一種用于大曲率透鏡表面的0.532微米與1.064微米倍頻減反射膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出用于大曲率透鏡表面的0.532微米與1.064微米倍頻減反射膜，包括透明基片和減反射膜系，減反射膜系由高折射率介質膜層和低折射率膜層交替疊加的12個膜層構成，適用于曲率半徑與口徑之比不小于1的大曲率透鏡表面，且具有較高的玻璃基底適應性，對由于不同鍍膜機參數不同而弓I起的高折射率鍍膜材料折射率n有較大的容限，穩(wěn)定性高。即基底折射率適用于1.46?1.60、高折射率材料折射率n=1.946?2.126，均滿足大曲率光學零件表面各點的光學性能在0.532ym與1.064ym波長處剩余反射率優(yōu)于0.4%的良好效果。
【專利說明】-種用于大曲率透鏡表面的0. 532微米與1.064微米倍頻 減反射膜

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于光學薄膜【技術領域】，主要涉及一種沉積于大曲率透鏡表面的倍頻減反 射膜，尤其涉及一種用于大曲率透鏡表面的帶有〇. 532微米與1. 064微米倍頻減反射膜系 的減反射膜。

【背景技術】
[0002] 0. 532 μ m與1. 064 μ m倍頻減反射膜在激光壓制觀瞄系統(tǒng)中應用廣泛，該倍頻減 反射膜性能的好壞決定了激光壓制觀瞄系統(tǒng)對敵方觀瞄系統(tǒng)進行壓制、干擾和損傷的作戰(zhàn) 效果。倍頻減反射膜的性能一般包括三個方面：光學性能、理化性能和抗激光損傷能力，其 中光學性能和抗激光損傷能力均與膜層厚度在零件表面的均勻性息息相關。目前，在膜層 沉積過程中提高膜厚均勻性的措施一般有修正檔板、行星夾具、散射淀積和多元蒸發(fā)等幾 種方法，這些方法可以有效地改善膜層在工件盤上的厚度均勻性，但對透鏡表面的膜厚分 布不均勻無能為力。這是由于沉積角度的不同使得同一透鏡表面各點的膜厚分布還會存在 一定的差異，這種差異在透鏡曲率較小時影響不太明顯，而在透鏡曲率較大時，將會引起薄 膜透射帶向短波方向發(fā)生較大的偏移，進而降低透鏡的整體透過率。這種偏移對于激光壓 制光瞄系統(tǒng)是非常致命的，并將最終影響到整機的使用性能，甚至帶來破壞性的后果。
[0003] 對0. 532μπι與1.064μπι倍頻減反射膜的膜系結構，許多文獻作了報道。據查新， 王明利、范正修等在1992年第3期《激光技術》雜志167?172頁發(fā)表了題為"倍頻雙波段 增透膜的研制"的論文，該論文公開了作者利用三層膜制備了雙波長增透膜，膜系的基本結 構為G/Zr0 2/Al203/Si02/Air，其光譜性能達到1. 06 μ m剩余反射率小于2 %，0. 532 μ m，剩余 反射率為1.5%。
[0004] 另外，房淑芬、付新華等曾在2007年第4期《長春理工大學學報》雜志44?45頁 發(fā)表了題為"晶體表面增透膜設計與工藝研究"的論文，該論文公開了作者利用三層膜制備 了雙波長增透膜，膜系的基本結構為G/MgF 2/LaF3/Gd203/Air，其光譜性能達到1. 06 μ m剩余 反射率小于〇· 1%，〇· 532μπι，剩余反射率為0· 2%。
[0005] 這些基于平面上鍍制雙波長減反射膜的方法在大曲率透鏡上有著難以克服的缺 點。以房淑芬論文中雙波長減反射膜為例（圖1所示），當此膜系鍍制在透鏡曲率半徑與口 徑之比等于1的大曲率透鏡上時，1.064 μ m時透鏡中心位置剩余反射率小于0. 1%，透鏡邊 緣位置剩余反射率增至3. 3% ;0. 532 μ m時透鏡中心位置剩余反射率小于0. 2%，透鏡邊緣 位置剩余反射率增至2. 4%。這種高的剩余反射不僅增加了系統(tǒng)噪聲，甚至帶來破壞性的嚴 重后果。


【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明目的是得到一種可滿足大曲率透鏡各點均具有較低剩余反射率的膜系結 構。本減反射膜適用于曲率半徑與口徑之比不小于1的大曲率透鏡表面，且具有較高的玻 璃基底適應性，對由于不同鍍膜機參數不同而引起的高折射率鍍膜材料折射率η有較大的 容限（低折射率鍍膜材料Si02折射率相對穩(wěn)定，微小變化幾乎不影響剩余反射率），穩(wěn)定性 高。即基底折射率適用于1. 46?1. 60、高折射率材料Ta205折射率η = 1. 946?2. 126,均 滿足大曲率光學零件表面各點的光學性能在〇. 532 μ m與1. 064 μ m波長處剩余反射率優(yōu)于 0. 4 %的良好效果。
[0007] 本發(fā)明的技術方案為：
[0008] 所述一種用于大曲率透鏡表面的0. 532微米與1. 064微米倍頻減反射膜，包括透 明基片和減反射膜系，其特征在于：所述減反射膜系由高折射率介質膜層和低折射率膜層 交替疊加的12個膜層構成，其中，第一膜層為Ta 205膜，膜層厚度11. 8nm，第一膜層鍍制在 所述透明基片的表面上；第二膜層為Si02膜，膜層厚度34. 5nm，并鍍制在所述第一膜層上； 第三膜層為Ta205膜，膜層厚度128. 5nm，并鍍制在所述第二膜層上；第四膜層為5102膜，膜 層厚度15. 2nm，并鍍制在所述第三膜層上；第五膜層為Ta205膜，膜層厚度48. 3nm，并鍍制 在所述第四膜層上；第六膜層為3102膜，膜層厚度30. 8nm，并鍍制在所述第五膜層上；第七 膜層為Ta205膜，膜層厚度65. lnm，并鍍制在所述第六膜層上；第八膜層為Si02膜，膜層厚 度189. 9nm，并鍍制在所述第七膜層上；第九膜層為Ta205膜，膜層厚度131nm，并鍍制在所述 第八膜層上；第十膜層為Si0 2膜，膜層厚度47. 9nm，并鍍制在所述第九膜層上；第十一膜層 為Ta205膜，膜層厚度39. 8nm，并鍍制在所述第十膜層上；第十二膜層為Si02膜，膜層厚度 130. 2nm，并鍍制在所述第十一膜層上。
