橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，包括由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極經(jīng)由絕緣膜而形成在第一基板上的不同層上。每個(gè)像素被劃分成第一區(qū)域和第二區(qū)域。在所述第一區(qū)域中，大體上彼此平行且線狀形成的所述像素電極和所述公共電極通過施加在這兩者電極之間的橫向電場(chǎng)而使在所述區(qū)域中的液晶分子旋轉(zhuǎn)。在所述第二區(qū)域中，所述像素電極和所述公共電極中的至少在下層側(cè)的電極為面狀，并且所述像素電極和所述公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。
【專利說明】橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)基于2013年8月12日遞交的第2013-167294號(hào)日本專利申請(qǐng)并要求該日本專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該日本專利申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容以引用的方式并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，更具體地，涉及一種具有高亮度和寬視角的橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]關(guān)于尤其是近來的液晶顯示裝置，廣泛采用IPS(面內(nèi)切換)模式，通過該IPS模式，液晶分子的軸借助于橫向電場(chǎng)而在與基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。IP S模式幾乎沒有對(duì)于分子軸的站立角的視角依賴性，因此存在可獲得寬視角的優(yōu)點(diǎn)。因此，其廣泛地用在大屏幕電視接收器、移動(dòng)電話、平板電腦終端等中。
[0005](現(xiàn)有技術(shù)I)
[0006]圖11為顯示具有IPS模式的現(xiàn)有液晶顯示裝置1010的圖示,該現(xiàn)有液晶顯示裝置1010也在日本專利N0.4603560(專利文獻(xiàn)1(第8頁(yè)，圖1))中被闡述。液晶顯示裝置1010包括液晶顯示面板1011，像素1100以矩陣方式布置在液晶顯示面板1011上。分別地，圖1lA示出液晶顯示裝置1010的外觀，圖1lB為像素1100的放大平面圖，圖1lC示出沿著圖1lB的線A-A’截取的剖面圖。
[0007]在像素1100中，由第一金屬層構(gòu)成的掃描信號(hào)布線1101和兩個(gè)平行的公共信號(hào)布線1102形成在第一玻璃基板1118上。第一絕緣膜1103形成在掃描信號(hào)布線1101和公共信號(hào)布線1102上，由第二金屬層構(gòu)成的視頻信號(hào)布線1104、薄膜晶體管1105和源電極1106形成在第一絕緣膜1103上。
[0008]由無機(jī)膜制成的第二絕緣膜1107形成在視頻信號(hào)布線1104、薄膜晶體管1105和源電極1106上。此外，由有機(jī)膜制成的第三絕緣膜1108形成在第二絕緣膜1107上。
[0009]此外，由透明導(dǎo)電膜制成的梳狀像素梳狀電極1109和梳狀公共梳狀電極1110形成在第三絕緣膜1108上。而且，還可以采用以下結(jié)構(gòu):其中，像素梳狀電極1109和公共梳狀電極1110形成在第二絕緣膜1107上,而不使用第三絕緣膜1108。
[0010]視頻信號(hào)布線1104在布線寬度方向上，經(jīng)由第二絕緣膜1107和第三絕緣膜1108，被公共電極1110完全覆蓋。像素電極1109和公共電極1110分別通過接觸孔1111和接觸孔1112而電連接至源電極1106和公共信號(hào)布線1102。公共信號(hào)布線1102和源電極1106彼此重疊的區(qū)域成為存儲(chǔ)電容。
[0011 ] 此外，由于梳狀像素電極1109和梳狀公共電極1110都是由透明導(dǎo)電膜制成，故在電極上的區(qū)域也有助于透光度。在此所采用的是視頻信號(hào)布線1104被公共電極1110完全覆蓋的結(jié)構(gòu)，因此可以使開口部擴(kuò)寬至視頻信號(hào)布線1104的附近。
[0012]作為第二基板，遮光層1117、著色層1116(R，G，B)和外覆層1115依次形成在第二玻璃基板1119上。對(duì)于黑白顯示的情況，沒有必要形成著色層。
[0013]在第一基板和第二基板上分別涂布且燒成配向?qū)?113和配向?qū)?114。在對(duì)配向?qū)右砸?guī)定的方向進(jìn)行摩擦處理之后，第一基板和第二基板彼此重疊，液晶層1122通過由間隔物提供的規(guī)定間隙而夾在第一基板和第二基板之間。偏光板1120和偏光板1121分別被層壓在第一基板和第二基板的外側(cè)上。
[0014]作為其他相關(guān)技術(shù)，存在下列文獻(xiàn)。日本未審查的專利公布2012-022344(專利文獻(xiàn)2)和日本未審查的專利公布2008-191669(專利文獻(xiàn)3)均公開了在IPS模式的一部分中采用FFS (邊緣場(chǎng)切換)模式的液晶顯示裝置。其細(xì)節(jié)將在后面的“待本發(fā)明解決的問題”的部分中進(jìn)行闡述。
[0015]利用上文所述的專利文獻(xiàn)I的技術(shù)，可以通過設(shè)定相對(duì)高的開口率而獲得具有高亮度、同時(shí)通過IPS模式獲得寬視角的液晶顯示裝置。
[0016]然而，該技術(shù)中，通過公共信號(hào)布線和源電極的重疊部分而形成存儲(chǔ)電容。因此，需要形成與掃描信號(hào)布線平行的公共信號(hào)布線。此外，還需要對(duì)源電極確保存儲(chǔ)電容，因此無法縮小面積。因此，在垂直方向上的開口率(即，亮度)不能被提高。
[0017]與此同時(shí)，液晶顯示裝置的以下結(jié)構(gòu)被稱為FFS (邊緣場(chǎng)切換)模式:像素電極和公共電極的一方形成為面狀電極，另一方形成為線狀電極，并且線狀電極經(jīng)由絕緣膜而置于面狀電極上。
[0018]該模式中，一定存在像素電極和公共電極彼此重疊的區(qū)域。因此，可通過利用該部分而確保存儲(chǔ)電容，使得可確保寬闊的開口部。然而，電場(chǎng)的垂直垂直分量在FFS模式中比在IPS模式中強(qiáng)，使得液晶分子的站立程度更大。因此，在視角方面處于劣勢(shì)。
[0019]因此，在過去，在某些情況下，已嘗試通過將IPS模式和FFS模式兩者的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合，來試圖獲得在視角和開口率方面兼?zhèn)鋬烧吣Ｊ絻?yōu)點(diǎn)的液晶顯示裝置。
[0020](現(xiàn)有技術(shù)2)
[0021]在專利文獻(xiàn)2(第20頁(yè)，圖2)中，闡述了一種半透射式液晶顯示裝置，在該裝置中，像素的透射區(qū)域?yàn)镮PS模式，像素的反射區(qū)域?yàn)镕FS模式。該結(jié)構(gòu)的目的是提高反射區(qū)域的顯示質(zhì)量，而不是旨在提高在垂直方向上的開口率。
