一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括：襯底基板，以及位于襯底基板上多個(gè)薄膜晶體管和與薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極；由于每個(gè)薄膜晶體管在襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的像素電極在襯底基板的正投影內(nèi)，這樣，數(shù)據(jù)線上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管對(duì)像素電極充電時(shí)，可以從像素電極的內(nèi)部向周圍進(jìn)行充電，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)像素電極的快速充電，從而可以提高對(duì)像素電極的充電效率，進(jìn)而可以提高平板顯示器的響應(yīng)速度。
【專利說(shuō)明】—種陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，發(fā)光二極管(Light Emitting D1de, LED)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de, OLED)、等離子顯不器(Plasma DisplayPanel, PDP)及液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)等平板顯示器發(fā)展迅速。
[0003]現(xiàn)有的平板顯示器中的陣列基板，如圖1所示，包括:襯底基板，以及位于襯底基板上的柵線101、數(shù)據(jù)線102、薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT) 103和像素電極104 ;薄膜晶體管103—般包括柵極105、有源層106、源極107以及漏極108，其中，柵極105與柵線101相連，源極107與數(shù)據(jù)線102相連，漏極108與像素電極104相連。以N型TFT為例，在柵線輸入高電位的掃描信號(hào)時(shí)，與柵線連接的TFT處于開(kāi)啟狀態(tài)，數(shù)據(jù)線加載的灰階信號(hào)通過(guò)TFT施加到像素電極上，對(duì)像素電極進(jìn)行充電。
[0004]在現(xiàn)有的陣列基板中，由于TFT中僅部分漏極與像素電極相互交疊，這樣，使得數(shù)據(jù)線加載的灰階信號(hào)通過(guò)TFT對(duì)像素電極充電時(shí)，只能從像素電極的邊緣中的一點(diǎn)，即像素電極與TFT中的漏極電性連接的位置，開(kāi)始對(duì)像素電極進(jìn)行充電，這樣，會(huì)導(dǎo)致對(duì)像素電極的充電效率較低，從而影響平板顯示器的響應(yīng)速度。
[0005]因此，如何提高對(duì)像素電極的充電效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，用以提高對(duì)像素電極的充電效率。
[0007]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:襯底基板，以及位于所述襯底基板上交叉而置的柵線和數(shù)據(jù)線、多個(gè)薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極；其中，每個(gè)所述薄膜晶體管包括相互絕緣的柵極和有源層，以及與所述有源層分別電性連接的源極和漏極；
[0008]每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的所述像素電極在所述襯底基板的正投影內(nèi)。
[0009]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極在所述襯底基板的正投影的中心。
[0010]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影覆蓋所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)域。
[0011]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)域在所述襯底基板的正投影，位于各所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影的中心；每個(gè)所述像素電極由呈兩行兩列排布的形狀相同且面積相等的四個(gè)分離的像素子電極組成，每個(gè)所述像素電極中的四個(gè)像素子電極均與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的漏極電性連接；
[0012]每個(gè)所述像素電極中兩列像素子電極在所述襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源極電性連接的數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的正投影的兩側(cè)；每個(gè)所述像素電極中兩行像素子電極在所述襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極電性連接的柵線在所述襯底基板的正投影的兩側(cè)。
[0013]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極包圍所述漏極，使所述源極和所述漏極之間形成閉合的溝道。
[0014]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述漏極在所述襯底基板的正投影的形狀為圓形，所述溝道在所述襯底基板的正投影的形狀為圓環(huán)形。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極和所述漏極均位于所述有源層的上方，所述柵極位于所述有源層的下方；
[0016]每個(gè)所述像素電極位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源極和漏極的上方。
[0017]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極和所述漏極均位于所述有源層的上方，所述柵極位于所述源極和所述漏極的上方；
[0018]每個(gè)所述像素電極位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極的上方，且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極相互絕緣。
[0019]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于各所述薄膜晶體管中的源極和漏極所在膜層與各所述像素電極所在膜層之間的鈍化層；
