用于光刻的高生產(chǎn)量和小占位面積掃描曝光的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于光刻的高生產(chǎn)量和小占位面積掃描曝光的系統(tǒng)和方法。一種光刻系統(tǒng)，其包括輻射源和曝光工具，曝光工具包括在第一方向上密集地封裝的多個曝光柱。每個曝光柱都包括被配置成經(jīng)過輻射源的曝光區(qū)域。該系統(tǒng)還包括：晶圓載體，被配置成固定并且沿著垂直于第一方向的第二方向移動一個或多個晶圓，使得一個或多個晶圓通過曝光工具曝光，以沿著第二方向形成圖案。一個或多個晶圓覆蓋有光刻膠層并且在晶圓載體上以第二方向?qū)?zhǔn)。
【專利說明】用于光刻的高生產(chǎn)量和小占位面積掃描曝光的系統(tǒng)和方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及光刻系統(tǒng)和方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體集成電路（IC)工業(yè)已經(jīng)歷了指數(shù)式增長。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進(jìn)步已 產(chǎn)生了數(shù)代的1C，其中，每代IC都具有比前一代更小和更復(fù)雜的電路。在IC演進(jìn)的過程中， 在幾何尺寸（即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小部件（或線））減小的同時，功能密度（即， 單位芯片面積上的互連器件的數(shù)量）通常會增加。這種按比例縮小工藝通常通過增加生產(chǎn) 效率和降低相關(guān)成本而提供益處。這樣的按比例縮小還增加了處理和制造 IC的復(fù)雜性，并 且為了實現(xiàn)這些進(jìn)步，需要IC處理和制造過程中的類似發(fā)展。
[0003] 光刻通常包括光刻膠的圖案化曝光，使得可以選擇性地去除光刻膠的多部分以暴 露下面的區(qū)域，從而用于諸如通過蝕刻、材料沉積和注入等進(jìn)行選擇性處理。光刻利用紫外 線光形式的電磁能以用于光刻膠的選擇性曝光。作為電磁能（包括X射線）的替代方法， 帶電粒子束已用于高分辨率光刻膠曝光。具體地，已使用電子束，這是因為質(zhì)量輕的電子允 許以相對較小的功率和相對較高的速度對電子束的相對準(zhǔn)確的控制。電子束光刻系統(tǒng)還是 一種按比例縮小部件尺寸的有效方法。然而，通過當(dāng)前光刻系統(tǒng)的晶圓生產(chǎn)量和占位面積 (footprint)仍然不能充分滿足IC工業(yè)中的大規(guī)模制造。
[0004] 從而，需要用于增加晶圓生產(chǎn)量和節(jié)省光刻系統(tǒng)的占位面積的系統(tǒng)和方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種光刻系統(tǒng)， 包括：福射源；曝光工具，包括在第一方向上封裝的多個曝光柱，每個曝光柱都包括被配置 成經(jīng)過所述輻射源的曝光區(qū)域；以及晶圓載體，被配置成固定并且沿著垂直于所述第一方 向的第二方向移動一個或多個晶圓，使得所述一個或多個晶圓通過所述曝光工具曝光，以 沿著所述第二方向形成圖案，所述一個或多個晶圓覆蓋有光刻膠層，并且在所述晶圓載體 上以所述第二方向?qū)?zhǔn)。
[0006] 在該光刻系統(tǒng)中，所述一個或多個晶圓被配置成在所述晶圓載體上沿著所述第一 方向。
[0007] 在該光刻系統(tǒng)中，所述晶圓載體固定被配置成沿著所述第二方向的一個或多個晶 圓臺，每個所述晶圓臺都被配置成固定晶圓。
[0008] 在該光刻系統(tǒng)中，所述多個曝光柱在所述曝光工具上封裝為沿著所述第一方向彼 此鄰近。
[0009] 在該光刻系統(tǒng)中，所述多個曝光柱沿著所述第二方向封裝為多于一行，以及所述 曝光柱的兩個鄰近行沿著所述第一方向移動的距離基本類似于所述曝光柱的半徑，所述兩 個鄰近行形成單元柱組件（UCA)。
[0010] 在該光刻系統(tǒng)中，沿著所述第二方向封裝多個UCA，以及兩個鄰近UCA沿著所述第 一方向移動的距離小于所述曝光柱的所述半徑。
[0011] 在該光刻系統(tǒng)中，所述晶圓載體被配置成沿著所述第一方向使所述一個或多個晶 圓相對于所述曝光工具移動的距離小于所述曝光區(qū)域在所述第一方向上的寬度。
[0012] 該光刻系統(tǒng)進(jìn)一步包括：晶圓計量系統(tǒng)（WMS)，被配置成測量所述晶圓載體、所述 曝光工具或它們的組合的位置數(shù)據(jù)。
[0013] 該光刻系統(tǒng)進(jìn)一步包括：對準(zhǔn)工具，被配置成調(diào)節(jié)所述一個或多個晶圓，使得要被 曝光的圖案與形成在所述一個或多個晶圓上的先前圖案對準(zhǔn)。
[0014] 在該光刻系統(tǒng)中，所述輻射源包括光子。
[0015] 在該光刻系統(tǒng)中，所述輻射源包括電子。
[0016] 在該光刻系統(tǒng)中，所述輻射源包括離子。
[0017] 在該光刻系統(tǒng)中，對包括在所述曝光工具中的所述曝光柱的數(shù)量以及包括在所述 晶圓載體中的晶圓的數(shù)量進(jìn)行了優(yōu)化，以增加生產(chǎn)量并且減少占位面積。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于圖案化多個晶圓的方法，所述方法包括： 提供包括在第一方向上封裝的多個曝光柱的曝光工具，每個曝光柱都包括曝光區(qū)域；將配 置為沿著垂直于所述第一方向的第二方向的多個晶圓裝載到晶圓載體上，所述多個晶圓涂 覆有光刻膠層；發(fā)射的輻射源通過每個曝光柱的所述曝光區(qū)域，以使多個被涂覆的晶圓曝 光；沿著所述第二方向移動所述晶圓載體，使得所述曝光工具沿著所述第二方向使所述多 個被涂覆的晶圓曝光，以形成光刻膠圖案；以及沿著所述第一方向使所述晶圓載體步進(jìn)的 距離小于所述曝光區(qū)域在所述第一方向上的寬度。
[0019] 在該方法中，沿著所述第二方向移動所述晶圓載體包括：沿著所述第二方向，使所 述晶圓載體上的所述多個被涂覆的晶圓加速；使用穿過每個曝光柱的所述曝光區(qū)域的所述 輻射源，使所述多個被涂覆的晶圓曝光；以及使所述多個曝光后的晶圓減速。
