陣列基板及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括基層，所述基層內(nèi)設(shè)有多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層的不同表層且交叉排列，所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，另一端連接有測(cè)試點(diǎn)，每一條所述信號(hào)線連接有一接地點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種陣列基板制作方法。
【專利說(shuō)明】陣列基板及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，特別涉及一種陣列基板及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display ;簡(jiǎn)稱:LCD)是通過(guò)控制在液晶面板上陣列排列的液晶像素的光透過(guò)率來(lái)顯示各種畫(huà)面。一般把驅(qū)動(dòng)液晶面板用的驅(qū)動(dòng)芯片壓接在薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display ;簡(jiǎn)稱:TFTLCD)面板上。其中，陣列基板在制造過(guò)程中形成多條信號(hào)線，在切割陣列基板形成TFT陣列基板前或者向液晶顯示面板上安裝驅(qū)動(dòng)電路模塊之前，需要對(duì)陣列基板信號(hào)等進(jìn)行電性測(cè)試，以檢出不能正常工作的陣列基板，常用的檢測(cè)方法是在陣列基板的非顯示區(qū)域設(shè)置有測(cè)試走線與測(cè)試點(diǎn)連接，對(duì)測(cè)試點(diǎn)加電壓進(jìn)行測(cè)試陣列基板信號(hào)線等是否正常。但是在陣列基板干蝕刻過(guò)程中玻璃表面產(chǎn)生靜電勢(shì)不可避免的，而設(shè)置在非顯示區(qū)域的測(cè)試走線必定與信號(hào)線會(huì)產(chǎn)生交叉的情況，因此靜電在走線交叉位置容易產(chǎn)生靜電損壞，造成走線短路現(xiàn)象而無(wú)法進(jìn)行測(cè)試。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，以解決陣列基板在制造過(guò)程中交叉走線之間產(chǎn)生的靜電造成短路的技術(shù)問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法。
[0005]提供一種陣列基板，所述陣列基板包括基層，所述基層內(nèi)設(shè)有多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層的不同表層且交叉排列，所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，另一端連接有測(cè)試點(diǎn)，每一條所述信號(hào)線連接有一接地點(diǎn)。
[0006]其中，所述信號(hào)線與所對(duì)應(yīng)的測(cè)試走線通過(guò)信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔連接。
[0007]其中，所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔通過(guò)導(dǎo)電連接層連接。
[0008]其中，所述信號(hào)線為掃描線或者數(shù)據(jù)線。
[0009]其中，所述基層上還依次疊加設(shè)置有第一金屬層、絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層及保護(hù)層，所述信號(hào)線設(shè)于述第一金屬層上，所述測(cè)試走線設(shè)于所述第二金屬層上，所述測(cè)試點(diǎn)及接地點(diǎn)位于所述基層邊緣。
[0010]提供一種陣列基板制作方法，該方法包括步驟，提供一基層，
[0011]所述基層內(nèi)形成有多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線；其中，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層內(nèi)的不同表層且交叉排列，使所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，并且在所述測(cè)試走線的另一端設(shè)置測(cè)試點(diǎn)；
[0012]在每一條所述信號(hào)線上設(shè)置一接地點(diǎn)；
[0013]對(duì)所述基層進(jìn)行蝕刻，其中，需要提供一蝕刻機(jī)，蝕刻機(jī)設(shè)有接地探針；
[0014]在蝕刻過(guò)程中所述接地探針與所述接地點(diǎn)連接。
[0015]其中，所述陣列基板提供一基層的步驟中，還包括在所述基層上依次形成第一金屬層、絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層及保護(hù)層，所述信號(hào)線位于第一金屬層，所述測(cè)試走線位于第二金屬層。
[0016]其中，所述對(duì)基層蝕刻的步驟中，通過(guò)所述蝕刻機(jī)對(duì)所述絕緣層及半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻。
[0017]其中，所述陣列基板制作方法還包括步驟:在對(duì)半導(dǎo)體蝕刻后的基層上形成鈍化層，再對(duì)鈍化層進(jìn)行過(guò)孔蝕刻，同時(shí)所述接地探針與所述接地點(diǎn)連接。
[0018]其中，所述信號(hào)線設(shè)有貫穿第一金屬層的過(guò)孔，所述測(cè)試走線有貫穿第二金屬層的過(guò)孔，所述絕緣層及半導(dǎo)體層形成有連接所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔的通孔，導(dǎo)電連接層連接所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔的通孔。
