一種掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩模板，用以提供一種新型結(jié)構(gòu)的掩模板，避免掩模板上因靜電釋放而破壞掩模板上掩模圖形的問題。所述掩模板包括：襯底，以及位于所述襯底上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述遮光區(qū)域設(shè)置有至少兩個分別具有設(shè)定掩模圖形且可導(dǎo)電的遮光層，還包括：一個或多個分別用于電連接至少兩個所述遮光層的連接線，所述連接線的寬度為0.3～1.5μm。
【專利說明】一種掩模板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種掩模板。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，掩模板作為半導(dǎo)體顯示行業(yè)非常重要的構(gòu)圖工具，用于實現(xiàn)將掩模板上的掩模圖形以1:1的比例轉(zhuǎn)移到目標襯底上，形成目標襯底上可導(dǎo)電的圖形或狹縫圖形。
[0003]掩模板包括遮光區(qū)域和透光區(qū)域，遮光區(qū)域設(shè)置有多個位于不同區(qū)域的遮光層用于遮光，一般的遮光層為刻蝕性能較好的導(dǎo)電層，容易聚集電荷發(fā)生靜電釋放(Electro-Static discharge, ESD)的不良現(xiàn)象。
[0004]掩模板上聚集電荷的原因主要包括以下方面:在搬運掩模板或清潔掩模板等過程中，由于摩擦作用很容易使得掩模板上聚集電荷形成靜電，靜電聚集到一定量時就會發(fā)生ESD不良,靜電釋放時會將掩模板上的遮光層擊穿,破壞遮光層對應(yīng)的設(shè)定的掩模圖形,一旦投入生產(chǎn)會造成巨大的經(jīng)濟損失。
[0005]例如:在實際生產(chǎn)產(chǎn)品的過程中，且在利用掩模板曝光的過程中，不可避免地會有異物掉落到掩模板上。為了避免所述掩模板上的異物對產(chǎn)品造成災(zāi)難性的重復(fù)性不良，現(xiàn)有技術(shù)通常通過潔凈干燥的壓縮空氣(Clean Dry Air, CDA)清洗掩模板,在進行掩模板清潔操作的過程中，CDA氣體氣流會與掩模板上的遮光層產(chǎn)生摩擦，從而在遮光層上產(chǎn)生一定量的靜電，由于襯底一般為絕緣性質(zhì)的玻璃，遮光層上的靜電無法通過襯底及時釋放，靜電聚集到一定程度時，就會在可導(dǎo)電的遮光層上傳導(dǎo)，并在電荷積累到一定程度的地方發(fā)生ESD，從而造成掩模板圖形的損壞，造成巨大的經(jīng)濟損失。
[0006]另外，在人工搬運掩模板的過程中也很容易因接觸摩擦在掩模板上聚集電荷產(chǎn)生靜電，可能會發(fā)生ESD不良現(xiàn)象。
[0007]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的掩模板主要結(jié)構(gòu)包括可透光的襯底1、位于襯底I上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述遮光區(qū)域設(shè)置有至少兩個具有設(shè)定掩模圖形且可導(dǎo)電的遮光層。其中一種遮光區(qū)域的掩模圖形如圖1所示，包括第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15、第六遮光層16 ;各遮光層相互獨立保持絕緣。第一遮光層11為梳狀結(jié)構(gòu)，其余遮光層分別為條狀結(jié)構(gòu)，第二遮光層12至第六遮光層16與第一遮光層11中的梳齒狀結(jié)構(gòu)間隔排列。如圖1虛線框圍設(shè)的區(qū)域所示，虛線框圍設(shè)的區(qū)域內(nèi)的梳狀結(jié)構(gòu)較密集，此處容易聚集較大量的電荷，電荷在第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15、或第六遮光層16上無法快速釋放，積聚在某一遮光層上，容易產(chǎn)生ESD現(xiàn)象，靜電釋放過程中較大的電流會擊穿遮光層，破壞遮光層的掩模圖形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明實施例提供了一種掩模板，用以提供一種新型結(jié)構(gòu)的掩模板，避免掩模板上因靜電釋放而破壞掩模板的掩模圖形的問題。