[0020] 在該方法中，以恒定速度執(zhí)行使所述多個被涂覆的晶圓曝光。
[0021] 在該方法中，在所述曝光工具上沿著所述第一方向彼此鄰近地封裝所述多個曝光 柱。
[0022] 該方法進(jìn)一步包括：使用對準(zhǔn)工具執(zhí)行所述多個被涂覆的晶圓的對準(zhǔn)，使得要被 曝光的所述光刻膠圖案與形成在所述一個或多個晶圓上的先前圖案對準(zhǔn)。
[0023] 該方法進(jìn)一步包括：使用晶圓計量系統(tǒng)（WMS)測量所述晶圓載體、所述曝光工具 或它們的組合的位置數(shù)據(jù)。
[0024] 在該方法中，在所述曝光工具上將所述多個曝光柱進(jìn)一步封裝為沿著所述第二方 向的多于一行，以及其中，所述曝光柱的兩個鄰近行沿著所述第一方向移動的距離基本類 似于所述曝光柱的半徑，所述兩個鄰近行形成單元柱組件（UCA)。
[0025] 在該方法中，沿著所述第二方向封裝多個UCA，以及兩個鄰近UCA沿著所述第一方 向移動的距離小于所述曝光柱的半徑。
[0026] 在該方法中，對包括在所述曝光工具中的所述曝光柱的數(shù)量以及包括在所述晶圓 載體中的晶圓的數(shù)量進(jìn)行優(yōu)化，以增加生產(chǎn)量并且減少占位面積。
[0027] 該方法進(jìn)一步包括：裝載配置為沿著所述第一方向的所述多個晶圓。
[0028] 在該方法中，所述輻射源包括選自由光子、電子和離子所組成的組中的任一個。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于在多個晶圓上形成光刻膠圖案的方法， 所述方法包括：在多個晶圓上涂覆光刻膠膜；沿著第一方向?qū)⒍鄠€被涂覆的晶圓裝載到晶 圓載體上；使用曝光工具沿著所述第一方向使所述多個晶圓上的所述光刻膠膜曝光，所述 曝光工具包括在垂直于所述第一方向的第二方向上封裝的多個曝光柱；沿著所述第二方向 使所述晶圓載體步進(jìn)的距離小于曝光區(qū)域在所述第一方向上的寬度，所述曝光區(qū)域包括在 每個曝光柱中；以及使曝光后的光刻膠膜顯影，以在所述多個晶圓上形成所述光刻膠圖案。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)以下詳細(xì)說明可以最好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的 是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明目的。實際上，為了清 楚的論述，各個部件的尺寸可以任意地增加或縮小。
[0031] 圖IA示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的電子束光刻系統(tǒng)的示意圖。
[0032] 圖IB示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的光刻系統(tǒng)的示意圖。
[0033] 圖2A是示出根據(jù)一個或多個實施例在晶圓上形成圖案的方法的流程圖。
[0034] 圖2B至圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例使用圖2A的光刻方法在晶 圓上形成圖案的截面?zhèn)纫晥D。
[0035] 圖3是示出根據(jù)發(fā)明的一些實施例使用光刻系統(tǒng)執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光的方法 的流程圖。
[0036] 圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例包括密集地封裝在一起以執(zhí)行晶圓的"步進(jìn)和 掃描"曝光的六個曝光柱的單元柱組件（UCA)的俯視圖。
[0037] 圖4B和圖4C是分別示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例在使用圖4A的UCA的晶圓曝 光期間的掃描和步進(jìn)工藝的示意圖。
[0038] 圖5A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例包括封裝在一起以執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光的多 個UCA的曝光工具的俯視圖。
[0039] 圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的固定多個晶圓臺以對多個晶圓執(zhí)行同時 "步進(jìn)和掃描"的晶圓載體的示意圖。
[0040] 圖5C是示出使用圖5A的曝光工具和圖5B的晶圓載體對多個晶圓執(zhí)行同時"步進(jìn) 和掃描"曝光的示意圖。
[0041] 圖是示出使用圖5A的多個曝光工具和圖5B的多個晶圓載體對多個晶圓執(zhí)行 同時"步進(jìn)和掃描"曝光的示意圖。

【具體實施方式】
[0042] 以下公開內(nèi)容提供用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的多個不同實施例或?qū)嵗?。以下?述部件和布置的特定實例，以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實例并且不用于限制本發(fā)明。 例如，在以下說明書中，第一部件形成在第二部件上方或上可以包括以直接接觸的方式形 成第一部件和第二部件的實施例，并且還可以包括可以在第一部件和第二部件之間形成附 加部件，使得第一部件和第二部件不可以直接接觸的實施例。另外，本發(fā)明可以在各個實例 中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)用于簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所論述的 各個實施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0043] 圖IA示出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的電子束光刻系統(tǒng)100的示意圖。 在一些實施例中，光刻系統(tǒng)還可以稱為曝光系統(tǒng)或曝光工具。如圖IA所不，電子束光刻 系統(tǒng)100包括源102、聚光透鏡柱（lens column) 104、圖案生成器（PG) 106、電信號生成器 (ESG) 108、集成電路（IC)設(shè)計數(shù)據(jù)庫110、投影透鏡柱112、晶圓臺114、以及設(shè)置在晶圓臺 114上的晶圓116。應(yīng)當(dāng)理解，其他結(jié)構(gòu)和包括或省略系統(tǒng)100中的各個部件都是可能的。 系統(tǒng)100是示例性實施例，并且除了在權(quán)利要求中明確闡述的范圍之外，該系統(tǒng)不旨在限 制本發(fā)明的范圍。
