顯示基板及其制造方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。該顯示基板包括襯底基板和形成于所述襯底基板上方的黑矩陣和彩色矩陣圖形，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成有第二覆蓋層。本發(fā)明的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，提高了第二覆蓋層表面的平整度，從而提高了顯示基板表面的平整度。
【專利說明】
顯示基板及其制造方法和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置是目前最常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱 TFT-1XD)是液晶顯示裝置中的主流產(chǎn)品。液晶顯示面板是液晶顯示裝置中的重要部件。液晶顯示面板是通過對(duì)盒工藝將一陣列基板和一彩膜基板對(duì)盒而形成，并且在陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該彩膜基板包括襯底基板11、黑矩陣12、彩色矩陣圖形13和覆蓋層14，黑矩陣12和彩色矩陣圖形13形成于襯底基板11上，黑矩陣12位于彩色矩陣圖形13之間且黑矩陣12位于彩色矩陣圖形13之下，覆蓋層14位于彩色矩陣圖形13之上。進(jìn)一步地，在襯底基板11的背面還形成有背電極層15。其中，彩色矩陣圖形13可以為紅色矩陣圖形、綠色矩陣圖形或者藍(lán)色矩陣圖形。
[0003]隨著產(chǎn)品分辨率的提高，彩膜基板的像素(Pixel)尺寸越來越小，導(dǎo)致黑矩陣和彩色矩陣圖形的線寬也越來越細(xì)。為了實(shí)現(xiàn)細(xì)線寬的黑矩陣和彩色矩陣圖形，單純依靠掩膜板開口尺寸的降低是無法實(shí)現(xiàn)的。通常在曝光工藝中，會(huì)通過盡量降低曝光間距(Gap)來實(shí)現(xiàn)，其中，曝光間距可以為掩膜板的下表面與光刻膠的上表面之間的距離。以黑矩陣為例，假設(shè)黑矩陣的目標(biāo)線寬為a，則a< ΙΟμπι的黑矩陣均屬于細(xì)線寬的黑矩陣。圖2為黑矩陣的坡度角的示意圖，如圖2所示，當(dāng)a < 10 μ m時(shí)，基本需要曝光間距彡150 μ m的工藝條件才能實(shí)現(xiàn)，而此時(shí)形成的黑矩陣的坡度角Θ通常大于70°，黑矩陣的坡度角較大。隨著黑矩陣線寬尺寸的進(jìn)一步細(xì)化，曝光間距需要進(jìn)一步降低，形成的黑矩陣的坡度角會(huì)繼續(xù)提高，直至坡度角提高為90°。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣的坡度角較大會(huì)產(chǎn)生如下技術(shù)問題:
[0005]I)圖3為黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙的示意圖，圖4為彩色矩陣圖形產(chǎn)生氣泡的示意圖，如圖3和圖4所示，在制作完成的黑矩陣12之上進(jìn)行彩色矩陣圖形13的制作時(shí)，黑矩陣12和彩色矩陣圖形13之間容易產(chǎn)生交疊空隙16，以及在彩色矩陣圖形中形成氣泡(Bubble) 17。
[0006]2)如圖1所示，黑矩陣的坡度角越大，黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大，從而導(dǎo)致彩膜基板表面的平整度較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置，用于避免黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡，以及提高顯示基板表面的平整度。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上方的黑矩陣和彩色矩陣圖形，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成有第二覆蓋層。
[0009]可選地，所述第一覆蓋層為平坦層，所述第二覆蓋層為平坦層。
[0010]可選地，所述黑矩陣位于所述襯底基板之上，所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣之上，所述彩色矩陣圖形位于所述第一覆蓋層之上，所述第二覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上；或者
[0011]所述彩色矩陣圖形位于所述襯底基板之上，所述第一覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上，所述黑矩陣位于所述第一覆蓋層之上，所述第二覆蓋層位于所述黑矩陣之上。
[0012]可選地，若所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣之上，所述第一覆蓋層的厚度為
1.Ομ--至2.Ομ--，所述黑矩陣的厚度為0.9μπ?至2.0μ--;
[0013]若所述第一覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上，所述第一覆蓋層的厚度為Ι.Ομπι至3.0 μ m,所述彩色矩陣圖形的厚度為1.0 μ m至3.0 μ m。
[0014]可選地，還包括公共電極層，所述公共電極層形成于所述第二覆蓋層之上。
[0015]可選地，還包括配向?qū)樱雠湎驅(qū)有纬捎谒龅诙采w層的上方。
