一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，以提高產(chǎn)品的良品率和可靠性。該陣列基板包括多個柵極焊墊，每一個柵極焊墊包括：位于襯底基板之上的柵極層，位于所述柵極層之上的柵極絕緣層，位于所述柵極絕緣層之上的第一透明導(dǎo)電層，位于所述第一透明導(dǎo)電層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的第二透明導(dǎo)電層，其中，所述柵極層包括柵極焊接區(qū)域；所述柵極絕緣層開設(shè)有位于所述柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔；所述第一透明導(dǎo)電層通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|；所述鈍化層開設(shè)有至少一個第二過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個第二過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
【專利說明】一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，陣列基板作為液晶顯示裝置的重要元器件，在模組組裝、環(huán)境模擬試驗等過程中，需要通過其柵極焊墊和源漏極焊墊對陣列基板進(jìn)行掃描信號和數(shù)據(jù)信號的測試，以保障其電學(xué)特性的可靠性。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的陣列基板的柵極焊墊通常依次包括:位于襯底基板上的柵極層10、柵極絕緣層11、源漏極層13、鈍化層14以及第二透明導(dǎo)電層15，其中，柵極層10包括焊接區(qū)域，源漏極層13包括位于焊接區(qū)域上方的源漏極，柵極絕緣層11包括使第二透明導(dǎo)電層15與焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的焊墊過孔111’，鈍化層14包括使第二透明導(dǎo)電層15與源漏極導(dǎo)電接觸的鈍化層過孔141’。由圖中可以看出，在液晶顯示裝置的制作和運(yùn)輸過程中，電解液極易通過焊墊過孔111’處的第二透明導(dǎo)電層滲透至柵極層的焊接區(qū)域并腐蝕柵極層，進(jìn)而影響陣列基板的柵極焊墊的電學(xué)性能，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性降低甚至失效，尤其當(dāng)?shù)诙该鲗?dǎo)電層為氧化銦錫層時，由于氧化銦錫層自身的孔隙較大，致密性較差，上述缺陷更加嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，用以提高產(chǎn)品的良品率和可靠性。
[0005]本發(fā)明提供的陣列基板，包括多個柵極焊墊，每一個所述柵極焊墊包括:位于襯底基板之上的柵極層，位于所述柵極層之上的柵極絕緣層，位于所述柵極絕緣層之上的第一透明導(dǎo)電層，位于所述第一透明導(dǎo)電層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的第二透明導(dǎo)電層，其中，
[0006]所述柵極層包括柵極焊接區(qū)域；所述柵極絕緣層開設(shè)有位于所述柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔；所述第一透明導(dǎo)電層通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|；所述鈍化層開設(shè)有至少一個第二過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個第二過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
[0007]在本發(fā)明技術(shù)方案中，由于陣列基板的第二透明導(dǎo)電層通過位于柵極絕緣層上方的第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，而未直接與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，因此，即使電解液穿過第二過孔處的第二透明導(dǎo)電層和第一透明導(dǎo)電層出現(xiàn)滲透，第一透明導(dǎo)電層下方的柵極絕緣層能夠有效地防止電解液進(jìn)一步滲透至柵極層而引起柵極層的腐蝕，從而有效地防止了柵極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良品率和可靠性。
[0008]進(jìn)一步的，所述柵極焊墊為集成電路的柵極焊墊，所述集成電路的柵極焊墊還包括位于所述第一透明導(dǎo)電層與所述鈍化層之間且包括位于所述柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層，所述至少一個第二過孔未露出所述源漏極層。
[0009]優(yōu)選的，該陣列基板還包括多個源漏極焊墊，每一個所述源漏極焊墊包括:位于所述柵極絕緣層之上的第一透明導(dǎo)電層，位于所述第一透明導(dǎo)電層之上的源漏極層，位于所述源漏極層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的第二透明導(dǎo)電層，其中，
[0010]所述源漏極層包括源漏極焊接區(qū)域，所述鈍化層開設(shè)有至少一個未露出所述源漏極層的第三過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個所述第三過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
