與切口 92a的端部的各個邊緣垂直的對應方向上會產(chǎn)生 第二邊緣場F2和第三邊緣場F3。以此方式，切口 92a的端部外圍的第二液晶分子31b會在 作為第二邊緣場F2方向和第三邊緣場F3方向的向量和的方向上旋轉。如此，第二液晶分 子31b的旋轉方向不同于第一液晶分子31a的旋轉方向。如此，切口 92a的端部的外圍的 液晶分子的旋轉方向變得不規(guī)則。進而，這會造成在切口 92的端部的外圍，液晶顯示器的 透射率劣化。
[0191] 參照圖12,在根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器中，切口 92a的端部被相對低介電 的阻擋層20覆蓋。以此方式，可以減小原本將在切口 92的端部產(chǎn)生的第三邊緣場F3的影 響。如此，在與第一邊緣場F1的方向平行的方向上產(chǎn)生的第二邊緣場F2的影響下，位于切 口 92a的端部外圍的第二液晶分子31b平行于第一液晶分子31a旋轉。因此，可以防止切 口 92a的外圍的液晶分子的旋轉方向不規(guī)則，從而防止(或減少）原本會在切口 92a的端部 外圍出現(xiàn)的透射率的劣化。
[0192] 現(xiàn)在，將與圖13和圖14關聯(lián)地更詳細描述阻擋層20。圖13和圖14是根據(jù)示例 性實施例的液晶顯示器的一部分的相應剖視圖。
[0193] 如之前描述的，阻擋層20可以由相對低介電的有機材料形成。參照圖13,阻擋層 20的厚度T1被設置成使阻擋層20的光學密度（0D)是2. 5或更大。阻擋層20的最大厚度 是液晶顯示器的盒間隙，例如，液晶層3的厚度。因此，阻擋層20的厚度具有范圍從光學密 度是大約2. 5或更大的厚度至盒間隙厚度的值。
[0194] 根據(jù)示例性實施例，與柵極線121平行的阻擋層20的邊緣20a和切口 92a的端部 93a之間的第一寬度W1被設置成使覆蓋切口 92a的端部93a的邊緣20a處阻擋層20的0D 是大約2.5或更大。阻擋層20的介電常數(shù)可以小于大約50。為此目的，阻擋層20可以由 包括(例如）鉻（Cr)的金屬材料或包含黑色染料的有機材料制成。
[0195] 圖14是根據(jù)示例性實施例的圖8的液晶顯示器的部分A的剖視圖。
[0196] 參照圖14,與柵極線121相鄰的第一切口 92的端部93a和柵極線121之間的第二 寬度W2可以比與柵極線121平行的阻擋層20的邊緣20a和切口 92a的端部93a之間的第 一寬度W1寬。如之前參照圖13描述的，與柵極線121平行的阻擋層20的邊緣20a和切口 92a的端部93a之間的第一寬度W1可以被設置成使在覆蓋切口 92a的端部93a的邊緣20a 處阻擋層20的0D是大約2. 5或更大。
[0197] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在像素電極191的一部分上，使得可以減小在 像素電極191的切口 92a的端部產(chǎn)生的邊緣場的影響，從而防止原本會在切口 92a的端部 出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動。進而，這可以防止液晶顯示器的透射率劣化。
[0198] 圖15是根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的布局圖。圖16是沿著剖面線XVI-XVI 截取的圖15的液晶顯示器的剖視圖。參照圖15和圖16,示出的液晶顯示器與圖9中描繪 的液晶顯示器基本上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0199] 參照圖15和圖16,液晶顯不器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100 和上面板200之間。
[0200] 首先，將描述下面板100。
[0201] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括與柵電極 124和其它層或外部驅動電路連接的寬端部部分（未示出）。柵極絕緣層140形成在柵極導 體121和124上?？梢杂扇魏魏线m的材料(例如，非晶硅、多晶硅等)形成的半導體154形成 在柵極絕緣層140上。還料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和 165形成在半導體154上。也就是說，歐姆接觸件163和165成對地設置在半導體154上。 如果半導體154是氧化物半導體，則可以省略歐姆接觸件163和165。
[0202] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括與另一層或外部驅動 電路連接的寬端部部分(未示出）。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且主要在第一(例如，垂直） 方向上延伸，所述第一方向與主要在第二方向（例如，水平方向）上延伸的柵極線121相交。 數(shù)據(jù)線171可以具有彎曲形狀的第一彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大(或至少增大的） 透射率。數(shù)據(jù)線171還包括第二彎曲部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與 第一彎曲部分形成確定角度。也就是說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的中 心區(qū)域中相遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎曲 成大致7°，所述垂直基準線垂直于柵極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心區(qū)域 中的第二彎曲部分進一步彎曲，以相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°的角度。
