陣列面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列面板，所述陣列面板包括：一基板；至少一掃描線；至少一數(shù)據(jù)線；以及一像素陣列，所述像素陣列包括至少一像素單元，其中，所述像素單元包括：一薄膜晶體管；一像素電極；以及一彩膜層，設(shè)置于第一平面和第二平面之間，其中，所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面，所述第二平面為所述像素電極所在的平面；其中，所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素陣列均設(shè)置于所述基板上。本發(fā)明有利于降低陣列面板中的像素單元的電量消耗，從而降低陣列面板的功耗。
【專利說(shuō)明】陣列面板及其制作方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列面板及其制作方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]傳統(tǒng)的TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示面板)將彩膜(CF, Color Filter) TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列分別做在不同的基板上，其中，TFT陣列基板包括:薄膜晶體管、外圍線路和像素電極，彩膜基板包括:公共電極、R/G/B 彩膜、PS (Position Spacer,間隔件)BM(Black Matrix,黑色矩陣層)。由于CF和TFT陣列分別做在不同的玻璃基板上，因此可以節(jié)省工藝生產(chǎn)時(shí)間。
[0003]在實(shí)踐中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0004]TFT陣列基板中的薄膜晶體管和像素電極或者其延伸部具有重疊部分，因此薄膜晶體管和像素電極會(huì)形成一個(gè)電容，該電容會(huì)對(duì)像素單元的顯示造成一定的影響，原因是:該電容的存在可能會(huì)導(dǎo)致輸入至像素電極中的電壓無(wú)法達(dá)到預(yù)期值，從而降低顯示質(zhì)量。
[0005]而為了確保顯示質(zhì)量，需要加大電壓，以排除該電容的影響，此時(shí)則需要耗費(fèi)更多的電能。
[0006]故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列面板及其制作方法，其能降低像素單元的電量消耗，從而降低陣列面板的功耗。
[0008]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種陣列面板，所述陣列面板包括:一基板；至少一掃描線；至少一數(shù)據(jù)線；以及一像素陣列，所述像素陣列包括至少一像素單元，其中，所述像素單元包括:一薄膜晶體管；一像素電極；以及一彩膜層，設(shè)置于第一平面和第二平面之間，其中，所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面，所述第二平面為所述像素電極所在的平面；其中，所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素陣列均設(shè)置于所述基板上。
[0010]在上述陣列面板中，所述彩膜層設(shè)置于第一區(qū)域和第二區(qū)域上；其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別為所述像素電極和所述薄膜晶體管在所述基板上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0011]在上述陣列面板中，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，所述彩膜層覆蓋所述源極和所述漏極。
[0012]在上述陣列面板中，所述彩膜層設(shè)置有通孔，所述通孔中設(shè)置有連接線，所述連接線連接所述像素電極和所述漏極。
[0013]在上述陣列面板中，所述彩膜層的表面設(shè)置有至少一凹槽，所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對(duì)應(yīng)，所述像素電極卡設(shè)于所述凹槽內(nèi)。 [0014]在上述陣列面板中，所述凹槽的底面或側(cè)面設(shè)置有凹陷部或突起部。[0015]一種上述陣列面板的制作方法，所述方法包括以下步驟:在所述基板上分別設(shè)置所述掃描線、所述薄膜晶體管和所述數(shù)據(jù)線；在第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置所述彩膜層，其中，所述第一區(qū)域?yàn)榇O(shè)置的像素電極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)樗霰∧ぞw管所對(duì)應(yīng)的區(qū)域；在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極。
[0016]在上述陣列面板的制作方法中，所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟之前，所述方法還包括:在所述彩膜層上設(shè)置一通孔；在所述通孔中設(shè)置一連接線，使得所述連接線與所述薄膜晶體管的漏極連接，并且所述連接線延伸至所述彩膜層的表面。
