一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可避免由于樹脂層暴露在空氣中而引發(fā)的各種mura現(xiàn)象；該陣列基板包括襯底基板、依次設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、樹脂層以及像素電極，在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層與所述像素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。用于陣列基板、包括該陣列基板的液晶顯示裝置的設(shè)計(jì)及制造。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-IXD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地 位。
[0003] TFT-IXD包括陣列基板、彩膜基板以及位于二者之間的液晶層。其中，陣列基板包 括設(shè)置在襯底基板上的柵極、與柵極同層的柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極、像 素電極等。
[0004] 其中，由于柵極和漏極之間存在寄生電容，并且當(dāng)該陣列基板為底柵型陣列基板 時(shí)，由于像素電極與數(shù)據(jù)線之間最多只有一層氮化硅的保護(hù)層而易受到數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電場(chǎng)的 干擾，因此，通常采用介電常數(shù)較低的樹脂層來代替保護(hù)層，以解決上述寄生電容以及干擾 的問題。
[0005] 然而，當(dāng)樹脂材料暴露于空氣中時(shí)，其容易吸收水分，從而引發(fā)各種畫面品質(zhì)不良 (mura)現(xiàn)象的出現(xiàn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，可避免由于樹脂層暴 露在空氣中而引發(fā)的各種mura現(xiàn)象。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0008] -方面，提供一種陣列基板，包括襯底基板、依次設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶 體管、樹脂層以及像素電極，在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層與所述像 素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
[0009] 優(yōu)選的，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基板的邊緣1000-2000 μ m ;所述鈍化層 的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
[0010] 優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層與所述鈍化層之間公共電極。
[0011] 基于上述，優(yōu)選的，所述樹脂層的材料為光刻膠。
[0012] 優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層靠近所述襯底基板一側(cè)且與所述 樹脂層接觸的粘附層；其中，所述粘附層用于增強(qiáng)所述樹脂層的粘附性。
[0013] 另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0014] 再一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上依次形成薄膜晶體 管、樹脂層、以及像素電極，在此基礎(chǔ)上，所述方法還包括在所述樹脂層與所述像素電極之 間形成鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
[0015] 優(yōu)選的，形成所述樹脂層和所述鈍化層包括：
[0016] 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述樹脂層，所述樹 脂層包括露出所述薄膜晶體管的漏極的第一過孔；其中，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底 基板的邊緣1000-2000 μ m;在形成有所述樹脂層的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述鈍 化層，所述鈍化層包括與所述第一過孔對(duì)應(yīng)的第二過孔；其中，所述鈍化層的邊緣與所述襯 底基板的邊緣齊平。
[0017] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述在形成有所述薄膜晶體管的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成 所述樹脂層，包括：
[0018] 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，形成光刻膠薄膜；采用普通掩模板對(duì)形成有 所述光刻膠薄膜的基板進(jìn)行曝光，形成光刻膠完全曝光部分和光刻膠未曝光部分；其中，所 述光刻膠完全曝光部分至少對(duì)應(yīng)所述第一過孔的區(qū)域和所述襯底基板的邊緣區(qū)域，所述光 刻膠未曝光部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域；顯影后，所述光刻膠未曝光部分形成所述樹脂層。
[0019] 基于上述，優(yōu)選的，所述方法還包括：在所述樹脂層與所述鈍化層之間形成公共電 極；其中，在所述第一過孔和所述第二過孔對(duì)應(yīng)的位置，所述公共電極斷開。
[0020] 本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置，該陣列基板包括襯底 基板、依次設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、樹脂層以及像素電極，在此基礎(chǔ)上，所述 陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層與所述像素電極之間的鈍化層，且所述鈍化層完全包裹 所述樹脂層。