[0203] 在示例性實施例中，源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在 同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175平行于數(shù)據(jù)線171的至 少一部分。柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154-起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0204] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機 絕緣材料等)形成。濾色器230形成在第一鈍化層180a上。在形成有第一接觸孔185的位 置可以不形成濾色器230。
[0205] 在示例性實施例中，像素電極191形成在濾色器230上。像素電極191作為板狀 電極具有形成在一個像素區(qū)中的平面形狀。像素電極191包括與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部 分和第二彎曲部分基本上平行的彎曲邊緣。像素電極191通過濾色器230和第一鈍化層 180a中形成的第一接觸孔185物理地電連接到漏電極175。第二鈍化層180b形成在像素 電極191上。第二鈍化層180b可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕 緣材料等）形成。
[0206] 公共電極270形成在第二鈍化層180b上。公共電極270可以由任何合適的材料 諸如(例如）透明導電材料(例如，AZO、GZ0、ΙΤΟ、IZO、PANI、PEDOT:PSS等）制成。公共電極 270包括多個切口 72和通過多個第二切口 72限定的多個第二分支電極271。公共電極270 的第二分支電極271與平面形狀的像素電極191疊置。設置在相鄰像素中的公共電極270 彼此連接，使得從源(例如，顯示區(qū)外部的外部源）供應的具有確定幅值的公共電壓可以被 傳輸?shù)焦搽姌O270。
[0207] 在第二切口 72中，與和柵極線121相鄰的橫向端部73相遇的分支部分的端部主 要平行于第二切口 72的分支部分延伸。也就是說，與第二切口 72的橫向端部73相遇的分 支部分的端部平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分。
[0208] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在公共電極270的一部分上。阻擋層20包括 (例如）相對低介電的有機材料。阻擋層20還可以包括黑色顏料，如此，阻擋層20可以用 作阻光構件。阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第二切口 72的橫向端部73,以減小施加 到第二切口 72的端部的邊緣場的影響。阻擋層20的厚度具有大約2. 5或更大的光學密度 (0D)。阻擋層20的最大厚度是液晶顯示器的盒間隙，例如，液晶層3的厚度。以此方式，阻 擋層20的厚度可以是范圍從光學密度是大約2. 5或更大的厚度至盒間隙厚度的值。通過 設置阻擋層20的邊緣和第二切口 72的端部73之間的間隙，在覆蓋第二切口 72的端部的 部分，阻擋層20的光學密度OD可以變成大約2. 5或更大。阻擋層20的介電常數(shù)小于大約 50,并且可以由金屬材料(諸如(例如）鉻（Cr))或含有黑色染料的有機材料制成。
[0209] 根據(jù)示例性實施例，使用阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第二切口 72的橫向 端部73,以防止(或減少）由于可以在第二切口 72的端部73產(chǎn)生的邊緣場的影響而導致液 晶層3的液晶分子的不規(guī)則移動。如所描述的，可以防止可能在切口的端部73出現(xiàn)的液晶 分子的不規(guī)則移動，從而防止(或減少）液晶顯示器的透射率的劣化。
[0210] 盡管未示出，但還料想到，第一取向層可以形成在公共電極270和阻擋層20上。
[0211] 現(xiàn)在，將描述上面板200。
[0212] 另外，盡管未示出，但第二取向層可以形成在第二基板210上，第二基板210可以 由任何合適的材料(例如，透明玻璃、塑料等)制成。第一取向層和第二取向層可以是水平取 向層；然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何合適類型的取向層。
