一種陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，該陣列基板包括玻璃基板、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄膜晶體管以及彩膜光阻；其中第二絕緣層用于對第二金屬層與彩膜光阻層進行絕緣處理，第二絕緣層包括氮化硅絕緣層以及二氧化硅絕緣層。本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，本發(fā)明的陣列基板及其制作方法通過設(shè)置具有氮化硅絕緣層以及二氧化硅絕緣層的第二絕緣層，并將彩膜光阻設(shè)置在第二絕緣層的二氧化硅絕緣層上，使得彩膜光阻不易從第二絕緣層上脫落。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置已廣泛的應(yīng)用于人們的工作和生活中，隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示器的畫質(zhì)要求越來越高，如分辨率、亮度、視角、色彩飽和度以及畫面響應(yīng)速度坐寸ο
[0003]傳統(tǒng)的液晶顯示裝置將彩膜基板和陣列基板分別在不同的基板上進行制作，其中彩膜基板包括公共電極、RGB(紅綠藍)彩膜(彩膜光阻)以及黑色矩陣(BM，BlackMatrix);陣列基板包括薄膜晶體管、外圍線路以及像素電極；然后將彩膜基板和陣列基板進行對盒操作，以形成液晶顯示面板。傳統(tǒng)的液晶顯示面板的制作過程雖然簡單，但是彩膜基板和陣列基板進行對盒操作時，容易由于對位誤差產(chǎn)生漏光以及開口率降低的技術(shù)問題。
[0004]因此為了避免上述的技術(shù)問題，液晶顯示裝置的制作商開發(fā)了一種COA(ColorFilm On Array)陣列基板，COA陣列基板將彩膜基板和陣列基板設(shè)置在同一玻璃基板上，這樣在對盒操作時不會產(chǎn)生對位誤差，提高了液晶顯示面板的開口率。
[0005]但是現(xiàn)有的COA陣列基板需要將彩膜光阻(有機材料)粘附在陣列基板的絕緣材料(無機材料)上，容易產(chǎn)生彩膜光阻的脫落(peeling)現(xiàn)象。
[0006]故，有必要提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種彩膜光阻不易從陣列基板上脫落的陣列基板及其制作方法；以解決現(xiàn)有的陣列基板中彩膜光阻易從陣列基板上脫落的技術(shù)問題。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0009]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，其包括:
[0010]玻璃基板，其上依次設(shè)置有第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、彩膜光阻層、第三絕緣層以及透明電極層；
[0011]其中所述第一絕緣層用于對所述第一金屬層與所述第二金屬層進行絕緣處理；所述第三絕緣層用于對所述彩膜光阻層和所述透明電極層進行絕緣處理；所述第二絕緣層用于對所述第二金屬層與所述彩膜光阻層進行絕緣處理；所述第二絕緣層包括氮化硅絕緣層以及設(shè)置在所述氮化硅絕緣層上的二氧化硅絕緣層。
[0012]在本發(fā)明所述陣列基板中，所述第二金屬層包括用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線；所述第一金屬層包括用于傳輸掃描信號的掃描線；所述透明電極層包括用于顯示所述數(shù)據(jù)信號的像素電極；所述彩膜光阻層包括彩膜光阻。
[0013]在本發(fā)明所述陣列基板中，所述陣列基板還包括:
[0014]薄膜晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號，將所述數(shù)據(jù)信號傳輸至所述像素電極上。
[0015]在本發(fā)明所述陣列基板中，所述第二絕緣層的所述氮化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米；所述第二絕緣層的所述二氧化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米。
[0016]在本發(fā)明所述陣列基板中，所述第三絕緣層為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，所述第三絕緣層的厚度為100納米至200納米；所述第一絕緣層為氮化硅絕緣層，所述第一絕緣層的厚度為100納米至300納米；所述彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米；所述透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述透明電極層的厚度為10納米至100納米。
[0017]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，其包括:
[0018]在玻璃基板上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖形化處理，以形成掃描線以及薄膜晶體管的柵極；
[0019]在所述玻璃基板上沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，并對所述第一絕緣層以及所述半導(dǎo)體層進行圖形化處理，以形成所述薄膜晶體管的溝道；
[0020]在所述玻璃基板上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖形化處理，以形成數(shù)據(jù)線以及所述薄膜晶體管的漏極以及源極；
[0021]在所述玻璃基板上沉積第二絕緣層，并對所述第二絕緣層進行圖形化處理；
[0022]在所述圖形化處理后的所述第二絕緣層上沉積彩膜光阻層，以形成所述彩膜光阻；
[0023]在所述玻璃基板上沉積第三絕緣層，并對所述第三絕緣層進行圖形化處理，以在所述第三絕緣層上形成通孔；以及