[0009]本發(fā)明實施例提供的掩模板包括:襯底和所述襯底上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述遮光區(qū)域設(shè)置有至少兩個分別具有設(shè)定掩模圖形且可導(dǎo)電的遮光層，還包括:一個或多個分別用于電連接至少兩個所述遮光層的連接線，所述連接線的寬度為0.3?1.5μπι。
[0010]較佳地，所述連接線的寬度為0.5?I μ m。
[0011]較佳地，所述連接線的寬度為0.8 μ m。
[0012]較佳地，所述連接線與所述遮光層同層設(shè)置且制作材料相同。
[0013]較佳地，所述遮光層和所述連接線為鉻金屬層。
[0014]較佳地，還包括設(shè)置于所述掩模板上的接地母線，所述各連接線與所述接地母線電連接，所述接地母線的寬度為0.3?1.5 μ m。
[0015]較佳地，還包括:位于所述襯底的出光側(cè)設(shè)置于各遮光層上折射率大于I的防衍射膜層，所述遮光層上的防衍射膜層的圖案與所述遮光層對應(yīng)的設(shè)定掩模圖形相同，所述遮光層與所述防衍射膜層疊層式設(shè)置。
[0016]較佳地，所述防衍射膜層為三氧化二鉻膜層。
[0017]較佳地，還包括:位于所述遮光層與所述襯底之間且位于至少與所述遮光層對應(yīng)區(qū)域的緩沖層。
[0018]較佳地，所述緩沖層為氮化鉻膜層。
[0019]本發(fā)明實施例在掩模板的襯底上設(shè)置用于電連接襯底上的至少兩個遮光層的連接線，連接線的寬度為0.3?1.5 μ m。連接線將所述分別獨立的遮光層電連接，電連接后的兩個或多個遮光層為一個等電勢體，當所述等電勢體周圍存在靜電時，由于等電勢體相比較未連接時每一個獨立的遮光層的面積較大，靜電可以均勻地分布在面積較大的等電勢體上，避免靜電在較小面積的遮光層上短時間聚集無法釋放形成靜電擊穿的現(xiàn)象。同時，所述連接線的寬度d在0.3?1.5 μ m范圍內(nèi)。采用掩模板對目標襯底進行曝光時，曝光機的分辨率f大于3 μ m，當掩模板上的導(dǎo)電線的寬度d〈f/2時，可以完全保證曝光機無法識別，因此，襯底上的連接線無法被曝光機識別，不會將連接線的圖案形成在目標襯底上，對目標襯底上待形成的圖案無任何影響。即在不影響曝光后目標襯底上圖形的基礎(chǔ)上，解決了掩模板上因靜電釋放導(dǎo)致靜電擊穿而破壞掩模板的掩模圖形的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的掩模板俯視示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實施例提供的掩模板俯視示意圖之一；
[0022]圖3為本發(fā)明實施例提供的掩模板俯視示意圖之二 ；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例提供的具有防衍射膜層的掩模板俯視示意圖；
[0024]圖5為圖4所示的掩模板在AA向的截面圖；
[0025]圖6為圖4所示的掩模板在BB向的截面圖。
【具體實施方式】
[0026]本發(fā)明實施例提供了一種掩模板，用以提供一種新型結(jié)構(gòu)的掩模板，避免掩模板上因靜電釋放而破壞掩模板的掩模圖形的問題。[0027]需要說明的是，靜電無處不在，物質(zhì)之間相互作用(如摩擦、接觸、感應(yīng)、傳導(dǎo))引起物質(zhì)獲得或失去電子使得物質(zhì)失去電平衡而帶電荷，電荷的積累就使得物質(zhì)表面帶上靜電。當電荷積累到足夠量時，電荷會釋放，造成其周圍的物質(zhì)被擊穿，從而得到新的電平衡，電荷的釋放也稱ESD現(xiàn)象?；蛘邇蓪泳哂休^大電勢差的物質(zhì)之間也會造成電荷聚集從而發(fā)生ESD現(xiàn)象，這種靜電電荷的快速中和稱為靜電放電，由于其速率很高，而且在放電時的電阻一般很小，往往會造成瞬時大電流，這種大的電流往往會對周圍的物質(zhì)造成損傷。
