陣列基板和顯示面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板和顯示面板，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。所述陣列基板包括柵線和像素電極，所述陣列基板被劃分為多個(gè)像素單元，所述像素電極包括位于所述像素單元外的第一存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第一液晶電容部，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述柵線在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。所述顯示面板包括上述陣列基板和對(duì)盒基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有公共電極，所述公共電極包括第二存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第二液晶電容部，所述第一液晶電容部與所述第二液晶電容部對(duì)應(yīng)形成液晶電容，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述第二存儲(chǔ)電容部對(duì)應(yīng)形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明能夠提高像素開(kāi)口率，降低功耗。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板和顯不面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和包含該陣列基板的顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于顯示面板，開(kāi)口率是一個(gè)很重要的設(shè)計(jì)參數(shù)，代表有效的透光區(qū)域與全部面積的比例，開(kāi)口率越大，則顯示面板的相對(duì)亮度越高，從而達(dá)到相同亮度的顯示面板的功耗越低。
[0003]在傳統(tǒng)的TN(Twisted Nematic)結(jié)構(gòu)的顯示面板當(dāng)中，當(dāng)掃描柵線時(shí),薄膜晶體管(TFT)開(kāi)啟，從而為存儲(chǔ)電容充電，并將存儲(chǔ)電容充滿，在其他時(shí)刻，存儲(chǔ)電容放電，保持液晶電容的電場(chǎng)，從而使液晶電容之間的液晶維持旋轉(zhuǎn)或者非旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)。
[0004]例如在圖1中，柵線I連接薄膜晶體管3的柵極，數(shù)據(jù)線2連接薄膜晶體管3的源極，像素電極4通過(guò)過(guò)孔連接薄膜晶體管3的漏極，存儲(chǔ)電容形成在公共電極線5與像素電極4之間，公共電極線5平行于柵線I設(shè)置在陣列基板上。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下問(wèn)題:公共電極線的設(shè)置會(huì)占用一部分透過(guò)率，導(dǎo)致像素的開(kāi)口率不能最大化提聞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板和顯示面板，以提高像素開(kāi)口率。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括柵線和像素電極，所述陣列基板被劃分為多個(gè)像素單元，所述像素電極包括位于所述像素單元外的第一存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第一液晶電容部，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述柵線在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。
[0007]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)電容部位于所述柵線上方。
[0008]優(yōu)選地，所述柵線和所述第一存儲(chǔ)電容部之間形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層與所述第一存儲(chǔ)電容部相接觸，并且使所述第一存儲(chǔ)電容部距離所述襯底基板的高度大于所述第一液晶電容部距離所述襯底基板的高度。
[0009]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板和與該陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有公共電極，所述公共電極包括位于所述像素單元外的第二存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第二液晶電容部，所述第一液晶電容部與所述第二液晶電容部對(duì)應(yīng)形成液晶電容，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述第二存儲(chǔ)電容部對(duì)應(yīng)形成存儲(chǔ)電容。
[0010]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)電容部位于所述柵線上方。
[0011]優(yōu)選地，所述柵線和所述第一存儲(chǔ)電容部之間形成有第一絕緣層，所述第二存儲(chǔ)電容部下方形成有第二絕緣層，所述陣列基板和所述對(duì)盒基板在所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)的位置互相接觸。