[0044] 源102提供諸如電子束或離子束的輻射束。源102可以包括離子源或電子源。在 一些實施例中，電子源包括陰極、陽極和光圈（aperture)。通過將導(dǎo)電材料加熱到非常高的 溫度，或者通過施加使電子隧穿功函阻擋層（場發(fā)射源）的足夠強(qiáng)的電場（電勢），電子源 提供從導(dǎo)電材料所發(fā)射的多道電子束，其中，電子具有充足的能量以克服功函阻擋層，并且 從導(dǎo)電材料（熱離子源）逃逸。
[0045] 聚光透鏡柱104將輻射束從源102引導(dǎo)至圖案生成器106。在一些實施例中，輻射 束在穿過聚光透鏡柱104之后彼此平行。在一些實施例中，聚光透鏡柱104可以包括多個 電磁光圈、靜電透鏡以及電磁透鏡。
[0046] 圖案生成器106通過光纖連接至電-光信號轉(zhuǎn)換器，電-光信號轉(zhuǎn)換器連接至電 信號生成器108和IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110。在一些實施例中，圖案生成器106可以包括平面鏡 陣列板、設(shè)置在平面鏡陣列板上方的至少一個電極板、以及夾置于平面鏡陣列板和電極板 之間或者夾置于電極板之間的至少一個絕緣體。平面鏡陣列板包括多個導(dǎo)電平面鏡，其是 尺寸在納米和微米之間的簡單的靜態(tài)金屬墊（pad)。每個墊都構(gòu)成像素。通過來自電信號 生成器108的電信號來接通或切斷平面鏡的反射率。電極板可以包括多個小透鏡，并且絕 緣體層可以包括絕緣體。圖案生成器106通過反射或吸收由聚光透鏡柱104引導(dǎo)至每個小 透鏡的輻射束，根據(jù)設(shè)計布局提供圖案化輻射束118。電信號生成器108連接至嵌入圖案生 成器106的平面鏡陣列板內(nèi)的平面鏡和IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110。電信號生成器108通過反射或 吸收輻射束，根據(jù)IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110接通或切斷平面鏡。
[0047] IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110連接至電信號生成器108。IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110包括IC設(shè)計布 局。在一些實施例中，IC設(shè)計布局包括一個或多個IC設(shè)計部件或圖案。IC設(shè)計布局存在 于具有幾何圖案的信息的一個或多個數(shù)據(jù)文件中。在一些實例中，可以以圖形數(shù)據(jù)庫系統(tǒng) (GDS)格式來表達(dá)IC設(shè)計布局。IC設(shè)計數(shù)據(jù)庫110根據(jù)IC設(shè)計布局控制電信號生成器 108,因此控制圖案生成器106,以提供圖案化輻射束118。
[0048] 投影透鏡柱112將從圖案生成器106所生成的圖案化輻射束118引導(dǎo)至固定在晶 圓臺114上的晶圓116。在一些實施例中，投影透鏡柱112包括多個電磁光圈、靜電透鏡、 電磁透鏡以及偏轉(zhuǎn)器（deflector)。晶圓臺114通過靜電力固定晶圓116,并且在聚焦、調(diào) 平、和曝光晶圓116期間，在電子束光刻系統(tǒng)100中提供在X、Y和Z方向上精確移動的晶圓 116。在一些實施例中，晶圓臺114包括多個電動機(jī)、滾針導(dǎo)軌和工作臺。
[0049] 在一些實施例中，在源102處的陰極和陽極之間施加高電勢，其使電子朝向孔加 速并且通過孔。所施加的電勢的值確定離開孔的電子束的能級。當(dāng)電子束朝向圖案生成器 106傳輸時，電子束的能量減小。根據(jù)來自光纖的信號，圖案生成器106中的像素被編程為 基本為零伏或幾伏。電壓基本為零伏的那些像素接收從源102進(jìn)入的電子。承載幾伏負(fù)電 壓的其他像素將排斥進(jìn)入的電子，使得它們朝向晶圓116傳輸穿過光學(xué)柱112。光學(xué)柱112 形成尺寸減小的圖像，并且將電子加速至幾千伏到幾百千伏范圍內(nèi)的電壓，以到達(dá)固定在 晶圓臺114上的晶圓116。
[0050] 電子束光刻系統(tǒng)100在高真空條件下工作。因此，電子束光刻系統(tǒng)100可以包括 一個或多個真空泵，諸如，用于低真空的機(jī)械泵和用于高真空的離子泵。
[0051] 電子束光刻系統(tǒng)100還包括具有處理器、存儲器和I/O界面的計算機(jī)120。計算機(jī) 120可以連接至源102、PG106、ESG108、IC數(shù)據(jù)庫110、和/或晶圓臺114,以執(zhí)行本文中描 述的一個或多個操作步驟。
[0052] 圖IB不出了根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的光刻系統(tǒng)150的不意圖。在一些 實施例中，光刻系統(tǒng)150還可以稱為曝光系統(tǒng)或曝光工具。光刻系統(tǒng)150可操作地使涂覆 在晶圓164上的光刻膠層曝光，以形成光刻膠圖案。在一些實施例中，光刻系統(tǒng)150包括福 射源（照明源）152,以生成輻射能（或輻射束），從而使光刻膠層曝光。在多個實例中，輻 射能包括紫外線（UV)光、深紫外線（DUV)光和超紫外線（EUV)光。
