陣列基板及曲面顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及曲面顯示裝置，屬于顯示【技術領域】，解決了現(xiàn)有的曲面顯示裝置的兩側部會出現(xiàn)暗團的技術問題。該陣列基板，包括呈陣列式設置的若干個子像素單元，每個所述子像素單元包括主子像素、次子像素和分壓電容；所述陣列基板分為補償區(qū)域和非補償區(qū)域，位于所述補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電容的電容值，小于位于所述非補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電容的電容值。本發(fā)明可用于曲面電視機、曲面顯示器等曲面顯示裝置。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，具體地說，涉及一種陣列基板及曲面顯示裝置。 陣列基板及曲面顯示裝置

【背景技術】
[0002] 曲面顯示裝置具有曲面形的顯示屏，由于能夠實現(xiàn)屏幕各個像素點到達人眼的距 離相等，更能逼真還原人眼真實視覺感受，所以使其與傳統(tǒng)平板顯示裝置相比具有更強的 競爭力。
[0003] 曲面顯示裝置的制造過程是，先分別制造平面形的陣列基板和彩膜基板，然后將 陣列基板和彩膜基板進行對盒，形成平面形的液晶面板，再將平面形的液晶面板彎折形成 內凹形的曲面液晶面板。其中，陣列基板上設置有若干縱橫交錯的柵線和數(shù)據(jù)線，以及由柵 線和數(shù)據(jù)線分隔成的子像素單元；彩膜基板上設置有網(wǎng)格狀的黑矩陣，以及由黑矩陣分隔 成的子像素單元。在陣列基板和彩膜基板對盒形成的平面形的液晶面板中，彩膜基板上的 黑矩陣與陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線的位置相對應，使黑矩陣遮擋住柵線和數(shù)據(jù)線；彩膜 基板上的子像素區(qū)域與陣列基板上的子像素區(qū)域的位置相對應，作為曲面顯示裝置的開口 區(qū)域。
[0004] 但是，平面形的液晶面板經(jīng)過彎折形成曲面液晶面板之后，陣列基板和彩膜基板 會形成兩個形狀相同的曲面，在曲面液晶面板的兩側部，彩膜基板與陣列基板之間會產(chǎn)生 錯位。彩膜基板上，位于兩側部的黑矩陣就會與陣列基板上縱向的數(shù)據(jù)線錯位，這些數(shù)據(jù)線 會有部分露在黑矩陣之外，且遮擋住彩膜基板上的子像素區(qū)域，使這一部分的開口率降低， 導致曲面顯示裝置的兩側部出現(xiàn)暗團。


【發(fā)明內容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，以解決現(xiàn)有的曲面顯示裝置的兩側部會出 現(xiàn)暗團的技術問題。
[0006] 本發(fā)明提供一種陣列基板，包括呈陣列式設置的若干個子像素單元，每個所述子 像素單元包括主子像素、次子像素和分壓電容；
[0007] 所述陣列基板分為補償區(qū)域和非補償區(qū)域，位于所述補償區(qū)域的子像素單元中的 分壓電容的電容值，小于位于所述非補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電容的電容值。
[0008] 進一步，所述補償區(qū)域位于所述陣列基板的兩側部。
[0009] 優(yōu)選的，所述補償區(qū)域呈橢圓形。
[0010] 進一步，該陣列基板還包括對應于每行所述子像素單元設置的第一柵線、第二柵 線和公共電極線，以及對應于每列所述子像素單元設置的數(shù)據(jù)線。
[0011] 進一步，每個所述子像素單元中設置有分壓電極，所述分壓電極與所述公共電極 線的重疊部分形成所述分壓電容。
[0012] 進一步，位于所述補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電極的面積，小于位于所述非 補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電極的面積。
[0013] 進一步，每個所述子像素單元中還設置有第一開關管、第二開關管、第三開關管、 位于主子像素中的主像素電極、位于次子像素中的次像素電極；
[0014] 所述第一開關管的柵極連接所述第一柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述 主像素電極；
[0015] 所述第二開關管的柵極連接所述第一柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述 次像素電極；
[0016] 所述第三開關管的柵極連接所述第二柵線，源極連接所述次像素電極，漏極連接 所述分壓電極。