[0011]優(yōu)選的，所述第一透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫層，和/或，所述第二透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫層。
[0012]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括:前述任一技術(shù)方案所述的陣列基板。由于本顯示裝置中陣列基板的柵極焊墊中的第二透明導(dǎo)電層通過位于柵極絕緣層上方的第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，而未直接與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，能夠有效地防止陣列基板上各個柵極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，所以該顯示裝置的良品率和可靠性較高。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示面板的制作方法，包括:
[0014]在襯底基板上形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形；
[0015]在所述柵極層的圖形之上形成包括位于所述柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形；
[0016]在所述柵極絕緣層的圖形之上形成通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的第一透明導(dǎo)電層的圖形；
[0017]在所述第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括至少一個第二過孔的鈍化層的圖形；
[0018]在所述鈍化層的圖形之上形成通過每一個第二過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸的第二透明導(dǎo)電層的圖形。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明陣列基板一實施例靠近集成電路區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為圖2示出的陣列基板中A處一實施例的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0022]圖4為圖2示出的陣列基板中A處另一實施例的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明陣列基板一實施例遠(yuǎn)離集成電路區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為圖5示出的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0025]圖7為圖2示出的陣列基板中B處一實施例的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0026]圖8為本發(fā)明一實施例陣列基板的制作方法的流程示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記:
[0028]10-柵極層11-柵極絕緣層 111-第一過孔
[0029]12-第一透明導(dǎo)電層 13-源漏極層14-鈍化層
[0030]141-第二過孔142-第三過孔
[0031]15-第二透明導(dǎo)電層 16-集成電路
[0032] 111’-焊墊過孔 141’-鈍化層過孔【具體實施方式】
[0033]為了提高產(chǎn)品的良品率和可靠性，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法。在該陣列基板中，柵極焊墊由下至上依次包括:位于襯底基板之上的包括柵極焊接區(qū)域的柵極層、柵極絕緣層、第一透明導(dǎo)電層、鈍化層，以及、第二透明導(dǎo)電層，柵極絕緣層開設(shè)有位于柵極焊接區(qū)域上方且使第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的至少一個第一過孔；鈍化層開設(shè)有至少一個使第二透明導(dǎo)電層與第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸的第二過孔。第二透明導(dǎo)電層通過位于柵極絕緣層上方的第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，而未直接與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，能夠有效地防止陣列基板上各個柵極焊塾的腐蝕情況發(fā)生，從而提聞廣品的良品率和可罪性。
[0034]以下將結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明各實施例提供的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明附圖中所示的各功能膜層之間的相對距離或厚度等特征不代表真實的距離和厚度，僅是用于說明本發(fā)明，不用于限制本發(fā)明。
