一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法。該方法包括：拉錐雙包層光纖；通過過渡光纖，連接拉錐后的所述雙包層光纖和光子晶體光纖。本發(fā)明有效地解決了現(xiàn)有技術中雙包層光纖和光子晶體光纖的熔接難度很大的問題。本發(fā)明通過過渡光纖來連接雙包層光纖和光子晶體光纖，避免直接連接雙包層光纖和光子晶體光纖；并且，在連接之前，對雙包層光纖進行拉錐，減小雙包層光纖的纖芯直徑和包層直徑。通過本發(fā)明可以有效降低雙包層光纖和光子晶體光纖的連接難度。
【專利說明】一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及激光電子【技術領域】，特別涉及一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法。

【背景技術】
[0002]光子晶體光纖(Photonic Crystal Fiber, PCF)是一種由單一介質構成的微結構光纖。光子晶體光纖由在二維方向上緊密排列、而在第三維方向(光纖的軸向)基本保持不變的波長量級的空氣孔構成。其中，全反射結構的光子晶體光纖的芯層為實芯材料，包層為周期性空氣孔結構。
[0003]光子晶體光纖具有的色散可調和高非線性的特性，其可以應用在寬光譜光纖激光器中作為非線性光譜展寬器，起到光譜展寬的作用。寬光譜光纖激光器的工作示意圖如附圖1所示。為了實現(xiàn)寬光譜光纖激光器的全光纖化，必須將泵浦源輸出的尾纖與光子晶體光纖熔接起來。
[0004]泵浦源的輸出尾纖通常為雙包層光纖，但是，雙包層光纖和光子晶體光纖的熔接難度很大。
[0005]一方面，如圖2所示，圖2是雙包層光纖和光子晶體光纖直接熔接的示意圖。其中，dDCFclad為雙包層光纖的包層直徑為雙包層光纖的纖芯直徑；drcFc:lad為光子晶體光纖的包層直徑；drcFc:OTe;為光子晶體光纖的纖芯直徑。在寬光譜光纖激光器中,泵浦源的輸出尾纖通常為大模面積雙包層光纖，其纖芯直徑dDC；Fc;OTe;在10 μ m以上,而光子晶體光纖的纖芯直徑drcFcOTe;通常很小，一般小于5 μ m,雙包層光纖的包層直徑dDC；Fc;lad也比光子晶體光纖的包層drcFc;lad直徑大很多。這樣，雙包層光纖和光子晶體光纖的模場直徑差異巨大，熔接時會造成模式失配損耗。
[0006]另一方面，光子晶體光纖的包層為周期多孔結構，很容易因放電不當造成氣孔塌陷，造成因光纖幾何變形導致的波導結構損耗。因此，兩種光纖的直接熔接會帶來極大損耗，一般直接熔接損耗在3dB以上，甚至造成激光完全無法通過。這種損耗降低了激光器的輸出功率，嚴重時還會造成激光器的損傷。


【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法，用以解決現(xiàn)有技術中雙包層光纖和光子晶體光纖的熔接難度很大的問題。
[0008]為解決上述技術問題，本發(fā)明是通過以下技術方案來解決的。
[0009]本發(fā)明提供了一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法，包括:拉錐雙包層光纖；通過過渡光纖，連接拉錐后的所述雙包層光纖和光子晶體光纖。
[0010]其中，通過過渡光纖，熔接拉錐后的所述雙包層光纖和光子晶體光纖，包括:將拉錐后的所述雙包層光纖與過渡光纖的一端進行熔接；將所述過渡光纖的另一端與光子晶體光纖進行熔接。
[0011]其中，拉錐后的所述雙包層光纖的包層直徑、所述過渡光纖的包層直徑等于光子晶體光纖的包層直徑；所述過渡光纖的纖芯直徑大于所述光子晶體光纖的纖芯直徑，且小于所述雙包層光纖的纖芯直徑。
[0012]其中，過渡光纖的纖芯直徑

【權利要求】
1.一種雙包層光纖和光子晶體光纖的連接方法，其特征在于，包括: 拉錐雙包層光纖； 通過過渡光纖，連接拉錐后的所述雙包層光纖和光子晶體光纖。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過過渡光纖，熔接拉錐后的所述雙包層光纖和光子晶體光纖，包括: 將拉錐后的所述雙包層光纖與過渡光纖的一端進行熔接； 將所述過渡光纖的另一端與光子晶體光纖進行熔接。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于， 拉錐后的所述雙包層光纖的包層直徑、所述過渡光纖的包層直徑等于光子晶體光纖的包層直徑； 所述過渡光纖的纖芯直徑大于所述光子晶體光纖的纖芯直徑，且小于所述雙包層光纖的纖芯直徑。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，過渡光纖的纖心直徑也atecore = dpcFcore十..........................................................................................? Δ-- ;其中，dPCFcore為光子晶體光纖的纖芯直徑;dDCFcore為雙包層光纖的纖芯直徑；Δ d為誤差值。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法，還包括: 在對雙包層光纖和過渡光纖進行熔接時，采用模式匹配熔接法，使所述雙包層光纖和所述過渡光纖模式匹配。
【文檔編號】G02B6/255GK104166183SQ201410422920
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權日:2014年8月25日
【發(fā)明者】李堯, 趙鴻, 張大勇, 王雄飛, 朱辰, 張昆, 郝金坪, 張利明 申請人:中國電子科技集團公司第十一研究所