一種觸控面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸控面板及其制作方法。該觸控面板包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元，所述驅動電極單元與所述感應電極單元間隔分布，其中，每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。利用本發(fā)明，有效地降低了菱形ITO觸控電極之間耦合電容的變化對LCD顯示屏顯示效果的不利影響。
【專利說明】一種觸控面板及其制作方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術領域】，尤其是一種觸控面板及其制作方法。

【背景技術】
[0002]對于液晶顯示屏(Liquid Crystal Display,LCD)而言,液晶層中的液晶分子在公共電極與像素電極之間電場的作用下發(fā)生偏轉，使光線能夠通過液晶層或不通過液晶層，并通過控制像素電極上的電壓來調節(jié)液晶分子的偏轉量，進而控制顯示畫面的灰階變化。
[0003]通常，LCD顯示屏中公共電極與電容式觸控電極共用，電容式觸控電極包括驅動電極和感應電極，驅動電極與感應電極之間形成耦合電容，當有人體接觸觸摸屏時，人體電場就會影響該耦合電容的電容值，進而改變感應電極耦合出的電壓信號，驅動電極通過逐行掃描檢測到電壓信號的改變，感應電極對電壓信號發(fā)生改變的位置進行定位，進而能夠確定觸點位置。
[0004]如圖1所示，圖1是現有的菱形觸控電極在公共電極層中位置分布的俯視圖。以四個菱形觸控電極為例，實際上觸控電極是以陣列結構排列于公共電極層中，公共電極層每一行或每一列均設置有多個菱形觸控電極。圖1中，四個菱形觸控電極設置在同一層，豎直方向上的兩個菱形觸控電極為感應電極Rx，水平方向的兩個菱形觸控電極為驅動電極Tx，兩個感應電極直接連接，兩個驅動電極通過銦錫氧化物(ITO)橋10連接。
[0005]從圖1可以看出，菱形觸控電極中的驅動電極或感應電極的邊界與像素區(qū)中各像素單元的邊界是相互交叉，互不平行的。由于各菱形觸控電極的邊界與像素區(qū)中各像素單元的邊界相互交叉、互不平行，使各菱形觸控電極之間耦合電容的變化會在一定程度上影響像素電極與公共電極之間的電場，進而影響液晶分子的偏轉，最終體現在顯示效果上對IXD顯示屏的顯示效果產生不利影響。


【發(fā)明內容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種觸控面板及其制作方法，以降低菱形ITO觸控電極之間耦合電容的變化對LCD顯示屏顯示效果的不利影響。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種觸控面板，包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元，所述驅動電極單元與所述感應電極單元間隔分布，其中，每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。
[0008]優(yōu)選地，所述透明電極為四邊形透明電極，各四邊形透明電極在驅動電極單元或感應電極單元內是縱向設置的，任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元呈插指排列；在橫向，驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極間隔排列，相互絕緣；在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，且在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元采用過橋連接；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，且在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元采用過橋連接。
[0009]優(yōu)選地，所述黑矩陣形成于所述第一基板，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述第二基板。所述第一基板為彩色濾光(CF)基板，所述第二基板為薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板,所述顯示介質層為液晶層。所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述薄膜晶體管陣列基板的同一層，該層為公共電極層。
[0010]優(yōu)選地，所述四邊形透明電極的邊界在所述薄膜晶體管陣列基板非公共電極層的投影位于所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數據線覆蓋的范圍內或者與所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數據線覆蓋的范圍重合。
[0011]優(yōu)選地，所述四邊形透明電極為長方形透明電極或正方形透明電極。
[0012]優(yōu)選地，所述四邊形透明電極是采用銦錫氧化物ITO材料制作的ITO透明電極。
[0013]優(yōu)選地，所述任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間采用鈍化材料進行絕緣。
[0014]優(yōu)選地，所述鈍化材料采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG。
[0015]優(yōu)選地，所述過橋采用金屬過橋或ITO過橋。
[0016]為達到上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種制作上述觸控面板的方法，包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯不介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟，其中，在所述制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟中，將驅動電極單元與感應電極單元間隔分布，且每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。