[0053] 光刻系統(tǒng)150還可以包括照射模塊，其具有被配置成將掩模158成像至晶圓164 上的多種光學(xué)部件。照射模塊可以包括多個透鏡和/或其他光學(xué)部件。在如圖IB所示的 一些實施例中，照射模塊包括透鏡154和投影透鏡160。
[0054] 光刻系統(tǒng)150還可以包括掩模臺156,其被設(shè)計成固定掩模（還稱為中間掩?；蚬?掩模）158并且被配置在透鏡154和投影透鏡160之間。掩模158具有將被轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體 晶圓164上的圖案。掩模158的圖案可以包括在以下覆蓋控制和監(jiān)控工藝過程中所使用的 多個預(yù)定的覆蓋掩模。在一些實施例中，掩模158包括襯底和在襯底上所形成的圖案化的 層。在一些實施例中，掩模158包括透明襯底和圖案化的吸收層。透明襯底可以使用相對 無缺陷的熔融的二氧化硅（SiO 2)，諸如，摻硼硅玻璃和鈉鈣玻璃。透明襯底可以使用氟化鈣 和/或其他合適的材料?？梢允褂枚喾N工藝和多種材料（諸如，通過沉積由鉻（Cr)或諸如 MoSi的其他合適的材料所制成的金屬膜）形成圖案化的吸收層。光束在引導(dǎo)至吸收區(qū)上 時，可以被部分地或完全地阻擋?？梢詫⑽諏訄D案化為具有一個或多個開口，光束可以傳 輸穿過開口，而不被吸收層吸收。掩?？梢越Y(jié)合其他分辨率增強(qiáng)技術(shù)，諸如，相移掩模（PSM) 和/或光學(xué)鄰近校正（OPC)。
[0055] 在一些實施例中，掩模158是在EUV光刻系統(tǒng)中所使用的反射掩模。反射掩模包 括低熱膨脹材料（LTEM)的襯底、以及形成在該襯底上的多層反射膜。反射掩模進(jìn)一步包括 根據(jù)IC設(shè)計布局進(jìn)行圖案化以形成主要圖案的吸收層。
[0056] 參考圖1B，光刻系統(tǒng)150還包括晶圓臺162,其被設(shè)計成固定晶圓164并且可操作 地平移和/或旋轉(zhuǎn)地移動。晶圓164可以是半導(dǎo)體晶圓，諸如，要圖案化的硅晶圓或其他合 適的晶圓。
[0057] 圖2A是示出根據(jù)一個或多個實施例使用光刻系統(tǒng)100和/或150在晶圓116和 /或164上形成圖案的方法200的流程圖。應(yīng)當(dāng)理解，可以在方法200之前、期間和之后提 供附加步驟，并且所描述的一些步驟可以被替換、刪除、或前后移動以用于方法200的附加 實施例。圖2B至圖2E是根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例使用圖2A的方法200在晶圓222 上形成圖案的處于各個光刻階段的結(jié)構(gòu)220的截面圖。
[0058] 參考圖2A和圖2B，方法200開始于步驟202,其中，提供晶圓222。晶圓222可以 是圖IA的晶圓116和/或圖IB的晶圓164。在一些實施例中，晶圓222可以是硅晶圓。 可選地或另外地，晶圓222可以包括諸如鍺的另一種元素半導(dǎo)體；包括碳化硅、砷化鎵、磷 化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦的化合物半導(dǎo)體；或包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、 GaInAs、GaInP和/或GaInAsP的合金半導(dǎo)體。在一些可選實施例中，晶圓222包括絕緣體 上半導(dǎo)體（SOI)?？梢栽诰A上沉積多個導(dǎo)電和非導(dǎo)電薄膜。例如，導(dǎo)電材料可以包括金 屬，諸如，鋁（Al)、銅（Cu)、鎢（W)、鎳（Ni)、鈦（Ti)、金（Au)和鉬（Pt)以及金屬的合金。絕 緣體材料可以包括氧化硅和氮化硅。
[0059] 仍然參考圖2A和圖2B，方法200進(jìn)行至步驟204,其中，在晶圓222上形成光刻膠 膜224。在一些實施例中，光刻膠膜可以包括光致抗蝕劑膜和/或電子束敏感光刻膠膜。光 刻膠膜224可以是正性光刻膠或負(fù)性光刻膠。光刻膠膜224可以包括單層光刻膠膜或多層 光刻膠膜。在一些實施例中，可以使用例如旋涂工藝的涂覆工藝在晶圓222上沉積光刻膠 膜224。在沉積光刻膠膜224之后，可以執(zhí)行軟烘（SB)工藝以將溶劑從光刻膠膜224中驅(qū) 出，并且以增加光刻膠膜224的機(jī)械強(qiáng)度。在一些實施例中，還可以形成抗反射涂層，諸如， 底部抗反射涂層（BARC)或頂部抗反射涂層（TARC)。
[0060] 參考圖2A和圖2C，方法200進(jìn)行至步驟206,其中，使用光刻系統(tǒng)100和/或150 使沉積在晶圓222上的光刻膠膜224曝光，以形成光刻膠圖案。如關(guān)于圖IA所論述的，當(dāng) 在步驟206中使用電子束光刻系統(tǒng)100時，圖案由圖案生成器106決定，并且光束226是由 圖案生成器106所提供的圖案化電子束118。如關(guān)于圖IB所論述的，當(dāng)在步驟206中使用 光刻系統(tǒng)150時，圖案由掩模158上的圖案決定，并且光束226是由輻射源152所提供的輻 射束。
[0061] 參考圖2A和圖2D，方法200進(jìn)行至步驟208,其中，使晶圓222上的曝光后的光 刻膠膜224進(jìn)行顯影，以在晶圓222上形成光刻膠圖案228。在一些實施例中，顯影劑包括 用于正性顯影（PTD)的基于水的顯影劑，諸如，四甲基氫氧化銨（TMH)。在一些實施例中， 顯影劑可以包括用于負(fù)性顯影（NTD)的有機(jī)溶劑或有機(jī)溶劑的混合物，諸如，甲基戊基酮 (methyl a-amyl ketone，MAK)或包括MAK的混合物。例如，可以使用旋涂工藝將顯影劑施 加至曝光的光刻膠膜上。還可以對施加的顯影劑執(zhí)行曝光后烘焙（PEB)、顯影后烘焙（PDB) 工藝、或它們的組合。
[0062] 參考圖2A和圖2E，方法200進(jìn)行至步驟210,其中，將光刻膠圖案228轉(zhuǎn)印到晶圓 222。如圖2E所示，在晶圓222上形成圖案210。在一些實施例中，將光刻膠圖案轉(zhuǎn)印至晶 圓上包括：使用光刻膠圖案228作為掩模，對晶圓222執(zhí)行蝕刻工藝，去除光刻膠228,以及 在晶圓222上形成圖案或部件（例如，210)。蝕刻工藝可以包括干（等離子體）蝕刻、濕蝕 刻和/或其他蝕刻方法。例如，干蝕刻工藝可以利用含氧氣體、含氟氣體（例如，CF 4、SF6、 CH2F2、CHF3和/或C2F6)、含氯氣體（例如，Cl 2、CHC13、CCl4和/或BCl3)、含溴氣體（例如， HBr和/或CHBr3)、含碘氣體、其他合適的氣體和/或等離子體和/或它們的組合。蝕刻工 藝可以進(jìn)一步使用清洗工藝。