[0009] 進一步的優(yōu)選方案，所述一種用于大曲率透鏡表面的0. 532微米與1. 064微米倍 頻減反射膜，其特征在于：所述透明基片為折射率為1. 46?1. 60的玻璃片，Ta205折射率η =L 946?2. 126范圍內。
[0010] 有益效果
[0011] 本發(fā)明發(fā)明人針對膜層沉積過程中，由于沉積角度的不同引起的大曲率透鏡表面 各點膜厚分布不均勻的現象，通過建立數學模型分析、計算大曲率透鏡表面的膜層厚度差 異，得到大曲率透鏡表面由于淀積角度造成的透鏡中心與邊緣的偏移量，進而采取展寬透 射區(qū)域的措施得到了透鏡表面各點在工作波段均具有良好光學性能的倍頻減反射膜的膜 系結構。并且該結構具有寬的基底折射率適應性，高的鍍膜材料折射率適應性。該倍頻減 反射膜可適用于曲率半徑與口徑之比不小于1的大曲率透鏡表面、基底折射率適用于η = 1. 46?1. 60范圍內、薄膜材料Ta205折射率η = 1. 946?2. 126范圍內，均滿足光學零件 表面各點的光學性能在〇. 532 μ m與1. 064 μ m波長處剩余反射率優(yōu)于0. 4%的良好效果。 本發(fā)明的突出優(yōu)點是膜層透射帶寬、透射特性好，適用范圍廣，可適用于曲率半徑與口徑之 比不小于1的所有透鏡甚至平面，具有良好的基底材料與鍍膜工藝適應性，且其表面各點 的光學性能在〇. 532 μ m與1. 064 μ m波長處剩余反射率均優(yōu)于0. 4%。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1舉例在透鏡中心點與邊緣位置0. 532μπι與1.064 μ m剩余反射率曲線。
[0013] 圖2是本發(fā)明0. 532μπι與1.064μπι倍頻減反射膜的結構示意圖。
[0014] 圖3是本發(fā)明第一優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0015] 圖4是本發(fā)明第二優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0016] 圖5是本發(fā)明第三優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0017] 圖6是本發(fā)明第四優(yōu)選實施例在0. 532 μ m與1. 064 μ m的剩余反射率曲線。
[0018] 圖7是本發(fā)明第五優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0019] 圖8是本發(fā)明第六優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0020] 圖9是本發(fā)明第七優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0021] 圖10是本發(fā)明第八優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0022] 圖11是本發(fā)明第九優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0023] 圖12是本發(fā)明第十優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0024] 圖13是本發(fā)明第^^一優(yōu)選實施例在0. 532μπι與1.064μπι的剩余反射率曲線。
[0025] 圖14是本發(fā)明第十二優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0026] 圖15是本發(fā)明第十三優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。
[0027] 圖16是本發(fā)明第十四優(yōu)選實施例在0.532μπι與1.064 μ m的剩余反射率曲線。

【具體實施方式】
[0028] 下面結合附圖及優(yōu)選實施例對本發(fā)明作進一步的詳述。
[0029] 根據圖2所示，本發(fā)明提供的0. 532 μ m與1. 064 μ m倍頻減反射膜包括透明基片 和減反射膜系結構。透明基片G選用折射率為1. 46?1. 60的透明玻璃。減反射膜系結構 為高折射率介質膜和低折射率介質膜交替疊加12層后構成的組合膜系，高折射率介質膜 層材料為五氧化二鉭（Ta 205)，低折射率介質膜層材料為二氧化娃（Si02)。其中，第一膜層為 11. 8nm厚的Ta205高折射率介質膜1，第二膜層為34. 5nm厚的Si02低折射率介質膜2,第三 膜層為128. 5nm厚的Ta205高折射率介質膜3,第四膜層為15. 2nm厚的Si02低折射率介質 膜4,第五膜層為48. 3nm厚的Ta205高折射率介質膜5,第六膜層為30. 8nm厚的Si02低折 射率介質膜6,第七膜層為65. lnm厚的Ta205高折射率介質膜7,第八膜層為189. 9nm厚的 Si02低折射率介質膜8,第九膜層為131nm厚的Ta205高折射率介質膜9,第十膜層為47. 9nm 厚的Si02低折射率介質膜10,第i^一膜層為39. 8nm厚的Ta205高折射率介質膜11，第十二 膜層為130. 2厚的Si02低折射率介質膜12。