[0035]如圖2?圖6所示，其中，圖2為本發(fā)明陣列基板一實施例靠近集成電路區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2示出的陣列基板中A處一實施例的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；圖4為圖2示出的陣列基板中A處另一實施例的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；圖5為本發(fā)明陣列基板一實施例遠(yuǎn)離集成電路區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5示出的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖。
[0036]本發(fā)明第一實施例所提供的陣列基板，包括多個柵極焊墊，每一個柵極焊墊包括:位于襯底基板之上的柵極層10，位于柵極層10之上的柵極絕緣層11，位于柵極絕緣層11之上的第一透明導(dǎo)電層12，位于第一透明導(dǎo)電層12之上的鈍化層14，以及位于鈍化層14之上的第二透明導(dǎo)電層15，其中，
[0037]柵極層10包括柵極焊接區(qū)域；柵極絕緣層11開設(shè)有位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔111 ;第一透明導(dǎo)電層12通過每一個第一過孔111與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|；鈍化層14開設(shè)有至少一個第二過孔141，第二透明導(dǎo)電層15通過每一個第二過孔141與第一透明導(dǎo)電層12導(dǎo)電接觸。
[0038]本實施例提供的陣列基板中，柵極絕緣層11開設(shè)有位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔111，第一過孔111露出部分柵極焊接區(qū)域，使得第一透明導(dǎo)電層12通過第一過孔111與柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|；鈍化層14開設(shè)有至少一個第二過孔141，第二透明導(dǎo)電層15通過第二過孔141與位于柵極絕緣層11上的第一透明導(dǎo)電層12導(dǎo)電接觸，即鈍化層14開設(shè)的第二過孔141與柵極絕緣層11上開設(shè)的第一過孔111的位置相錯。
[0039]在陣列基板的制作過程中，由于陣列基板的第二透明導(dǎo)電層15通過位于柵極絕緣層11上方的第一透明導(dǎo)電層12與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，而未直接與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，因此，即使電解液穿過第二過孔141處的第二透明導(dǎo)電層15和第一透明導(dǎo)電層12出現(xiàn)滲透，第一透明導(dǎo)電層12下方的柵極絕緣層11能夠有效地防止電解液進(jìn)一步滲透至柵極層10而引起柵極層10的腐蝕，從而有效地防止了柵極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良品率和可靠性；
[0040]并且，本實施例提供的陣列基板還能有效地防止產(chǎn)品在客戶端由于不規(guī)范操作導(dǎo)致產(chǎn)品腐蝕的情況發(fā)生，同時采用本實施例提供的陣列基板，使得產(chǎn)品在生產(chǎn)過程以及運(yùn)輸過程中的儲存時間更長且不易發(fā)生產(chǎn)品腐蝕，尤其當(dāng)產(chǎn)品采用開口設(shè)計的切割工藝、產(chǎn)品采用非真空包裝或者在運(yùn)輸過程中滲入產(chǎn)品內(nèi)部電解液(例如水汽等)時，上述效果尤為明顯。
[0041]第一過孔111的數(shù)量不限，可以為一個，也可以為多個，參照圖4所示，當(dāng)?shù)谝贿^孔111的數(shù)量為多個時，能夠有效地增大第一透明導(dǎo)電層12與柵極焊接區(qū)域的接觸面積、第一透明導(dǎo)電層12與第二透明導(dǎo)電層15的接觸面積，從而降低電阻率，進(jìn)而減少了測試信號的線路損耗，進(jìn)一步提聞了廣品的可罪性。
[0042]柵極焊墊通常包括位于靠近集成電路16的區(qū)域的集成電路的柵極焊墊(如圖2中所示的A)和遠(yuǎn)離陣列基板的集成電路16區(qū)域的柵極焊墊(如圖5所示)。
[0043]結(jié)合圖2和圖3所示，當(dāng)本實施例中的柵極焊墊位于靠近陣列基板的集成電路16(例如S/W測試電路)區(qū)域時，即柵極焊墊為集成電路的柵極焊墊時，集成電路的柵極焊墊還包括位于第一透明導(dǎo)電層12與鈍化層14之間且包括位于柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層13，至少一個第二過孔141未露出源漏極層13。
[0044]測試電路16輸出測試信號至源漏極，源漏極與第一透明導(dǎo)電層12導(dǎo)電接觸，第一透明導(dǎo)電層12通過柵極絕緣層11的第一過孔111與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，使得測試信號從源漏極經(jīng)過第一透明導(dǎo)電層12換層至柵極層10的柵極焊接區(qū)域，并從第二透明導(dǎo)電層15輸出，進(jìn)而實現(xiàn)產(chǎn)品的電學(xué)性能測試。
[0045]如圖5和圖6所示，當(dāng)本實施例中的柵極焊墊為遠(yuǎn)離陣列基板的測試電路區(qū)域的柵極焊墊時，測試信號從第二透明導(dǎo)電層15輸入(例如通過柔性線路板的導(dǎo)電凸點(diǎn)與第二透明導(dǎo)電層15的上表面導(dǎo)電接觸)，測試信號經(jīng)過第二透明導(dǎo)電層15和第一透明導(dǎo)電層12傳輸至柵極層10的焊接區(qū)域，并從焊接區(qū)域輸出，從而實現(xiàn)產(chǎn)品的電學(xué)性能測試。
