一種顯示基板的維修方法和維修裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示基板的維修方法和維修裝置，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金屬層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位于所述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接；所述維修方法包括：在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。本發(fā)明提供的顯示基板的維修方法和維修裝置中，對顯示基板進(jìn)行維修時，不需要先確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，而是直接在電極層和金屬層之間加載修復(fù)電壓，以使殘留結(jié)構(gòu)斷開，從而降低維修成本。
【專利說明】一種顯示基板的維修方法和維修裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種顯示基板的維修方法和維修裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不 器）陣列基板是在玻璃基板上形成陣列電路，在陣列電路形成以后或在形成過程中，需要 對形成工藝進(jìn)行檢測。如果檢測結(jié)果表明產(chǎn)品中存在不良，則需要對存在不良處進(jìn)行維修。
[0003] 目前在TFT-IXD生產(chǎn)工藝中，比較常見的維修方法有激光切割法（Cut R印air)和 金屬沉積法（CVD R印air)。激光切割法是針對殘留性不良位置（Short NG Point)進(jìn)行切 割處理，而金屬沉積法是針對斷開性不良位置（Open NG Point)進(jìn)行沉積后連接處理。
[0004] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的正常狀態(tài)圖，圖2為圖1所示顯示基板檢測的 正常波形圖。如圖1所示，測試探頭101與電流源連接，測試探頭101和測試探頭102與同 一根數(shù)據(jù)線連接，測試探頭103與前一根數(shù)據(jù)線連接。在保持測試探頭101、測試探頭102 和測試探頭103之間相對位置不變的前題下，將上述三個測試探頭延箭頭方向緩慢推進(jìn)， 同時測量測試探頭102上的電壓V 1(l2和測試探頭103上的電壓V1(l3，從而形成電壓V1(l2和電 壓乂 1(13的波形圖。如圖2所示，當(dāng)所測試的電路上沒有不良時，所形成的電&V1(I2和電壓V 1(l3 的波形圖為兩條平行的直線。
[0005] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的斷路狀態(tài)圖，圖4為圖3所示顯示基板檢測的 斷路波形圖。當(dāng)測試探頭101、測試探頭102和測試探頭103推進(jìn)到如圖3所示的位置時， 測試探頭101和測試探頭102之間出現(xiàn)了斷開性不良位置104,使得測試探頭101和測試探 頭102之間出現(xiàn)斷路，從而形成如圖4所示的電壓V 1(l2波形。
[0006] 圖5為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的短路狀態(tài)圖，圖6為圖5所示顯示基板檢測的 短路波形圖。當(dāng)測試探頭101、測試探頭102和測試探頭103推進(jìn)到如圖5所示的位置時， 測試探頭101和測試探頭103之間出現(xiàn)了殘留性不良位置105,使得測試探頭101和測試探 頭103之間出現(xiàn)短路，從而形成如圖6所示的電壓V 1(l3波形。
[0007] 圖7為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的斷開性不良的維修圖。如圖7所示，檢測到斷開性 不良位置后，使用氬氣（Ar)將金屬碳氧化物粉末攜帶至反應(yīng)釜中，用激光（圖中箭頭為激 光方向）作為能量源，通過化學(xué)反應(yīng)將上述化合物分解以金屬粉末的狀態(tài)沉積到玻璃基板 上，在熱效應(yīng)作用下形成致密的金屬膜層，從而連接斷開的線路。圖8為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基 板的殘留性不良的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖8所示顯示基板的殘留性不良的的維修圖。如圖8 所示，絕緣層106破洞導(dǎo)致第一金屬層107與第二金屬層108之間形成殘留性不良。如圖 9所示，直接利用激光（圖中箭頭為激光方向）對殘留物進(jìn)行切割，使得多余的部分與有用 的部分?jǐn)嚅_。
[0008] 可以看出，上述維修方法需要先確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，導(dǎo) 致維修成本過高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示基板的維修方法和維修裝置，用于解決現(xiàn) 有技術(shù)中對顯示基板的維修先要確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，導(dǎo)致維修 成本過高的問題。
[0010] 為此，本發(fā)明提供一種顯示基板的維修方法，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和 金屬層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位 于所述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接；所述維修方法包括：在所述電極層和所述金屬層之間 加載修復(fù)電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。
[0011] 優(yōu)選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟之前還包括： 將第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述電極層電連接；將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述金屬層電連接；所述在所述 電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：通過所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)，向所述電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。
[0012] 優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
[0013] 優(yōu)選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：在所述 修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高加載所述修復(fù)電壓。