[0017]優(yōu)選地，所述黑矩陣形成于所述第一基板，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述第二基板，所述第一基板為CF基板，所述第二基板為TFT陣列基板，所述顯示介質層為液晶層，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述TFT陣列基板的同一層，該層為公共電極層。
[0018]優(yōu)選地，所述制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟包括:在薄膜晶體管陣列基板上外延生長ITO層，對該ITO層進行刻蝕形成多個驅動電極單元和多個感應電極單元；在形成有多個驅動電極單元和多個感應電極單元的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層鈍化層，對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構；以及在于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成有絕緣結構的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層ITO層或金屬層，對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋。
[0019]優(yōu)選地，所述對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構的步驟中，還包括:對該鈍化層進行刻蝕，在橫向，于驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極之間形成絕緣結構；對該鈍化層進行刻蝕，在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，于相鄰的兩個驅動電極子單元之間形成絕緣結構；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，于相鄰的兩個感應電極子單元之間形成絕緣結構。
[0020]優(yōu)選地，所述對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋的步驟中，包括:在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋；或者,驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體,感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋。
[0021]本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，在位于其TFT陣列基板同一層的多個驅動電極單元和多個感應電極單元均包括多個透明電極，該透明電極的邊界在CF基板的投影位于CF基板的黑矩陣覆蓋的范圍內或者與CF基板的黑矩陣覆蓋的范圍重合，使該透明電極的邊界在CF基板上有黑矩陣遮擋。當有人體接觸觸摸屏產生觸摸(Touch)信號時，CF基板上的黑矩陣能夠遮擋觸控電極之間耦合電容的變化對像素電極與公共電極之間電場的影響，進而避免因觸控電極之間耦合電容的變化對液晶分子偏轉的影響，避免LCD顯示屏顯示效果不良的發(fā)生，優(yōu)化和提升IXD顯示屏的顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是現有的菱形觸控電極在公共電極層中位置分布的俯視圖。
[0023]圖2是現有的菱形觸控電極在觸摸顯示屏中位置分布的剖面圖。
[0024]圖3至圖3A是依照本發(fā)明實施例的觸控電極在公共電極層中位置分布的俯視圖。
[0025]圖4是依照本發(fā)明實施例的觸控電極在觸控面板中位置分布的剖面圖。
[0026]圖5A至圖5G是依照本發(fā)明實施例的制作圖3、圖3A和圖4中位于TFT陣列基板的多個驅動電極單元和多個感應電極單元的工藝流程圖。

【具體實施方式】
[0027]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。
[0028]本發(fā)明實施例提供了一種觸控面板及其制作方法，用以降低菱形ITO觸控電極之間耦合電容的變化對LCD顯示屏顯示效果的不利影響。
[0029]本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，是由電容式觸摸屏和顯示屏集成而制作的觸摸顯示屏，電容式觸摸屏內嵌于顯示屏中。電容式觸摸屏和顯示屏同時生產出來。這種觸摸顯示屏的設置方式不僅可以有效減小觸摸顯示屏的厚度，而且可以降低觸摸顯示屏制作工藝的難度，進而節(jié)約成本。但本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板結構不局限于內嵌電容式觸摸屏，也可以應用到外掛電容式觸摸屏。
[0030]下面簡單介紹一下上述由電容式觸摸屏和顯示屏集成而制作的觸摸顯示屏的結構。如圖2所示，圖2是現有的菱形觸控電極在觸摸顯示屏中位置分布的剖面圖。TFT陣列基板20、液晶層21和CF基板22自下而上依次疊層設置，TFT陣列基板20具有由ITO透明電極201形成的公共電極層和多條橫向設置的柵極線和數據線202，ITO透明電極201對應于圖1中示出的菱形觸控電極，柵極線和數據線202所處的位置對應于CF基板22中黑矩陣BM所處的位置。
[0031]本發(fā)明實施例提供的觸控面板，其包括的透明電極不同于圖1和圖2中所示的菱形觸控電極，其具體結構可以參照圖3、圖3A和圖4所示，其中圖3和圖3A均是依照本發(fā)明實施例的觸控電極在公共電極層中位置分布的俯視圖，圖3示出了柵極線和數據線，圖3A未示出柵極線和數據線，圖4是依照本發(fā)明實施例的觸控電極在觸摸顯示屏中位置分布的剖面圖。下面結合圖3、圖3A和圖4詳細說明本發(fā)明實施例提供的技術方案。
[0032]如圖3、圖3A和圖4所示，本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質層、黑矩陣(BM)、多個驅動電極單元31和多個感應電極單元32，所述驅動電極單元31與所述感應電極單元32間隔分布，其中，每個驅動電極單元31或感應電極單元32均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣(BM)的基板的投影位于所述黑矩陣(BM)覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣(BM)覆蓋的范圍重合。