[0022]此外，在專利文獻(xiàn)2中所闡述的液晶顯示裝置中，整個(gè)反射部分為FFS模式，并且反射部分的面積在整個(gè)顯示單元中的比例接近于1/2。而且，像素電極通過兩種不同的材料而制成，即，反射部分通過金屬層制成，透射部分通過透明導(dǎo)電層制成。因此，在這兩者之間需要連接部分。因此，不能夠通過提高開口率來增大光利用效率，進(jìn)而不能夠獲得高亮度的液晶顯示裝置。
[0023](現(xiàn)有技術(shù)3)
[0024]在專利文獻(xiàn)3(第13頁(yè)，圖1A)中，闡述了一種透射型液晶顯示裝置，在該裝置中，像素的左側(cè)和右側(cè)的兩端處于IPS模式，像素的中心部分處于FFS模式。
[0025]FFS模式在該結(jié)構(gòu)中是主要的，因此不能夠充分利用IPS模式的視角性能的優(yōu)勢(shì)。此外，由于IPS模式部分和FFS模式部分沿著FFS線狀電極的方向而分開，故IPS模式部分和FFS模式部分不能被單獨(dú)地優(yōu)化。因此，不能充分發(fā)揮每種模式的優(yōu)勢(shì)。
[0026]因此，本發(fā)明的示例性目的是提供一種橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，該橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置可通過有效地組合被稱為IPS模式和FFS模式的兩種模式的結(jié)構(gòu)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)寬視角和高亮度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0027]為了實(shí)現(xiàn)前述目的，根據(jù)本發(fā)明的示例性方面的橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置為以下這樣的液晶顯示裝置:該液晶顯示裝置包括具有大量的以矩陣方式布置的像素的液晶顯示面板，該液晶顯示面板通過將液晶材料夾在第一基板和第二基板之間而形成，其中:由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極和公共電極經(jīng)由絕緣膜形成在第一基板上；每個(gè)像素被劃分成第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域中，彼此平行且線狀形成的像素電極和公共電極通過施加在這兩者電極之間的橫向電場(chǎng)使在該區(qū)域中的液晶分子旋轉(zhuǎn)；并且，在第二區(qū)域中，像素電極和公共電極中的至少在下層側(cè)的電極以面狀形成，且像素電極和公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1A為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0029]圖1B為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0030]圖1C為沿著圖1B的線A - A’和線B - B’截取的剖面圖；
[0031]圖2示出當(dāng)在圖1所示的液晶顯示裝置中，在像素的像素區(qū)域中的IPS模式和FFS模式的面積比變化時(shí)，關(guān)于Y曲線的水平方向視角相依性的模擬結(jié)果的曲線圖；
[0032]圖3A為示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0033]圖3B為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0034]圖4A為示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0035]圖4B為根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0036]圖4C為沿著圖4B的線A - A’和線B - B’截取的剖面圖；
[0037]圖5A為示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0038]圖5B為根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0039]圖6A為示出根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0040]圖6B為根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0041]圖6C為沿著圖6B的線A-A’和線B - B’截取的剖面圖；
[0042]圖7A為示出根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0043]圖7B為根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0044]圖8A為示出根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0045]圖SB為根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0046]圖9A為示出根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0047]圖9B為根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0048]圖1OA為示出根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0049]圖1OB為根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；
[0050]圖1lA為示出IPS模式的現(xiàn)有液晶顯示裝置的外觀的圖示；
[0051]圖1lB為IPS模式的現(xiàn)有液晶顯示裝置的像素的放大平面圖；和
[0052]圖1lC為沿著圖1lB的線A-A’截取的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0053](第一不例性實(shí)施方式)
[0054]將通過參閱圖1A至圖1C闡述本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。