[0063] 在使用以上關(guān)于圖IA和圖IB所論述的光刻系統(tǒng)100和/或150的曝光工藝期 間，可以去除晶圓臺114和/或162,使得可以使用一個曝光工具使晶圓上的多個區(qū)域曝光。 例如，當(dāng)相對于透鏡112和/或透鏡154移動晶圓臺114和/或162時，在掃描模式下，可 以沿著晶圓臺的移動方向的相反方向使晶圓的第一區(qū)域曝光。在完成第一區(qū)域曝光之后， 晶圓臺114和/或162可以沿著垂直于晶圓臺的移動方向的方向步進(jìn)預(yù)定距離，然后，晶圓 臺114和/或162可以沿著平行于移動方向的方向相對于透鏡112和/或透鏡154移動， 使得在掃描模式下，可以使不同于晶圓的第一區(qū)域的第二區(qū)域曝光。在一個或多個"掃描" 工藝期間，晶圓臺114和/或162可以是移動的，并且透鏡112和/或154可以是靜止的。 曝光柱可以包括光刻系統(tǒng)100的一個或多個透鏡柱112、和/或以任何合適結(jié)構(gòu)布置的光刻 系統(tǒng)150的透鏡154、掩模158和掩模臺156。如圖4A所示，為了增加曝光生產(chǎn)量，可以將 多個曝光柱密集地封裝在一起，以根據(jù)圖3所示的方法300執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光工藝。
[0064] 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例使用光刻系統(tǒng)執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光的方 法300的流程圖。在一些實施例中，光刻系統(tǒng)可以是電子束光刻系統(tǒng)100和/或光刻系統(tǒng) 150。方法300可以包括在關(guān)于圖2A所論述的方法200的步驟206中。將在以下段落中結(jié) 合圖4A至圖4C更詳細(xì)地論述圖3。
[0065] 為了增加晶圓上的曝光區(qū)域和改進(jìn)曝光生產(chǎn)量，可以將多個曝光柱密集地封裝在 一起，以執(zhí)行晶圓的曝光。圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的六個曝光柱404密集地封裝 在一起以執(zhí)行晶圓402的"步進(jìn)和掃描"曝光的單元柱組件（UCA)400的示例性俯視圖。在 一些實施例中，晶圓402可以是系統(tǒng)100的晶圓116或系統(tǒng)150的晶圓164。每個曝光柱 404可以包括系統(tǒng)100的透鏡柱112和104、以及圖案生成器106。如圖4A所示，六個曝光 柱404密集地封裝為兩行，每行均具有布置成直線的三個曝光柱。第二行可以相對于第一 行向一側(cè)移動基本等于曝光柱404的半徑的距離，從而使得每當(dāng)UCA400在整個晶圓402上 進(jìn)行掃描時，與六個封裝的曝光柱404的曝光區(qū)域408相對應(yīng)的六個柱區(qū)域可以同時被曝 光。在一些實施例中，UCA400可以包括以任何合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（topology)布置的多個曝光 柱404。每個曝光柱404都包括例如圖4A所示的矩形形狀的曝光區(qū)域408。曝光區(qū)域408 可以包括任何其他合適的形狀。在一些實施例中，曝光區(qū)域408的寬度W exp可以小于0. 1_。 [0066] 圖4B和圖4C是分別示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例在使用圖4A的UCA400曝光晶 圓期間的掃描和步進(jìn)工藝的示意圖。參考圖3和圖4B，方法300開始于步驟302,其中，將 晶圓402裝載到晶圓臺（例如，晶圓臺114和/或162)上。如方法200的步驟204中論 述的，光刻膠膜已沉積在晶圓的表面上。在步驟302中，還可以對晶圓402執(zhí)行晶圓對準(zhǔn)， 使得要被曝光的光刻膠圖案與先前轉(zhuǎn)印到晶圓402上的圖案對準(zhǔn)。在一些實施例中，可以 使用一個或多個機(jī)械臂將晶圓402裝載到晶圓臺上。當(dāng)單個機(jī)械臂用于晶圓裝載工藝302 時，可以每次裝載單個晶圓402。當(dāng)多個機(jī)械臂用于晶圓裝載工藝時，每次可以裝載多個晶 圓 402。
[0067] 當(dāng)晶圓沿著y方向移動時，UCA400主要對晶圓執(zhí)行掃描和曝光工藝。掃描工藝可 以包括方法300的步驟304至步驟312。參考圖3和圖4B，在方法300的步驟304中，晶圓 402從裝載位置加速移動，然后在曝光區(qū)412中以恒定速度移動，其中，如圖4B所示，UCA400 用于使沉積在晶圓402上的光刻膠膜曝光。
[0068] 在方法300的步驟306中，可以使用晶圓計量系統(tǒng)（WMS) 410,來監(jiān)控和測量晶圓 402的位置和在曝光之前形成在晶圓上的圖案。在一些實施例中，可以將諸如平面鏡的一個 或多個傳感器或器件安裝在晶圓載體（和/或晶圓臺）和WMS410上，使得可以使用諸如干 涉測量技術(shù)的任何合適的技術(shù)在曝光工藝期間實時地監(jiān)控晶圓的位置和條件。在一些實施 例中，在掃描前測量期間，結(jié)合限定曝光工具的坐標(biāo)系統(tǒng)來測量晶圓402和UCA400的位置 數(shù)據(jù)，然后使用位置數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。在一些實施例中，位置數(shù)據(jù)可以包括晶圓橫向和縱向位 置。WMS410還可以將投影透鏡聚焦到晶圓。在一些實施例中，WMS410還可以監(jiān)控晶圓和晶 圓臺的溫度，以更好的控制曝光條件。