[0033]在本實施例中，黑矩陣(BM)形成于第一基板，多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于第二基板，第一基板為CF基板22，第二基板為TFT陣列基板40，顯示介質層為液晶層21。較佳地，多個驅動電極單元31和多個感應電極單元32形成于TFT陣列基板40的同一層，即形成于TFT陣列基板40的公共電極層。
[0034]在本實施例中，透明電極為四邊形透明電極，如圖3和圖3A所示，各四邊形透明電極在任意一個驅動電極單元或感應電極單元內是縱向設置的，其邊界與TFT陣列基板的像素區(qū)中各像素單元的邊界相互平行。任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元呈插指排列。在橫向，驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極間隔排列，相互絕緣。在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，且在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元采用過橋連接；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，且在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元采用過橋連接。
[0035]這些四邊形透明電極的邊界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩陣BM覆蓋的范圍內或者與CF基板22的黑矩陣BM覆蓋的范圍重合，使這些四邊形透明電極的邊界在CF基板22上有黑矩陣BM來遮擋。當有人體接觸觸摸屏產生Touch信號時，CF基板22上的黑矩陣BM能夠遮擋由這些四邊形透明電極構成的驅動電極單元31與感應電極單元32之間耦合電容的變化對像素電極與公共電極之間電場的影響，進而避免了因驅動電極單元31與感應電極單元32之間耦合電容的變化對液晶分子偏轉的影響，避免了 LCD顯示屏顯示效果不良的發(fā)生，優(yōu)化和提升了 IXD顯示屏的顯示效果。
[0036]需要說明的是，在圖3、圖3A和圖4所示的實施例中，驅動電極單元31中的各驅動電極子單元在橫向采用過橋連接，此時相鄰的兩個感應電極單元32之間是不連接的。在實際應用中，驅動電極單元與感應電極單元的位置可以互換，即在其他實施例中，感應電極單元32中的各感應電極子單元在橫向可以采用過橋連接，且此時相鄰的兩個驅動電極單元31之間是不連接的。
[0037]較佳地，如圖4所示，四邊形透明電極的邊界在TFT陣列基板40非公共電極層的投影位于TFT陣列基板40的柵極線或數據線覆蓋的范圍內或者與TFT陣列基板40的柵極線或數據線覆蓋的范圍重合。
[0038]較佳地，四邊形透明電極為長方形透明電極或正方形透明電極，采用ITO材料制作而成。
[0039]較佳地,任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間采用鈍化材料進行絕緣，該鈍化材料可以采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃等，但不限于此。
[0040]較佳地，相鄰的兩個驅動電極單元31或感應電極單元32之間的過橋采用金屬過橋或ITO過橋，用以實現相鄰的兩個驅動電極單元31或感應電極單元32之間的電連接。
[0041]下面闡述本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，如何來降低菱形ITO觸控電極之間耦合電容的變化對LCD顯示屏顯示效果的不利影響。
[0042]參照圖3、圖3A和圖4所示，本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，在其TFT陣列基板40包括橫向設置的多個驅動電極單元31和多個感應電極單元32，這些驅動電極單元31與感應電極單元32是位于同一層，即TFT陣列基板40的公共電極層，每個驅動電極單元31或感應電極單元32均包括多個縱向設置的邊界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩陣覆蓋的范圍內或者與CF基板22的黑矩陣覆蓋的范圍重合的四邊形透明電極，這些四邊形透明電極的邊界在TFT陣列基板40非公共電極層的投影位于TFT陣列基板40的柵極線或數據線覆蓋的范圍內或者與TFT陣列基板40的柵極線或數據線覆蓋的范圍重合，由于TFT陣列基板40的柵極線和數據線402所處的位置對應于CF基板22上黑矩陣BM所處的位置，因此這些四邊形透明電極的邊界在CF基板22的投影位于CF基板22的黑矩陣BM覆蓋的范圍內或者與CF基板22的黑矩陣BM覆蓋的范圍重合，使這些四邊形透明電極的邊界在CF基板22上有黑矩陣BM來遮擋。當有人體接觸觸摸屏產生Touch信號時，CF基板22上的黑矩陣BM能夠遮擋由這些四邊形透明電極構成的驅動電極單元31與感應電極單元32之間耦合電容的變化對像素電極與公共電極之間電場的影響，進而避免因驅動電極單元31與感應電極單元32之間耦合電容的變化對液晶分子偏轉的影響，避免LCD顯示屏顯示效果不良的發(fā)生，優(yōu)化和提升了 IXD顯示屏的顯示效果。
[0043]進一步地，參照圖3、圖3A和圖4所示，本發(fā)明實施例還提供了一種制作圖3、圖3A和圖4所示的觸控面板的方法，該方法包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟，其中，在制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟中，將驅動電極單元與感應電極單元間隔分布，且每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。
[0044]較佳地，黑矩陣形成于第一基板，多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于第二基板，第一基板為CF基板，第二基板為TFT陣列基板，顯示介質層為液晶層，多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于TFT陣列基板的同一層，該層為公共電極層。