[0024]在所述玻璃基板上沉積透明電極層，并對所述透明電極層進行圖形化處理，以形成像素電極；
[0025]其中所述第二絕緣層包括氮化硅絕緣層以及設(shè)置在所述氮化硅絕緣層上的二氧化娃絕緣層。
[0026]在本發(fā)明所述的陣列基板的制作方法中，所述第二絕緣層的所述氮化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米；所述第二絕緣層的所述二氧化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米。
[0027]在本發(fā)明所述的陣列基板的制作方法中，所述彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米。
[0028]在本發(fā)明所述的陣列基板的制作方法中，所述第三絕緣層為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，所述第三絕緣層的厚度為100納米至200納米；所述第一絕緣層為氮化硅絕緣層，所述第一絕緣層的厚度為100納米至300納米。
[0029]在本發(fā)明所述的陣列基板的制作方法中，所述透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述透明電極層的厚度為10納米至100納米。
[0030]相較于現(xiàn)有的陣列基板及其制作方法，本發(fā)明的陣列基板及其制作方法通過設(shè)置具有氮化硅絕緣層以及二氧化硅絕緣層的第二絕緣層，并將彩膜光阻設(shè)置在第二絕緣層的二氧化硅絕緣層上，使得彩膜光阻不易從第二絕緣層上脫落；解決了現(xiàn)有的陣列基板中彩膜光阻易從陣列基板上脫落的技術(shù)問題。
[0031]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明的陣列基板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的流程圖；
[0034]圖3A-圖3F為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的制作示意圖。

【具體實施方式】
[0035]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0036]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。
[0037]請參照圖1，圖1為本發(fā)明的陣列基板的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實施例的陣列基板10包括玻璃基板11、數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、薄膜晶體管以及彩膜光阻15。
[0038]其中在玻璃基板11上依次設(shè)置有第一金屬層、第一絕緣層13、半導(dǎo)體層、第二金屬層、第二絕緣層、彩膜光阻層、第三絕緣層16以及透明電極層。掃描線設(shè)置在第一金屬層上，用于傳輸掃描信號；數(shù)據(jù)線設(shè)置在第二金屬層上，用于傳輸數(shù)據(jù)信號；像素電極17設(shè)置在透明電極層上，用于顯示數(shù)據(jù)信號；薄膜晶體管包括源極122、漏極123、柵極121以及溝道124，其中薄膜晶體管的柵極121設(shè)置在第一金屬層上，與掃描線連接；薄膜晶體管的源極122上設(shè)置在第二金屬層上，與數(shù)據(jù)線連接；薄膜晶體管的漏極123設(shè)置在第二金屬層上，與像素電極17連接；薄膜晶體管的溝道124設(shè)置在半導(dǎo)體層。彩膜光阻15設(shè)置在彩膜光阻層上，用于形成RGB像素。
[0039]其中第一絕緣層13用于對數(shù)據(jù)線與掃描線進行絕緣處理，第三絕緣層16用于對彩膜光阻15和像素電極17進行絕緣處理，第二絕緣層用于對數(shù)據(jù)線和彩膜光阻15進行絕緣處理。
[0040]在本優(yōu)選實施例中，第二絕緣層包括與數(shù)據(jù)線接觸的氮化硅絕緣層141、以及與彩膜光阻15接觸的二氧化硅絕緣層142，即二氧化硅絕緣層142設(shè)置在氮化硅絕緣層141上。
[0041]其中第一金屬層的材料可為鉻、鑰、鋁或銅等，該第一金屬層的厚度為100納米至600納米。第一絕緣層13為氮化硅絕緣層，第一絕緣層13的厚度為100納米至300納米。第二金屬層的材料可為鉻、鑰、鋁或銅等，該第二金屬層的厚度為100納米至600納米。第二絕緣層的氮化硅絕緣層141的厚度為50納米至100納米；第二絕緣層的二氧化硅絕緣層142的厚度為50納米至100納米。彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米。第三絕緣層16為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，第三絕緣層16的厚度為100納米至200納米。透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，透明電極層的厚度為10納米至100納米。
[0042]本優(yōu)選實施例的陣列基板10制作時，采用氮化硅絕緣層141作為來保護薄膜晶體管的溝道124。由于氮化硅絕緣層141的材料質(zhì)地較為致密，因此可對薄膜晶體管的溝道124進行較好的絕緣保護。
[0043]同時該陣列基板10在氮化硅絕緣層141上設(shè)置有二氧化硅絕緣層142，彩膜光阻15直接設(shè)置在二氧化硅絕緣層142上，由于二氧化硅絕緣層142的材料質(zhì)地較氮化硅絕緣層141的材料質(zhì)地更為松散，二氧化硅絕緣層142的表面粗糙度遠遠高于氮化硅絕緣層，因此彩膜光阻15可以很好的粘附在二氧化硅絕緣層142的表面上，同時由于二氧化硅絕緣層142與氮化硅絕緣層141由于均為無機材料，二氧化硅絕緣層142與氮化硅絕緣層141之間也能牢固的粘附在一起，因此避免了彩膜光阻15從第二絕緣層上脫落問題的產(chǎn)生。