[0213] 液晶層3可以包括液晶分子(未示出），并且液晶分子可以被取向，使得當沒有電場 施加到液晶分子時，其長軸平行于或垂直于兩個面板100和200的表面。液晶層3可以具 有正或負介電各向異性。液晶層3的液晶分子可以被取向，使得它們在確定方向上預傾斜， 液晶分子的預傾斜方向可以根據(jù)液晶層3的介電各向異性來改變。
[0214] 在下面板100的基板110的外部，例如，下面板100下方，還可以包括被配置成產(chǎn) 生將被供應到兩個面板1〇〇和200的光的背光單元(未示出）?？梢员皇┘訑?shù)據(jù)電壓的像素 電極191與可以接收公共電壓的公共電極270 -起在液晶層3中產(chǎn)生電場，以確定液晶層 3的液晶分子的方向并且實現(xiàn)對應圖像的顯示。
[0215] 根據(jù)示例性實施例，包括黑色顏料的阻擋層20形成在公共電極270的一部分上， 而不是形成另外的阻光構件，使得可以減少公共電極270的切口 72的端部73產(chǎn)生的邊緣 場的影響，同時，阻擋層20可以用作阻光構件。這可以防止(或減少)會在切口 92的端部部 分73出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動以及防止(或減少）液晶顯示器的透射率劣化。
[0216] 繼續(xù)參照圖15,圖17是根據(jù)示例性實施例的沿著剖面線XVI-XVI截取的圖15的 液晶顯示器的替代的剖視圖。參照圖15和圖17,示出的液晶顯示器與圖8和圖10中描繪 的液晶顯示器基本上類似。為了避免模糊這里描述的示例性實施例，將省略重復的描述。
[0217] 參照圖15和圖17,液晶顯示器包括下面板100和上面板200,下面板100包括第一 基板110,上面板200包括面對第一基板110的第二基板210。液晶層3設置在下面板100 和上面板200之間。
[0218] 首先，將描述下面板100。
[0219] 包括柵極線121的柵極導體形成在第一基板110上。柵極線121包括與柵電極124 和其它層或外部驅動電路連接的寬端部部分(未示出）。可以由任何合適的材料(例如，氮化 硅（SiN x)、氧化硅（SiOx)等)形成的柵極絕緣層140形成在柵極導體121和124上?？梢杂?任何合適的材料(例如，非晶硅、多晶硅等)形成的半導體154形成在柵極絕緣層140上。還 料想到，半導體154可以包括氧化物半導體。歐姆接觸件163和165形成在半導體154上。 也就是說，歐姆接觸件163和165成對地設置在半導體154上。如果半導體154是氧化物 半導體，則可以省略歐姆接觸件163和165。
[0220] 根據(jù)示例性實施例，包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導體 形成在歐姆接觸件163和165和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括與另一層或外部驅動 電路連接的寬端部部分(未示出）。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并且主要在第一(例如，垂直)方 向上延伸，以與主要在第二方向(例如，水平方向)上延伸的柵極線121相交。數(shù)據(jù)線171可 以具有彎曲形狀的第一彎曲部分，以得到液晶顯示器的最大(或至少增大的）透射率。數(shù)據(jù) 線171還包括第二彎曲部分，第二彎曲部分彎曲，以在像素區(qū)的中心區(qū)域中與第一彎曲部 分形成確定角度。也就是說，第一彎曲部分和第二彎曲部分可以在像素區(qū)的中心區(qū)域中相 遇，以形成V形。例如，數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分可以相對于垂直基準線彎曲成大致7° 的角度，所述垂直基準線垂直于柵極線121主要延伸的方向。設置在像素區(qū)的中心區(qū)域中 的第二彎曲部分進一步彎曲，以相對于第一彎曲部分形成大致7°至15°的角度。
[0221] 在示例性實施例中，源電極173是數(shù)據(jù)線171的一部分并且與數(shù)據(jù)線171設置在 同一層上。漏電極175平行于源電極173延伸。因此，漏電極175平行于數(shù)據(jù)線171的至 少一部分。柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154-起形成薄膜晶體管（TFT)。 薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導體154中。
[0222] 第一鈍化層180a形成在數(shù)據(jù)導體171、173和175、柵極絕緣層140和半導體154 的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由任何合適的材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機 絕緣材料等）形成。
[0223] 有機層180形成在第一鈍化層180a上。有機層180形成在數(shù)據(jù)線171上，以防止 (或減少)形成在有機層180上的電極和數(shù)據(jù)線171之間的不必要的連接。在其中形成有第 一接觸孔185的部分中可以不形成有機層180。