[0045]其中，制作CF基板、TFT陣列基板、位于CF基板和TFT陣列基板之間的顯示介質層、位于所述CF基板的黑矩陣BM的步驟采用現有技術中的工藝，這里就不再贅述，制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟包括:
[0046]步驟10:在薄膜晶體管陣列基板上外延生長ITO層，對該ITO層進行刻蝕形成多個驅動電極單元和多個感應電極單元；
[0047]步驟20:在形成有多個驅動電極單元和多個感應電極單元的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層鈍化層，對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構；
[0048]步驟30:在于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成有絕緣結構的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層ITO層或金屬層，對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋。
[0049]較佳地，步驟20中所述對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構,還包括:
[0050]對該鈍化層進行刻蝕，在橫向，于驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極之間形成絕緣結構；
[0051]對該鈍化層進行刻蝕，在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，于相鄰的兩個驅動電極子單元之間形成絕緣結構；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，于相鄰的兩個感應電極子單元之間形成絕緣結構。
[0052]較佳地，步驟30中所述對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋，包括:
[0053]在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋；
[0054]或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋。
[0055]以下圖5A至圖5G所示的實施例詳細描述制作位于TFT陣列基板的多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟。
[0056]如圖5A至圖5G所示，圖5A至圖5G是依照本發(fā)明實施例的制作圖3、圖3A和圖4中位于TFT陣列基板的多個驅動電極單元和多個感應電極單元的工藝流程圖，該方法包括以下步驟:
[0057]如圖5A所示，選擇一個基板作為TFT陣列基板51。
[0058]如圖5B所示，在該TFT陣列基板51上外延生長ITO層52。
[0059]如圖5C所示，對該ITO層52進行刻蝕，形成橫向設置的多個驅動電極單元52a和多個感應電極單元52b。
[0060]如圖所示，在形成有多個驅動電極單元52a和多個感應電極單元52b的TFT陣列基板51上外延生長一層鈍化層(PVX)，對該鈍化層進行刻蝕，于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構53。
[0061]如圖5E所示,在于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成有絕緣結構53的TFT陣列基板51上外延生長一層ITO層或金屬層54。
[0062]如圖5F所示，對該ITO層或金屬層54進行刻蝕，于相鄰的兩個驅動電極單元52a之間形成ITO過橋或金屬過橋55。
[0063]在上述實施例中，ITO過橋或金屬過橋55形成于相鄰的兩個驅動電極單元52a之間，在實際應用中，由于驅動電極單元與感應電極單元的位置可以互換，因此在其他實施例中，ITO過橋或金屬過橋55也可以形成于相鄰的兩個感應電極單元52b之間，其實現過程與上述實施例類似，這里就不再贅述。
[0064]從上述實施例可以看出，本發(fā)明實施例提供的這種觸控面板，通過對公共電極層中構成驅動電極單元與感應電極單元的四邊形透明電極進行圖形化設計，將這些四邊形透明電極的邊界在CF基板的投影位于CF基板的黑矩陣BM覆蓋的范圍內或者與CF基板的黑矩陣BM覆蓋的范圍重合，使這些四邊形透明電極的邊界在CF基板上有黑矩陣BM來遮擋。當有人體接觸觸摸屏產生Touch信號時，CF基板上的黑矩陣BM能夠遮擋由這些四邊形透明電極構成的驅動電極單元與感應電極單元之間耦合電容的變化對像素電極與公共電極之間電場的影響，進而避免因驅動電極單元與感應電極單元之間耦合電容的變化對液晶分子偏轉的影響，避免LCD顯示屏顯示效果不良的發(fā)生，優(yōu)化和提升了 LCD顯示屏的顯示效果。
[0065]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種觸控面板，包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯不介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元，所述驅動電極單元與所述感應電極單元間隔分布，其特征在于， 每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重入口 O
2.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于，所述透明電極為四邊形透明電極，各四邊形透明電極在驅動電極單元或感應電極單元內是縱向設置的，任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元呈插指排列； 在橫向，驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極間隔排列，相互絕緣； 在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，且在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元采用過橋連接；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，且在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元采用過橋連接。