[0055]根據(jù)該示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置10為橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，該橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括具有大量的以矩陣方式布置的像素100的液晶顯示面板11，該液晶顯示面板11由第一基板和第二基板(第一玻璃基板118，第二玻璃基板119)將液晶材料夾在中間而構(gòu)成。形成在不同層上的由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極109和公共電極110經(jīng)由絕緣膜107而提供在第一基板上，每個(gè)像素被劃分成第一區(qū)域和第二區(qū)域(第一區(qū)域100a，第二區(qū)域100b)。在第一區(qū)域中，彼此平行的且線狀形成的像素電極109和公共電極110通過施加在這兩者電極之間的橫向電場(chǎng)而使在該第一區(qū)域中的液晶分子旋轉(zhuǎn)。在第二區(qū)域中，像素電極和公共電極中的至少在下層側(cè)的電極(在該實(shí)施方式中為像素電極109)呈面狀，且與上層側(cè)的電極(在該實(shí)施方式中為公共電極110)重疊。由像素電極和公共電極的重疊部分構(gòu)成存儲(chǔ)電容。
[0056]此外，在第一基板上，至少提供:掃描信號(hào)布線101 ;與掃描信號(hào)布線相交的視頻信號(hào)布線104 ;形成在掃描信號(hào)布線和視頻信號(hào)布線的相交處附近的薄膜晶體管105 ;和連接至薄膜晶體管105的源電極106。視頻信號(hào)布線在布線寬度方向上經(jīng)由絕緣膜而被公共電極覆蓋。
[0057]此外，在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界線被設(shè)定成使得，該邊界線相對(duì)于在第一區(qū)域中線狀形成的電極的延伸方向的角度不同于該邊界線相對(duì)于在第二區(qū)域中線狀形成的電極的延伸方向的角度，并且這些角度中的每個(gè)角度大于或等于45度。此外，第二區(qū)域的面積的比例為第一區(qū)域和第二區(qū)域的總面積的1/4或更小。
[0058]而且，在第二區(qū)域10b中，像素電極109和公共電極110中的下層側(cè)像素電極109呈面狀，上層側(cè)公共電極I1線狀形成為與下層側(cè)電極重疊。像素電極和公共電極的重疊部分形成存儲(chǔ)電容，同時(shí)通過施加在這兩者電極之間的橫向電場(chǎng)使液晶分子旋轉(zhuǎn)。此外，液晶分子的初始配向方向與在第一區(qū)域中線狀形成的公共電極的延伸方向之間的角度，和液晶分子的初始配向方向與在第二區(qū)域中線狀形成的電極的延伸方向之間的角度是不同的。在本發(fā)明中，對(duì)于IPS模式和FFS模式中的每種模式，通過改變?cè)诿總€(gè)區(qū)域中線狀形成的電極的延伸方向的角度，來優(yōu)化傾斜角，而不改變第一區(qū)域和第二區(qū)域的液晶分子的初始配向。稍后將闡述其細(xì)節(jié)。
[0059]通過上述結(jié)構(gòu)，液晶顯示裝置10通過有效地組合IPS模式和FFS模式的結(jié)構(gòu)，而能夠獲取寬視角和高亮度。
[0060]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這一點(diǎn)。
[0061]圖1A至圖1C為示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置10的結(jié)構(gòu)的圖示。液晶顯示裝置10包括液晶顯示面板11，大量的像素100以矩陣方式布置在液晶顯示面板11上。圖1A示出液晶顯示裝置10的外觀，圖1B為像素100的放大平面圖，圖1C為沿著圖1B的線A - A’(第一區(qū)域100a)和沿著線B - B’(第二區(qū)域100b)截取的剖面圖。
[0062]要注意的是，液晶顯示裝置10的液晶顯示面板11之外的元件(例如，背光源、控制電路)不在本發(fā)明的權(quán)利范圍中，并且沒有必要提及那些元件來闡述本發(fā)明，所以那些元件未在附圖中示出。對(duì)于在下文中闡述的示例性實(shí)施方式而言，也是如此。
[0063]將闡述液晶顯示面板11的制造步驟。首先，通過層疊鑰作為主要成分的合金和鋁作為主要成分的合金以在第一玻璃基板118上形成通過第一金屬層構(gòu)成的掃描信號(hào)布線101。接下來，形成作為第一絕緣膜103的氮化硅膜之后，形成薄膜晶體管105。
[0064]此后，通過利用透明導(dǎo)電膜(例如，ITO(銦錫氧化物))來形成像素電極109。像素電極109在上側(cè)的第一區(qū)域10a上為線狀，而像素電極109在第二區(qū)域10b中為面狀。
[0065]接下來，作為第二金屬層，通過層疊鑰作為主要成分的合金和鋁作為主要成分的合金的金屬層，來形成視頻信號(hào)布線104和薄膜晶體管的源電極106。源電極106電連接至像素電極109。
[0066]此外，η型半導(dǎo)體層形成在薄膜晶體管105的上層。在形成通過第二金屬層構(gòu)成的電極之后，通過干法刻蝕而去除除了源/漏電極之外的區(qū)域中的η型半導(dǎo)體層。然后，形成通過氮化硅制成的第二絕緣膜107。
[0067]接著，通過利用透明導(dǎo)電膜(例如，ΙΤ0)，將公共電極110形成在第二絕緣膜107上。公共電極110在第一區(qū)域10a中為線狀，且以交替位置設(shè)置，以便不與像素電極109重疊。在第二區(qū)域10b中，線狀公共電極110與面狀的像素電極109重疊。此外，公共電極110形成為在寬度方向上覆蓋視頻信號(hào)布線104，以屏蔽來自視頻信號(hào)布線104的電場(chǎng)。
[0068]通過在第二玻璃基板119上依次形成遮光層117、著色層116 (R，G，B)和外覆層115來構(gòu)成第二基板。在黑白顯示的情況下，著色層116是不必要的。
[0069]在第一基板和第二基板上分別涂布且燒成配向?qū)?13和配向?qū)?14。在對(duì)配向?qū)右砸?guī)定的方向進(jìn)行摩擦處理之后，重疊第一基板和第二基板，將液晶層122通過由間隔物提供的規(guī)定間隙而夾在第一基板和第二基板之間。將偏光板120和偏光板121分別層壓在第一基板和第二基板的外側(cè)上。
[0070]通過上文，第一區(qū)域10a形成為IPS模式，第二區(qū)域10b形成為FFS模式。
[0071]在FFS模式的第二區(qū)域10b中，像素電極109和公共電極110的重疊部分起存儲(chǔ)電容的作用，同時(shí)還起顯示單元的作用，因此存儲(chǔ)電容可得以確保，而不降低有效的開口率。在本發(fā)明中，顯示單元主要在IPS模式中。對(duì)于FFS，電場(chǎng)的垂直分量比IPS的電場(chǎng)垂直分量更強(qiáng)，液晶分子站立。因此，相比于IPS的視角性能，F(xiàn)FS的視角性能較差。所以，存在這樣的趨勢(shì):當(dāng)從斜方向觀察時(shí)，關(guān)于透光率的灰度-標(biāo)準(zhǔn)化的透光率曲線的“移動(dòng)”大于從正面觀察的情況。
[0072]圖2示出了:當(dāng)在圖1A至圖1C所示的液晶顯示裝置10中，在像素100的像素區(qū)域中的IPS模式和FFS模式的面積比變化時(shí)，關(guān)于灰度-標(biāo)準(zhǔn)化透光率Y曲線的水平方向視角相依性的模擬結(jié)果的曲線圖。圖2示出在FFS模式和IPS模式的面積比分別為“100:0”、“50:50”、“25:75”和“O:100”的四種情況中的每種情況下，通過對(duì)于O度至80度的視角來計(jì)算灰度-標(biāo)準(zhǔn)化透光率Y曲線的“移動(dòng)”而獲得的結(jié)果。最低的實(shí)線為視角O度的情況，即，從正面觀察的情況。當(dāng)視角增大為20度(虛線)、40度(虛線)、60度(虛線)和80度(最高的實(shí)線)時(shí)，灰度-透光率曲線相應(yīng)地向上變化。