[0069] 在方法300的步驟308中，晶圓402可以在曝光區(qū)域412中以恒定速度移動，以形 成結(jié)合方法200的步驟206論述的光刻膠圖案。在方法300的步驟310中，可以由WMS410 再次監(jiān)控和測量曝光后的晶圓402和/或UCA400以與在方法300的步驟306中所公開的 基本類似的方式獲得位置和條件數(shù)據(jù)。在一些實施例中，步驟310是可選擇的，并且當(dāng)步驟 310不必要時，步驟308可以直接進(jìn)行至步驟312。在方法300的步驟312中，然后，使曝光 后的晶圓402減速，以退出曝光區(qū)412,并且暫停（settling)以準(zhǔn)備用于步進(jìn)工藝。在結(jié)合 方法300的步驟304至步驟312所論述的掃描工藝之后，使晶圓402的前六個柱區(qū)域曝光， 以形成光刻膠圖案。晶圓402的每個曝光的柱區(qū)域的寬度與曝光區(qū)域408的寬度W exp相關(guān)。
[0070] 然后，方法300可以進(jìn)行至步驟314,其中，確定當(dāng)前晶圓的曝光工藝是否已經(jīng)結(jié) 束。在一些實施例中，由于已監(jiān)控晶圓臺和UCA400的位置，并且位置數(shù)據(jù)可以使用計算機(jī) (例如，計算機(jī)120)存儲在計算機(jī)可讀介質(zhì)中，所以可以在步驟314中確定位置數(shù)據(jù)和步進(jìn) 距離W step。在一些實施例中，可以使用以下方程式1計算使晶圓曝光所需的步進(jìn)的次數(shù)：
[0071] nstep；sw = Dw/(ffstep*nc) (1)
[0072] 其中，nstep，sw是單個晶圓所需的步進(jìn)的次數(shù)，D w是晶圓的直徑，Wstep是沿著如圖4A 所示的X方向的一個步進(jìn)工藝的距離，并且如圖4A至圖4C所示，η。是在一個UCA400中的 曝光柱的數(shù)量，例如，η。= 6。曝光系統(tǒng)可以保持跟蹤晶圓已經(jīng)步進(jìn)的次數(shù)，并且在步驟314 中，其數(shù)量可以與數(shù)量nstep， sw進(jìn)行比較。
[0073] 在步驟314中，在對晶圓的當(dāng)前曝光工藝期間，當(dāng)晶圓步進(jìn)的次數(shù)小于nste;p， sw時， 方法300進(jìn)行至步驟316,其中，如圖4C所示，使晶圓沿著X方向步進(jìn)以用于整個晶圓上的 接下來的掃描工藝。在步驟316中，如圖4A所示，晶圓可以沿著X方向步進(jìn)距離W step，使得 UCA400能夠"掃描"與晶圓上的首次曝光的柱區(qū)域不同的一個或多個區(qū)域。在一些實施例 中，步進(jìn)距離Wstep確定為小于曝光區(qū)域408的寬度（W exp),使得可能存在鄰近兩個曝光區(qū)之 間的小重疊。
[0074] 在步進(jìn)工藝之后，步驟316可以進(jìn)行至步驟304,其中，晶圓可以在y方向上加速， 并且與通過步驟312的先前減速區(qū)域的先前掃描和曝光工藝的方向相反（例如，圖4B的方 向414)。晶圓還可以被測量，并且在曝光區(qū)412中以恒定速度曝光。然后，晶圓可以減速， 以相反的y方向（例如，方向414)退出曝光區(qū)域412,并且暫停以準(zhǔn)備再次用于步驟314中 的確定工藝。
[0075] 在步驟314中，當(dāng)在對晶圓的當(dāng)前曝光工藝期間的步進(jìn)次數(shù)達(dá)到nstep， sw時，方法 300進(jìn)行至步驟318,其中，從晶圓臺卸載晶圓以用于隨后工藝（諸如結(jié)合圖2A論述的方法 200的步驟208和步驟210)。
[0076] 在晶圓402的曝光工藝期間，存在可以用于評估曝光系統(tǒng)的兩個參數(shù)：占位面積 (FP)和生產(chǎn)量（TP)。在圖4B所示的掃描工藝期間，使用以下方程式2確定占位面積（FP):
[0077] FPscan = 2DW+2A+2M+C (2)
[0078] 其中，F(xiàn)Psean是在整個晶圓上執(zhí)行掃描工藝所需的空間，并且Dw是晶圓402的直徑。 A是用于步驟304所示的晶圓402加速進(jìn)入曝光區(qū)域412并且如步驟312所示的在晶圓402 暫停（如步驟314所示，用于確定曝光工藝是否結(jié)束）之前減速以退出曝光區(qū)域412的距 離。M是WMS410執(zhí)行可以包括掃描前測量（例如，步驟306)和/或掃描后測量（例如，步 驟310)的測量所需的距離。C是如圖4A和圖4B所示的UCA400的長度。如圖4B所示，在 一些實施例中，C可以對應(yīng)于晶圓在曝光區(qū)412中以恒定速度移動并且曝光的距離。
[0079] 在圖4C所示的步進(jìn)工藝期間，可以使用以下方程式3確定占位面積（FP):
[0080] FPstep = Dw+B/2 (3)
[0081] 其中，F(xiàn)Pstep是對晶圓執(zhí)行步進(jìn)工藝所需的空間，并且B是如圖4C所示的每個曝光 柱404的直徑。
[0082] 生產(chǎn)量（TP)由正被曝光的晶圓的數(shù)量除以"步進(jìn)和掃描"曝光方法300所需的時 間進(jìn)行限定。"步進(jìn)和掃描"曝光所需的時間被計算為用于晶圓裝載（步驟302)、加速（步 驟304)、掃描前測量（步驟306)、用于曝光的掃描（步驟308)、可選擇的掃描后測量（步驟 310)、減速（步驟312)、以及晶圓步進(jìn)（步驟316)···以及晶圓卸載（步驟318)的時間的 總和。在一些實施例中，在可選擇的步驟310中的掃描后測量不是必要的。如圖4B和圖4C 所示，可以使用以下方程式4-1確定對單個晶圓的"步進(jìn)和掃描"曝光工藝所需的時間的總 和 tsw :
[0083] tsw = tL+nstep；sw*(tscan；sw+tM+t A+tstep) (4-1)
[0084] 其中，\指示晶圓裝載、對準(zhǔn)、和卸載工藝所需的時間。在一些實施例中，\還可以 包括晶圓表面測量所需的時間。如結(jié)合方法300的步驟308論述的，t sean，sw是通過UCA400 的晶圓掃描所需的時間。tsc;an， sw可以以方程式4_2進(jìn)一步表不如下：
[_5] tscan；sw= (C+Dw)/v (4-2)