[0016]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的上述顯示基板和對(duì)直基板。
[0017]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法，包括:
[0018]在襯底基板上形成黑矩陣、彩色矩陣圖形和第一覆蓋層，所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形之間；
[0019]在所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成第二覆蓋層。
[0020]可選地，所述在襯底基板上形成黑矩陣、彩色矩陣圖形和第一覆蓋層包括:
[0021 ] 在襯底基板上形成所述黑矩陣；
[0022]在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層；
[0023]在所述第一覆蓋層之上形成彩色矩陣圖形；
[0024]所述在所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成第二覆蓋層包括:
[0025]在所述彩色矩陣圖形之上形成所述第二覆蓋層。
[0026]可選地，所述在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層包括:
[0027]通過整面涂覆工藝在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層。
[0028]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0029]本發(fā)明提供的顯示基板及其制造方法和顯示裝置的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，提高了第二覆蓋層表面的平整度，從而提高了顯示基板表面的平整度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為黑矩陣的坡度角的示意圖；
[0032]圖3為黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙的示意圖；
[0033]圖4為彩色矩陣圖形產(chǎn)生氣泡的示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖6為圖5中A-A向剖視圖；
[0036]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖8為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖；
[0038]圖9a為形成黑矩陣的示意圖；
[0039]圖9b為形成第一覆蓋層的示意圖；
[0040]圖9c為形成彩色矩陣圖形的示意圖；
[0041]圖9d為形成第二覆蓋層的示意圖；
[0042]圖10為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖；
[0043]圖11為形成公共電極層的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0044]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的顯示基板及其制造方法和顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0045]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯不基板的結(jié)構(gòu)不意圖，圖6為圖5中A-A向剖視圖，如圖5和圖6所示，該顯示基板包括襯底基板21和形成于襯底基板21上方的黑矩陣22和彩色矩陣圖形，黑矩陣22和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層23，黑矩陣22和彩色矩陣圖形的上方形成有第二覆蓋層24。
[0046]本實(shí)施例中，黑矩陣22呈縱橫交叉設(shè)置。彩色矩陣圖形位于縱橫交叉設(shè)置的黑矩陣22之間。其中，彩色矩陣圖形可以為紅色矩陣圖形R、綠色矩陣圖形G或者藍(lán)色矩陣圖形B,則紅色矩陣圖形R、綠色矩陣圖形G和藍(lán)色矩陣圖形B依次排列。
[0047]本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一覆蓋層23為平坦層，第二覆蓋層24為平坦層。
[0048]本實(shí)施例中，黑矩陣22位于襯底基板21之上，第一覆蓋層23位于黑矩陣22之上，彩色矩陣圖形位于第一覆蓋層23之上，第二覆蓋層24位于彩色矩陣圖形之上。
[0049]由于第一覆蓋層23覆蓋于黑矩陣22之上，因此第一覆蓋層23的厚度可根據(jù)黑矩陣22的厚度進(jìn)行設(shè)置。為達(dá)到降低第一覆蓋層23的材料使用量的目的，通常將第一覆蓋層23的厚度設(shè)置的越小越好。優(yōu)選地，第一覆蓋層23的厚度為1.0 μ m至2.0 μ m，黑矩陣的厚度為0.9 μ m至2.0 μ m。本實(shí)施例中，第一覆蓋層23的厚度大于黑矩陣22的厚度。在實(shí)際應(yīng)用中，第一覆蓋層23的厚度還可以小于或者等于黑矩陣22的厚度，此種情況未具體畫出。
[0050]本實(shí)施例中，該顯示基板可以為彩膜基板。當(dāng)該彩膜基板應(yīng)用于高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimens1n Switch,簡稱:ADS)顯不裝置中時(shí)，進(jìn)一步地，該顯不基板還可以包括背電極層25，該背電極層25形成于襯底基板21的背面。