[0073]自然地，在FFS模式:IPS模式為“100:0”的情況下，灰度-標(biāo)準(zhǔn)化透光率曲線的移動(dòng)是大的，隨著IPS模式的比例增加，移動(dòng)變得較小。FFS模式:IPS模式為“25:75”的情況的移動(dòng)幾乎等同于“O:100”的情況。也就是說，通過將FFS模式的第二區(qū)域設(shè)定為顯示單元總面積的1/4或更小，可以獲得與IPS模式為100%的情況幾乎相同的視角性能。
[0074]在該示例性實(shí)施方式中，一個(gè)像素內(nèi)的第二區(qū)域10b的面積被設(shè)定為第一區(qū)域10a和第二區(qū)域10b的總和的大約15%。因此，通過第二區(qū)域100b，存儲(chǔ)電容可得以充分地確保，同時(shí)增大透光率。而且，通過增大第一區(qū)域10a的比例，可獲得優(yōu)良的視角性能。由此可以獲得具有極佳的透光率以及優(yōu)良的視角性能的橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置。
[0075]關(guān)于一般由橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置，液晶分子的初始配向方向相對(duì)于電場(chǎng)所施加的方向是傾斜的，以便固定液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向。當(dāng)傾斜角變化時(shí)，液晶顯示裝置的光電性能改變。因此，傾斜角為使光電性能最佳而被確定。此外，對(duì)于IPS模式和FFS模式，最佳的傾斜角不同。
[0076]在本發(fā)明中，可以通過改變?cè)诘谝粎^(qū)域和第二區(qū)域中線狀形成的電極的延伸方向的角度，來對(duì)每種模式優(yōu)化傾斜角，并且來增大有效開口率，而不改變?cè)诘谝粎^(qū)域10a和第二區(qū)域10b中通過摩擦處理等所限定的液晶分子的初始配向方向。在該示例性實(shí)施方式中，液晶分子的初始配向方向和線狀形成的電極的延伸方向之間的角度在處于IPS模式的第一區(qū)域10a中為15度，在處于FFS模式的第二區(qū)域10b中為8度。
[0077]第一區(qū)域10a和第二區(qū)域10b之間的邊界線被設(shè)定在平行于掃描信號(hào)布線的方向上。當(dāng)對(duì)于IPS模式側(cè)校準(zhǔn)初始配向方向時(shí)，該邊界線相對(duì)于在第一區(qū)域10a中線狀形成的電極的延伸方向的角度為90度，相對(duì)于在第二區(qū)域10b中線狀形成的電極的延伸方向的角度為83度。在邊界線的兩側(cè)，相對(duì)于在兩個(gè)區(qū)域中的電極的延伸方向的角度、電極的間隔和寬度、電極的數(shù)目等可被單獨(dú)地設(shè)計(jì)。因此，既可以獲得透光率，又可以獲得視角。
[0078]作為根據(jù)本發(fā)明的示例性優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明采用這樣的結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中，每個(gè)像素被劃分成處于IPS模式的第一區(qū)域和處于FFS模式的第二區(qū)域，并且第二區(qū)域既起顯示單元的作用、又起存儲(chǔ)電容的作用。因此，存儲(chǔ)電容可得以確保，而不減小開口率。這可以提供具有極佳的特征使得可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)寬視角和高亮度的橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置。
[0079](第二示例性實(shí)施方式)
[0080]在根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置20中，每個(gè)像素中的第一區(qū)域和第二區(qū)域的位置與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，上側(cè)和下側(cè)進(jìn)行了調(diào)換。利用該結(jié)構(gòu)，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。
[0081]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0082]圖3A和圖3B示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置20的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置20包括液晶顯示面板21，大量的像素200以矩陣方式布置在液晶顯示面板21上。圖3A示出液晶顯示裝置20的外觀，圖3B為像素200的放大平面圖。在該像素200中，處于IPS模式的第一區(qū)域200a在下側(cè)，處于FFS模式的第二區(qū)域200b在上側(cè)。每個(gè)像素的剖面圖與第一示例性實(shí)施方式的每個(gè)像素的剖面圖(圖1C)相同。此外，包含大量與第一示例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0083]也就是說，與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，僅僅是第一區(qū)域和第二區(qū)域的上側(cè)位置和下側(cè)位置進(jìn)行了調(diào)換。利用該結(jié)構(gòu)，也可以實(shí)現(xiàn)與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。可以根據(jù)設(shè)計(jì)、制造等，酌情調(diào)換第一區(qū)域和第二區(qū)域的上側(cè)位置和下側(cè)位置。
[0084](第三示例性實(shí)施方式)
[0085]在根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置30中，像素電極309和公共電極310的位置與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，上側(cè)和下側(cè)進(jìn)行了調(diào)換。利用該結(jié)構(gòu)，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。
[0086]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0087]圖4A至圖4C示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置30的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置30包括液晶顯示面板31，大量的像素300以矩陣方式布置在液晶顯示面板31上。圖4A示出液晶顯示裝置30的外觀，圖4B為像素300的放大平面圖。圖4C為沿著圖4B的線A-A’(第一區(qū)域300a)和沿著線B-B’(第二區(qū)域300b)截取的剖面圖。