[0030] 下面結合幾個具體優(yōu)選實施例說明本發(fā)明的實際效果。
[0031] 實施例1，選用K9玻璃基片，Ta205折射率為1. 996時，即為標準Ta205折射率，透 鏡曲率半徑與口徑之比等于1，此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1? 12, 第一至第十二膜層的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、 65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡 中心點位置在〇.532μπι與1.064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖3)，透鏡邊緣位置在 0. 532μπι波長處的剩余反射率=0. 137%，在1.064μπι波長處的剩余反射率=0. 085% ; 透鏡中心位置在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射 率=0· 028% ;
[0032] 實施例2,選用K9玻璃基片，Ta205折射率為1. 996時，即為標準Ta205折射率，透 鏡曲率半徑與口徑之比等于1. 5,此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1? 12,第一至第十二膜層的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、 65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡 中心點位置在0. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖4)，透鏡邊緣位置在 0.53211111波長處的剩余反射率=0.073%，在1.06411111波長處的剩余反射率=0.146%; 透鏡中心位置在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射 率=0· 028% ;
[0033] 實施例3,選用K9玻璃基片，Ta205折射率為1. 996時，即為標準Ta205折射率，透 鏡曲率半徑與口徑之比等于2,此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1? 12,第一至第十二膜層的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、 65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130· 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡 中心點位置在〇.532μπι與1.064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖5)，透鏡邊緣位置在 0.532 μ m波長處的剩余反射率=0. 184%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0.097% ; 透鏡中心位置在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射 率=0· 028% ;
[0034] 實施例4,選用K9玻璃基片，Ta205折射率為1. 996時，即為標準Ta205折射率，透 鏡曲率半徑與口徑之比等于…，此時透鏡為一平面，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第 一至第十二膜層的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、 189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡中心 點位置在〇.532μπι與1.064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖6)，透鏡邊緣位置在 0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.093%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0.028% ; 透鏡中心位置在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射 率=0· 028%。
[0035] 實施例5,選用石英玻璃平面基片，η = 1. 46, Ta205折射率為1. 996時，即為標準 Ta205折射率，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、 34. 5nm、128.5nm、15.2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、 130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在0. 532ym與1.064ym波長的剩余反射率曲線（參見 圖7)，在0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.084%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率= 0. 015% ;基底為K9玻璃時在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長 處的剩余反射率=0.028%。