[0021] 由于所述樹脂層位于所述薄膜晶體管和所述像素電極之間，因此，不管是頂柵型 薄膜晶體管還是底柵型薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，均可以增大柵極與像 素電極之間、漏極或柵極與像素電極之間的距離，從而可以解決柵極與漏極之間的寄生電 容以及像素電極受到數(shù)據(jù)線或柵線干擾的問題。在此基礎(chǔ)上，由于還設(shè)置有包裹所述樹脂 層的鈍化層，所述鈍化層可以使所述樹脂層與空氣、水隔絕，從而可以避免由于樹脂層暴露 在空氣中而引發(fā)的各種mura現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視不意圖；
[0024] 圖2為圖1所示陣列基板的AA'向剖視示意圖；
[0025] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中樹脂層和鈍化層的俯視示意圖；
[0026] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0027] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0028] 圖6a_6b為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備樹脂層和鈍化層的過程示意圖；
[0029] 圖7a_7b為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備樹脂層的過程示意圖。
[0030] 附圖標(biāo)記：
[0031] 01-陣列基板；10-襯底基板；20-薄膜晶體管；201-柵極；202-柵絕緣層；203-半 導(dǎo)體有源層；204-源極；205-漏極；206-柵線；207-數(shù)據(jù)線；30-樹脂層；30a-光刻膠薄 膜；30al-光刻膠完全曝光部分；30a2-光刻膠未曝光部分；301-第一過孔；40-像素電極； 50-鈍化層；501-第二過孔；60-公共電極；70-粘附層。

【具體實(shí)施方式】
[0032] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板01，如圖1和2所示，該陣列基板01包括襯底 基板10、依次設(shè)置在所述襯底基板上10的薄膜晶體管20、樹脂層30以及像素電極40,在 此基礎(chǔ)上，所述陣列基板01還包括設(shè)置在所述樹脂層30與所述像素電極40之間的鈍化層 50,且所述鈍化層50完全包裹所述樹脂層30。
[0034] 其中，所述薄膜晶體管20包括柵極201、柵絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極 204和漏極205。所述陣列基板還包括與所述柵極201電連接的柵線206、與所述源極204 電連接的數(shù)據(jù)線207。
[0035] 需要說明的是，第一，不對(duì)所述薄膜晶體管20的類型進(jìn)行限定，其可以是頂柵型， 也可以是底柵型。
[0036] 第二，不對(duì)所述薄膜晶體管20的半導(dǎo)體有源層203的材料進(jìn)行限定，其可以是非 晶硅，金屬氧化物等。
[0037] 其中，當(dāng)所述半導(dǎo)體有源層203的材料為非晶硅時(shí)，優(yōu)選在所述半導(dǎo)體有源層203 與所述源極204、漏極205之間設(shè)置歐姆接觸層。當(dāng)所述半導(dǎo)體有源層203的材料為金屬 氧化物半導(dǎo)體時(shí)，為了避免刻蝕形成所述源極204和所述漏極205時(shí)，對(duì)所述半導(dǎo)體有源層 203造成影響，優(yōu)選在形成所述半導(dǎo)體有源層203后形成所述源極204和所述漏極205之 前，形成刻蝕阻擋層。
[0038] 此外，所述半導(dǎo)體有源層203的材料也可以為其他，具體可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè) 定，在此不做限定。
[0039] 第三，所述鈍化層50可以與所述樹脂層30接觸，也可以在所述鈍化層50和所述 樹脂層30之間設(shè)置其他圖案層，只要在最終形成的所述陣列基板01中，所述鈍化層50完 全包裹所述樹脂層30即可。
[0040] 其中，所述鈍化層50完全包裹所述樹脂層30,即為：所述樹脂層30在所述襯底基 板10上的投影完全重疊于所述鈍化層50在所述襯底基板10上的投影，且所述鈍化層50 在所述襯底基板10上的投影的尺寸大于所述樹脂層30在所述襯底基板10上的投影的尺 寸。
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板01，包括襯底基板10、依次設(shè)置在所述襯底基 板上的薄膜晶體管20、樹脂層30以及像素電極40,在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板01還包括設(shè) 置在所述樹脂層30與所述像素電極40之間的鈍化層50,且所述鈍化層50完全包裹所述樹 脂層30。
[0042] 由于所述樹脂層30位于所述薄膜晶體管20和所述像素電極40之間，因此，不管 是頂柵型薄膜晶體管還是底柵型薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，均可以增大 柵極201與像素電極40之間、漏極205或柵極201與像素電極40之間的距離，從而可以解 決柵極201與漏極205之間的寄生電容以及像素電極40受到數(shù)據(jù)線207或柵線206干擾 的問題。在此基礎(chǔ)上，由于還設(shè)置有包裹所述樹脂層30的鈍化層50,所述鈍化層50可以 使所述樹脂層30與空氣、水隔絕，從而可以避免由于樹脂層30暴露在空氣中而引發(fā)的各種 mura現(xiàn)象。
[0043] 當(dāng)該陣列基板01應(yīng)用于液晶顯示裝置時(shí)，為了避免對(duì)液晶顯示裝置的透過率產(chǎn) 生影響，本發(fā)明實(shí)施例中，將所述樹脂層30的材料優(yōu)選設(shè)置為具有高透過率的樹脂材料。
[0044] 在此基礎(chǔ)上，所述樹脂層30的材料優(yōu)選為光刻膠材料，這樣可以簡(jiǎn)化形成所述樹 脂層30時(shí)的工藝步驟，并且節(jié)省成本。
[0045] 優(yōu)選的，如圖3所示，所述樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊緣 1000-2000 μ m ;所述鈍化層50的邊緣與所述襯底基板10的邊緣齊平。