[0044]當(dāng)然為了進一步二氧化硅絕緣層142與彩膜光阻15之間的粘附力，可以在粘附彩膜光阻15之前，使用等離子體對二氧化硅絕緣層142的表面進行轟擊，以進一步提高二氧化硅絕緣層142的表面粗糙度。
[0045]本發(fā)明的陣列基板通過設(shè)置具有氮化硅絕緣層以及二氧化硅絕緣層的第二絕緣層，并將彩膜光阻設(shè)置在第二絕緣層的二氧化硅絕緣層上，使得彩膜光阻不易從第二絕緣層上脫落；避免了彩膜光阻從陣列基板上脫落的問題的產(chǎn)生。
[0046]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，請參照圖2，圖2為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的流程圖。本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法包括:
[0047]步驟S201，在玻璃基板上沉積第一金屬層，并對第一金屬層進行圖形化處理，以形成掃描線以及薄膜晶體管的柵極；
[0048]步驟S202，在玻璃基板上沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，并對第一絕緣層以及半導(dǎo)體層進行圖形化處理，以形成薄膜晶體管的溝道；
[0049]步驟S203，在玻璃基板上沉積第二金屬層，并對第二金屬層進行圖形化處理，以形成數(shù)據(jù)線、以及薄膜晶體管的漏極以及源極；
[0050]步驟S204，在玻璃基板上沉積第二絕緣層，并對第二絕緣層進行圖形化處理；
[0051]步驟S205，在圖形化處理后的第二絕緣層上沉積彩膜光阻層，以形成彩膜光阻；
[0052]步驟S206，在玻璃基板上沉積第三絕緣層，并對第三絕緣層進行圖形化處理，以在第三絕緣層上形成通孔；
[0053]步驟S207，在玻璃基板上沉積透明電極層，并對透明電極層進行圖形化處理，以形成像素電極；
[0054]本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法結(jié)束于步驟S207。
[0055]下面詳細(xì)說明本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作方法的各步驟的流程。請參照圖3A-圖3F，圖3A-圖3F為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的優(yōu)選實施例的制作示意圖。
[0056]在步驟S201中,在玻璃基板11上沉積第一金屬層，第一金屬層的材料可為鉻、鑰、鋁或銅等，第一金屬層的厚度為100納米至600納米。然后使用光罩對第一金屬層進行圖形化處理(濕法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，以形成掃描線(圖中未示出)以及薄膜晶體管的柵極121 (與相應(yīng)的掃描線連接)，如圖3A所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S202。
[0057]在步驟S202中，在玻璃基板11上沉積第一絕緣層13以及半導(dǎo)體層，其中第一絕緣層為氮化硅絕緣層，第一絕緣層的厚度為100納米至300納米；半導(dǎo)體層為非晶硅層。然后使用光罩對第一絕緣層以及所述半導(dǎo)體層進行圖形化處理(干法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，以形成薄膜晶體管的溝道124，如圖3B所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S203。
[0058]在步驟S203中，在玻璃基板11上沉積第二金屬層，第二金屬層的材料可為鉻、鑰、鋁或銅等，第二金屬層的厚度為100納米至600納米。然后使用光罩對第二金屬層進行圖形化處理(干法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，以形成數(shù)據(jù)線(圖中未示出)、以及薄膜晶體管的漏極123以及源極122 (與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接)，如圖3C所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S204。
[0059]在步驟S204中，在玻璃基板11上沉積第二絕緣層，第二絕緣層包括氮化硅絕緣層141以及設(shè)置在氮化硅絕緣層141上的二氧化硅絕緣層142。第二絕緣層的氮化硅絕緣層141的厚度為50納米至100納米；第二絕緣層的二氧化硅絕緣層142的厚度為50納米至100納米。然后使用光罩對第二絕緣層進行圖形化處理(干法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，如圖3D所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S205。
[0060]在步驟S205中，在圖形化處理后的第二絕緣層上沉積彩膜光阻層，該彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米，然后通過曝光顯影工藝形成彩膜光阻15，如圖3E所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S206。
[0061]在步驟S206中，在玻璃基板上沉積第三絕緣層16，第三絕緣層16為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，第三絕緣層16的厚度為100納米至200納米。然后使用光罩對第三絕緣層16進行圖形化處理(干法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，以在第三絕緣層上形成通孔161 ;如圖3F所示，隨后轉(zhuǎn)到步驟S207。