[0014] 優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值包括：30V至60V。
[0015] 優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值包括：48V至60V。
[0016] 優(yōu)選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟還包括：將所 述電極層和所述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和所述金屬層之間形成電壓 差。
[0017] 優(yōu)選的，所述將所述電極層和所述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和 所述金屬層之間形成電壓差的步驟包括：在所述電壓差的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高形成所 述電壓差。
[0018] 優(yōu)選的，所述電壓差的設(shè)定范圍值包括：30V至60V。
[0019] 優(yōu)選的，所述電壓差的設(shè)定范圍值包括：48V至60V。
[0020] 本發(fā)明還提供一種顯示基板的維修裝置，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金 屬層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位于 所述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接；所述維修裝置包括加載單元，用于在所述電極層和所述 金屬層之間加載修復(fù)電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。
[0021] 優(yōu)選的，還包括：第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，用于與所述電極層電連接；第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，用于 與所述金屬層電連接；所述加載單元通過所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，向所述 電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。
[0022] 優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
[0023] 本發(fā)明具有下述有益效果：
[0024] 本發(fā)明提供的顯示基板的維修方法和維修裝置中，對顯示基板進(jìn)行維修時，不需 要先確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，而是直接在電極層和金屬層之間加載 修復(fù)電壓，以使殘留結(jié)構(gòu)斷開，從而降低維修成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的正常狀態(tài)圖；
[0026] 圖2為圖1所示顯示基板檢測的正常波形圖；
[0027] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的斷路狀態(tài)圖；
[0028] 圖4為圖3所不顯不基板檢測的斷路波形圖；
[0029] 圖5為現(xiàn)有技術(shù)中顯不基板檢測的短路狀態(tài)圖；
[0030] 圖6為圖5所示顯示基板檢測的短路波形圖；
[0031] 圖7為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的斷開性不良的維修圖；
[0032] 圖8為現(xiàn)有技術(shù)中顯不基板的殘留性不良的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0033] 圖9為圖8所不顯不基板的殘留性不良的的維修圖；
[0034] 圖10為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的維修方法的方框圖；
[0035] 圖11為本實施例中顯示基板不良位置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖12為本實施例中導(dǎo)電橡皮的第一狀態(tài)圖；
[0037] 圖13為本實施例中導(dǎo)電橡皮的第二狀態(tài)圖；
[0038] 圖14為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的維修裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0039] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提 供的顯示基板的維修方法和維修裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0040] 實施例一
[0041] 圖10為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的維修方法的方框圖，圖11為本實 施例中顯示基板不良位置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10、圖11所示，顯示基板包括電極層201、絕 緣層106和金屬層202,所述絕緣層106位于所述電極層201和所述金屬層202之間。如果 絕緣層106出現(xiàn)破洞，所述電極層201成膜時就會通過上述破洞形成殘留結(jié)構(gòu)203,所述殘 留結(jié)構(gòu)203使得所述電極層201與所述金屬層202導(dǎo)通。
[0042] 本實施例中，所述顯示基板通過各層膜的沉積、刻蝕后形成柵金屬層、絕緣層、源 漏金屬層、像素電極以及公共電極等結(jié)構(gòu)。所述柵金屬層包括柵極線和柵極，所述源漏金屬 層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線。由于刻蝕等加工工藝的原因，絕緣層可能存在破洞從而形成殘 留物，導(dǎo)致所述像素電極或公共電極與柵金屬層或源漏金屬層之間發(fā)生短路。
[0043] 可選的，液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板上設(shè)置有柵極線、數(shù)據(jù) 線以及公共電極線，所述彩膜基板上設(shè)置有公共電極，所述公共電極通過各向異性導(dǎo)電膠 與陣列基板上的公共電極線連接。所述陣列基板上公共電極線與數(shù)據(jù)線有交叉，當(dāng)存在ΙΤ0 殘留物時可能使得所述公共電極線與數(shù)據(jù)線短路。
[0044] 可選的，在高級超維場轉(zhuǎn)換（ADvanced Super Dimension Switch，簡稱ADS)模式 下，柵極線與公共電極線采用同一金屬層鋪設(shè)，通過刻蝕等加工工藝形成柵極線和公共電 極線，公共電極線與同樣形成在襯底基板上的第一透明電極（例如，氧化銦錫ΙΤ0電極）直 接搭接，共同構(gòu)成公共電極。在形成有柵極線、公共電極線和第一透明電極的基板上覆蓋絕 緣層，所述絕緣層的構(gòu)成材料一般為氮化硅（SiNx)。如果絕緣層存在破洞，ΙΤ0成膜時就會 通過破洞將柵金屬層中的公共電極與源漏金屬層中的數(shù)據(jù)線導(dǎo)通。