[0020]每個(gè)所述像素電極通過(guò)所述鈍化層中的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的漏極電性連接。
[0021]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:部分填充于所述過(guò)孔內(nèi)的隔墊物。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括:襯底基板，以及位于襯底基板上的多個(gè)薄膜晶體管和與薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極；由于每個(gè)薄膜晶體管在襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的像素電極在襯底基板的正投影內(nèi)，這樣，數(shù)據(jù)線上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管對(duì)像素電極充電時(shí)，可以從像素電極的內(nèi)部向周圍進(jìn)行充電，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)像素電極的快速充電，從而可以提高對(duì)像素電極的充電效率，進(jìn)而可以提聞平板顯不器的響應(yīng)速度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖2-圖7分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0026]圖8a為圖6沿AA方向的剖視圖；
[0027]圖Sb為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0028]圖9a_圖9d分別為圖6所示的陣列基板的制備方法在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖1Oa-圖1Oe分別為圖8a所示的陣列基板的制備方法在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0031]附圖中各膜層的形狀和厚度不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，如圖2所示，包括:襯底基板，以及位于襯底基板上交叉而置的柵線I和數(shù)據(jù)線2 (圖2以柵線和數(shù)據(jù)線相互垂直為例)、多個(gè)薄膜晶體管3和與薄膜晶體管3 —一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極4(圖2以其中一個(gè)薄膜晶體管和對(duì)應(yīng)的像素電極為例)；其中，每個(gè)薄膜晶體管3包括相互絕緣的柵極5和有源層6，以及與有源層6分別電性連接的源極7和漏極8 ；
[0033]每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影內(nèi)。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影內(nèi)，這樣，數(shù)據(jù)線2上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管3對(duì)像素電極4充電時(shí)，可以從像素電極4的內(nèi)部向周圍進(jìn)行充電，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)像素電極4的快速充電，從而可以提高對(duì)像素電極4的充電效率，進(jìn)而可以提高平板顯示器的響應(yīng)速度。
[0035]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖3所示，每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影的中心，這樣，數(shù)據(jù)線2上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管3對(duì)像素電極4充電時(shí)，可以從像素電極4的中心向周圍進(jìn)行充電，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)像素電極4更加均勻地充電，從而可以進(jìn)一步地提高對(duì)像素電極4的充電效率，進(jìn)而使具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器具有更快的響應(yīng)速度。
[0036]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影的中心，每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影覆蓋柵線I和數(shù)據(jù)線2的交疊區(qū)域，與現(xiàn)有的陣列基板中薄膜晶體管與柵線和數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)域互不重疊的情況相比，具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器可以具有更高的開(kāi)口率。
[0037]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖5所示，每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影的中心，柵線I和數(shù)據(jù)線2的交疊區(qū)域在襯底基板的正投影位于各薄膜晶體管3在襯底基板的正投影的中心，因此，柵線I和數(shù)據(jù)線2的交疊區(qū)域在襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極4在襯底基板的正投影的中心；每個(gè)像素電極4由呈兩行兩列排布的形狀相同且面積相等的四個(gè)分離的像素子電極組成，每個(gè)像素電極4中的四個(gè)像素子電極均與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的漏極8電性連接；并且，每個(gè)像素電極4中兩列像素子電極在襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的源極7電性連接的數(shù)據(jù)線2在襯底基板的正投影的兩側(cè)；每個(gè)像素電極4中兩行像素子電極在襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的柵極5電性連接的柵線I在襯底基板的正投影的兩側(cè)；這樣，每個(gè)薄膜晶體管3在襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的四個(gè)像素子電極在襯底基板的正投影的中心，數(shù)據(jù)線2上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管3對(duì)對(duì)應(yīng)的四個(gè)像素子電極進(jìn)行充電時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)對(duì)應(yīng)的四個(gè)像素子電極均勻地充電，從而提高對(duì)像素電極4的充電效率，進(jìn)而使具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器具有更快的響應(yīng)速度。