[0086] 其中，v是在步驟308中的平均掃描速度。tM是在步驟306和310中使用麗S410 的掃描前和掃描后測量所需的時間，t A是用于在步驟304和312中的加速和減速的時間， tstep是如結(jié)合步驟316論述的晶圓在y方向上的掃描期間沿著X方向步進(jìn)所需的時間。當(dāng) 單個晶圓臺工具用于以上論述的對η個晶圓進(jìn)行"步進(jìn)和掃描"曝光時，所需要的時間是 n*tsw，這是因為可以將一個晶圓裝載到晶圓臺上，以同時執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光。從而，對 單個晶圓的"步進(jìn)和掃描"曝光工藝的生產(chǎn)量（TP)可以使用以下方程式5確定：
[0087] TPsw = l/tsw = l/[tL+nstep；sw*(tscan；sw+tM+t A+tstep)] (5)
[0088] 圖5A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的包括封裝在一起以執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光 的多個UCA400的曝光工具500的俯視圖?？梢詫⑵毓夤ぞ?00集成到光刻系統(tǒng)100和/ 或150中。在圖5A所示的示例性實施例中，將六個UCA400-1至400-6封裝在一起，以形成 曝光工具500。每個UCA400包括以與關(guān)于圖4A論述的相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)密集地封裝在一起 的六個曝光柱404。如圖5A所示，UCA400-1至400-6被布置為列，使得每個UCA相對于下 一行中的UCA移動距離g。例如，如圖5A所示。UCA400-2相對于UCA-I移動距離g，并且 UCA400-3相對于UCA-I移動距離2g，...，以及UCA-6相對于UCA-I移動距離5g。由于封 裝后的多個UCA同時執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光，所以曝光晶圓所需的步進(jìn)的次數(shù)可以使用以 下方程式6計算：
[0089] nstep；nw = Dw/(ffstep*nc*nu) (6)
[0090] 其中，nu是在曝光工具500中封裝在一起的UCA的數(shù)量。
[0091] 圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的固定多個晶圓402以對多個晶圓同時執(zhí) 行"步進(jìn)和掃描"曝光的晶圓載體504的示意圖。如圖5B所示，將晶圓402彼此鄰近放置在 晶圓載體504上。在"步進(jìn)和掃描"曝光工藝期間，固定在晶圓載體504上的多個晶圓402 一起移動。在一些實施例中，將多個晶圓402沿著掃描方向（例如，y方向）放置在晶圓載 體504上，使得曝光工具500可以同時掃描晶圓載體504上的多個晶圓402。然后，在同時 掃描之后，多個晶圓402可以沿著垂直于掃描方向的步進(jìn)方向（例如，X方向）一起步進(jìn)， 以沿著掃描方向開始下一次掃描。在一些實施例中，晶圓載體504可以固定多個晶圓臺，并 且每個晶圓臺都將晶圓保持在晶圓臺上。
[0092] 圖5C是示出使用圖5A的曝光工具500和圖5B的晶圓載體504對固定在晶圓載 體504上的多個晶圓（即，n w個晶圓）執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光工藝的示意圖。可以使用關(guān) 于圖3所論述的方法300實施"步進(jìn)和掃描"曝光。晶圓載體504可以沿著y方向移動，使 得曝光工具500可以執(zhí)行掃描工藝。因為晶圓載體504上的多個晶圓一起移動，所以與單 個晶圓花費的時間^和t A相比，在步驟306和310中使用WMS410的掃描前和掃描后測量 所花費的時間tM和在步驟304和312中加速所需的時間t A不會增加。為了簡單的目的，將 圖5C所示的系統(tǒng)稱為加速和度量共享（AMS)系統(tǒng)。因此，對晶圓載體504上的n w個晶圓 執(zhí)行的"步進(jìn)和掃描"曝光工藝所需的時間tnw的總和可以使用以下方程式7-1確定：
[0093] tnw = nw*tL+nst 印，nw*(tscan，nw+tM+t A+t_) (7-1)
[0094] 在方程式7中，對于晶圓載體504上的每個晶圓而言，假設(shè)用于晶圓裝載、對準(zhǔn)和 卸載的時間k和掃描前和掃描后測量所需的時間t M均相同。如圖5A和圖5C所不，掃描時 間ts_，nw表示使用一起封裝在曝光工具500中的n u個UCA的nw個晶圓的掃描時間。tsc;an，nw 可以使用方程式7-2進(jìn)一步表示如下：
[_5] tscan，nw = (nu*C+nw*Dw)/v (7-2)
[0096] 其中，v是在步驟308中的平均掃描速度。
[0097] 在一些實施例中，多個晶圓臺可以用于將晶圓保持在晶圓載體上。可以調(diào)節(jié)相應(yīng) 的晶圓臺中的晶圓，使得可以在每個晶圓和曝光區(qū)域之間提供曝光圖案的精確對準(zhǔn)?？蛇x 地，每個晶圓臺都可以固定晶圓，并且在沒有晶圓載體504的情況下，可以以基本類似的速 度一起掃描多個晶圓臺。
[0098] 參考圖5C，當(dāng)將多個機(jī)械臂（例如，nw個機(jī)械臂）用于晶圓裝載和卸載時，用于對 nw個晶圓執(zhí)行"步進(jìn)和掃描"曝光工藝所需的時間的總和tnw可以進(jìn)一步縮短至：
[0099] tnw = tL+nst 印，nw*(tscan，nw+tM+t A+t_) (8)
[0100] 與使用一個UCA分別曝光nw個晶圓（圖4A)相比，方程式9示出通過使用包括n u 個UCA的AMS曝光工具500來曝光nw個晶圓（圖5C)所節(jié)省的時間tsaved :
[0101] tsaved = nw*tsw-tnw
[0102] = (nw-l) *tL+nstep，nw* (nw*nu-l) * (tM+tA+tstep) +nstep，nw*nu* (nw-l) * (C/ v)+nstep，nw*nw*(nu-l)*(D w/v) (9)