[0062]在步驟S207中，在玻璃基板11上沉積透明電極層，透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，透明電極層的厚度為10納米至100納米。然后使用光罩對透明電極層進行圖形化處理(濕法刻蝕之后對光刻膠進行剝離)，以形成像素電極17 ;該像素電極17通過通孔161與薄膜晶體管的漏極123連接，如圖1所示。
[0063]這樣即完成了本優(yōu)選實施例的陣列基板的制作過程。
[0064]本優(yōu)選實施例的陣列基板制作時，采用氮化硅絕緣層作為來保護薄膜晶體管的溝道。由于氮化硅絕緣層的材料質(zhì)地較為致密，因此可對薄膜晶體管的溝道進行較好的絕緣保護。
[0065]同時該陣列基板在氮化硅絕緣層上設(shè)置有二氧化硅絕緣層，彩膜光阻直接設(shè)置在二氧化硅絕緣層上，由于二氧化硅絕緣層的材料質(zhì)地較氮化硅絕緣層的材料質(zhì)地更為松散，二氧化硅絕緣層的表面粗糙度遠遠高于氮化硅絕緣層，因此彩膜光阻可以很好的粘附在二氧化硅絕緣層的表面上，同時由于二氧化硅絕緣層與氮化硅絕緣層由于均為無機材料，二氧化硅絕緣層與氮化硅絕緣層之間也能牢固的粘附在一起，因此避免了彩膜光阻從第二絕緣層上脫落問題的產(chǎn)生。
[0066]本發(fā)明的陣列基板的制作方法通過設(shè)置具有氮化硅絕緣層以及二氧化硅絕緣層的第二絕緣層，并將彩膜光阻設(shè)置在第二絕緣層的二氧化硅絕緣層上，使得彩膜光阻不易從第二絕緣層上脫落；避免了彩膜光阻從陣列基板上脫落的問題的產(chǎn)生。
[0067]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 玻璃基板，其上依次設(shè)置有第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、彩膜光阻層、第三絕緣層以及透明電極層； 其中所述第一絕緣層用于對所述第一金屬層與所述第二金屬層進行絕緣處理；所述第三絕緣層用于對所述彩膜光阻層和所述透明電極層進行絕緣處理；所述第二絕緣層用于對所述第二金屬層與所述彩膜光阻層進行絕緣處理；所述第二絕緣層包括氮化硅絕緣層以及設(shè)置在所述氮化硅絕緣層上的二氧化硅絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層包括用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線；所述第一金屬層包括用于傳輸掃描信號的掃描線；所述透明電極層包括用于顯示所述數(shù)據(jù)信號的像素電極；所述彩膜光阻層包括彩膜光阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 薄膜晶體管，用于根據(jù)所述掃描信號，將所述數(shù)據(jù)信號傳輸至所述像素電極上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層的所述氮化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米；所述第二絕緣層的所述二氧化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三絕緣層為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，所述第三絕緣層的厚度為100納米至200納米；所述第一絕緣層為氮化硅絕緣層，所述第一絕緣層的厚度為100納米至300納米；所述彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米；所述透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述透明電極層的厚度為10納米至100納米。
6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在玻璃基板上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖形化處理，以形成掃描線以及薄膜晶體管的柵極； 在所述玻璃基板上沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，并對所述第一絕緣層以及所述半導(dǎo)體層進行圖形化處理，以形成所述薄膜晶體管的溝道； 在所述玻璃基板上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖形化處理，以形成數(shù)據(jù)線、以及所述薄膜晶體管的漏極以及源極； 在所述玻璃基板上沉積第二絕緣層，并對所述第二絕緣層進行圖形化處理； 在所述圖形化處理后的所述第二絕緣層上沉積彩膜光阻層，以形成所述彩膜光阻； 在所述玻璃基板上沉積第三絕緣層，并對所述第三絕緣層進行圖形化處理，以在所述第三絕緣層上形成通孔；以及 在所述玻璃基板上沉積透明電極層，并對所述透明電極層進行圖形化處理，以形成像素電極； 其中所述第二絕緣層包括氮化硅絕緣層以及設(shè)置在所述氮化硅絕緣層上的二氧化硅絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的所述氮化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米；所述第二絕緣層的所述二氧化硅絕緣層的厚度為50納米至100納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述彩膜光阻層的厚度為500納米至2000納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第三絕緣層為氮化硅絕緣層或二氧化硅絕緣層，所述第三絕緣層的厚度為100納米至200納米；所述第一絕緣層為氮化硅絕緣層，所述第一絕緣層的厚度為100納米至300納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述透明電極層的厚度為10納米至100納米。
【文檔編號】G02F1/1362GK104166261SQ201410390605
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司