[0028]為解決掩模板上靜電積累導(dǎo)致靜電釋放的問題，本發(fā)明實施例提供的掩模板，主要包括襯底、位于所述襯底上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域，遮光區(qū)域設(shè)置有至少兩個具有設(shè)定掩模圖形且可導(dǎo)電的遮光層，還包括:一個或多個分別用于電連接至少兩個遮光層的連接線，連接線的寬度為0.3?1.5 μ m。所述連接線可以將相連的遮光層構(gòu)成一個等電勢體，至少在連接線相連的遮光層之間不會因電勢差存在產(chǎn)生靜電釋放，同時等電勢體周圍存在較多電荷時也會分散到所述等電勢體上，由于等電勢體面積相比較連接線連接前的遮光層較大，電荷快速均勻分散到等電勢體上，避免靜電釋放不良現(xiàn)象的發(fā)生。避免了當掩模板上產(chǎn)生靜電釋放現(xiàn)象時，靜電釋放過程中產(chǎn)生的大電流會將掩模板上的掩模圖形(遮光層)擊穿，破壞掩模圖形，甚至?xí)?dǎo)致掩模板報廢。
[0029]另外，所述連接線的寬度d在0.3?1.5μπι范圍內(nèi)。采用掩模板對目標襯底進行曝光時，現(xiàn)有曝光機的最大分辨率f不小于3 μ m，當掩模板上的導(dǎo)電線的寬度d〈f/2時，可以完全保證曝光機無法識別導(dǎo)電線。因此，襯底上的連接線無法被曝光機識別，不會將連接線的圖案形成在目標襯底上，對目標襯底上待形成的圖案無任何影響。即在不影響曝光后目標襯底上圖形的基礎(chǔ)上，解決了掩模板上因靜電釋放導(dǎo)致靜電擊穿而破壞掩模板的掩模圖形的問題。
[0030]本發(fā)明上述實施例提供的掩模板，適用于現(xiàn)有技術(shù)任何曝光用掩模板的結(jié)構(gòu)，SP掩模板上的掩模圖形不限。
[0031]以下將結(jié)合附圖以具體的掩模圖形為例具體說明本發(fā)明實施例提供的掩模板。
[0032]參見圖2，本發(fā)明實施例提供的掩模板包括:
[0033]襯底I ;
[0034]位于襯底I上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域；
[0035]遮光區(qū)域設(shè)置有相互獨立的第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16 ；
[0036]還包括:四個位于第二遮光層12至第六遮光層16中任意相鄰的兩個連接層之間的連接線3,第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16串聯(lián)連接，連接線3的寬度為0.3?1.5 μ m。
[0037]如圖2所不,第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16相互絕緣,第一遮光層11、第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16所在區(qū)域?qū)?yīng)的圖形與所述透光區(qū)域?qū)?yīng)的圖形互補。
[0038]第一遮光層11為梳狀結(jié)構(gòu)，第二遮光層12至第六遮光層16分別為條狀結(jié)構(gòu)，第二遮光層12至第六遮光層16與第一遮光層11中的梳齒狀結(jié)構(gòu)間隔排列。
[0039]首先，連接線的寬度為0.3?L 5 μ m，目前的曝光機的分辨率不低于3 μ m,連接線3的寬度不大于曝光機分辨率的二分之一，可以完全保證掩模板上的連接線不會被曝光機識別，連接線的圖形不會在產(chǎn)品的目標襯底上形成圖形?？梢詫⒀谀０逡r底上產(chǎn)生的較大量的靜電均勻分散到面積較大的所述等電勢體，單位面積內(nèi)靜電量較少，不會構(gòu)成靜電擊穿的可能，保證掩模板上的掩模圖形的完整性(即未被破壞)。