[0017] 優(yōu)選的，所述第一開關管、所述第二開關管和所述第三開關管均為薄膜晶體管。
[0018] 本發(fā)明還提供一種曲面顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。
[0019] 優(yōu)選的，所述曲面顯示裝置為垂直排列型曲面顯示裝置。
[0020] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的陣列基板的補償區(qū)域，即是陣列基板 與彩膜基板之間產(chǎn)生錯位的區(qū)域，也就是開口率降低的區(qū)域，其余開口率正常的區(qū)域為非 補償區(qū)域。在顯示過程中，陣列基板上每個子像素單元中的主子像素和次子像素先充入相 等的數(shù)據(jù)電壓，然后分壓電容分掉次子像素中的一部分數(shù)據(jù)電壓，以降低次子像素的數(shù)據(jù) 電壓，而主子像素的數(shù)據(jù)電壓保持不變，使次子像素顯示的亮度低于主子像素。
[0021] 本發(fā)明提供的陣列基板中，相比于非補償區(qū)域，補償區(qū)域中的子像素單元的分壓 電容的電容值較小，所以分壓電容從次子像素分掉的數(shù)據(jù)電壓較少，則次子像素剩余的數(shù) 據(jù)電壓就較高，次子像素顯示的亮度也較高，子像素單元整體顯示的亮度也較高。因此，利 用本發(fā)明提供的陣列基板，能夠使補償區(qū)域（開口率降低的區(qū)域）的子像素單元顯示的亮 度高于非補償區(qū)域（開口率正常的區(qū)域），使補償區(qū)域的亮度能夠接近于非補償區(qū)域，從而 解決了現(xiàn)有的曲面顯示裝置的兩側部會出現(xiàn)暗團的技術問題。
[0022] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利 要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0024] 圖1是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的局部示意圖；
[0025] 圖2是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板中像素單元的等效電路圖；
[0026] 圖3是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的示意圖。

【具體實施方式】
[0027] 以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用 技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明 的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合， 所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內。
[0028] 本發(fā)明提供一種陣列基板，包括呈陣列式設置的若干個子像素單元，每個子像素 單元包括主子像素、次子像素和分壓電容。該陣列基板分為補償區(qū)域和非補償區(qū)域，位于補 償區(qū)域的子像素單元中的分壓電容的電容值，小于位于非補償區(qū)域的子像素單元中的分壓 電容的電容值。
[0029] 本發(fā)明實施例提供的陣列基板的補償區(qū)域，即是陣列基板與彩膜基板之間產(chǎn)生錯 位的區(qū)域，也就是開口率降低的區(qū)域，其余開口率正常的區(qū)域為非補償區(qū)域。在顯示過程 中，陣列基板上每個子像素單元中的主子像素和次子像素先充入相等的數(shù)據(jù)電壓，然后分 壓電容分掉次子像素中的一部分數(shù)據(jù)電壓，以降低次子像素的數(shù)據(jù)電壓，而主子像素的數(shù) 據(jù)電壓保持不變，使次子像素顯示的亮度低于主子像素。
[0030] 本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，相比于非補償區(qū)域，補償區(qū)域中的子像素單元 的分壓電容的電容值較小，所以分壓電容從次子像素分掉的數(shù)據(jù)電壓較少，則次子像素剩 余的數(shù)據(jù)電壓就較高，次子像素顯示的亮度也較高，子像素單元整體顯示的亮度也較高。因 此，利用本發(fā)明實施例提供的陣列基板，能夠使補償區(qū)域（開口率降低的區(qū)域）的子像素單 元顯示的亮度高于非補償區(qū)域（開口率正常的區(qū)域），使補償區(qū)域的亮度能夠接近于非補 償區(qū)域，從而解決了現(xiàn)有的曲面顯示裝置的兩側部會出現(xiàn)暗團的技術問題。
[0031] 實施例一:
[0032] 本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括呈陣列式設置的若干個子像素單元。如圖1 和圖2所示，每個子像素單元包括主子像素1、次子像素2和分壓電容（CstO) 3。陣列基板 分為補償區(qū)域100和非補償區(qū)域200,位于補償區(qū)域100的子像素單元中的分壓電容3的電 容值，小于位于非補償區(qū)域200的子像素單元中的分壓電容3的電容值。
[0033] 如圖3所示，本實施例中，補償區(qū)域100即是陣列基板與彩膜基板之間產(chǎn)生錯位 的區(qū)域，也就是開口率降低的區(qū)域，其余開口率正常的區(qū)域為非補償區(qū)域200。陣列基板與 彩膜基板對盒并彎折形成曲面液晶面板之后，陣列基板與彩膜基板之間的錯位會產(chǎn)生在曲 面液晶面板的兩側部，所以開口率降低的區(qū)域也位于曲面液晶面板的兩側部。因為在陣列 基板和彩膜基板的邊緣通過框膠相互固定，所以在靠近曲面液晶面板邊緣的部分不易產(chǎn)生 錯位，使開口率降低的區(qū)域呈橢圓形。因此，本實施例中，補償區(qū)域1〇〇也相應的位于陣列 基板的兩側部，且呈橢圓形；其余區(qū)域為非補償區(qū)域200,包括陣列基板的中部以及邊緣部 分。
[0034] 如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板還包括對應于每行子像素單元 設置的第一柵線（Gatel)41、第二柵線（Gate2)42和公共電極線（Com)5,以及對應于每列子 像素單元設置的數(shù)據(jù)線（Data)6。每個子像素單元中設置有分壓電極30,分壓電極30與公 共電極線5的重疊部分形成分壓電容CstO。其中，第一柵線41、第二柵線42和公共電極線 5位于同一圖層，可以在同一次構圖工藝中同步形成；數(shù)據(jù)線6和分壓電極30位于同一圖 層，也可以在同一次構圖工藝中同步形成。
[0035] 本實施例中，位于補償區(qū)域100的子像素單元中的分壓電極30的面積，小于位于 非補償區(qū)域200的子像素單元中的分壓電極30的面積，從而使位于補償區(qū)域100的子像素 單元中的CstO具有較小的電容值。
[0036] 進一步，本實施例中，每個子像素單元中還設置有第一開關管T1、第二開關管T2、 第三開關管T3、位于主子像素1中的主像素電極10、位于次子像素2中的次像素電極20,其 中，ΤΙ、T2、T3均優(yōu)選為薄膜晶體管（TFT)。主像素電極10可以與彩膜基板上的公共電極 (圖中未示出）形成主液晶電容Clcl，主像素電極10與公共電極線5的重疊部分形成主存 儲電容Cstl。次像素電極20可以與彩膜基板上的公共電極形成次液晶電容Clc2,次像素 電極20與公共電極線5的重疊部分形成次存儲電容Cst2。
[0037] 如圖1和圖2所示，T1的柵極連接第一柵線41，源極連接數(shù)據(jù)線6,漏極連接主像 素電極10。T2的柵極連接第一柵線41，源極連接數(shù)據(jù)線6,漏極連接次像素電極20。T3的 柵極連接第二柵線42,源極連接次像素電極20,漏極連接分壓電極30。
[0038] 在顯示過程中，先打開第一柵線41，關閉第二柵線42,使T1和T2導通，T3關閉，同 時由數(shù)據(jù)線6通過T1和T2分別向主像素電極10和次像素電極20充入相等的數(shù)據(jù)電壓， 使Clcl、Cstl、Clc2和Cst2具有相等的電壓。然后關閉第一柵線41，打開第二柵線42,使 T1和T2關閉，T3導通，CstO就會通過T3分掉次像素電極20上的一部分數(shù)據(jù)電壓，降低了 次像素電極20上的數(shù)據(jù)電壓，使Clc2和Cst2的電壓降低，而Clcl和Cstl的電壓保持不 變。此時，Clc2的電壓低于Clcl的電壓，所以次子像素2顯示的亮度會低于主子像素1，并 且主子像素1與次子像素2中的液晶具有不同的偏轉角度，可達到增大視角的效果。
[0039] 因為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，相比于非補償區(qū)域200,補償區(qū)域100中 的子像素單元的CstO的電容值較小，所以CstO從次像素電極20分掉的數(shù)據(jù)電壓較少，則 Clc2剩余的電壓就較高，次子像素2顯示的亮度也較高，子像素單元整體顯示的亮度也較 高。因此，利用本發(fā)明實施例提供的陣列基板，能夠使補償區(qū)域1〇〇(開口率降低的區(qū)域） 的子像素單元顯示的亮度高于非補償區(qū)域200 (開口率正常的區(qū)域），使補償區(qū)域100的亮 度能夠接近于非補償區(qū)域200,從而解決了現(xiàn)有的曲面顯示裝置的兩側部會出現(xiàn)暗團的技 術問題。