3.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，所述黑矩陣形成于所述第一基板，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述第二基板。
4.根據權利要求3所述的觸控面板，其特征在于，所述第一基板為彩色濾光基板，所述第二基板為薄膜晶體管陣列基板，所述顯示介質層為液晶層。
5.根據權利要求4所述的觸控面板，其特征在于，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述薄膜晶體管陣列基板的同一層，該層為公共電極層。
6.根據權利要求4所述的觸控面板，其特征在于，所述四邊形透明電極的邊界在所述薄膜晶體管陣列基板非公共電極層的投影位于所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數據線覆蓋的范圍內或者與所述薄膜晶體管陣列基板的柵極線或數據線覆蓋的范圍重合。
7.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，所述四邊形透明電極為長方形透明電極或正方形透明電極。
8.根據權利要求2或7所述的觸控面板，其特征在于，所述四邊形透明電極是采用銦錫氧化物ITO材料制作的ITO透明電極。
9.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，所述任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間采用鈍化材料進行絕緣。
10.根據權利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述鈍化材料采用氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG。
11.根據權利要求2所述的觸控面板，其特征在于，所述過橋采用金屬過橋或ITO過橋。
12.—種權利要求1至11中任一項所述的觸控面板的制作方法，包括制作第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之間的顯示介質層、黑矩陣、多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟，其中，在所述制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟中，將驅動電極單元與感應電極單元間隔分布，且每個驅動電極單元或感應電極單元均包括多個透明電極，所述透明電極的邊界在具有所述黑矩陣的基板的投影位于所述黑矩陣覆蓋的范圍內或者與所述黑矩陣覆蓋的范圍重合。
13.根據權利要求12所述的觸控面板的制作方法，其特征在于，所述黑矩陣形成于所述第一基板，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述第二基板，所述第一基板為彩色濾光基板，所述第二基板為薄膜晶體管陣列基板，所述顯示介質層為液晶層，所述多個驅動電極單元和多個感應電極單元形成于所述薄膜晶體管陣列基板的同一層，該層為公共電極層。
14.根據權利要求13所述的觸控面板的制作方法，其特征在于，所述制作多個驅動電極單元和多個感應電極單元的步驟包括: 在薄膜晶體管陣列基板上外延生長ITO層，對該ITO層進行刻蝕形成多個驅動電極單元和多個感應電極單元； 在形成有多個驅動電極單元和多個感應電極單元的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層鈍化層，對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構；以及 在于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成有絕緣結構的薄膜晶體管陣列基板上外延生長一層ITO層或金屬層，對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋。
15.根據權利要求14所述的觸控面板的制作方法，其特征在于，所述對該鈍化層進行刻蝕于任意相鄰的驅動電極單元與感應電極單元之間形成絕緣結構的步驟中，還包括: 對該鈍化層進行刻蝕，在橫向，于驅動電極單元的四邊形透明電極與感應電極單元的四邊形透明電極之間形成絕緣結構； 對該鈍化層進行刻蝕，在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，于相鄰的兩個驅動電極子單元之間形成絕緣結構；或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，于相鄰的兩個感應電極子單元之間形成絕緣結構。
16.根據權利要求14所述的觸控面板的制作方法，其特征在于，所述對該ITO層或金屬層進行刻蝕形成ITO過橋或金屬過橋的步驟中，包括: 在縱向，感應電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，驅動電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個驅動電極子單元，相鄰的兩個驅動電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在驅動電極子單元所在的橫向各驅動電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋； 或者，驅動電極單元中的各四邊形透明電極連接為一體，感應電極單元中相鄰的兩個四邊形透明電極連接作為一個感應電極子單元，相鄰的兩個感應電極子單元之間相互絕緣，對該ITO層或金屬層進行刻蝕在感應電極子單元所在的橫向各感應電極子單元之間形成ITO過橋或金屬過橋。
【文檔編號】G02F1/1333GK104199578SQ201410392069
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月11日 優(yōu)先權日:2014年8月11日
【發(fā)明者】鄒祥祥 申請人:京東方科技集團股份有限公司