[0012]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)電容部上方設(shè)置有取向?qū)?，所述第二絕緣層下方設(shè)置有取向?qū)印?br> [0013]優(yōu)選地，所述第二絕緣層為形成在所述第二存儲(chǔ)電容部下方的隔墊物層。
[0014]優(yōu)選地，所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層的材料為樹(shù)脂。
[0015]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)電容與所述顯示面板的黑矩陣在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。
[0016]本發(fā)明陣列基板不包含公共電極線，在對(duì)應(yīng)于柵線的位置采用了以像素電極的部分區(qū)域和公共電極的部分區(qū)域?yàn)閮蓸O板形成的電容結(jié)構(gòu)作為像素的存儲(chǔ)電容，能夠提高像素開(kāi)口率，提高顯示面板亮度，降低功耗，降低布線設(shè)計(jì)的難度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
[0018]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖；
[0019]圖2是依照本發(fā)明一種實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖；
[0020]圖3是依照本發(fā)明一種實(shí)施例的陣列基板的平面示意圖。
[0021]在附圖中，1:柵線；2:數(shù)據(jù)線；3:薄膜晶體管；4、40:像素電極；401:第一存儲(chǔ)電容部；402:第一液晶電容部；5:公共電極線；50:公共電極；501:第二存儲(chǔ)電容部；502 --第二液晶電容部；6:第一絕緣層；7:第二絕緣層；8:取向?qū)樱?:液晶；10:黑矩陣；11:彩色濾光層；12:鈍化層。

【具體實(shí)施方式】
[0022]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例中提到的“上、下”方向均是指圖2中箭頭所標(biāo)的方向，其中，“U”表示“上”方向，“D”表示“下”方向。
[0024]本發(fā)明首先提供一種陣列基板，如圖2中所示。所述陣列基板包括柵線I和像素電極40，所述陣列基板被劃分為多個(gè)像素單元，像素電極40包括位于所述像素單元外的第一存儲(chǔ)電容部401和位于所述像素單元內(nèi)的第一液晶電容部402，第一存儲(chǔ)電容部401在所述陣列基板的襯底基板上的正投影與柵線I在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
[0025]像素單元是指顯示畫(huà)面中按矩陣排列的包含基本原色素及灰度信息的單元。通常陣列基板上包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線平行排列，多條所述數(shù)據(jù)線也平行排列，而所述柵線和所述數(shù)據(jù)線垂直相交，將所述陣列基板劃分為多個(gè)像素單元。位于所述像素單元內(nèi)是指位于所述顯示單元中能夠透光的區(qū)域，位于所述像素單元外是指位于柵線等不透光的區(qū)域。
[0026]在圖2中，第一存儲(chǔ)電容部401位于柵線I上方，像素電極40中的第一存儲(chǔ)電容部401覆蓋了柵線I的一部分，這里的“覆蓋”指垂直于陣列基板的方向上的遮擋。本發(fā)明中陣列基板上不包含公共電極線，并且所述第一存儲(chǔ)電容部401可以與相應(yīng)的對(duì)盒基板上的公共電極50在柵線I上方形成電容，該電容可以用作存儲(chǔ)電容，使得存儲(chǔ)電容小型化，而且由于省去了公共電極線，達(dá)到了提高像素開(kāi)口率、增加光效、降低功耗和降低布線設(shè)計(jì)難度的目的。
[0027]優(yōu)選地，第一存儲(chǔ)電容部401位于柵線I的正上方，此時(shí)形成的存儲(chǔ)電容對(duì)像素開(kāi)口率的影響最小，能夠使得像素的開(kāi)口率最大化地提高。
[0028]此外，現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)線與公共電極線都制作在陣列基板上，造成數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的耦合嚴(yán)重，在大面板尺寸下補(bǔ)償困難，容易出現(xiàn)補(bǔ)償不足、過(guò)補(bǔ)償?shù)葼顩r。這里的“補(bǔ)償”是指針對(duì)數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的交疊電容進(jìn)行補(bǔ)償，以減小公共電極線的信號(hào)波動(dòng)。
[0029]本發(fā)明由于取消了陣列基板上的公共電極線，還可以在一定程度上改善由于數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的耦合所形成的色偏現(xiàn)象，使得包括所述陣列基板的顯示面板顯示的圖像顏色更加真實(shí)。
[0030]為了防止柵線I的信號(hào)對(duì)所述存儲(chǔ)電容的干擾，可以在柵線I和第一存儲(chǔ)電容部401之間設(shè)置第一絕緣層6。第一絕緣層6與第一存儲(chǔ)電容部401相接觸，并且使第一存儲(chǔ)電容部401距離所述襯底基板的高度大于第一液晶電容部402距離所述襯底基板的高度。第一絕緣層6的材料可以是樹(shù)脂，優(yōu)選地，可以是透明樹(shù)脂。