[0224] 根據(jù)示例性實施例，像素電極191形成在有機層180上。像素電極191作為整體 板具有形成在一個像素區(qū)中的平面形狀。像素電極191包括與數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分 和第二彎曲部分基本上平行的彎曲邊緣。像素電極191通過濾色器230和第一鈍化層180a 中形成的第一接觸孔185物理地電連接到漏電極175。
[0225] 第二鈍化層180b形成在像素電極191上。第二鈍化層180b可以由任何合適的 材料(諸如(例如）有機絕緣材料、無機絕緣材料等）形成。公共電極270形成在第二鈍化層 180b上。公共電極270可以由任何合適的材料諸如(例如）透明導電材料(例如，AZ0、GZ0、 ITO、IZ0、PANI、PED0T:PSS等）制成。設置在相鄰像素中的公共電極270可以彼此連接，使 得可以從顯示區(qū)的外部向公共電極270供應具有確定幅值的公共電壓。公共電極270的第 二分支電極271與平面形狀的像素電極191疊置。
[0226] 在第二切口 72中，與和柵極線121相鄰的橫向端部73相遇的分支部分的端部平 行于第二切口 72的分支部分延伸。也就是說，與第二切口 72的橫向端部73相遇的分支部 分的端部平行于數(shù)據(jù)線171的第一彎曲部分。
[0227] 第一接觸孔185形成在第一鈍化層180a和有機層220中，以暴露漏電極175。像 素電極191通過第一接觸孔185電連接到漏電極175。以此方式，可以借助漏電極175向像 素電極191提供數(shù)據(jù)電壓。
[0228] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在公共電極270的一部分上。阻擋層20覆蓋 與柵極線121相鄰的第二切口 22的橫向端部73,以減小施加到第二切口 72的端部73的邊 緣場的影響。阻擋層20的厚度可以具有大約2. 5或更大的光學密度（0D)。阻擋層20的最 大厚度可以是液晶顯示器的盒間隙，例如，液晶層3的厚度。以此方式，阻擋層20的厚度可 以是范圍從光學密度是大約2. 5或更大的厚度至盒間隙厚度的值。通過設置阻擋層20的 邊緣和第二切口 72的端部73之間的間隙，在覆蓋第二切口 72的端部73的部分，阻擋層20 的光學密度OD可以變成大約2. 5或更大。阻擋層20的介電常數(shù)小于大約50,并且可以由 金屬材料(諸如(例如）鉻（Cr))或含有黑色染料的有機材料制成。
[0229] 根據(jù)示例性實施例，用阻擋層20覆蓋與柵極線121相鄰的第二切口 72的橫向端 部73,以防止(或減少）由于邊緣場的影響而導致液晶層3的液晶分子的不規(guī)則移動，所述 邊緣場是當像素電極191和/或公共電極270被提供對應電壓時可以在第二切口 72的端 部73產(chǎn)生的。如所描述的，可以防止可能在切口 72的端部73出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移 動，從而防止(或減少）液晶顯示器的透射率的劣化。
[0230] 盡管未示出，但還料想到，第一取向層可以形成在公共電極270和阻擋層20上。
[0231] 現(xiàn)在，將描述上面板200。
[0232] 阻光構件220形成在第二基板210上，第二基板210可以由任何合適的材料(諸如 (例如)透明玻璃、塑料等)制成。阻光構件220還可以被稱為黑色矩陣。阻光構件220可以 被配置成防止像素/子像素之間的漏光。多個濾色器230形成在基板210上。覆蓋件250 形成在濾色器230和阻光構件220上。覆蓋件250可以由任何合適的材料(諸如(例如）有 機材料）制成。覆蓋件250可以被配置成防止濾色器230被暴露并且提供平坦表面?？梢?省略覆蓋件250。
[0233] 盡管未示出，但第二取向層可以形成在覆蓋件250上。第一取向層和第二取向層 可以是水平取向層。然而，料想到，可以與這里描述的示例性實施例關聯(lián)地利用任何合適的 取向層。
[0234] 液晶層3可以包括液晶分子(未示出），并且液晶分子可以被取向，使得當沒有電場 施加到液晶層3時，其長軸平行于或垂直于面板100和200。液晶層3可以具有正或負介電 各向異性。液晶層3的液晶分子可以被取向，使得它們在確定方向上預傾斜，液晶分子的預 傾斜方向可以根據(jù)液晶層3的介電各向異性來改變。
[0235] 在下面板100的第一基板110的外部，例如，在下面板100下方，還可以包括被配 置成產(chǎn)生將被供應到兩個面板100和200的光的背光單元(未示出）?？梢员皇┘訑?shù)據(jù)電壓 的像素電極191與可以接收公共電壓的公共電極270 -起在液晶層3中產(chǎn)生電場，以確定 液晶層3的液晶分子的方向并且實現(xiàn)對應圖像的顯示。
[0236] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20形成在公共電極270的一部分上，使得可以減少公 共電極270的切口 72的端部產(chǎn)生的邊緣場的影響，從而防止會在切口 72的端部部分73出 現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動。以此方式，示例性實施例能夠防止(或減少）液晶顯示器的透 射率劣化。
[0237] 將參照圖18A至圖18D描述示例性實施例的實驗實例。圖18A、圖18B、圖18C和 圖18D提供根據(jù)示例性實施例的各種實驗示例的透射率的結果。也就是說，圖18A至圖18D 是示出示例性實施例的透射率結果的相應電子顯微鏡照片。