[0051]進(jìn)一步地，該顯示基板還可以包括配向?qū)?6，配向?qū)?6形成于第二覆蓋層24之上。
[0052]進(jìn)一步地，配向?qū)?6上還可以形成隔墊物，該隔墊物位于黑矩陣的上方。圖中隔墊物未具體畫出。
[0053]本實(shí)施例提供的顯示基板的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，提高了第二覆蓋層表面的平整度，從而提高了顯示基板表面的平整度。本實(shí)施例中配向?qū)有纬捎诘诙采w層之上，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而改善了形成于第二覆蓋層之上的配向?qū)拥耐扛矓U(kuò)散性。
[0054]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，該顯示基板包括襯底基板21和形成于襯底基板21上方的黑矩陣22和彩色矩陣圖形，黑矩陣22和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層23，黑矩陣22和彩色矩陣圖形的上方形成有第二覆蓋層24。
[0055]本實(shí)施例中，黑矩陣22呈縱橫交叉設(shè)置。彩色矩陣圖形位于縱橫交叉設(shè)置的黑矩陣22之間。其中，彩色矩陣圖形可以為紅色矩陣圖形R、綠色矩陣圖形G或者藍(lán)色矩陣圖形B,則紅色矩陣圖形R、綠色矩陣圖形G和藍(lán)色矩陣圖形B依次排列。
[0056]本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一覆蓋層23為平坦層，第二覆蓋層24為平坦層。
[0057]本實(shí)施例中，黑矩陣22位于襯底基板21之上，第一覆蓋層23位于黑矩陣22之上，彩色矩陣圖形位于第一覆蓋層23之上，第二覆蓋層24位于彩色矩陣圖形之上。
[0058]由于第一覆蓋層23覆蓋于黑矩陣22之上，因此第一覆蓋層23的厚度可根據(jù)黑矩陣22的厚度進(jìn)行設(shè)置。為達(dá)到降低第一覆蓋層23的材料使用量的目的，通常將第一覆蓋層23的厚度設(shè)置的越小越好。優(yōu)選地，第一覆蓋層23的厚度為1.0 μ m至2.0 μ m，黑矩陣的厚度為0.9 μ m至2.0 μ m。本實(shí)施例中，第一覆蓋層23的厚度大于黑矩陣22的厚度。在實(shí)際應(yīng)用中，第一覆蓋層23的厚度還可以小于或者等于黑矩陣22的厚度，此種情況未具體畫出。
[0059]本實(shí)施例中，該顯示基板可以為彩膜基板。當(dāng)該彩膜基板應(yīng)用于扭轉(zhuǎn)向列(twisted nematic,簡稱:TN)顯示裝置中時(shí),進(jìn)一步地,該顯示基板還可以包括公共電極層27，公共電極層27形成于第二覆蓋層24之上。
[0060]進(jìn)一步地，該顯示基板還可以包括配向?qū)?6，配向?qū)?6形成于公共電極層27之上。
[0061]進(jìn)一步地，配向?qū)?6上還可以形成隔墊物，該隔墊物位于黑矩陣的上方。圖中隔墊物未具體畫出。
[0062]本實(shí)施例提供的顯示基板的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，從而提高了顯示基板表面的平整度。本實(shí)施例中公共電極層位于第二覆蓋層之上，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而降低了位于搭接區(qū)上方的公共電極層斷膜和崩裂的現(xiàn)象。本實(shí)施例中配向?qū)有纬捎诘诙采w層的上方，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而改善了形成于第二覆蓋層之上的配向?qū)拥耐扛矓U(kuò)散性。
[0063]本發(fā)明的上述實(shí)施例一或者實(shí)施例二中，可選地，彩色矩陣圖形還可位于襯底基板之上，第一覆蓋層位于彩色矩陣圖形之上，黑矩陣位于第一覆蓋層之上，第二覆蓋層位于黑矩陣之上。由于第一覆蓋層覆蓋于彩色矩陣圖形之上，因此第一覆蓋層的厚度可根據(jù)彩色矩陣圖形的厚度進(jìn)行設(shè)置。為達(dá)到降低第一覆蓋層的材料使用量的目的，通常將第一覆蓋層的厚度設(shè)置的越小越好。優(yōu)選地，第一覆蓋層的厚度為1.(^111至3.(^111，彩色矩陣圖形的厚度為1.0 μ m至3.0 μ m。第一覆蓋層的厚度可以大于、小于或者等于黑矩陣的厚度。顯示基板中其余結(jié)構(gòu)的描述可參見上述實(shí)施例一或者實(shí)施例二，并且此種情況不再具體畫出。
[0064]本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括相對(duì)設(shè)置的顯示基板和對(duì)置基板，顯示基板可采用上述實(shí)施例一或者實(shí)施例二提供的顯示基板。
[0065]本實(shí)施例中，該顯示基板可以為彩膜基板，則對(duì)置基板可以為陣列基板。該顯示裝置為ADS顯示裝置時(shí)，該顯示基板可采用實(shí)施例一提供的顯示基板；該顯示裝置為TN顯示裝置時(shí)，該顯示基板可采用實(shí)施例二提供的顯示基板。
[0066]本實(shí)施例提供的顯示裝置的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，從而提高了顯示基板表面的平整度。