[0045] 本實施例提供的維修方法包括：在所述電極層201和所述金屬層202之間加載修 復(fù)電壓209,以使所述殘留結(jié)構(gòu)203斷開。本實施例中，所述殘留結(jié)構(gòu)203包括殘留在絕緣層 破洞里的ITO,正常的像素ITO或者公共電極ITO會在高溫退火后多晶化（Polycrystal)， 多晶IT0的阻抗比較小，而殘留在絕緣層破洞里的IT0 -般不會多晶化而保持非晶態(tài) (Amorphous)，非晶IT0的阻抗較大，例如，非晶IT0的阻抗為金屬的100?1000倍。因此， 在足夠大的電流作用下所述非晶IT0可被燒斷，從而實現(xiàn)不需要先確定不良位置直接對顯 示基板進(jìn)行維修，以降低維修成本。
[0046] 可選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟之前還包括：
[0047] 步驟301、將第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述電極層電連接，
[0048] 步驟302、將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述金屬層電連接，
[0049] 所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：通過所述第一導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，向所述電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。需要說 明的是，步驟301與步驟302的順序可以相互調(diào)換。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測試探針， 所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
[0050] 圖12為本實施例中導(dǎo)電橡皮的第一狀態(tài)圖，圖13為本實施例中導(dǎo)電橡皮的第二 狀態(tài)圖。如圖12、圖13所示，測試探針205與導(dǎo)電橡皮204之間加載修復(fù)電壓，所述測試探 針205與參考電壓測試點VCOM Pad連接，所述導(dǎo)電橡皮204如圖12中箭頭所示方向壓著 在數(shù)據(jù)線連接測試點Data Pin上。由于導(dǎo)電橡皮204為面積性導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，能夠同時與多個 數(shù)據(jù)線連接測試點Data Pin導(dǎo)通，因此能夠快速將阻抗最大的位置燒斷，實現(xiàn)無需確定不 良位置直接對顯示基板進(jìn)行維修，從而降低維修成本。
[0051] 如圖12、圖13所示，數(shù)據(jù)線連接測試點D0為Data Oven，即奇數(shù)數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線連 接測試點DE為Data Even，即偶數(shù)數(shù)據(jù)線。對顯示基板進(jìn)行維修時為了方便可以將數(shù)據(jù)線 路分為奇偶兩組分別進(jìn)行，可以更加快速有效的燒斷阻抗最大的位置，完成對顯示基板的 維修。
[0052] 本實施例中，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：在 所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高加載所述修復(fù)電壓。優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定 范圍值包括：30V至60V。更優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值包括：48V至60V。通過設(shè) 定修復(fù)電壓的范圍值，可以更加快速有效的燒斷阻抗最大的位置，完成對顯示基板的維修。
[0053] 本實施例中，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟還包括： 將所述電極層和所述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和所述金屬層之間形成電 壓差。所述將所述電極層和所述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和所述金屬層 之間形成電壓差的步驟包括：在所述電壓差的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高形成所述電壓差。優(yōu) 選的，所述電壓差的設(shè)定范圍值包括：30V至60V。更優(yōu)選的，所述電壓差的設(shè)定范圍值包 括：48V至60V。通過電源來設(shè)定修復(fù)電壓的范圍值，可以更加方便快捷的燒斷阻抗最大的 位置，從而更加有效的完成對顯示基板的維修。
[0054] 本實施例提供的顯示基板的維修方法中，對顯示基板進(jìn)行維修時，不需要先確定 不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，而是直接在電極層和金屬層之間加載修復(fù)電壓， 以使殘留結(jié)構(gòu)斷開，從而降低維修成本。
[0055] 實施例二
[0056] 圖14為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的維修裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖14 所示，本實施例提供一種顯示基板的維修裝置，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金屬 層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間。如果絕緣層存在破洞，所述電極層成膜 時就會通過破洞形成殘留結(jié)構(gòu)，所述殘留結(jié)構(gòu)使得所述電極層與所述金屬層導(dǎo)通。
[0057] 本實施例中，所述顯示基板通過各層膜的沉積、刻蝕后形成柵金屬層、絕緣層、源 漏金屬層、像素電極以及公共電極等結(jié)構(gòu)。所述柵金屬層包括柵極線和柵極，所述源漏金屬 層包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線。由于刻蝕等加工工藝的原因，絕緣層可能存在破洞從而形成殘 留物，導(dǎo)致所述像素電極或公共電極與柵金屬層或源漏金屬層之間發(fā)生短路。