[0046]陣列基板通常還包括多個源漏極焊墊，由于陣列基板制作過程中使用的曝光設(shè)備的分辨率有限，多個源漏極焊墊與柵極焊墊間隔設(shè)置。
[0047]為了進(jìn)一步提聞廣品的可罪性與良品率，如圖2和圖7所不，在本發(fā)明如述實施例的基礎(chǔ)上，還提供了第二實施例，在第二實施例中，每一個源漏極焊墊包括:位于柵極絕緣層11之上的第一透明導(dǎo)電層12，位于第一透明導(dǎo)電層12之上的源漏極層13，位于源漏極層13之上的鈍化層14，以及位于鈍化層14之上的第二透明導(dǎo)電層15，其中，
[0048]源漏極層13包括源漏極焊接區(qū)域，鈍化層14開設(shè)有至少一個未露出源漏極層的第三過孔142，第二透明導(dǎo)電層15通過每一個第三過孔142與第一透明導(dǎo)電層12導(dǎo)電接觸。
[0049]源漏極焊墊可以為靠近陣列基板的集成電路(例如S/W測試電路)區(qū)域的源漏極焊墊，也可以為遠(yuǎn)離陣列基板的集成電路區(qū)域(例如陣列基板對盒的邊緣位置)的源漏極焊墊。下面以源漏極焊墊為靠近陣列基板的集成電路區(qū)域的源漏極焊墊例進(jìn)行說明本實施例。
[0050]如圖7所示，本實施例提供的陣列基板進(jìn)行測試時，測試電路輸出測試信號至源漏極焊接區(qū)域，實現(xiàn)產(chǎn)品的電學(xué)性能測試。由于本實施例提供的陣列基板中，鈍化層14開設(shè)有至少一個未露出源漏極層的第三過孔142，第二透明導(dǎo)電層15通過每一個第三過孔142與第一透明導(dǎo)電層12導(dǎo)電接觸，在陣列基板的制作過程中，能夠有效地防止電解液穿過第三過孔142處的第二透明導(dǎo)電層15和第一透明導(dǎo)電層12出現(xiàn)滲透而引起源漏極層的腐蝕，從而有效地防止了源漏極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良品率和可靠性，因此，本實施例提供的陣列基板能夠有效地防止陣列基板的各個柵極焊墊以及源漏極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，進(jìn)一步提聞了廣品的良品率和可罪性。
[0051]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，柵極絕緣層11的材質(zhì)可以為氮化硅，在此不做具體限定；位于柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的設(shè)置位置不限，可以部分位于柵極絕緣層11的第一過孔111內(nèi)，也可以全部位于柵極絕緣層11的第一過孔111外，在此不做具體限定，能夠?qū)崿F(xiàn)柵極焊墊的電學(xué)性能即可；第一透明導(dǎo)電層12和第二透明導(dǎo)電層15的材質(zhì)不限，可以但不限于氧化銦錫或石墨烯，由于氧化銦錫具有透光性好、低電阻以及耐腐蝕的優(yōu)點(diǎn)，因此第一透明導(dǎo)電層12和第二透明導(dǎo)電層15優(yōu)選采用氧化銦錫。
[0052]基于上述實施例中提供的陣列基板，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述實施例所提供的陣列基板。
[0053]在顯示裝置中，由于陣列基板的柵極焊墊中的第二透明導(dǎo)電層通過位于柵極絕緣層上方的第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，而未直接與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，能夠有效地防止陣列基板上各個柵極焊墊的腐蝕情況發(fā)生，所以該顯示裝置的良品率和可靠性較高。該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0054]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，如圖8所示，圖8為本發(fā)明一實施例陣列基板的制作方法的流程示意圖，該制作方法包括:
[0055]步驟801:在襯底基板上形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形；
[0056]步驟801中形成形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形可以采用一次構(gòu)圖工藝制作完成，構(gòu)圖工藝通常包括基板清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序，即沉積柵極金屬薄膜，對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形。
[0057]步驟802:在柵極層的圖形之上形成包括位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形；
[0058]由于陣列基板通常還包括位于柵極絕緣層之上且與柵極焊接區(qū)域位置相對的有源層，因此，步驟802中可以采用一次構(gòu)圖工藝形成包括位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形，具體包括沉積柵極絕緣層薄膜，在柵極絕緣層薄膜之上沉積有源層薄膜，非金屬層通常采用化學(xué)氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形，刻蝕形成有源層的圖形，并刻蝕形成包括位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形。