[0017]在上述陣列面板的制作方法中，在在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的過(guò)程中，所述方法還包括:在所述像素電極和所述連接線之間設(shè)置導(dǎo)電層，使得所述像素電極和所述連接線相連。
[0018]在上述陣列面板的制作方法中，所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟之前，所述方法還包括:在所述彩膜層的所述表面上設(shè)置至少一凹槽，其中，所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對(duì)應(yīng)；所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟包括:將所述像素電極設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，使得所述凹槽卡設(shè)所述像素電極。
[0019]相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的陣列面板及其制作方法能夠降低薄膜晶體管的柵極和像素電極所形成的耦合電容，從而降低了像素單元的電量消耗，降低了所述陣列面板的功耗。 [0020]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0021]圖1為本發(fā)明的陣列面板中的像素單元的示意圖；
[0022]圖2為圖1中A-A’截面的第一實(shí)施例的示意圖；
[0023]圖3為圖1中A-A’截面的第二實(shí)施例的示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖；
[0025]圖5為本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0026]以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。
[0027]參考圖1和圖2，圖1為本發(fā)明的陣列面板中的像素單元的示意圖。圖2為圖1中A-A’截面的第一實(shí)施例的示意圖。
[0028]本實(shí)施例的陣列面板包括基板201、像素陣列、至少一掃描線101以及至少一數(shù)據(jù)線102。其中，所述掃描線101、所述數(shù)據(jù)線102和所述像素陣列均設(shè)置于所述基板201上。
[0029]所述像素陣列包括至少一像素單元，其中，所述像素單元包括薄膜晶體管103、像素電極104以及彩膜(Color Film/Color Filter)層105。所述彩膜層105設(shè)置于第一平面和第二平面之間，其中，所述第一平面為所述薄膜晶體管103的柵極1031所在的平面，所述第二平面為所述像素電極104所在的平面。
[0030]在本實(shí)施例的陣列面板中，所述彩膜層105設(shè)置于第一區(qū)域和第二區(qū)域上。其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別為所述像素電極104和所述薄膜晶體管103在所述基板201上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0031]在本實(shí)施例的陣列面板中，所述薄膜晶體管103還包括源極1033和漏極1034，所述彩膜層105覆蓋所述源極1033和所述漏極1034。
[0032]在上述技術(shù)方案中，通過(guò)在所述薄膜晶體管103的柵極1031所在的第一平面和所述像素電極104所在的第二平面之間設(shè)置所述彩膜層105，增大了所述柵極1031所在的所述第一平面與所述像素電極104所在的第二平面之間的距離，從而降低了所述柵極1031和所述像素電極104所形成的耦合電容，因此降低了所述像素單元的電量消耗，降低了所述陣列面板的功耗。
[0033]在本實(shí)施例的陣列面板中，所述彩膜層105設(shè)置有通孔106，所述通孔106中設(shè)置有連接線204，所述連接線204連接所述像素電極104和所述漏極1034。
[0034]所述通孔106是通過(guò)對(duì)所述彩膜層105進(jìn)行光刻或蝕刻來(lái)形成的。此外，所述連接線204可以通過(guò)在所述通孔106上涂布、沉積第一導(dǎo)電層(例如，金屬層)來(lái)形成，所述連接線204延伸至所述彩膜層105的表面。其中，所述彩膜層105的所述表面為所述彩膜層105背向所述基板201的一面。
[0035]此外，在本實(shí)施例中，所述連接線204還可以通過(guò)以下方式來(lái)形成:在形成所述薄膜晶體管103之后，以及在形成所述彩膜層105之前，在所述薄膜晶體管103的所述漏極1034上設(shè)置第二導(dǎo)電層(例如，金屬層)，所述第二導(dǎo)電層的厚度大于或等于待設(shè)置的所述彩膜層105在所述薄膜晶體管103 (所述漏極1034)上的厚度，然后利用掩膜對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行光刻，使得所述薄膜晶體管103的所述漏極1034上形成有一導(dǎo)電柱(相當(dāng)于所述連接線204)，最后對(duì)所述第二導(dǎo)電層中除所述導(dǎo)電柱以外的部分進(jìn)行剝離。所述彩膜層105包覆所述導(dǎo)電柱的側(cè)面，所述導(dǎo)電柱的頂面與所述像素電極104相連接。
[0036]參考圖1和圖3，其中，圖3為圖1中A-A’截面的第二實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例相似，不同之處在于:
[0037]在本實(shí)施例的陣列面板中，所述彩膜層105的所述表面設(shè)置有至少一凹槽301，所述凹槽301的形狀與所述像素電極104的形狀對(duì)應(yīng)，所述像素電極104卡設(shè)于所述凹槽301內(nèi)。所述凹槽301是通過(guò)對(duì)所述彩膜層105利用光刻工藝進(jìn)行曝光和顯影得到的。所述像素電極104是通過(guò)在所述彩膜層105的所述表面上以及在所述凹槽301內(nèi)設(shè)置透明導(dǎo)電材料，然后對(duì)所述表面上的所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行清除得到的。
[0038]上述技術(shù)方案有利于使得像素電極104穩(wěn)固地卡設(shè)于所述彩膜層105的所述凹槽301內(nèi)，從而使得所述像素電極104不容易從所述彩膜層105的所述表面脫離。
[0039]此外，作為一種改進(jìn)，所述凹槽301的底面或側(cè)面還可以設(shè)置為凹凸不平狀，例如，所述凹槽301的底面或側(cè)面還可以設(shè)置有凹陷部或突起部。所述凹陷部或所述突起部是通過(guò)對(duì)所述凹槽301進(jìn)行光刻或蝕刻得到的。
[0040]上述技術(shù)方案有利于增大所述凹槽301的內(nèi)部表面(底面和側(cè)面)與所述像素電極104之間的摩擦力，從而使得所述凹槽301能夠穩(wěn)固地對(duì)所述像素進(jìn)行卡設(shè)，因此，所述像素電極104不容易從所述彩膜層105上脫離出來(lái)。
[0041]參考圖4，圖4為本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖。本實(shí)施例的陣列面板的制作方法包括以下步驟:
[0042]步驟401，在所述基板201上分別設(shè)置所述掃描線101、所述薄膜晶體管103和所述數(shù)據(jù)線102。
[0043]步驟402，在第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置所述彩膜層105，其中，所述第一區(qū)域?yàn)榇O(shè)置的像素電極104所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)樗霰∧ぞw管103所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0044]步驟403，在所述彩膜層105上設(shè)置所述像素電極104。
[0045]在上述技術(shù)方案中，通過(guò)在所述薄膜晶體管103的柵極1031所在的第一平面和所述像素電極104所在的第二平面之間設(shè)置所述彩膜層105，增大了所述柵極1031所在的所述第一平面與所述像素電極104所在的第二平面之間的距離，從而降低了所述柵極1031和所述像素電極104所形成的耦合電容，因此降低了所述像素單元的電量消耗，降低了所述陣列面板的功耗。
[0046]具體地，首先在所述基板201上面按適當(dāng)?shù)暮穸?2000?5000埃，其中，I埃等于10的負(fù)10次方米)鍍上柵極金屬材料(Cr，Mo, Al，Cu...)，根據(jù)第一次光刻工藝對(duì)所述柵極金屬材料按一定的形態(tài)進(jìn)行曝光和顯影，然后用掩膜(Mask)對(duì)所述柵極金屬材料進(jìn)行濕刻，然后將PR (Photoresist，光刻膠/光致抗蝕劑)進(jìn)行剝離。
[0047]在形成所述薄膜晶體管103的所述柵極1031之后,通過(guò)PECVD (Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)形成沉積一層絕緣膜202 (2000?5000埃)，在所述絕緣膜202形成之后，按照適當(dāng)?shù)哪ず?2000?4000埃)通過(guò)PECVD形成一半導(dǎo)體層1032，S卩，激活層(Active layer (a_S1:H))，根據(jù)第二次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述半導(dǎo)體層1032進(jìn)行曝光和顯影，用掩膜進(jìn)行干刻，然后將PR進(jìn)行剝離。
[0048]在形成所述半導(dǎo)體層1032后，在所述絕緣膜202和所述半導(dǎo)體層1032上按一定的厚度(1000?6000埃)進(jìn)行鍍膜，以形成源極/漏極金屬材料，根據(jù)第三次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述源極/漏極金屬材料進(jìn)行曝光和顯影，用掩膜進(jìn)行濕刻和溝道N+干刻，然后將PR進(jìn)行剝離，從而形成源極1033/漏極1034以及數(shù)據(jù)線102。
[0049]在形成所述源極1033/漏極1034后，按適當(dāng)?shù)哪ず?1000?6000埃)，通過(guò)PECVD形成沉積一層絕緣保護(hù)膜203(SiNx)，根據(jù)第四次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述絕緣保護(hù)膜203進(jìn)行曝光和顯影，用掩膜進(jìn)行干刻，然后將PR進(jìn)行剝離。