[0238] 注意的是，在液晶顯示器中，形成阻擋層20并且在將阻擋層20的介電常數(shù)變成大 約5、大約50、大約100和大約200的同時測量液晶層的透射率。在圖18A至圖18D中示出 測量的結果。在這些實驗示例中，其余條件是相同的，只有阻擋層20的介電常數(shù)改變。
[0239] 圖18A示出阻擋層20的介電常數(shù)是大約5的結果，圖18B示出阻擋層20的介電 常數(shù)是大約50的結果，圖18C示出阻擋層20的介電常數(shù)是大約100的結果，圖18D示出阻 擋層20的介電常數(shù)是大約200的結果。
[0240] 參照圖18A至圖18D，當阻擋層20具有小于大約50的介電常數(shù)時，沒有同樣地出 現(xiàn)由于液晶分子的不規(guī)則移動導致的透射率劣化。然而，當阻擋層20的介電常數(shù)變成高于 50時，由于液晶分子的不規(guī)則移動，導致透射率會劣化。這是因為，當阻擋層20的介電常數(shù) 增大時，阻擋層20不能充分減小在電場發(fā)生電極的端部產(chǎn)生的邊緣場的影響。
[0241] 根據(jù)示例性實施例，阻擋層20被形成為覆蓋電場發(fā)生電極的端部部分并且阻擋 層20的介電常數(shù)被設置成小于50,以減小電場發(fā)生電極的切口的端部產(chǎn)生的邊緣場的影 響，從而防止會在切口端部出現(xiàn)的液晶分子的不規(guī)則移動。進而，這會防止(或減少)液晶顯 示的透射率的劣化。
[0242] 雖然已經(jīng)針對液晶顯示器描述了各種示例性實施例，但料想到，各種示例性實施 例也可應用于包括形成在同一基板上的兩個場發(fā)生電極的其它顯示裝置。
[0243] 盡管這里已經(jīng)描述了某些示例性實施例和實現(xiàn)方式，但根據(jù)本描述，其它實施例 和修改形式將是清楚的。因此，本發(fā)明構思不限于這些實施例，而是限于提出的權利要去書 的更廣范圍和各種明顯的修改形式和等價布置。
【權利要求】
1. 一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括： 第一基板； 柵極線，設置在第一基板上； 數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上； 第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上； 濾色器，設置在第一鈍化層上； 公共電極，設置在濾色器上； 阻光構件，直接設置在公共電極上或者直接設置在公共電極下方； 第二鈍化層，設置在公共電極和阻光構件上；和 像素電極，設置在第二鈍化層上。
2. 如權利要求1所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 第二基板，面對第一基板；和 分隔件，設置在第一基板和第二基板之間。
3. 如權利要求2所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 薄膜晶體管，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線；和 著色構件，設置在像素電極上并且與薄膜晶體管疊置。
4. 如權利要求3所述的液晶顯示器，其中： 分隔件和著色構件形成在同一層上。
5. 如權利要求1所述的液晶顯示器，其中： 像素電極包括多個切口；和 公共電極具有平面形狀。
6. 如權利要求1所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 覆蓋件，設置在濾色器上， 其中，覆蓋件設置在公共電極和濾色器之間。
7. -種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括： 第一基板； 柵極線，設置在第一基板上； 數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上； 第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上； 濾色器，設置在第一鈍化層上； 公共電極，設置在濾色器上； 第二鈍化層，設置在公共電極上，第二鈍化層包括開口； 像素電極，設置在第二鈍化層上；和 阻光構件，設置在第二鈍化層上， 其中，阻光構件通過第二鈍化層中的開口連接到公共電極。
8. 如權利要求7所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 第二基板，面對第一基板；和 分隔件，設置在第一基板和第二基板之間。
9. 如權利要求8所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 薄膜晶體管，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線；和 著色構件，設置在像素電極上并且與薄膜晶體管疊置。
10. 如權利要求9所述的液晶顯示器，其中： 分隔件和著色構件是一個連續(xù)形式。
11. 如權利要求7所述的液晶顯示器，其中： 像素電極包括多個切口； 公共電極具有平面形狀。
12. 如權利要求7所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 覆蓋件，設置在濾色器上， 其中，覆蓋件設置在公共電極和濾色器之間。