[0103] 使用一個UCA曝光一個晶圓（圖4)與使用AMS (圖5C)的TP相比較的生產(chǎn)量（TP) 的差值或每小時曝光的晶圓的增益可以使用以下方程式10確定：
[0104] TPgain = nw/tnw-l/tsw = tsaved/(tnw*t J (10)
[0105] 方程10中的標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)量增益（TPgain)在以下方程式11中示出為：
[0106] TPnornijgain= (nw/tnw-l/tj/(l/tj = tsaved/tnw (11)
[0107] 使用一個UCA分別曝光nw個晶圓（圖4)與AMS (圖5C)的TP相比較的占位面積 的增益（FPgain)可以使用以下方程式12確定：
[0108] FPgain = nw*FPsw_FPnw
[0109] = nw* (2DW+2A+2M+C) * (Dw+B/2) - (2nw*Dw+2A+2M+nu*C) * (Dw+B/2)
[0110] = [(2A+2M)*(nw-l) + (nw-nu)*C]*(Dw+B/2) (12)
[0111] 來自方程式12的標(biāo)準(zhǔn)化占位面積（FPnmiigain)在方程式13中示出為：
[0112] FPnornij gain = (nw*FPsw-FPnw) / (nw*FPsw)
[0113] = [(2A+2M)*(nw-l) + (nw-nu)*C]/[nw*(2Dw+2A+2M+C)] (13)
[0114] 對于不同光刻系統(tǒng)，可以優(yōu)化每一載體上晶圓的數(shù)量（nw)、以及每一曝光工具上 曝光柱的數(shù)量（n u)，以使用諸如方程式9至13的上述方程式最大化生產(chǎn)量增益和/或最小 化占位面積增益。
[0115] 如圖5A所示，兩個鄰近UCA可以移動距離g，使得所有UCA的曝光柱上的曝光區(qū)域 在一次掃描工藝期間不曝光重疊區(qū)域。在一些實例中，可以將兩個鄰近的UCA之間的移動 距離（g)的長度選擇為稍微小于每個曝光柱的曝光區(qū)域408的寬度（W exp)。移動距離（g) 也可以小于曝光柱的半徑（B/2)。
[0116] 表1示出具有用于曝光固定在晶圓載體上的七個晶圓的封裝在一起的六個UCA的 電子束光刻系統(tǒng)（例如，光刻系統(tǒng)1〇〇)的參數(shù)的集合。
[0117] 表1多電子束掃描系統(tǒng)的參數(shù)

【權(quán)利要求】
1. 一種光刻系統(tǒng)，包括： 福射源； 曝光工具，包括在第一方向上封裝的多個曝光柱，每個曝光柱都包括被配置成經(jīng)過所 述福射源的曝光區(qū)域；W及 晶圓載體，被配置成固定并且沿著垂直于所述第一方向的第二方向移動一個或多個晶 圓，使得所述一個或多個晶圓通過所述曝光工具曝光，W沿著所述第二方向形成圖案，所述 一個或多個晶圓覆蓋有光刻膠層，并且在所述晶圓載體上W所述第二方向?qū)?zhǔn)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述一個或多個晶圓被配置成在所述晶圓 載體上沿著所述第一方向。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述晶圓載體固定被配置成沿著所述第二 方向的一個或多個晶圓臺，每個所述晶圓臺都被配置成固定晶圓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述多個曝光柱在所述曝光工具上封裝為 沿著所述第一方向彼此鄰近。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述多個曝光柱沿著所述第二方向封裝為 多于一行，W及 所述曝光柱的兩個鄰近行沿著所述第一方向移動的距離基本類似于所述曝光柱的半 徑，所述兩個鄰近行形成單元柱組件扣CA)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻系統(tǒng)，其中，沿著所述第二方向封裝多個UCA，W及 兩個鄰近UCA沿著所述第一方向移動的距離小于所述曝光柱的所述半徑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述晶圓載體被配置成沿著所述第一方向 使所述一個或多個晶圓相對于所述曝光工具移動的距離小于所述曝光區(qū)域在所述第一方 向上的寬度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步包括；晶圓計量系統(tǒng)（WMS)，被配置成測量 所述晶圓載體、所述曝光工具或它們的組合的位置數(shù)據(jù)。
9. 一種用于圖案化多個晶圓的方法，所述方法包括： 提供包括在第一方向上封裝的多個曝光柱的曝光工具，每個曝光柱都包括曝光區(qū)域； 將配置為沿著垂直于所述第一方向的第二方向的多個晶圓裝載到晶圓載體上，所述多 個晶圓涂覆有光刻膠層； 發(fā)射的福射源通過每個曝光柱的所述曝光區(qū)域，W使多個被涂覆的晶圓曝光； 沿著所述第二方向移動所述晶圓載體，使得所述曝光工具沿著所述第二方向使所述多 個被涂覆的晶圓曝光，W形成光刻膠圖案；W及 沿著所述第一方向使所述晶圓載體步進(jìn)的距離小于所述曝光區(qū)域在所述第一方向上 的覺度。
10. -種用于在多個晶圓上形成光刻膠圖案的方法，所述方法包括： 在多個晶圓上涂覆光刻膠膜； 沿著第一方向?qū)⒍鄠€被涂覆的晶圓裝載到晶圓載體上； 使用曝光工具沿著所述第一方向使所述多個晶圓上的所述光刻膠膜曝光，所述曝光工 具包括在垂直于所述第一方向的第二方向上封裝的多個曝光柱； 沿著所述第二方向使所述晶圓載體步進(jìn)的距離小于曝光區(qū)域在所述第一方向上的寬 度，所述曝光區(qū)域包括在每個曝光柱中；w及 使曝光后的光刻膠膜顯影，W在所述多個晶圓上形成所述光刻膠圖案。
【文檔編號】G03F7/20GK104460236SQ201410305880
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】林本堅, 林世杰, 許照榮, 王文娟 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司