[0046] 通過在形成所述樹脂層30時(shí)，使所述樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊 緣1000-2000 μ m，可以在后續(xù)形成所述鈍化層50時(shí)，容易使所述鈍化層50完全包裹所述樹 脂層30, S卩，不至于由于樹脂層30的邊緣距離所述襯底基板10的邊緣距離太小，而無法在 所述樹脂層30的側(cè)面形成所述鈍化層30的相應(yīng)部分。
[0047] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板01可以適用于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù) (Advanced Super Dimensional Switching,簡(jiǎn)稱ADS)型液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中，高級(jí) 超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為：通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以 及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正 上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高 級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、 寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（Push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0048] 因此，如圖4所示，所述陣列基板01還包括設(shè)置在所述樹脂層30與所述鈍化層50 之間公共電極60。
[0049] 其中，所述公共電極60為板狀電極，所述像素電極40為狹縫電極。
[0050] 這里，將所述公共電極60設(shè)置在所述樹脂層30上方，還可以避免公共電極60受 到數(shù)據(jù)線207或柵線206的干擾。
[0051] 基于上述，優(yōu)選的，如圖5所示，所述陣列基板01還包括設(shè)置在所述樹脂層30靠 近所述襯底基板10 -側(cè)且與所述樹脂層30接觸的粘附層70 ;其中，所述粘附層70用于增 強(qiáng)所述樹脂層30的粘附性。
[0052] 這里，由于樹脂層30和與其接觸的膜層結(jié)合強(qiáng)度不夠強(qiáng)，因此采用所述粘附層70 來增強(qiáng)所述樹脂層30與位于所述樹脂層30下方的薄膜晶體管20最靠近所述樹脂層30例 如源極204和漏極205的結(jié)合強(qiáng)度，其材質(zhì)可以選用例如氮化硅。
[0053] 需要說明的是，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸完全一致，在此 情況下，可以采用普通掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ; 當(dāng)然，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸不一致，在此情況下，可根據(jù)實(shí)際 情況，采用一次或兩次構(gòu)圖工藝形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ;具體可以根據(jù)實(shí)際情 況進(jìn)行設(shè)定，在此不做限定。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板01。
[0055] 此處，本發(fā)明實(shí)施例所述液晶顯示裝置具體可以是液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0056] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板01的制備方法，參考圖1和圖2所示，該方 法包括：在襯底基板10上依次形成薄膜晶體管20、樹脂層30、以及像素電極40,在此基礎(chǔ) 上，所述方法還包括在所述樹脂層30與所述像素電極40之間形成鈍化層50,且所述鈍化層 50完全包裹所述樹脂層30。
[0057] 其中，所述薄膜晶體管20包括柵極201、柵絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極 204和漏極205。所述陣列基板還包括與所述柵極201電連接的柵線206、與所述源極204 電連接的數(shù)據(jù)線207。
[0058] 由于所述樹脂層30形成于所述薄膜晶體管20和所述像素電極40之間，因此，不 管是頂柵型薄膜晶體管還是底柵型薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，均可以增 大柵極201與像素電極40之間、漏極205或柵極201與像素電極40之間的距離，從而可以 解決柵極201與漏極205之間的寄生電容以及像素電極40受到數(shù)據(jù)線207或柵線206干 擾的問題。在此基礎(chǔ)上，由于還設(shè)置有包裹所述樹脂層30的鈍化層50,所述鈍化層50可以 使所述樹脂層30與空氣、水隔絕，從而可以避免由于樹脂層30暴露在空氣中而引發(fā)的各種 mura現(xiàn)象。
[0059] 優(yōu)選的，形成所述樹脂層30和所述鈍化層50具體可以包括如下步驟：
[0060] S101、如圖6a所示，在形成有所述薄膜晶體管20的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形 成所述樹脂層30,所述樹脂層30包括露出所述漏極205的第一過孔301 ;其中，所述樹脂層 的30邊緣距離所述襯底基板10的邊緣1000-2000 μ m。
[0061] 其中，優(yōu)選將所述樹脂層30的材料設(shè)置為具有高透過率的樹脂材料。在此基礎(chǔ) 上，所述樹脂層30的材料優(yōu)選為光刻膠材料，這樣可以簡(jiǎn)化形成所述樹脂層30時(shí)的工藝步 驟，并且節(jié)省成本。
[0062] S102、如圖6b所示，在形成有所述樹脂層30的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所 述鈍化層50,所述鈍化層50包括與所述第一過孔301對(duì)應(yīng)的第二過孔501 ;其中，所述鈍化 層50的邊緣與所述襯底基板10的邊緣齊平。