[0050]在所述絕緣保護(hù)膜203形成后，按照適當(dāng)?shù)哪ず?7000?20000埃)涂布一層紅色(R，Red)彩膜材料，根據(jù)第五次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述紅色彩膜材料進(jìn)行曝光和顯影，以形成紅色彩膜層；然后按照適當(dāng)?shù)哪ず?7000?20000埃)涂布一層綠色(G，Green)彩膜材料，根據(jù)第六次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述綠色彩膜材料進(jìn)行曝光和顯影，以形成綠色彩膜層；然后按照適當(dāng)?shù)哪ず?7000?20000埃)涂布一層藍(lán)色(B，Blue)彩膜材料，根據(jù)第七次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述藍(lán)色彩膜材料進(jìn)行曝光和顯影，以形成藍(lán)色彩膜層。其中，所述紅色彩膜層、所述綠色彩膜層和所述藍(lán)色彩膜層的形成順序可以是任意的。
[0051]在彩膜層(所述紅色彩膜層、所述綠色彩膜層、所述藍(lán)色彩膜層)行成后，按適當(dāng)?shù)暮穸?100?1000埃)鍍上透明電極材料(ΙΤ0或ΙΖ0)，根據(jù)第八次光刻工藝按一定的形態(tài)對(duì)所述透明電極材料進(jìn)行曝光和顯影，用掩膜進(jìn)行干刻，然后將PR進(jìn)行剝離。
[0052]參考圖5，圖5為本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖。本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例相似，不同之處在于:
[0053]在本實(shí)施例的陣列面板的制作方法中，所述在所述彩膜層105上設(shè)置所述像素電極104的步驟(即，步驟403)之前，所述方法還包括:
[0054]步驟501，在所述彩膜層105上設(shè)置一通孔106。
[0055]步驟502，在所述通孔106中設(shè)置一連接線204，使得所述連接線204與所述薄膜晶體管103的漏極1034連接，并且所述連接線204延伸至所述彩膜層105的表面。
[0056]其中，所述彩膜層105的所述表面為所述彩膜層105背向所述基板201的一面。所述通孔106是通過(guò)對(duì)所述彩膜層105進(jìn)行光刻或蝕刻來(lái)形成的。此外，所述連接線204可以通過(guò)在所述通孔106上涂布、沉積第一導(dǎo)電層(例如，金屬層)來(lái)形成。
[0057]此外，在本實(shí)施例中，所述連接線204還可以通過(guò)以下方式來(lái)形成:在形成所述薄膜晶體管103之后，以及在形成所述彩膜層105之前，在所述薄膜晶體管103的所述漏極1034上設(shè)置第二導(dǎo)電層(例如，金屬層)，所述第二導(dǎo)電層的厚度大于或等于待設(shè)置的所述彩膜層105在所述薄膜晶體管103上的厚度，然后利用掩膜對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行光刻，使得所述薄膜晶體管103的所述漏極1034上形成有一導(dǎo)電柱(相當(dāng)于所述連接線204)，最后對(duì)所述第二導(dǎo)電層中除所述導(dǎo)電柱以外的部分進(jìn)行剝離。所述彩膜層105包覆所述導(dǎo)電柱的側(cè)面，所述導(dǎo)電柱的頂面與所述像素電極104相連接。
[0058]在本實(shí)施例的陣列面板的制作方法中，在在所述彩膜層105上設(shè)置所述像素電極104的過(guò)程中，所述方法還包括:
[0059]在所述像素電極104和所述連接線204之間設(shè)置導(dǎo)電層，使得所述像素電極104和所述連接線204相連。其中，設(shè)置所述導(dǎo)電層這一步驟可以與設(shè)置所述像素電極104的步驟(即，步驟403)同時(shí)進(jìn)行。
[0060]本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第三實(shí)施例與上述第一或第二實(shí)施例相似，不同之處在于:
[0061]所述在所述彩膜層105上設(shè)置所述像素電極104的步驟之前，所述方法還包括:
[0062]在所述彩膜層105的所述表面上設(shè)置至少一凹槽301，其中，所述凹槽301的形狀與所述像素電極104的形狀對(duì)應(yīng)。其中，設(shè)置所述凹槽301的步驟可以與設(shè)置所述通孔106的步驟(即，步驟501)同時(shí)進(jìn)行。
[0063]所述在所述彩膜層105上設(shè)置所述像素電極104的步驟包括:
[0064]將所述像素電極104設(shè)置于所述凹槽301內(nèi)，使得所述凹槽301卡設(shè)所述像素電極 104。
[0065]所述凹槽301是通過(guò)對(duì)所述彩膜層105利用光刻工藝進(jìn)行曝光和顯影得到的。所述像素電極104是通過(guò)在所述彩膜層105的所述表面上以及在所述凹槽301內(nèi)設(shè)置透明導(dǎo)電材料，然后對(duì)所述表面上的所述透明導(dǎo)電材料進(jìn)行清除得到的。
[0066]上述技術(shù)方案有利于使得像素電極104穩(wěn)固地卡設(shè)于所述彩膜層105的所述凹槽301內(nèi)，從而使得所述像素電極104不容易從所述彩膜層105的所述表面脫離。
[0067]本發(fā)明的陣列面板的制作方法的第四實(shí)施例與上述第三實(shí)施例相似，不同之處在于:
[0068]在在所述彩膜層105的所述表面上形成所述凹槽301后，對(duì)所述凹槽301的底面或側(cè)面進(jìn)行光刻或蝕刻，以使所述凹槽301的底面或側(cè)面為凹凸不平狀，例如，將所述凹槽301的底面或側(cè)面設(shè)置為具有凹陷部或突起部，即，所述凹陷部或所述突起部是通過(guò)對(duì)所述凹槽301進(jìn)行光刻或蝕刻得到的。[0069]上述技術(shù)方案有利于增大所述凹槽301的內(nèi)部表面(底面和側(cè)面)與所述像素電極104之間的摩擦力，從而使得所述凹槽301能夠穩(wěn)固地對(duì)所述像素進(jìn)行卡設(shè)，因此，所述像素電極104不容易從所述彩膜層105上脫離出來(lái)。
[0070]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列面板，其特征在于，所述陣列面板包括: 一基板； 至少一掃描線； 至少一數(shù)據(jù)線；以及 一像素陣列，所述像素陣列包括至少一像素單元，其中，所述像素單元包括: 一薄膜晶體管； 一像素電極；以及 一彩膜層，設(shè)置于第一平面和第二平面之間，其中，所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面，所述第二平面為所述像素電極所在的平面； 其中，所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素陣列均設(shè)置于所述基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列面板，其特征在于，所述彩膜層設(shè)置于第一區(qū)域和第二區(qū)域上； 其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別為所述像素電極和所述薄膜晶體管在所述基板上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列面板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，所述彩膜層覆蓋所述源極和所述漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列面板，其特征在于，所述彩膜層設(shè)置有通孔，所述通孔中設(shè)置有連接線，所述連接線連接所述像素電極和所述漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列面板，其特征在于，所述彩膜層的表面設(shè)置有至少一凹槽，所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對(duì)應(yīng)，所述像素電極卡設(shè)于所述凹槽內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列面板，其特征在于，所述凹槽的底面或側(cè)面設(shè)置有凹陷部或突起部。
7.—種如權(quán)利要求1所述的陣列面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 在所述基板上分別設(shè)置所述掃描線、所述薄膜晶體管和所述數(shù)據(jù)線； 在第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置所述彩膜層，其中，所述第一區(qū)域?yàn)榇O(shè)置的像素電極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)樗霰∧ぞw管所對(duì)應(yīng)的區(qū)域； 在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列面板的制作方法，其特征在于，所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟之前，所述方法還包括: 在所述彩膜層上設(shè)置一通孔； 在所述通孔中設(shè)置一連接線，使得所述連接線與所述薄膜晶體管的漏極連接，并且所述連接線延伸至所述彩膜層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列面板的制作方法，其特征在于，在在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的過(guò)程中，所述方法還包括: 在所述像素電極和所述連接線之間設(shè)置導(dǎo)電層，使得所述像素電極和所述連接線相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列面板的制作方法，其特征在于，所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟之前，所述方法還包括:在所述彩 膜層的所述表面上設(shè)置至少一凹槽，其中，所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對(duì)應(yīng)； 所述在所述彩膜層上設(shè)置所述像素電極的步驟包括: 將所述像素電極設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，使得所述凹槽卡設(shè)所述像素電極。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103984147SQ201410184922
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】徐向陽(yáng) 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司