[0040] 在陣列基板的設計和制造中，可以根據(jù)陣列基板與彩膜基板之間發(fā)生錯位的偏移 量，計算補償區(qū)域1〇〇相應的開口率的變化量，再以此得出補償區(qū)域1〇〇需要增加的亮度， 從而得出補償區(qū)域100的子像素單元中分壓電極30所需的面積。根據(jù)所得到的分壓電極 30的面積，設計并制造的陣列基板，就可以很好的補償由于陣列基板與彩膜基板之間的錯 位造成的開口率降低的不良影響，使曲面顯示裝置各處的亮度能夠相等。
[0041] 實施例二:
[0042] 本發(fā)明還提供一種曲面顯示裝置，可以是曲面電視機、曲面顯示器等。該曲面顯示 裝置包括彩膜基板和上述實施例一提供的陣列基板。
[0043] 本發(fā)明實施例提供的曲面顯示裝置，與實施例一提供的陣列基板具有相同的技術 特征，所以也能解決相同的技術問題，達到相同的技術效果。
[0044] 作為一個優(yōu)選方案，曲面顯不裝置為垂直排列型（Vertical Alignment,簡稱VA) 曲面顯示裝置。在VA曲面顯示裝置中，通過將每個子像素單元分為主子像素和次子像素， 并且主子像素和次子像素中的液晶具有不同的偏轉角度，能夠增大曲面顯示裝置的視角。
[0045] 本實施例中，在補償區(qū)域與非補償區(qū)域中，次子像素中的液晶電容也不想等，所以 次子像素中的液晶也具有兩種不同的偏轉角度，從而能夠進一步增大曲面顯示裝置的視 角。
[〇〇46] 雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術領域】內的技術人員，在不脫離本 發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化， 但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，包括呈陣列式設置的若干個子像素單元，每個所述子像素單元包括 主子像素、次子像素和分壓電容； 所述陣列基板分為補償區(qū)域和非補償區(qū)域，位于所述補償區(qū)域的子像素單元中的分壓 電容的電容值，小于位于所述非補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電容的電容值。
2. 如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述補償區(qū)域位于所述陣列基板的兩 側部。
3. 如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述補償區(qū)域呈橢圓形。
4. 如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括對應于每行所述子像素單元設 置的第一柵線、第二柵線和公共電極線，以及對應于每列所述子像素單元設置的數(shù)據(jù)線。
5. 如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，每個所述子像素單元中設置有分壓電 極，所述分壓電極與所述公共電極線的重疊部分形成所述分壓電容。
6. 如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，位于所述補償區(qū)域的子像素單元中的 分壓電極的面積，小于位于所述非補償區(qū)域的子像素單元中的分壓電極的面積。
7. 如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每個所述子像素單元中還設置有第一 開關管、第二開關管、第三開關管、位于主子像素中的主像素電極、位于次子像素中的次像 素電極； 所述第一開關管的柵極連接所述第一柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述主像 素電極； 所述第二開關管的柵極連接所述第一柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述次像 素電極； 所述第三開關管的柵極連接所述第二柵線，源極連接所述次像素電極，漏極連接所述 分壓電極。
8. 如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關管、所述第二開關管和所 述第三開關管均為薄膜晶體管。
9. 一種曲面顯示裝置，包括彩膜基板和如權利要求1至8任一項所述的陣列基板。
10. 如權利要求9所述的曲面顯示裝置，其特征在于，所述曲面顯示裝置為垂直排列型 曲面顯示裝置。
【文檔編號】G02F1/139GK104062781SQ201410252392
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權日:2014年6月9日
【發(fā)明者】郭晉波, 吳川 申請人:深圳市華星光電技術有限公司