[0067]本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種顯示基板的制造方法，該方法包括:
[0068]步驟101、在襯底基板上形成黑矩陣、彩色矩陣圖形和第一覆蓋層，第一覆蓋層位于黑矩陣和彩色矩陣圖形之間。
[0069]步驟102、在黑矩陣和彩色矩陣圖形的上方形成第二覆蓋層。
[0070]本實(shí)施例提供的顯示裝置的制造方法的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，從而提高了顯示基板表面的平整度。
[0071]圖8為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖，如圖8所示，該方法包括:
[0072]步驟201、在襯底基板上形成黑矩陣。
[0073]圖9a為形成黑矩陣的示意圖，如圖9a所示，在襯底基板21之上形成黑矩陣材料層，對(duì)黑矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成黑矩陣22。在形成黑矩陣材料層之前，還可以對(duì)襯底基板21進(jìn)行清洗；在形成黑矩陣材料層之后，還可以對(duì)黑矩陣材料層進(jìn)行前烘烤；在形成黑矩陣22之后還可以對(duì)黑矩陣22進(jìn)行后烘烤。
[0074]步驟202、在黑矩陣之上形成第一覆蓋層。
[0075]圖9b為形成第一覆蓋層的示意圖，如圖9b所示,通過整面涂覆工藝在黑矩陣22之上形成第一覆蓋層23。在形成第一覆蓋層23之前，還可以對(duì)完成步驟201的襯底基板21進(jìn)行清洗；在形成第一覆蓋層23之后，還可以對(duì)第一覆蓋層23進(jìn)行后烘烤。
[0076]步驟203、在第一覆蓋層之上形成彩色矩陣圖形。
[0077]圖9c為形成彩色矩陣圖形的示意圖，如圖9c所示，在第一覆蓋層之上形成彩色矩陣材料層，對(duì)彩色矩陣材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成彩色矩陣圖形。例如:本步驟中可重復(fù)執(zhí)行上述步驟以便于形成紅色矩陣圖形R、綠色矩陣圖形G以及藍(lán)色矩陣圖形B。在形成彩色矩陣材料層之前，還可以對(duì)完成步驟202的襯底基板21進(jìn)行清洗；在形成彩色矩陣材料層之后，還可以對(duì)彩色矩陣材料層進(jìn)行前烘烤；在形成彩色矩陣圖形之后還可以對(duì)彩色矩陣圖形進(jìn)行后烘烤。
[0078]步驟204、在彩色矩陣圖形之上形成第二覆蓋層。
[0079]圖9d為形成第二覆蓋層的示意圖，如圖9d所示，通過整面涂覆工藝在彩色矩陣圖形之上形成第二覆蓋層24。在形成第二覆蓋層24之前，還可以對(duì)完成步驟203的襯底基板21進(jìn)行清洗；在形成第二覆蓋層24之后，還可以對(duì)第二覆蓋層24進(jìn)行后烘烤。
[0080]進(jìn)一步地，該方法還可以包括:
[0081]步驟205、在第二覆蓋層之上形成配向?qū)印?br> [0082]如圖6所示，在第二覆蓋層24上涂覆配向?qū)?6。
[0083]可選地，該方法還可以包括:
[0084]步驟206、在配向?qū)由闲纬筛魤|物，該隔墊物位于黑矩陣的上方。
[0085]具體地，在配向?qū)由闲纬筛魤|物材料層，對(duì)隔墊物材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成隔墊物。在形成隔墊物材料層之前，還可以對(duì)完成步驟205的襯底基板21進(jìn)行清洗；在形成隔墊物材料層之后，還可以對(duì)隔墊物材料層進(jìn)行前烘烤；在形成隔墊物之后還可以對(duì)隔墊物進(jìn)行后烘烤。隔墊物在附圖中未具體畫出。
[0086]需要說明的是:從步驟201至步驟206中形成的各結(jié)構(gòu)均位于襯底基板21的正面。
[0087]步驟207、在襯底基板的背面形成背電極層。
[0088]如圖6所示，通過磁控濺射工藝在襯底基板21的背面形成背電極層25。
[0089]本實(shí)施例提供的顯示基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的顯示基板，對(duì)顯示基板的具體描述可參見實(shí)施例一，此處不再贅述。
[0090]本實(shí)施例提供的顯示基板的制造方法的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，提高了第二覆蓋層表面的平整度，從而提高了顯示基板表面的平整度。本實(shí)施例中配向?qū)有纬捎诘诙采w層之上，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而改善了形成于第二覆蓋層之上的配向?qū)拥耐扛矓U(kuò)散性。
[0091]圖10為本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖，如圖10所示，該方法包括:
[0092]步驟301、在襯底基板上形成黑矩陣。
[0093]具體可參見圖9a和步驟201中的描述。
[0094]步驟302、在黑矩陣之上形成第一覆蓋層。
[0095]具體可參見圖9b和步驟202中的描述。
[0096]步驟303、在第一覆蓋層之上形成彩色矩陣圖形。
[0097]具體可參見圖9c和步驟203中的描述。
[0098]步驟304、在彩色矩陣圖形之上形成第二覆蓋層。
[0099]具體可參見圖9d和步驟204中的描述。
[0100]進(jìn)一步地，該方法還可以包括:
[0101]步驟305、在第二覆蓋層上形成公共電極層。
[0102]圖11為形成公共電極層的示意圖，如圖11所示，通過磁控濺射工藝在第二覆蓋層24之上形成公共電極層27。