[0040]本發(fā)明在襯底上的遮光層之間設(shè)置連接線用于防止靜電擊穿，可以徹底有效地避免工作人員不佩戴防靜電環(huán)或者掩模板經(jīng)CDA氣體清洗時靜電擊穿的可能。換句話說，采用本發(fā)明實施例提供的掩模板，作業(yè)人員無需戴防靜電環(huán)，無需用去離子風槍清洗掩模板，就可以很容易將掩模板上的靜電分散，避免任何摩擦或電勢不相等引起的靜電擊穿的問題。
[0041]圖2所示的掩模板，僅是一種示例，本發(fā)明提供的連接線可以根據(jù)實際需求通過圖2所示的連接線3將第一遮光層11與第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16中至少之一相連；也可以通過連接線3將第一遮光層11與第二遮光層12、第三遮光層13、第四遮光層14、第五遮光層15和第六遮光層16中至少兩個遮光層連接，這里不做限定。[0042]上述遮光層對應(yīng)的掩模圖形不限，例如可以為與顯示用基板上的外圍區(qū)域的外圍電路相對應(yīng)的掩模圖形、或者為與顯示區(qū)域(AA區(qū)域)較復(fù)雜的電極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的掩模圖形等；外圍電路可以為柵極引線、數(shù)據(jù)線引線、公共電極引線等導(dǎo)電引線，AA區(qū)域的電極結(jié)構(gòu)可以包括狹縫電極等。包括上述掩模圖形的掩模板容易產(chǎn)生靜電，這是因為導(dǎo)電引線較多，排布空間有限，尤其是針對高像素小尺寸的顯示面板，導(dǎo)電引線數(shù)量龐大，排布空間更加有限，導(dǎo)電引線之間的間距更小，導(dǎo)電引線之間很容易聚集電荷且難以及時釋放，形成靜電擊穿現(xiàn)象。
[0043]以下將結(jié)合理論論述說明現(xiàn)有技術(shù)提供的掩模板產(chǎn)生靜電釋放的原理。
[0044]具體實施時，當掩模板上某一區(qū)域的靜電荷的電能W達到一定值時就會產(chǎn)生靜電釋放。
[0045]電能W滿足如下公式(1-1)和公式(1-2)；
[0046]W=IcU2(U
, S
[0047](12)
[0048]W為電容存儲能量，C為兩個遮光層之間的電容，U為相鄰兩個遮光層之間的電勢差，ε為介質(zhì)(遮光層)的介電常數(shù)，d為電容基板距離，S為電容基板正對面積。
[0049]由公式(1-1)可知，存儲最大能量W相同時，電容越小，耐壓的能力越高，由公式(1-2)可知，要提高耐壓能力(抗擊穿能力)，可通過減小電容來實現(xiàn)，而減小電容在設(shè)計上可以通過減小S或者增大d。
[0050]但是對于高精階產(chǎn)品，可能S很大或者d設(shè)計為很小，產(chǎn)品本身的要求限制了掩模板本身圖形的設(shè)計是不允許變更的，在電容C不允許變更的情況下，只能減小兩個介質(zhì)之間的電勢差U。
[0051]本發(fā)明實施例通過電荷轉(zhuǎn)移來達到減小或消除U的目的，通過電荷轉(zhuǎn)移來形成等電勢場，使得不同遮光層之間形成等電勢體，等電勢體上的電勢處處相等，等電勢體上不同遮光層之間的電勢差為零，電容存儲能量為零，局部存儲電量為零，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)因電勢差過大而導(dǎo)致的擊穿放電。
[0052]較佳地，所述連接線的寬度為0.5?I μπι的范圍內(nèi)。
[0053]更優(yōu)選地，所述連接線的寬度為0.8 μ m較佳。
[0054]制作線寬為0.5?I ym范圍內(nèi)的連接線可以通過激光繪圖制作掩模板的方法制作，激光繪圖制作掩模板的精度較高，可以很容易繪制線寬約0.5?I μ m的范圍內(nèi)的圖形結(jié)構(gòu)。
[0055]在上述任一實施例提供的掩模板的基礎(chǔ)上，優(yōu)選地，所述連接線與所述遮光層同層設(shè)置且制作材料相同，這樣可以保證所述連接線與各遮光層在同一次制圖工藝中完成，相比較現(xiàn)有技術(shù)制作掩模板上的掩模圖形的過程，不需要增加任何工藝流程。即，可以采用所述激光繪圖一次性制作出遮光層和所述連接線。