13. -種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括： 第一基板； 柵極線，設置在第一基板上； 數(shù)據(jù)線，設置在第一基板上； 第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上； 濾色器，設置在第一鈍化層上； 像素電極，設置在濾色器上； 第二鈍化層，形成在像素電極上； 公共電極，設置在第二鈍化層上；和 阻光構件，直接設置在公共電極上或者直接設置在公共電極下方。
14. 如權利要求12所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 第二基板，面對第一基板；和 分隔件，設置在第一基板和第二基板之間。
15. 如權利要求14所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 薄膜晶體管，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線；和 著色構件，設置在公共電極上并且與薄膜晶體管疊置。
16. 如權利要求15所述的液晶顯示器，其中： 分隔件和著色構件是連續(xù)形式。
17. 如權利要求13所述的液晶顯示器，其中： 像素電極具有平面形狀； 公共電極包括多個切口。
18. 如權利要求13所述的液晶顯示器，所述液晶顯示器還包括： 覆蓋件，設置在濾色器上， 其中，覆蓋件設置在公共電極和濾色器之間。
19. 一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括： 基板； 柵極線，設置在基板上； 數(shù)據(jù)線，設置在基板上； 第一鈍化層，設置在柵極線和數(shù)據(jù)線上； 第一電極，設置在第一鈍化層上； 第二鈍化層，設置在第一電極上； 第二電極，設置在第二鈍化層上，第二電極包括多個切口；和 阻擋層，設置在第二電極上， 其中，阻擋層覆蓋第二電極的切口的第一邊緣，在第二電極的切口的邊緣之中，第一邊 緣基本上平行于柵極線延伸。
20. 如權利要求19所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層包括黑色顏料。
21. 如權利要求20所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的介電常數(shù)小于大約50。
22. 如權利要求21所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的光學密度大于大約2. 5。
23. 如權利要求22所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
24. 如權利要求23所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
25. 如權利要求20所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的光學密度大于大約2. 5。
26. 如權利要求25所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
27. 如權利要求26所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
28. 如權利要求20所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
29. 如權利要求28所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
30. 如權利要求19所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的介電常數(shù)小于大約50。
31. 如權利要求30所述的液晶顯示器，其中，阻擋層的光學密度大于大約2. 5。
32. 如權利要求31所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
33. 如權利要求32所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
34. 如權利要求19所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的光學密度大于大約2. 5。
35. 如權利要求34所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
36. 如權利要求35所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
37. 如權利要求19所述的液晶顯示器，其中： 切口的第一邊緣和阻擋層的邊緣之間的第一間隙至少部分造成在阻擋層的邊緣處阻 擋層的光學密度大于大約2. 5。
38. 如權利要求19所述的液晶顯示器，其中： 阻擋層的邊緣和柵極線的邊緣之間的第二間隙大于第一間隙中的每個。
【文檔編號】G02F1/1339GK104102038SQ201410143744
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權日:2013年4月10日
【發(fā)明者】張殷齊, 盧成仁, 姜玲求, 金賢昱, 孫玉秀, 宋溱鎬, 洪性珍 申請人:三星顯示有限公司