[0038]當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每個(gè)像素電極4的結(jié)構(gòu)并非局限于如圖2-圖4所示的面狀電極，也不局限于如圖5所示分為四個(gè)像素子電極，每個(gè)像素電極4還可以分為更多個(gè)像素子電極，在此不做限定。并且，每個(gè)像素電極4的形狀并非局限于如圖2-圖4所示的矩形，還可以為其他形狀，在此不做限定。
[0039]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖6所示，在每個(gè)薄膜晶體管3中，源極7包圍漏極8，使源極7和漏極8之間形成閉合的溝道9，這樣，可以在不影響平板顯示器的開(kāi)口率的前提下增大每個(gè)薄膜晶體管3中溝道9的寬長(zhǎng)比，從而可以增大對(duì)像素電極4的充電電流，進(jìn)而可以進(jìn)一步地提高對(duì)像素電極4的充電效率，使得具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器具有更快的響應(yīng)速度。
[0040]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖6所示，漏極8在襯底基板的正投影的形狀為圓形，溝道9在襯底基板的正投影的形狀為圓環(huán)形，這樣，可以使每個(gè)薄膜晶體管3中溝道9的寬長(zhǎng)比最大，從而使得對(duì)像素電極4的充電電流最大，進(jìn)而可以最大程度地提高對(duì)像素電極4的充電效率，使得具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器具有更快的響應(yīng)速度。圖7為四個(gè)如圖6所示結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管3和對(duì)應(yīng)的像素電極4的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]當(dāng)然，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每個(gè)薄膜晶體管3中的漏極8在襯底基板的正投影的形狀也可以為其他形狀，例如:多邊形等；每個(gè)薄膜晶體管3中的溝道9在襯底基板的正投影的形狀也可以為其他閉合的形狀，在此不做限定。
[0042]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每個(gè)薄膜晶體管3具體可以為底柵型結(jié)構(gòu)；或者，也可以為頂柵型結(jié)構(gòu)，在此不做限定。
[0043]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的薄膜晶體管3為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，如圖8a所示，圖8a為圖6沿AA方向的剖視圖，在每個(gè)薄膜晶體管3中，源極7和漏極8均位于有源層6的上方，柵極5位于有源層6的下方；每個(gè)像素電極4位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的源極7和漏極8的上方。
[0044]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中的薄膜晶體管3為頂柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，如圖8b所示，在每個(gè)薄膜晶體管3中，源極7和漏極8均位于有源層6的上方，柵極5位于源極7和漏極8的上方；每個(gè)像素電極4位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的柵極5的上方，且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的柵極5相互絕緣。其中，柵極5通過(guò)第一鈍化層10與源極7和漏極8相互絕緣，像素電極4通過(guò)第二鈍化層11與柵極5相互絕緣。
[0045]并且，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖8a和圖Sb所示，還可以包括:位于各薄膜晶體管3中的源極7和漏極8所在膜層與各像素電極4所在膜層之間的鈍化層12(圖Sb所示的第一鈍化層10和第二鈍化層11);每個(gè)像素電極4通過(guò)鈍化層12中的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的漏極8電性連接。在每個(gè)像素電極4由分離的四個(gè)像素子電極組成時(shí)，每個(gè)像素電極4中的四個(gè)像素子電極均通過(guò)鈍化層12中的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管3中的漏極8電性連接。
[0046]此外，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖8a和圖Sb所示，還可以包括:部分填充于過(guò)孔內(nèi)的隔墊物13，即隔墊物13的高度大于過(guò)孔的深度，并且，隔墊物13可以與過(guò)孔一一對(duì)應(yīng)，或者，也可以在部分過(guò)孔內(nèi)設(shè)置隔墊物13，在此不做限定；這樣，鈍化層12中的過(guò)孔還可以對(duì)隔墊物13起到一定的固定作用，在具有本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的平板顯示器受到外部壓力的作用時(shí)，可以防止隔墊物13滑動(dòng)而使平板顯示器出現(xiàn)顯示不良等問(wèn)題，從而可以提高平板顯示器的抗壓性能。
[0047]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖8a和圖Sb所示，源極7和漏極8均位于有源層6的上方，為了避免在對(duì)源極7和漏極8進(jìn)行構(gòu)圖工藝過(guò)程中，對(duì)位于源極7和漏極8下方的氧化物有源層6造成損壞，該陣列基板還可以包括:位于源極7和漏極8所在膜層與有源層6所在膜層之間的刻蝕阻擋層。