[0019]本發(fā)明的陣列基板在信號(hào)線上設(shè)置接地點(diǎn)，在對(duì)陣列基板進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于物理轟擊基層的玻璃基板表面進(jìn)行蝕刻時(shí)，玻璃基板表面聚集大量電荷，容易在信號(hào)線與所述測(cè)試走線交叉位置產(chǎn)生造成靜電釋放，而通過(guò)設(shè)置在蝕刻機(jī)上的探針與所述接地點(diǎn)連接，將所述靜電及時(shí)弓I導(dǎo)接地，起到了釋放靜電的作用，避免了大量的電荷產(chǎn)生的靜電破壞。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板信號(hào)線與測(cè)試走線分布示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]請(qǐng)參閱圖1本發(fā)明佳實(shí)施方式提供一種陣列基板，所述陣列基板的基層內(nèi)設(shè)有多條相互平行的信號(hào)線D及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線D的相互平行的測(cè)試走線R ;所述測(cè)試走線R與所述多條信號(hào)線D位于所述陣列基板的不同表層且交叉排列；所述測(cè)試走線R —端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線D，另一端連接有測(cè)試點(diǎn)17，每一條所述信號(hào)線D連接有一接地點(diǎn)18。
[0025]本實(shí)施例中，所述陣列基板上分為顯示區(qū)域及非顯示區(qū)域，通過(guò)切割技術(shù)將顯示區(qū)域與所述非顯示區(qū)域分離形成液晶顯示器的TFT陣列基板。所述信號(hào)線為掃描線或者數(shù)據(jù)線，用于傳輸信號(hào)。所述測(cè)試點(diǎn)17及所述接地點(diǎn)18設(shè)置于所述非顯示區(qū)域外圍。所述接地點(diǎn)18用于將信號(hào)線與測(cè)試走線交界處產(chǎn)生的靜電傳導(dǎo)出基板外。
[0026]本發(fā)明的陣列基板在信號(hào)線上設(shè)置接地點(diǎn)17，在對(duì)陣列基板進(jìn)行半導(dǎo)體層蝕刻時(shí)，由于物理轟擊基層的玻璃基板表面進(jìn)行蝕刻時(shí)，玻璃基板表面聚集大量電荷，容易在信號(hào)線D與所述測(cè)試走線R交叉位置產(chǎn)生造成靜電釋放，而通過(guò)設(shè)置在蝕刻機(jī)上的探針與所述接地點(diǎn)17連接，將所述靜電及時(shí)引導(dǎo)接地，起到了釋放靜電的作用，避免了大量的電荷產(chǎn)生的靜電破壞。
[0027]請(qǐng)參閱圖2，進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括依此疊加設(shè)置的第一金屬層、絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層及保護(hù)層，所述信號(hào)線D位于所述第一金屬層上，所述測(cè)試走線R位于所述第二金屬層上。本實(shí)施例中，所述第一金屬層為柵極。第二金屬層圖案化后可形成源極及漏極。
[0028]進(jìn)一步的，所述信號(hào)線D與所對(duì)應(yīng)的測(cè)試走線R通過(guò)信號(hào)線D的過(guò)孔與所述測(cè)試走線R的過(guò)孔連接。其中，信號(hào)線的過(guò)孔為第一過(guò)孔，其貫穿第一金屬層。所述測(cè)試走線過(guò)孔為第二過(guò)孔且貫穿第二金屬層，所述絕緣層及半導(dǎo)體層形成有連接所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔的通孔。
[0029]更進(jìn)一步的，所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔通過(guò)導(dǎo)電連接層連接，SP所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔及通孔通過(guò)導(dǎo)電連接層連接。所述導(dǎo)電層為ITO或者ΙΖ0。
[0030]本發(fā)明還提供一種陣列基板制作方法，該方法包括步驟:
[0031]步驟SI，提供一基層，所述基層內(nèi)形成多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線；其中，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層內(nèi)的不同表層且交叉排列；所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，并且在所述測(cè)試走線的另一端設(shè)置測(cè)試點(diǎn)；
[0032]S2，在每一條所述信號(hào)線上設(shè)置一接地點(diǎn)；
[0033]S3，對(duì)所述基層進(jìn)行蝕刻，其中，需要提供一蝕刻機(jī)，蝕刻機(jī)設(shè)有接地探針；
[0034]S4,在蝕刻過(guò)程中所述接地探針與所述接地點(diǎn)連接。
[0035]進(jìn)一步的，在SI步驟中，還包括步驟Sll:提供透明基層，在透明基層上形成第一金屬層。所述第一金屬層由柵極金屬薄膜采用磁控濺射的方法來(lái)制備，電極材料根據(jù)不同的器件結(jié)構(gòu)和工藝要求可以進(jìn)行選擇，通常被采用的柵線金屬有Mo，Mo-Al-Mo合金，Mo/Al-Nd/Mo疊成結(jié)構(gòu)的電極、Cu以及金屬鈦及其合金等。之后，通過(guò)濕法刻蝕的方式對(duì)膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝。其中，信號(hào)線位于第一金屬層并設(shè)有貫穿第一金屬層的過(guò)孔。
[0036]步驟S12:在所述第一金屬層上形成絕緣層。通過(guò)工藝成膜前清洗(Pre-clean)，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)法，在第一金屬層上制備絕緣層，其材料應(yīng)用比較廣泛，如二氧化娃(Si02)薄膜，氮化娃薄膜(SiNx),氮氧化娃薄膜(S1xNy),氧化招(A1203)薄膜，T1x薄膜以及復(fù)合的多層結(jié)構(gòu)的薄膜。然后對(duì)絕緣層進(jìn)行表面處理。