[0056]一般地，掩模板上具有設(shè)定掩模圖形的遮光層采用可遮光的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層具有較強的刻蝕能力。
[0057]優(yōu)選地，所述遮光層為鉻金屬層。鉻金屬層的遮光性和刻蝕性能均較強，掩模板的性能較佳。
[0058]再次說明，本發(fā)明提供的掩模板，玻璃襯底產(chǎn)生靜電后無法及時消除會在金屬導(dǎo)體鉻圖形上擴散，因為設(shè)計要求金屬鉻圖形包括多條相互獨立的圖形結(jié)構(gòu)，這樣就造成兩個金屬鉻圖形之間形成電勢差，并在電勢差達到一定值時發(fā)生ESD (電場強度較大處，兩個金屬鉻圖形之間的間距d較小，有著較高的電勢差U，而且易發(fā)生ESD處也在鉻圖形末端，末端圖形曲率較大電場強度也較大)，通過在易發(fā)生ESD處設(shè)計小于1.5um的連接線，使各處的獨立的金屬鉻圖形串聯(lián)起來，使得每一處由于靜電產(chǎn)生的電荷無法聚集形成過大的電勢差，進而徹底解決掩模板ESD問題。
[0059]進一步地，為了更快速地將掩模板上的靜電荷分散或?qū)⒀谀０迳系撵o電荷徹底消除，本發(fā)明實施例提供的掩模板，如圖3所示，還包括:設(shè)置在掩模板上的接地母線2，各連接線3與接地母線2電連接，當然也可以設(shè)置為部分連接線3與接地母線2電連接。掩模板上一旦聚集了電荷，與接地母線2相連的遮光層上的電荷可以通過接地母線2快速地釋放掉。
[0060]具體地，接地母線2的線寬為0.3?1.5 μπι范圍內(nèi)，較佳地，接地母線2的線寬為
0.5?I μ m，優(yōu)選為0.8 μ m。接地母線2的線寬較窄無法被曝光機識別，不會形成在目標襯底上。
[0061]優(yōu)選地，接地母線2可以設(shè)置在掩模板靠近邊緣的區(qū)域。
[0062]本發(fā)明上述實施例提供的任一方式的掩模板，所述襯底可以為玻璃基板。
[0063]上述任一方式的掩模板還包括:
[0064]位于所述襯底的出光側(cè)設(shè)置于各遮光層上折射率大于I的防衍射膜層，所述遮光層上的防衍射膜層的圖案與所述遮光層對應(yīng)的設(shè)定掩模圖形相同，所述遮光層與所述防衍
射膜層疊層式設(shè)置。
[0065]參見圖4，為在圖3所示的掩模板上設(shè)置有位于各遮光層上的防衍射膜層6的俯視示意圖；
[0066]參見圖5,為圖4所不的掩模板在AA向的截面圖,掩模板還包括:位于襯底I出光側(cè)設(shè)置于遮光層11上折射率大于I的防衍射膜層6，防衍射膜層6的圖案與設(shè)定掩模圖形
相同，二者疊層設(shè)置。
[0067]掩模板上出光側(cè)設(shè)置防衍射膜層可以減少或避免光線的衍射，使得掩模板上的掩模圖形更精確地形成在目標襯底上，防止在目標襯底上繪制的圖形大于掩模板上的掩模圖形。
[0068]以圖4所示的掩模板在BB向的截面圖為例說明圖4所示的掩模板能夠防衍射的原理。
[0069]參見圖6，為圖4所示的掩模板在BB向的截面圖以及待曝光的目標襯底7的截面示意圖；
[0070]圖6中帶箭頭的線段表示光線，虛線表示的光線為不設(shè)置防衍射膜層6的掩模板曝光時的光線傳播路徑示意圖；實線表示的光線為設(shè)置防衍射膜層6的掩模板曝光時的光線傳播路徑示意圖。
[0071]由圖6可知，光線由入光側(cè)經(jīng)掩模板入射到目標襯底7上，由于防衍射膜層6的折射率大于空氣的折射率I，光線在防衍射膜層6中傳輸時,光線向遮光層15和遮光層16之間的狹縫方向偏移，形成在目標襯底7上的圖形相比較采用不設(shè)置防衍射膜層6的掩模板形成的圖形更接近掩模板上掩模圖形的實際尺寸。
[0072]優(yōu)選地，所述防衍射膜層為三氧化二鉻膜層。
[0073]本發(fā)明實施例提供的掩模板還包括:位于所述遮光層與所述襯底之間且至少位于與所述遮光層對應(yīng)區(qū)域的緩沖層。較佳地，所述緩沖層為氮化鉻膜層。氮化鉻膜層可以提高鉻金屬層與襯底之間的附著力。所述氮化鉻膜層的光線透過率較高，約在95%以上，不會影響曝光時光線的透過率。因此，所述氮化鉻膜層可以為形成在襯底上的一整層膜層，無需構(gòu)圖工藝。