[0058] 所述維修裝置包括加載單元206,用于在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù) 電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。優(yōu)選的，所述維修裝置還包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)207和第二導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)208。所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)207用于與所述電極層電連接，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)208用于 與所述金屬層電連接。所述加載單元206通過所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)207和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 208向所述電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。更優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測 試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
[0059] 如圖12、圖13所示，測試探針205與導(dǎo)電橡皮204之間加載修復(fù)電壓，所述測試探 針205與參考電壓測試點VCOM Pad連接，所述導(dǎo)電橡皮204如圖12中箭頭所示方向壓著 在數(shù)據(jù)線連接測試點Data Pin上。由于導(dǎo)電橡皮204為面積性導(dǎo)電物體，能夠同時與多個 數(shù)據(jù)線連接測試點Data Pin導(dǎo)通，因此能夠快速將阻抗最大的位置燒斷，實現(xiàn)無需確定不 良位置直接對顯示基板進(jìn)行維修，從而降低維修成本。
[0060] 本實施例提供的顯示基板的維修裝置中，對顯示基板進(jìn)行維修時，不需要先確定 不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，而是直接在電極層和金屬層之間加載修復(fù)電壓， 以使殘留結(jié)構(gòu)斷開，從而降低維修成本。
[0061] 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示基板的維修方法，其特征在于，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金屬 層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位于所 述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接； 所述維修方法包括： 在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述在所述電極層和所 述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟之前還包括： 將第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述電極層電連接； 將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述金屬層電連接； 所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：通過所述第一導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，向所述電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測 試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述在所述電極層和所 述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括： 在所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高加載所述修復(fù)電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范 圍值包括：30V至60V。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范 圍值包括：48V至60V。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述在所述電極層和所 述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟還包括： 將所述電極層和所述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和所述金屬層之間形 成電壓差。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述將所述電極層和所 述金屬層分別與電源連接，從而在所述電極層和所述金屬層之間形成電壓差的步驟包括： 在所述電壓差的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高形成所述電壓差。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述電壓差的設(shè)定范圍 值包括：30V至60V。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的修復(fù)方法，其特征在于，所述電壓差的設(shè)定范圍 值包括：48V至60V。
11. 一種顯示基板的維修裝置，其特征在于，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金屬 層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位于所 述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接； 所述維修裝置包括加載單元，用于在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓，以 使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板的維修裝置，其特征在于，還包括： 第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，用于與所述電極層電連接； 第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，用于與所述金屬層電連接； 所述加載單元通過所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，向所述電極層和所述金屬 層之間加載所述修復(fù)電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示基板的維修裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為 測試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。
【文檔編號】G02F1/1362GK104143536SQ201410264221
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月13日
【發(fā)明者】閆龍, 錢志禹, 朱石林, 祝道成, 朱國富, 呂超, 孫勇 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司