[0031]通常利用公式C= ε S/d計(jì)算電容的電容量，其中ε為電容兩極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為兩極板間相對(duì)面積，d為兩極板間的距離。
[0032]在本發(fā)明中，第一存儲(chǔ)電容部401與柵線I之間會(huì)產(chǎn)生寄生電容。寄生電容的兩極板分別為第一存儲(chǔ)電容部401與柵線I在陣列基板的襯底基板上投影重疊的部分。通過(guò)設(shè)置第一絕緣層6將第一存儲(chǔ)電容部401墊高，能夠減小寄生電容，因此可以有效隔絕了柵線I中的信號(hào)對(duì)所述存儲(chǔ)電容的干擾。此外，設(shè)置第一絕緣層6還縮短了第一存儲(chǔ)電容部401與對(duì)盒基板上的公共電極50之間的距離，提升了所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)電荷的能力。
[0033]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板和與該陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0034]圖2是依照本發(fā)明一種實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖，圖中陣列基板上的第一存儲(chǔ)電容部401位于所述柵線上方。所述對(duì)盒基板上設(shè)置有公共電極50，公共電極50包括位于所述像素單元外的第二存儲(chǔ)電容部501和位于所述像素單元內(nèi)的第二液晶電容部502，所述陣列基板上的第一液晶電容部402與對(duì)盒基板上的第二液晶電容部502對(duì)應(yīng)形成液晶電容，而所述陣列基板上的第一存儲(chǔ)電容部401與對(duì)盒基板上的第二存儲(chǔ)電容部501對(duì)應(yīng)形成存儲(chǔ)電容。
[0035]這里的對(duì)盒基板可以是包括黑矩陣10和彩色濾光層11的彩膜基板。
[0036]當(dāng)掃描柵線I時(shí)，第一存儲(chǔ)電容部401和第二存儲(chǔ)電容部501之間形成的存儲(chǔ)電容被充電，當(dāng)掃描結(jié)束時(shí)，所述存儲(chǔ)電容向液晶電容放電，從而繼續(xù)維持液晶9的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)，直到下一個(gè)掃描信號(hào)到來(lái)。
[0037]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的顯示面板中使用了一種新的像素結(jié)構(gòu)，將公共電極線從陣列基板上移除，在柵線I的上方形成不占用像素開(kāi)口率的存儲(chǔ)電容，提高了像素的開(kāi)口率，開(kāi)口率越大，則所述顯示面板的相對(duì)亮度越高，從而達(dá)到相同亮度時(shí)所述顯示面板的功耗越低。
[0038]本發(fā)明中，第二存儲(chǔ)電容部501下方形成有第二絕緣層7，所述陣列基板和所述對(duì)盒基板在第二絕緣層7對(duì)應(yīng)的位置互相接觸，第二絕緣層7的材料可以是樹(shù)脂。
[0039]第二絕緣層7可以直接使用對(duì)盒基板上的隔墊物層，而無(wú)需另外制作。通常對(duì)盒基板上的隔墊物分為主隔墊物和次隔墊物，主隔墊物用于支撐顯示面板的盒厚，與陣列基板充分接觸，而次隔墊物的高度小于主隔墊物，用于緩沖外力。本發(fā)明中的第二絕緣層7可以使用主隔墊物，使其位于第一存儲(chǔ)電容部401和第二存儲(chǔ)電容部501之間，既起到支撐顯示面板盒厚的作用，還起到充當(dāng)存儲(chǔ)電容的電介質(zhì)的作用。
[0040]如上所述，可以在所述陣列基板的柵線I和第一存儲(chǔ)電容部401之間形成第一絕緣層6，第一絕緣層6的作用是為了防止柵線I的信號(hào)對(duì)所述存儲(chǔ)電容進(jìn)行干擾。由于第一絕緣層6將第一存儲(chǔ)電容部401墊高，縮短了第一存儲(chǔ)電容部401與對(duì)盒基板上的公共電極50之間的距離，提升了所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)電荷的能力。
[0041 ] 通常，在制作像素電極40之前，會(huì)先制作一層鈍化層12，這里的第一絕緣層6可以與鈍化層12通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝形成，即第一絕緣層6與鈍化層12制作為一體化結(jié)構(gòu)，這樣可以節(jié)省一次工藝步驟。
[0042]圖2中的對(duì)盒基板為彩膜基板，其上設(shè)置有黑矩陣10和彩色濾光層11。第一存儲(chǔ)電容部401和第二存儲(chǔ)電容部501所形成的存儲(chǔ)電容與所述顯示面板的黑矩陣10在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。
[0043]也就是說(shuō)，第二絕緣層7中使用的主隔墊物為對(duì)應(yīng)于黑矩陣10的位置的主隔墊物。顯示面板像素結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)電容的位置對(duì)應(yīng)于顯示面板上黑矩陣10的位置。
[0044]為了設(shè)置液晶9的初始方向，通常在陣列基板和對(duì)盒基板上還設(shè)置有取向?qū)?。在圖2中，所述陣列基板上的像素電極40上方設(shè)置有取向?qū)?，所述對(duì)盒基板上的公共電極50下方設(shè)置有取向?qū)?。通常取向?qū)?是整層涂覆形成的，對(duì)于本發(fā)明中的存儲(chǔ)電容部分，第一存儲(chǔ)電容部401上方設(shè)置有取向?qū)?，第二絕緣層7(這里可以是隔墊物層)下方設(shè)置有取向?qū)?，那么所述存?chǔ)電容中使用隔墊物和取向?qū)庸餐鳛殡娊橘|(zhì)。