[0048]下面以制備如圖6和圖8a所示的陣列基板為例，對(duì)上述陣列基板的制備過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明，具體制備過(guò)程包括以下幾個(gè)步驟:
[0049](I)、在襯底基板上形成柵極5和柵線I的圖形，如圖9a和圖1Oa所示；
[0050](2)、在形成有柵極5和柵線I的襯底基板上沉積柵極絕緣層，如圖1Ob所示；
[0051](3)、在柵極絕緣層上形成有源層6的圖形，如圖9b和圖1Oc所示；
[0052](4)、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在形成有有源層6的襯底基板上形成源極7、漏極8和數(shù)據(jù)線2的圖形，其中，源極7和漏極8之間形成圓環(huán)形的溝道9，如圖9c和圖1Od所示；
[0053](5)、在形成有源極7、漏極8和數(shù)據(jù)線2的襯底基板上沉積鈍化層12，在漏極8上方的鈍化層12中形成過(guò)孔，如圖9d和圖1Oe所示；
[0054](6)、在鈍化層12上形成由四個(gè)像素子電極組成的像素電極4，該四個(gè)像素子電極均通過(guò)鈍化層12中的過(guò)孔與漏極8電性連接，如圖6和圖8a所示。
[0055]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括:襯底基板，以及位于襯底基板上的多個(gè)薄膜晶體管和與薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極；由于每個(gè)薄膜晶體管在襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的像素電極在襯底基板的正投影內(nèi)，這樣，數(shù)據(jù)線上加載的灰階信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管對(duì)像素電極充電時(shí)，可以從像素電極的內(nèi)部向周圍進(jìn)行充電，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)像素電極的快速充電，從而可以提高對(duì)像素電極的充電效率，進(jìn)而可以提聞平板顯不器的響應(yīng)速度。
[0057]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:襯底基板，以及位于所述襯底基板上交叉而置的柵線和數(shù)據(jù)線、多個(gè)薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素電極；其中，每個(gè)所述薄膜晶體管包括相互絕緣的柵極和有源層，以及與所述有源層分別電性連接的源極和漏極；其特征在于: 每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影完全位于對(duì)應(yīng)的所述像素電極在所述襯底基板的正投影內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影位于對(duì)應(yīng)的像素電極在所述襯底基板的正投影的中心。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影覆蓋所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)域在所述襯底基板的正投影，位于各所述薄膜晶體管在所述襯底基板的正投影的中心；每個(gè)所述像素電極由呈兩行兩列排布的形狀相同且面積相等的四個(gè)分離的像素子電極組成，每個(gè)所述像素電極中的四個(gè)像素子電極均與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的漏極電性連接； 每個(gè)所述像素電極中兩列像素子電極在所述襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源極電性連接的數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的正投影的兩側(cè)；每個(gè)所述像素電極中兩行像素子電極在所述襯底基板的正投影，位于與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極電性連接的柵線在所述襯底基板的正投影的兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極包圍所述漏極，使所述源極和所述漏極之間形成閉合的溝道。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極在所述襯底基板的正投影的形狀為圓形，所述溝道在所述襯底基板的正投影的形狀為圓環(huán)形。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極和所述漏極均位于所述有源層的上方，所述柵極位于所述有源層的下方； 每個(gè)所述像素電極位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的源極和漏極的上方。
8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在每個(gè)所述薄膜晶體管中，所述源極和所述漏極均位于所述有源層的上方，所述柵極位于所述源極和所述漏極的上方； 每個(gè)所述像素電極位于對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極的上方，且與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的柵極相互絕緣。
9.如權(quán)利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于各所述薄膜晶體管中的源極和漏極所在膜層與各所述像素電極所在膜層之間的鈍化層； 每個(gè)所述像素電極通過(guò)所述鈍化層中的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管中的漏極電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括:部分填充于所述過(guò)孔內(nèi)的隔墊物。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK104269410SQ201410446700
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月3日
【發(fā)明者】馬俊才 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司