[0063] 在此基礎(chǔ)上，后續(xù)形成的所述像素電極40便可以通過所述第二過孔501和所述第 一過孔301與所述漏極205電連接。
[0064] 進(jìn)一步的，上述步驟S101，具體可以通過如下步驟實(shí)現(xiàn)：
[0065] S1011、如圖7a所示，在形成有所述薄膜晶體管20的基板上，形成光刻膠薄膜30a。
[0066] S1012、如圖7b所示，采用普通掩模板對(duì)形成有所述光刻膠薄膜30a的基板進(jìn)行曝 光，形成光刻膠完全曝光部分30al和光刻膠未曝光部分30a2 ;其中，所述光刻膠完全曝光 部分30al至少對(duì)應(yīng)所述第一過孔301的區(qū)域和所述襯底基板10的邊緣區(qū)域，所述光刻膠 未曝光部分30a2對(duì)應(yīng)其他區(qū)域。
[0067] S1013、參考圖6a所示，顯影后，所述光刻膠未曝光部分30a2形成所述樹脂層30。
[0068] 基于上述，優(yōu)選的，參考圖4所示，所述方法還包括：在所述樹脂層30與所述鈍化 層50之間形成公共電極60 ;其中，在所述第一過孔301和所述第二過孔501對(duì)應(yīng)的位置， 所述公共電極60斷開。
[0069] 這里，將所述公共電極60設(shè)置在所述樹脂層30上方，還可以避免公共電極60受 到數(shù)據(jù)線207或柵線206的干擾。
[0070] 進(jìn)一步優(yōu)選的，參考圖5所示，所述陣列基板01還包括形成在所述樹脂層30靠近 所述襯底基板10 -側(cè)且與所述樹脂層30接觸的粘附層70 ;其中，所述粘附層70用于增強(qiáng) 所述樹脂層30的粘附性。
[0071] 這里，采用所述粘附層70來增強(qiáng)所述樹脂層30與位于所述樹脂層30下方的薄膜 晶體管20最靠近所述樹脂層30例如源極204和漏極205的結(jié)合強(qiáng)度，其材質(zhì)可以選用例 如氮化硅。
[0072] 需要說明的是，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸完全一致，在此 情況下，可以采用普通掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ; 當(dāng)然，所述粘附層70的尺寸可以與所述樹脂層30的尺寸不一致，在此情況下，可根據(jù)實(shí)際 情況，采用一次或兩次構(gòu)圖工藝形成所述粘附層70和所述樹脂層30 ;具體可以根據(jù)實(shí)際情 況進(jìn)行設(shè)定，在此不做限定。
[0073] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，包括襯底基板、依次設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、樹脂層以 及像素電極，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹脂層與所述像素電極之間的 鈍化層，且所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基 板的邊緣1000-2000ym ; 所述鈍化層的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述樹 脂層與所述鈍化層之間公共電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂層的材料為光刻 膠。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置 在所述樹脂層靠近所述襯底基板一側(cè)且與所述樹脂層接觸的粘附層； 其中，所述粘附層用于增強(qiáng)所述樹脂層的粘附性。
6. -種液晶顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
7. -種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上依次形成薄膜晶體管、樹脂層、以及 像素電極，其特征在于，所述方法還包括在所述樹脂層與所述像素電極之間形成鈍化層，且 所述鈍化層完全包裹所述樹脂層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述樹脂層和所述鈍化層包括： 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述樹脂層，所述樹脂層 包括露出所述薄膜晶體管的漏極的第一過孔；其中，所述樹脂層的邊緣距離所述襯底基板 的邊緣 1000-2000 μ m ; 在形成有所述樹脂層的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述鈍化層，所述鈍化層包括 與所述第一過孔對(duì)應(yīng)的第二過孔；其中，所述鈍化層的邊緣與所述襯底基板的邊緣齊平。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述薄膜晶體管的基板上， 通過一次構(gòu)圖工藝形成所述樹脂層，包括： 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，形成光刻膠薄膜； 采用普通掩模板對(duì)形成有所述光刻膠薄膜的基板進(jìn)行曝光，形成光刻膠完全曝光部分 和光刻膠未曝光部分；其中，所述光刻膠完全曝光部分至少對(duì)應(yīng)所述第一過孔的區(qū)域和所 述襯底基板的邊緣區(qū)域，所述光刻膠未曝光部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域； 顯影后，所述光刻膠未曝光部分形成所述樹脂層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述樹 脂層與所述鈍化層之間形成公共電極；其中，在所述第一過孔和所述第二過孔對(duì)應(yīng)的位置， 所述公共電極斷開。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104155812SQ201410366579
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】李鴻鵬, 宋省勛, 李京鵬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司