[0037]步驟S13:在絕緣層上形成半導(dǎo)體層。
[0038]步驟S14:在半導(dǎo)體層上通過(guò)濕蝕形成第二金屬層并對(duì)第二金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝并露出溝道處半導(dǎo)體。
[0039]然后通過(guò)干法蝕刻對(duì)第二金屬層及半導(dǎo)體進(jìn)行構(gòu)圖工藝，即進(jìn)行所述的步驟S3及S4。其中源極和漏極圖形化。
[0040]進(jìn)一步的，陣列基板制作方法還包括步驟S5:在蝕刻后的基板上形成鈍化層并過(guò)孔工藝，在源極和漏極圖形化之后，在整個(gè)平面形成一層鈍化層，通常需要用如Si0x、SiNx，S1xNy, A1203、T1x等無(wú)機(jī)絕緣材料，也可以采用有機(jī)絕緣層，如樹(shù)脂材料和亞克力系材料，在鈍化層形成之后進(jìn)行過(guò)孔的刻蝕工藝，形成的過(guò)孔用于將之后形成的像素電極與漏極接觸。
[0041]進(jìn)一步的，陣列基板制作方法還包括S6:像素電極層的形成及構(gòu)圖。在過(guò)孔形成之后，形成像素電極層，并通過(guò)濕法刻蝕的方法對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝，其材料現(xiàn)在廣為采用的銦錫氧化物，最終形成陣列基板。
[0042]所述陣列基板制作方法中，在對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行干蝕刻及對(duì)鈍化層過(guò)孔工藝時(shí)，將蝕刻機(jī)的探針與所述接地點(diǎn)17連接，實(shí)現(xiàn)在制程中釋放基板表層電荷聚集產(chǎn)生的靜電，避免靜電損壞走線而無(wú)法進(jìn)行測(cè)試。
[0043]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括基層，所述基層內(nèi)設(shè)有多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層的不同表層且交叉排列，所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，另一端連接有測(cè)試點(diǎn)，每一條所述信號(hào)線連接有一接地點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線與所對(duì)應(yīng)的測(cè)試走線通過(guò)信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔連接。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔通過(guò)導(dǎo)電連接層連接。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線為掃描線或者數(shù)據(jù)線。
5.如權(quán)利要求1-4所述的陣列基板，其特征在于，所述基層上還依次疊加設(shè)置有第一金屬層、絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層及保護(hù)層，所述信號(hào)線設(shè)于述第一金屬層上，所述測(cè)試走線設(shè)于所述第二金屬層上，所述測(cè)試點(diǎn)及接地點(diǎn)位于所述基層邊緣。
6.一種陣列基板制作方法，其特征在于，該方法包括步驟，提供一基層， 所述基層內(nèi)形成有多條相互平行的信號(hào)線及對(duì)應(yīng)每一條信號(hào)線的相互平行的測(cè)試走線；其中，所述測(cè)試走線與所述多條信號(hào)線位于所述基層內(nèi)的不同表層且交叉排列，使所述測(cè)試走線一端連接所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，并且在所述測(cè)試走線的另一端設(shè)置測(cè)試點(diǎn)； 在每一條所述信號(hào)線上設(shè)置一接地點(diǎn)； 對(duì)所述基層進(jìn)行蝕刻，其中，需要提供一蝕刻機(jī)，蝕刻機(jī)設(shè)有接地探針； 在蝕刻過(guò)程中所述接地探針與所述接地點(diǎn)連接。
7.如權(quán)利要求6所述陣列基板制作方法，其特征在于，所述陣列基板提供一基層的步驟中，還包括在所述基層上依次形成第一金屬層、絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層及保護(hù)層，所述信號(hào)線位于第一金屬層，所述測(cè)試走線位于第二金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述對(duì)基層蝕刻的步驟中，通過(guò)所述蝕刻機(jī)對(duì)所述絕緣層及半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述陣列基板制作方法還包括步驟:在對(duì)半導(dǎo)體蝕刻后的基層上形成鈍化層，再對(duì)鈍化層進(jìn)行過(guò)孔蝕刻，同時(shí)所述接地探針與所述接地點(diǎn)連接。
10.如權(quán)利要求7所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述信號(hào)線設(shè)有貫穿第一金屬層的過(guò)孔，所述測(cè)試走線有貫穿第二金屬層的過(guò)孔，所述絕緣層及半導(dǎo)體層形成有連接所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔的通孔，導(dǎo)電連接層連接所述信號(hào)線的過(guò)孔與所述測(cè)試走線的過(guò)孔的通孔。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104133333SQ201410351673
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月22日
【發(fā)明者】付延峰 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司