[0059]步驟803:在柵極絕緣層的圖形之上形成通過每一個第一過孔與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的第一透明導(dǎo)電層的圖形；
[0060]步驟803也可以采用一次構(gòu)圖工藝形成，具體包括沉積第一透明導(dǎo)電層薄膜，刻蝕形成通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的第一透明導(dǎo)電層的圖形，即刻蝕第一透明導(dǎo)電層薄膜時保留位于柵極絕緣層的至少一個第一過孔內(nèi)的第一透明導(dǎo)電層。
[0061]步驟804:在第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括至少一個第二過孔的鈍化層的圖形；[0062]步驟804具體包括步驟8041和步驟8042，其中，
[0063]步驟8041:在第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括位于所述集成電路的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層的圖形；例如，可以通過構(gòu)圖工藝形成源漏極層的圖形時，刻蝕掉位于遠(yuǎn)離集成電路區(qū)域的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極層，保留靠近集成電路區(qū)域的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極層，具體根據(jù)源漏極的位
置確定。
[0064]步驟8042:在源漏極層的圖形之上形成包括至少一個未露出源漏極層的第二過孔的鈍化層的圖形；步驟8042也可以采用一次構(gòu)圖工藝形成包括至少一個未露出源漏極層的第二過孔的鈍化層的圖形。
[0065]步驟805:在鈍化層的圖形之上形成通過每一個第二過孔與第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸的第二透明導(dǎo)電層的圖形。
[0066]步驟805也可以采用一次構(gòu)圖工藝形成通過每一個第二過孔與第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸的第二透明導(dǎo)電層的圖形。
[0067]至此，包括靠近集成電路區(qū)域的柵極焊墊和遠(yuǎn)離集成電路區(qū)域的柵極焊墊的陣列基板制作完成。
[0068]需要說明的是，一次構(gòu)圖工藝通常包括基板清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對于非金屬層通常采用化學(xué)氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形，以下步驟道理相同，不再贅述。在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0069]當(dāng)陣列基板還包括多個源漏極焊墊時，以下用一個較優(yōu)的實施例對陣列基板的制作方法進(jìn)行說明，本發(fā)明并不限于下述實施例本發(fā)明實施例提供的制作方法，包括:
[0070]步驟Sll:在襯底基板上形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形；
[0071]步驟S12:在柵極層的圖形之上形成包括位于柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形；
[0072]步驟S13:在柵極絕緣層的圖形之上形成通過每一個第一過孔與柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的第一透明導(dǎo)電層的圖形；
[0073]即通過構(gòu)圖工藝形成第一透明導(dǎo)電層的圖形時，保留位于柵極絕緣層的至少一個第一過孔內(nèi)的第一透明導(dǎo)電層。
[0074]步驟S14:在第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括源漏極焊接區(qū)域和位于集成電路區(qū)域的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層的圖形；
[0075]即通過構(gòu)圖工藝形成第一透明導(dǎo)電層的圖形時，刻蝕掉位于遠(yuǎn)離集成電路區(qū)域的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極層，保留源漏極焊接區(qū)域和靠近集成電路區(qū)域的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極層。
[0076]步驟S15:在源漏極層的圖形之上形成包括至少一個未露出源漏極層的第二過孔和至少一個未露出源漏極層焊接區(qū)域的第三過孔的鈍化層的圖形；
[0077]步驟S16:在鈍化層的圖形之上形成第二透明導(dǎo)電層的圖形，第二透明導(dǎo)電層通過每一個第二過孔和第三過孔與第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