[0045]圖3是本發(fā)明中陣列基板像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖，從圖中可以看出，像素電極40與柵線I在所述陣列基板的襯底基板上的投影部分重疊，在像素電極40的第一存儲(chǔ)電容部401與柵線I之間設(shè)置有第一絕緣層6。
[0046]對(duì)比圖1可以看出，本發(fā)明中像素的開(kāi)口率得到了提升。具體分析如下:
[0047]圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的存儲(chǔ)電容由公共電極線5和像素電極4提供，所形成的存儲(chǔ)電容與柵線I平行，并且所述存儲(chǔ)電容與柵線I均位于陣列基板上的像素顯示區(qū)，占用了像素的開(kāi)口率。
[0048]而圖3所示的本發(fā)明中的像素結(jié)構(gòu)移除了公共電極線，利用設(shè)置在陣列基板上的像素電極和設(shè)置在對(duì)盒基板上的公共電極構(gòu)成了位于像素區(qū)域外柵線上方的不占用像素開(kāi)口率的存儲(chǔ)電容，代替原有存儲(chǔ)電容，使得存儲(chǔ)電容小型化，提升了像素的開(kāi)口率，降低了顯示面板的功耗，提升了顯示面板的亮度。此外，由于陣列基板上無(wú)需制作公共電極線，降低了對(duì)陣列基板布線設(shè)計(jì)的難度。
[0049]所述存儲(chǔ)電容中的電介質(zhì)可以利用現(xiàn)有的隔墊物和取向?qū)咏M成，而無(wú)需另外制作，節(jié)省制作工藝。
[0050]此外，現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的耦合嚴(yán)重，本發(fā)明由于取消了陣列基板上的公共電極線，還可以在一定程度上改善由于數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的耦合所形成的色偏現(xiàn)象。
[0051]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括柵線和像素電極，所述陣列基板被劃分為多個(gè)像素單元，所述像素電極包括位于所述像素單元外的第一存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第一液晶電容部，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述柵線在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)電容部位于所述柵線上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線和所述第一存儲(chǔ)電容部之間形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層與所述第一存儲(chǔ)電容部相接觸，并且使所述第一存儲(chǔ)電容部距離所述襯底基板的高度大于所述第一液晶電容部距離所述襯底基板的高度。
4.一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板和與該陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1所述的陣列基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有公共電極，所述公共電極包括位于所述像素單元外的第二存儲(chǔ)電容部和位于所述像素單元內(nèi)的第二液晶電容部，所述第一液晶電容部與所述第二液晶電容部對(duì)應(yīng)形成液晶電容，所述第一存儲(chǔ)電容部與所述第二存儲(chǔ)電容部對(duì)應(yīng)形成存儲(chǔ)電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)電容部位于所述柵線上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述柵線和所述第一存儲(chǔ)電容部之間形成有第一絕緣層，所述第二存儲(chǔ)電容部下方形成有第二絕緣層，所述陣列基板和所述對(duì)盒基板在所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)的位置互相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)電容部上方設(shè)置有取向?qū)樱龅诙^緣層下方設(shè)置有取向?qū)印?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示面板，其特征在于，所述第二絕緣層為形成在所述第二存儲(chǔ)電容部下方的隔墊物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的顯示面板，其特征在于，所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層的材料為樹(shù)脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求4-7中任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容與所述顯示面板的黑矩陣在所述陣列基板的襯底基板上的正投影至少部分重疊。
【文檔編號(hào)】G02F1/1339GK104166286SQ201410366241
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】王崢 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司