[0074]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的掩模板，克服了現(xiàn)有技術(shù)掩模板設(shè)計結(jié)構(gòu)帶來的靜電釋放的問題。具體地，現(xiàn)有掩模板的設(shè)計結(jié)構(gòu)在掩模板清潔過程中會產(chǎn)生ESD，通過人工佩戴防靜電環(huán)防止靜電擊穿也無法徹底避免掩模板上ESD現(xiàn)象的發(fā)生，而且還消耗人力和物力。通過去離子風槍去除靜電的去靜電能力也無法完全保證，一旦掩模板局部或全部被擊穿，該掩模板報廢或者需要返廠修理，一旦掩模板的擊穿點未及時發(fā)現(xiàn)投入生產(chǎn)中會造成批量產(chǎn)品的不良甚至報廢。
[0075]本發(fā)明利用行業(yè)內(nèi)目前最先進的曝光機分辨率不小于3.0um以上的特點，在掩模板設(shè)計時，至少將易發(fā)生ESD的區(qū)域的遮光層在掩模板制作工藝中通過導(dǎo)線有效連接起來(連接線的寬度在1.5um以下，約在1.2um左右)，由于曝光機的最佳分辨率也在3.0um以上，掩模板預(yù)防ESD的連接線圖形便不會在產(chǎn)品上形成圖形，這樣就可以將掩模板襯底玻璃產(chǎn)生的靜電均勻?qū)У浇饘巽t線之間，形成等電勢場，進而完全有效避免掩模板的ESD發(fā)生。
[0076]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，其特征在于，包括:襯底和所述襯底上的透光區(qū)域和遮光區(qū)域，所述遮光區(qū)域設(shè)置有至少兩個分別具有設(shè)定掩模圖形且可導(dǎo)電的遮光層，還包括:一個或多個分別用于電連接至少兩個所述遮光層的連接線，所述連接線的寬度為0.3?1.5μπι。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述連接線的寬度為0.5?I μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述連接線的寬度為0.8 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述連接線與所述遮光層同層設(shè)置且制作材料相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述遮光層和所述連接線為鉻金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，還包括設(shè)置于所述掩模板上的接地母線，所述各連接線與所述接地母線電連接，所述接地母線的寬度為0.3?1.5 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一所述的掩模板,其特征在于,還包括:位于所述襯底的出光側(cè)設(shè)置于各遮光層上折射率大于I的防衍射膜層，所述遮光層上的防衍射膜層的圖案與所述遮光層對應(yīng)的設(shè)定掩模圖形相同，所述遮光層與所述防衍射膜層疊層式設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模板，其特征在于，所述防衍射膜層為三氧化二鉻膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，還包括:位于所述遮光層與所述襯底之間且位于至少與所述遮光層對應(yīng)區(qū)域的緩沖層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述緩沖層為氮化鉻膜層。
【文檔編號】G03F1/40GK103941540SQ201410145265
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】金基用, 孫增標, 王濤, 許朝欽 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司