[0036] 實施例6,選用K9玻璃平面基片，η = 1. 52, Ta205折射率為1. 996時，即為標準 Ta205折射率，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、 34.5nm、128.5nm、15.2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189.9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、 130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在0. 532ym與1.064ym波長的剩余反射率曲線（參見 圖8)，在0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.093%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率= 0. 028%。
[0037] 實施例7,選用ZK4玻璃平面基片，η = 1. 60, Ta205折射率為1. 996時，即為標準 Ta205折射率，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、 34.5nm、128.5nm、15.2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、 130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在0. 532ym與1.064ym波長的剩余反射率曲線（參見 圖9)，在0.532μπι波長處的剩余反射率=0. 189%，在1.064μπι波長處的剩余反射率= 0. 146%;基底為Κ9玻璃時在0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.093%，在1.064 μ m波長 處的剩余反射率=0.028%。
[0038] 實施例8,選用K9玻璃平面基片，Ta205折射率為1. 946時，依次鍍制第一至 第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、 48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在 0. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖10)，在0. 532 μ m波長處的剩余反 射率=0. 171 %，在1. 064 μ m波長處的剩余反射率=0. 07%;基底為K9玻璃時，標準Ta205 折射率在0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.093%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率= 0. 028%。
[0039] 實施例9,選用K9玻璃平面基片，Ta205折射率為1. 996時，即為標準Ta205折射 率，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、34. 5nm、 128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測 試獲得該平面鏡在〇. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖11)，在0. 532 μ m 波長處的剩余反射率=0. 093%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射率=0. 028%。
[0040] 實施例10,選用K9玻璃平面基片，Ta205折射率為2. 096時，依次鍍制第一至 第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、 48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在 0. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖12)，在0. 532 μ m波長處的剩余反射 率=0.058%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0. 112%;基底為K9玻璃時，標準Ta205 折射率在0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.093%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率= 0. 028%。
[0041] 實施例11，選用K9玻璃平面基片，Ta205折射率為2. 126時，依次鍍制第一至 第十二膜層1?12,第一至第十二膜層的厚度分別為11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、 48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試獲得該平面鏡在 0. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖13)，在0. 532 μ m波長處的剩余反射 率=0.075%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0. 191 %;基底為K9玻璃時，標準Ta205 折射率在0.53211111波長處的剩余反射率=0.093%，在1.06411111波長處的剩余反射率= 0. 028%。