[0103]步驟306、在公共電極層上形成配向?qū)印?br> [0104]如圖7所示，在公共電極層27上涂覆配向?qū)?6。
[0105]步驟307、在配向?qū)由闲纬筛魤|物，該隔墊物位于黑矩陣的上方。
[0106]具體可參見步驟206中的描述。
[0107]本實(shí)施例提供的顯示基板的制造方法可用于制造上述實(shí)施例二提供的顯示基板，對(duì)顯示基板的具體描述可參見實(shí)施例二，此處不再贅述。
[0108]本實(shí)施例提供的顯示基板的制造方法的技術(shù)方案中，黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，從而避免了黑矩陣和彩色矩陣圖形之間產(chǎn)生交疊空隙以及在彩色矩陣圖形中產(chǎn)生氣泡；黑矩陣和彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，使得黑矩陣無需與彩色矩陣圖形搭接，避免了黑矩陣的坡度角越大而導(dǎo)致的黑矩陣與彩色矩陣圖形的搭接區(qū)的角段差越大的問題，從而提高了顯示基板表面的平整度。本實(shí)施例中公共電極層位于第二覆蓋層之上，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而降低了位于搭接區(qū)上方的公共電極層斷膜和崩裂的現(xiàn)象。本實(shí)施例中配向?qū)有纬捎诘诙采w層的上方，第二覆蓋層的表面的平整度較高，從而改善了形成于第二覆蓋層之上的配向?qū)拥耐扛矓U(kuò)散性。
[0109]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上方的黑矩陣和彩色矩陣圖形，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形之間形成有第一覆蓋層，所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成有第二覆蓋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一覆蓋層為平坦層，所述第二覆蓋層為平坦層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述黑矩陣位于所述襯底基板之上，所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣之上，所述彩色矩陣圖形位于所述第一覆蓋層之上，所述第二覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上；或者 所述彩色矩陣圖形位于所述襯底基板之上，所述第一覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上，所述黑矩陣位于所述第一覆蓋層之上，所述第二覆蓋層位于所述黑矩陣之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，若所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣之上，所述第一覆蓋層的厚度為1.0 μ m至2.0 μ m,所述黑矩陣的厚度為0.9μηι至2.Ομπι; 若所述第一覆蓋層位于所述彩色矩陣圖形之上，所述第一覆蓋層的厚度為Ι.Ομπι至3.0 μ m,所述彩色矩陣圖形的厚度為1.0 μ m至3.0 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括公共電極層，所述公共電極層形成于所述第二覆蓋層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括配向?qū)?，所述配向?qū)有纬捎谒龅诙采w層的上方。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的顯示基板和對(duì)置基板，所述顯示基板采用上述權(quán)利要求1至6任一所述的顯示基板。
8.—種顯示基板的制造方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成黑矩陣、彩色矩陣圖形和第一覆蓋層，所述第一覆蓋層位于所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形之間； 在所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成第二覆蓋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的制造方法，其特征在于， 所述在襯底基板上形成黑矩陣、彩色矩陣圖形和第一覆蓋層包括: 在襯底基板上形成所述黑矩陣； 在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層； 在所述第一覆蓋層之上形成彩色矩陣圖形； 所述在所述黑矩陣和所述彩色矩陣圖形的上方形成第二覆蓋層包括: 在所述彩色矩陣圖形之上形成所述第二覆蓋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層包括: 通過整面涂覆工藝在所述黑矩陣之上形成所述第一覆蓋層。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK104166269SQ201410363864
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】汪棟 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司