[0088]根據(jù)第三示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置30相對(duì)于第一示例性實(shí)施方式和第二示例性實(shí)施方式的區(qū)別在于，像素電極309形成在公共電極310的上層。除此之外，包含大量與第一示例性實(shí)施方式和第二示例性實(shí)施方式相同的元件。因此，相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0089]將闡述液晶顯示面板的制造步驟。首先，通過堆疊鑰作為主要成分的合金和鋁作為主要成分的合金，以在第一玻璃基板118上形成通過第一金屬層構(gòu)成的掃描信號(hào)布線101。接下來，形成作為第一絕緣膜103的氮化硅膜之后，形成薄膜晶體管105。直到此時(shí)，步驟與第一示例性實(shí)施方式和第二示例性實(shí)施方式的步驟相同。
[0090]接下來，作為第二金屬層，通過層疊鑰作為主要成分的合金和鋁作為主要成分的合金的金屬層，來形成視頻信號(hào)布線104和薄膜晶體管的源電極106。
[0091]此外，η型半導(dǎo)體層形成在薄膜晶體管105的上層。在形成通過第二金屬層制成的電極之后，源電極/漏電極之外的區(qū)域中的η型半導(dǎo)體層通過干法刻蝕而被去除。然后，形成通過氮化硅制成的第二絕緣膜107。
[0092]接著，通過利用透明導(dǎo)電膜(例如，ΙΤ0)而形成公共電極310。公共電極310在上側(cè)的第一區(qū)域300a中為線狀，公共電極310在下側(cè)的第二區(qū)域300b中為面狀。此外，公共電極310形成為在寬度方向上覆蓋視頻信號(hào)布線104，以屏蔽來自視頻信號(hào)布線104的電場(chǎng)。然后，形成通過例如丙烯酸樹脂制成的第三絕緣膜308。
[0093]接著，通過利用透明導(dǎo)電膜(例如，ΙΤ0)來形成像素電極309。像素電極309在上側(cè)的第一區(qū)域300a中為線狀，且與公共電極310交替地設(shè)置。在下側(cè)的第二區(qū)域300b中，線狀像素電極309與面狀的公共電極310重疊。像素電極309通過接觸孔311而電連接至源電極106。第二基板與第一不例性實(shí)施方式和第二不例性實(shí)施方式的第二基板相同。
[0094]通過上述結(jié)構(gòu)，如在第一示例性實(shí)施方式和第二示例性實(shí)施方式的情況，也可以形成在上側(cè)的作為IPS模式的第一區(qū)域300a和在下側(cè)的作為FFS模式的第二區(qū)域300b，并且毫無疑問可以獲得與第一示例性實(shí)施方式和第二示例性實(shí)施方式相同的效果。公共電極310未必一定要在像素電極309的上層。像素電極309也可形成為上層。
[0095](第四示例性實(shí)施方式)
[0096]在根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置40中，與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，每個(gè)像素在左側(cè)和右側(cè)被劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域。利用該結(jié)構(gòu)，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。
[0097]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0098]圖5A和圖5B示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置40的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置40包括液晶顯示面板41,大量的像素400以矩陣方式布置在液晶顯示面板41上。圖5A示出液晶顯示裝置40的外觀，圖5B為像素400的放大平面圖。在該像素400中，第一區(qū)域400a在右側(cè)，處于FFS模式的第二區(qū)域400b在左側(cè)。每個(gè)像素的剖面圖與第一不例性實(shí)施方式的剖面圖(圖1C)相同。此外，包含大量與第一不例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋。
[0099]根據(jù)設(shè)計(jì)，可存在這樣的情況:將液晶分子的初始配向方向基本上設(shè)定為水平方向是有利的。在這種情況下，正如在液晶顯示裝置40的情況下，可在像素400的左側(cè)和右偵牝劃分第一區(qū)域和第二區(qū)域。這樣，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。無需多說的是，正如在第二示例性實(shí)施方式的情況下，可調(diào)換第一區(qū)域和第二區(qū)域在左側(cè)和右側(cè)的位置。此外，正如在第三示例性實(shí)施方式的情況下，像素電極可被設(shè)置為上層。
[0100](第五示例性實(shí)施方式)
[0101]在根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置50中，與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，第二區(qū)域500b被構(gòu)造成，不起顯示單元的作用，而僅起存儲(chǔ)電容的作用。利用該結(jié)構(gòu)，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。
[0102]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0103]圖6A至圖6C示出根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置50的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置50包括液晶顯示面板51，大量的像素500以矩陣方式布置在液晶顯示面板51上。圖6A示出液晶顯示裝置50的外觀，圖6B為像素500的放大平面圖。圖6C為沿著圖6B的線A-A’(第一區(qū)域500a)和沿著線B-B’(第二區(qū)域500b)截取的剖面圖。在圖6A至圖6C中，包含大量與第一示例性實(shí)施方式至第四示例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0104]根據(jù)第五示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置50相對(duì)于第一示例性實(shí)施方式至第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置的區(qū)別在于，在第二區(qū)域500b中的公共電極510不以線狀形成，而是以面狀形成。因此，第二區(qū)域500b不起顯示單元的作用，而僅起存儲(chǔ)電容的作用。然而，可以單獨(dú)利用第一區(qū)域500a確保充分的開口率，因此第二區(qū)域500b可僅被用作存儲(chǔ)電容，并且上側(cè)電極(公共電極510)不需要線狀形成。