[0042] 實施例12,選用ZK4玻璃基片，Ta205折射率為1.996時，即為標準Ta205折射率， 透鏡曲率半徑與口徑之比等于1，此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1? 12,第一至第十二膜層的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、 65. lnm、189. 9nm、131nm、47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡 中心點位置在0. 532 μ m與1. 064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖14)，透鏡邊緣位置在 0.532 μ m波長處的剩余反射率=0.221 %，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0.382% ; 透鏡中心位置在0. 532 μ m波長處的剩余反射率=0. 189%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射 率=0· 146% ;
[0043] 實施例13,選用K9玻璃基片，Ta205折射率為2. 126時，透鏡曲率半徑與口徑之 比等于1，此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層 的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、 47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡中心點位置在0. 532 μ m 與1.064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖15)，透鏡邊緣位置在0.532 μ m波長處的剩余 反射率=0. 037%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射率=0. 231 %;透鏡中心位置在0. 532 μ m 波長處的剩余反射率=0.075%，在1.064 μ m波長處的剩余反射率=0. 191%。
[0044] 實施例14,選用ZK4玻璃基片，Ta205折射率為2. 126時，透鏡曲率半徑與口徑之 比等于1，此時透鏡為大曲率透鏡，依次鍍制第一至第十二膜層1?12,第一至第十二膜層 的厚度分別為 11. 8nm、34. 5nm、128. 5nm、15. 2nm、48. 3nm、30. 8nm、65. lnm、189. 9nm、131nm、 47. 9nm、39. 8nm、130. 2nm。經測試分別獲得該透鏡邊緣位置和透鏡中心點位置在0. 532 μ m 與1.064 μ m波長的剩余反射率曲線（參見圖16)，透鏡邊緣位置在0.532 μ m波長處的剩余 反射率=0. 088%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射率=0. 302%;透鏡中心位置在0. 532 μ m 波長處的剩余反射率=0. 225%，在1. 064 μ m波長處的剩余反射率=0. 200%。
【權利要求】
1. 一種用于大曲率透鏡表面的0.532微米與1.064微米倍頻減反射膜，包括透明基片 和減反射膜系，其特征在于：所述減反射膜系由高折射率介質膜層和低折射率膜層交替疊 加的12個膜層構成，其中，第一膜層為Ta 205膜，膜層厚度11. 8nm，第一膜層鍍制在所述透 明基片的表面上；第二膜層為3丨02膜，膜層厚度34. 5nm，并鍍制在所述第一膜層上；第三 膜層為Ta205膜，膜層厚度128. 5nm，并鍍制在所述第二膜層上；第四膜層為5102膜，膜層厚 度15. 2nm，并鍍制在所述第三膜層上；第五膜層為Ta205膜，膜層厚度48. 3nm，并鍍制在所 述第四膜層上；第六膜層為Si02膜，膜層厚度30. 8nm，并鍍制在所述第五膜層上；第七膜 層為Ta205膜，膜層厚度65. lnm，并鍍制在所述第六膜層上；第八膜層為Si02膜，膜層厚度 189. 9nm，并鍍制在所述第七膜層上；第九膜層為Ta205膜，膜層厚度131nm，并鍍制在所述 第八膜層上；第十膜層為Si0 2膜，膜層厚度47. 9nm，并鍍制在所述第九膜層上；第十一膜層 為Ta205膜，膜層厚度39. 8nm，并鍍制在所述第十膜層上；第十二膜層為Si02膜，膜層厚度 130. 2nm，并鍍制在所述第十一膜層上。
2. 根據權利要求1所述一種用于大曲率透鏡表面的0. 532微米與1. 064微米倍頻減 反射膜，其特征在于：所述透明基片為折射率為1. 46?1. 60的玻璃片，Ta205折射率η = 1. 946?2. 126范圍內。
【文檔編號】G02B1/11GK104216034SQ201410442919
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權日:2014年9月2日
【發(fā)明者】劉永強, 楊崇民, 王養(yǎng)云, 王穎輝, 張建, 付韓俊, 張萬虎, 李明偉, 金柯 申請人:西安應用光學研究所