[0078]通過上述制作方法制作的陣列基板，相較于現(xiàn)有技術(shù)中，第二透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域、源漏極焊接區(qū)域直接導(dǎo)電接觸，極易導(dǎo)致陣列基板的焊墊發(fā)生腐蝕，本發(fā)明制作方法制作得到的陣列基板，第二透明導(dǎo)電層通過第一透明導(dǎo)電層與柵極焊接區(qū)域、源漏極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，未直接與柵極焊接區(qū)域、源漏極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|，能夠有效地防止陣列基板上各個焊墊的腐蝕情況發(fā)生，從而提高產(chǎn)品的良品率和可靠性；并且，由上述制作過程可知，本發(fā)明提供的制作方法相較于現(xiàn)有技術(shù)僅增加了一次柵極絕緣層掩膜工藝，因此采用本發(fā)明提供的陣列基板，能夠使得產(chǎn)品的生產(chǎn)成本較低，應(yīng)用更加廣泛。
[0079]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括多個柵極焊墊，其特征在于，每一個所述柵極焊墊包括:位于襯底基板之上的柵極層，位于所述柵極層之上的柵極絕緣層，位于所述柵極絕緣層之上的第一透明導(dǎo)電層，位于所述第一透明導(dǎo)電層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的第二透明導(dǎo)電層，其中， 所述柵極層包括柵極焊接區(qū)域；所述柵極絕緣層開設(shè)有位于所述柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔；所述第一透明導(dǎo)電層通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|；所述鈍化層開設(shè)有至少一個第二過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個第二過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極焊墊為集成電路的柵極焊墊，所述集成電路的柵極焊墊還包括位于所述第一透明導(dǎo)電層與所述鈍化層之間且包括位于所述柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層，所述至少一個第二過孔未露出所述源漏極層。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括多個源漏極焊墊，每一個所述源漏極焊墊包括:位于所述柵極絕緣層之上的第一透明導(dǎo)電層，位于所述第一透明導(dǎo)電層之上的源漏極層，位于所述源漏極層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的第二透明導(dǎo)電層，其中， 所述源漏極層包括源漏極焊接區(qū)域，所述鈍化層開設(shè)有至少一個未露出所述源漏極層的第三過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個所述第三過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
4.如權(quán)利要求1~3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫層，和/或，所述第二透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫層。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~4任一所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括柵極焊接區(qū)域的柵極層的圖形； 在所述柵極層的圖形之上形成包括位于所述柵極焊接區(qū)域上方的至少一個第一過孔的柵極絕緣層的圖形； 在所述柵極絕緣層的圖形之上形成通過每一個第一過孔與所述柵極焊接區(qū)域?qū)щ娊佑|的第一透明導(dǎo)電層的圖形； 在所述第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括至少一個第二過孔的鈍化層的圖形； 在所述鈍化層的圖形之上形成通過每一個第二過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸的第二透明導(dǎo)電層的圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括至少一個第二過孔的鈍化層的圖形，具體包括: 在所述第一透明導(dǎo)電層的圖形之上形成包括位于所述集成電路的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層的圖形； 在所述源漏極層的圖形之上形成包括至少一個第二過孔的鈍化層的圖形，所述至少一個第二過孔未露出所述源漏極層。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 在形成包括位于所述集成電路的柵極焊墊的柵極焊接區(qū)域上方的源漏極的源漏極層的圖形的同時，還形成源漏極焊接區(qū)域的圖形； 在形成包括至少一個未露出所述源漏極層的第二過孔的鈍化層的圖形的同時，還形成至少一個未露出所述源漏極層的第三過孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過每一個所述第三過孔與所述第一透明導(dǎo)電層導(dǎo)電接觸。
【文檔編號】G02F1/1368GK103972242SQ201410163006
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】李卿碩 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司