[0105]此外，由于第二區(qū)域500b僅被用作存儲(chǔ)電容，故與相關(guān)技術(shù)I的情況相比，可以通過較小的面積確保較大的存儲(chǔ)電容。因此，第二區(qū)域500b的面積可進(jìn)一步減小，使得與相關(guān)技術(shù)I的情況相比，可獲得充分較高的開口率。無需多說的是，第一區(qū)域和第二區(qū)域可以調(diào)換上側(cè)和下側(cè)的位置(正如在第二示例性實(shí)施方式的情況下)，或者可以調(diào)換左側(cè)和右側(cè)的位置(正如在第四示例性實(shí)施方式的情況下)。此外，像素電極可形成為上層，正如在第三示例性實(shí)施方式的情況下。
[0106](第六示例性實(shí)施方式)
[0107]根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置60采用的結(jié)構(gòu)中存在如下部分:其中，與第一示例性實(shí)施方式的情況相比，線狀形成在第一區(qū)域600a中的電極的邊緣和線狀形成在第二區(qū)域600b中的電極的邊緣連續(xù)地形成。利用該結(jié)構(gòu)，也可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果。此外，通過促進(jìn)邊界區(qū)域中的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，可以獲得高亮度的效果。
[0108]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0109]圖7A和圖7B示出根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置60的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置60包括液晶顯示面板61,大量的像素600以矩陣方式布置在液晶顯示面板61上。圖7A示出液晶顯示裝置60的外觀，圖7B為像素600的放大平面圖。在圖7A和圖7B中，包含大量與第一示例性實(shí)施方式至第五示例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0110]在該像素600中，在第一區(qū)域600a和第二區(qū)域600b之間的邊界區(qū)域中省略上側(cè)電極(公共電極610)的一部分，并且存在以下這樣的部分:線狀形成在第一區(qū)域600a中的電極的邊緣和線狀形成在第二區(qū)域600b中的電極的邊緣連續(xù)地形成。
[0111]在圖7A和圖7B中，在兩側(cè)帶有箭頭的虛線示出了使液晶分子沿正向旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。如圖7A和圖7B所示，即使當(dāng)在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界中省略上層電極時(shí)，也可以在施加使液晶分子沿正向旋轉(zhuǎn)的橫向電場(chǎng)的位置，連續(xù)地形成在第二區(qū)域中的上層線狀電極的邊緣和在第一區(qū)域中的上層線狀電極的邊緣，而不將上層電極設(shè)置在邊界部分中。
[0112]利用這一點(diǎn)，在邊界附近的液晶分子也沿正向旋轉(zhuǎn)，并且在邊界區(qū)域中的液晶分子的旋轉(zhuǎn)也得到促進(jìn)，因此進(jìn)一步有助于增大開口率(高亮度)。無需多說的是，第一區(qū)域和第二區(qū)域可以調(diào)換上側(cè)和下側(cè)的位置(正如在第二示例性實(shí)施方式的情況下)，或者第一區(qū)域和第二區(qū)域可以調(diào)換左側(cè)和右側(cè)(正如在第四示例性實(shí)施方式的情況下)的位置。此外，如在第三示例性實(shí)施方式的情況下，像素電極可形成為上層。
[0113](第七示例性實(shí)施方式)
[0114]根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置70采用如下結(jié)構(gòu):線狀形成在第一區(qū)域700a中的像素電極和公共電極連同視頻信號(hào)布線一起是彎曲的。利用該結(jié)構(gòu)，不僅可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果，還可以獲得更高的開口率和更寬的視角。
[0115]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0116]圖8A和圖8B示出根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置70的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置70包括液晶顯示面板71，大量的像素700以矩陣方式布置在液晶顯示面板71上。圖8A示出液晶顯示裝置70的外觀，圖8B為像素700的放大平面圖。
[0117]該像素700在顯示區(qū)域的中心部分中彎曲。該像素700的結(jié)構(gòu)與第一示例性實(shí)施方式至第六示例性實(shí)施方式的像素的結(jié)構(gòu)相同。在圖8A和圖SB中，包含大量與第一示例性實(shí)施方式至第六示例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0118]一般而言，液晶顯示裝置的像素通常由三種對(duì)應(yīng)于濾色器(其對(duì)應(yīng)于三種原色RGB)的子像素構(gòu)成，并且像素通常在視頻信號(hào)布線的延伸方向上形成為較長(zhǎng)，在掃描線的延伸方向上形成為較短。因此，在這種情況下，通過使線狀形成在第一區(qū)域中的電極連同視頻信號(hào)布線一起彎曲，可高效地布置電極，并且可增大開口率。在該情況下，第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界可布置成平行于掃描信號(hào)布線。
[0119]利用這樣的形狀，以彎曲部分為界，在像素的上部和下部，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向是相反的。因此，視角性能可以在旋轉(zhuǎn)方向彼此不同的兩個(gè)區(qū)域之間得以補(bǔ)償。也就是說，可以實(shí)現(xiàn)更寬的視角。
[0120](第八示例性實(shí)施方式)
[0121]根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置80采用如下結(jié)構(gòu):其中，線狀形成在第一區(qū)域800a中的像素電極的數(shù)量和線狀形成在第二區(qū)域800b中的像素電極的數(shù)量是不同的。利用該結(jié)構(gòu)，不僅可以獲得與第一示例性實(shí)施方式相同的效果，還可以分別優(yōu)化第一區(qū)域和第二區(qū)域。
[0122]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0123]圖9A和圖9B示出根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置80的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置80包括液晶顯示面板81,大量的像素800以矩陣方式布置在液晶顯示面板81上。圖9A示出液晶顯示裝置80的外觀，圖9B為像素800的放大平面圖。在圖9A和圖9B中，包含大量與第一不例性實(shí)施方式至第七不例性實(shí)施方式相同的兀件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0124]在該像素800中，在處于IPS模式的第一區(qū)域800a中的線狀電極的數(shù)量和在處于FFS模式的第二區(qū)域800b中的線狀電極(公共電極810)的數(shù)量是不同的。該像素800的結(jié)構(gòu)與第一示例性實(shí)施方式至第六示例性實(shí)施方式的像素的結(jié)構(gòu)相同。
[0125]也就是說，在處于IPS模式的第一區(qū)域800a中和在處于FFS模式的第二區(qū)域800b中，電場(chǎng)產(chǎn)生機(jī)制是不同的，因此電極寬度和電極間隔的最佳值均是不同的。通常，在許多情況下，F(xiàn)FS模式可以通過縮短電極間隔而處于最佳狀態(tài)。因此，如在該示例性實(shí)施方式中，線狀電極的數(shù)量對(duì)于兩個(gè)區(qū)域而設(shè)定成不同，且分別被確定以具有最佳的光電性能，以便分別優(yōu)化它們。因此，優(yōu)化可分別進(jìn)行，而不改變液晶分子在第一區(qū)域和第二區(qū)域中的初始配向方向。
[0126](第九示例性實(shí)施方式)
[0127]根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置90為上文所述的第七示例性實(shí)施方式和第八示例性實(shí)施方式的組合，其中，線狀形成在第一區(qū)域900a中的電極的數(shù)量和線狀形成在第二區(qū)域900b中的電極的數(shù)量是不同的，此外，像素在顯示區(qū)域的中心部分中彎曲。利用該結(jié)構(gòu)，可以獲得作為上文所述的第七示例性實(shí)施方式和第八示例性實(shí)施方式的每個(gè)效果的組合的效果。
[0128]在下文中，將更加詳細(xì)地闡述這點(diǎn)。
[0129]圖1OA和圖1OB示出根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施方式的液晶顯示裝置90的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置90包括液晶顯示面板91,大量的像素900以矩陣方式布置在液晶顯示面板91上。圖1OA示出液晶顯示裝置90的外觀，圖1OB為像素900的放大平面圖。在圖1A和圖1OB中，包含大量與第一示例性實(shí)施方式至第八示例性實(shí)施方式相同的元件，因此相同的名稱和附圖標(biāo)記應(yīng)用于相同的元件，并且省略了對(duì)其進(jìn)行解釋說明。
[0130]該像素900為上文所述的第七示例性實(shí)施方式和第八示例性實(shí)施方式的組合。也就是說，線狀電極(公共電極910)的數(shù)量在處于IPS模式的第一區(qū)域900a和處于FFS模式的第二區(qū)域900b中被設(shè)定成不同，并且此外，像素在顯示區(qū)域的中心部分中彎曲。該像素900的結(jié)構(gòu)與第一示例性實(shí)施方式至第六示例性實(shí)施方式的像素的結(jié)構(gòu)相同。
[0131]通過該結(jié)構(gòu)，如在第七示例性實(shí)施方式的情況下，以彎曲部分為界，在像素的上部和下部，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向是相反的。因此，可以獲得更寬的視角。此外，如在第八示例性實(shí)施方式的情況下，優(yōu)化也可分別進(jìn)行，而不改變第一區(qū)域和第二區(qū)域的液晶分子初始配向方向。
[0132]如上所述，第九示例性實(shí)施方式為第七示例性實(shí)施方式和第八示例性實(shí)施方式的組合。然而，可以適當(dāng)采用上述示例性實(shí)施方式中的各實(shí)施方式的其他組合。此外，不脫離本發(fā)明的范圍和精神的改變和修改可被本領(lǐng)域的技術(shù)人員適當(dāng)?shù)貞?yīng)用。
[0133]雖然已通過參考附圖中所示的特定示例性實(shí)施方式而闡述本發(fā)明，但本發(fā)明不僅僅限于附圖中所示的示例性實(shí)施方式。只要可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的效果，可采用任何其他已知的結(jié)構(gòu)。
[0134]上文所公開的示例性實(shí)施方式的全部或部分可被闡述為但不受限于下面的補(bǔ)充說明。
[0135](補(bǔ)充說明I)
[0136]一種橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，所述橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括含有大量的以矩陣布置的像素的液晶顯示面板，所述液晶顯示面板通過將液晶材料夾在第一基板和第二基板之間而形成，其中:
[0137]由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極和公共電極經(jīng)由絕緣膜而形成在所述第一基板上；
[0138]每個(gè)所述像素被劃分成第一區(qū)域和第二區(qū)域；
[0139]在所述第一區(qū)域中，彼此平行且線狀形成的所述像素電極和所述公共電極通過施加在所述像素電極和所述公共電極之間的橫向電場(chǎng)使所述第一區(qū)域中的液晶分子旋轉(zhuǎn)；并且
[0140]在所述第二區(qū)域中，所述像素電極和所述公共電極中的至少在下層側(cè)的電極以面狀形成，并且所述像素電極和所述公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。
[0141](補(bǔ)充說明2)
[0142]如在補(bǔ)充說明I中所闡述的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置在所述第一基板上至少包括掃描信號(hào)布線、與所述掃描信號(hào)布線相交的視頻信號(hào)布線、形成在所述掃描信號(hào)布線和所述視頻信號(hào)布線之間的相交點(diǎn)附近的薄膜晶體管、和連接至所述薄膜晶體管的源電極，其中，
[0143]所述視頻信號(hào)布線在布線寬度方向上，經(jīng)由所述絕緣膜而被所述公共電極覆蓋。
[0144](補(bǔ)充說明3)
[0145]如在補(bǔ)充說明I中所闡述的液晶顯示裝置，其中
[0146]所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的邊界線被設(shè)定成使得，所述邊界線相對(duì)于在所述第一區(qū)域中的線狀形成的電極的延伸方向的角度和所述邊界線相對(duì)于在所述第二區(qū)域中的線狀形成的電極的延伸方向的角度不同。
[0147](補(bǔ)充說明4)
[0148]如在補(bǔ)充說明I中所闡述的液晶顯示裝置，其中
[0149]第二區(qū)域的面積占第一區(qū)域和第二區(qū)域的總面積的比例為1/4或更小。
[0150](補(bǔ)充說明5)
[0151]如在補(bǔ)充說明I中所闡述的液晶顯示裝置，其中:
[0152]在所述第二區(qū)域中，所述像素電極和所述公共電極中的所述在下層側(cè)的電極以面狀形成，并且在上層側(cè)的電極線狀形成以重疊在面狀的所述電極上；液晶分子通過施加在所述像素電極和所述公共電極之間的橫向電場(chǎng)而旋轉(zhuǎn)；并且所述像素電極和所述公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。
[0153](補(bǔ)充說明6)
[0154]如在補(bǔ)充說明5中所闡述的液晶顯示裝置，其中:
[0155]在所述第一區(qū)域中的線狀形成的電極的延伸方向與所述液晶分子的初始配向方向之間所形成的角度和在所述第二區(qū)域中的線狀形成的所述電極的延伸方向與所述液晶分子的所述初始配向方向之間所形成的角度是不同的。
[0156](補(bǔ)充說明7)
[0157]如在補(bǔ)充說明5中所闡述的液晶顯示裝置，其中:
[0158]存在所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述電極的邊緣和所述第二區(qū)域中的線狀形成的所述電極的邊緣連續(xù)形成的區(qū)域。
[0159](補(bǔ)充說明8)
[0160]如在補(bǔ)充說明5中所闡述的液晶顯示裝置，其中:
[0161]所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述電極的數(shù)量和所述第二區(qū)域中的線狀形成的所述電極的數(shù)量是不同的。
[0162](補(bǔ)充說明9)
[0163]如在補(bǔ)充說明I中所闡述的液晶顯示裝置，其中:
[0164]所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述像素電極和線狀形成的所述公共電極連同所述視頻信號(hào)布線一起是彎曲的。
[0165]工業(yè)實(shí)用性
[0166]本發(fā)明可應(yīng)用于包括液晶顯示裝置的大多數(shù)設(shè)備。特別地，本發(fā)明適合于同時(shí)需要高亮度和寬視角的實(shí)例，例如，電視接收器、移動(dòng)電話、平板電腦終端、計(jì)算機(jī)終端和游戲機(jī)。
【權(quán)利要求】
1.一種橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置，所述橫向電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括具有大量的以矩陣布置的像素的液晶顯示面板，所述液晶顯示面板通過將液晶材料夾在第一基板和第二基板之間而形成，其中: 由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極和公共電極經(jīng)由絕緣膜而形成在所述第一基板上； 每個(gè)所述像素被劃分成第一區(qū)域和第二區(qū)域； 在所述第一區(qū)域中，彼此平行且線狀形成的所述像素電極和所述公共電極通過施加在所述像素電極和所述公共電極之間的橫向電場(chǎng)使所述第一區(qū)域中的液晶分子旋轉(zhuǎn)；并且 在所述第二區(qū)域中，所述像素電極和所述公共電極中的至少在下層側(cè)的電極以面狀形成，并且所述像素電極和所述公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述液晶顯示裝置在所述第一基板上至少包括掃描信號(hào)布線、與所述掃描信號(hào)布線相交的視頻信號(hào)布線、形成在所述掃描信號(hào)布線和所述視頻信號(hào)布線之間的相交點(diǎn)附近的薄膜晶體管、和連接至所述薄膜晶體管的源電極，其中， 所述視頻信號(hào)布線在布線寬度方向上，經(jīng)由所述絕緣膜而被所述公共電極覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中， 所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的邊界線被設(shè)定成使得，所述邊界線相對(duì)于在所述第一區(qū)域中的線狀形成的電極的延伸方向的角度和所述邊界線相對(duì)于在所述第二區(qū)域中的線狀形成的電極的延伸方向的角度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中， 所述第二區(qū)域的面積占所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的總面積的比例為1/4或更小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中: 在所述第二區(qū)域中，所述像素電極和所述公共電極中的所述在下層側(cè)的電極以面狀形成，并且在上層側(cè)的電極線狀形成以重疊在面狀的所述電極上；液晶分子通過施加在所述像素電極和所述公共電極之間的橫向電場(chǎng)而旋轉(zhuǎn)；并且所述像素電極和所述公共電極彼此重疊的部分形成存儲(chǔ)電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中: 在所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述電極的延伸方向與所述液晶分子的初始配向方向之間所形成的角度和在所述第二區(qū)域中的線狀形成的所述電極的延伸方向與所述液晶分子的所述初始配向方向之間所形成的角度是不同的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中: 存在所述第一區(qū)域中的所述線狀形成的電極的邊緣和所述第二區(qū)域中的所述線狀形成的電極的邊緣連續(xù)形成的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中: 所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述電極的數(shù)量和所述第二區(qū)域中的線狀形成的所述電極的數(shù)量是不同的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中: 所述第一區(qū)域中的線狀形成的所述像素電極和線狀形成的所述公共電極連同所述視頻信號(hào)布線一起是彎曲的。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104375338SQ201410390054
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月12日
【發(fā)明者】今野隆之, 西田真一 申請(qǐng)人:Nlt科技股份有限公司