相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法,屬于顯示領(lǐng)域。其中,該相移掩模板,用于制作陣列基板像素區(qū)和扇出區(qū)的信號(hào)線,所述相移掩膜板包括依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠減少像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線之間的線寬差異。
【專(zhuān)利說(shuō)明】相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別是指一種相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]掩模板(mask)又稱(chēng)光掩?;蚬庹?,是連接設(shè)計(jì)端與工藝制造端的紐帶和橋梁。隨著設(shè)計(jì)技術(shù)與制造工藝的進(jìn)步,目前出現(xiàn)了相移掩模板,相移掩模板即在襯底上方形成圖案的同時(shí),還形成相移層區(qū)和非相移層區(qū),在利用相移掩模板進(jìn)行曝光工藝時(shí),通過(guò)相移層區(qū)的光線會(huì)產(chǎn)生180°的相位改變,從而達(dá)到更好的控制圖案關(guān)鍵尺寸(CD)的目的。
[0003]未來(lái)平板顯示的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)之一就是高分辨率的實(shí)現(xiàn),為了這個(gè)目標(biāo),邊緣相移掩模板作為一種重要的提高高分辨率的技術(shù),也應(yīng)用于薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)陣列基板的制備中。如圖1A和圖1B所示,現(xiàn)有技術(shù)中常用的邊緣相移掩模板的結(jié)構(gòu)為:在具有較穩(wěn)定的熱光電性能的襯底I上通過(guò)一定的工藝形成圖案,通常采用石英等透明介質(zhì)作為襯底I ;在襯底I上方通過(guò)圖案材料的沉積、光刻,顯影,刻蝕,剝離等工序形成透過(guò)率低(8%左右)的具有圖案的相移層2,通常相移層使用光透過(guò)率低且能使光線的相位反轉(zhuǎn)180° ±10°的材料;在相移層2上通過(guò)圖案材料的沉積、光刻,顯影,刻蝕,剝離等工序形成不透光的遮光層3,由圖1B可以看出,遮光層3位于相移層2之上,且遮光層3的寬度小于對(duì)應(yīng)相移層2的寬度,通常遮光層采用鉻來(lái)制作。使用該邊緣相移掩模板可以將圖案投影在基板上,從而在基板上方完成薄膜晶體管陣列基板的各構(gòu)成層的圖形的轉(zhuǎn)印,進(jìn)而制備完成薄膜晶體管陣列基板。通過(guò)邊緣相移掩模板的相移層區(qū)的光線的相位發(fā)生了反轉(zhuǎn)(180° ),而通過(guò)非相移層區(qū)的光線的相位保持不改變。邊緣相移掩模板中,由于相消干涉(即光的干涉被破壞),因此能提高采用相移掩模板圖案形成的圖形的分辨率。
[0004]在應(yīng)用邊緣相移掩膜板制作陣列基板像素區(qū)和扇出區(qū)的信號(hào)線之后,如圖2所示,發(fā)現(xiàn)在相移掩膜板上同樣的圖案,光刻工藝后形成在像素區(qū)的信號(hào)線的線寬比形成在扇出區(qū)的信號(hào)線的線寬要窄,彼此之間的差異能達(dá)到2-3um。導(dǎo)致這種不良的原因有:(1)從布局上看,像素區(qū)的信號(hào)線走線比較稀疏,而扇出區(qū)的信號(hào)線走線比較稠密。在形成信號(hào)線時(shí),是對(duì)信號(hào)線之間的光刻膠進(jìn)行曝光,而對(duì)信號(hào)線上的光刻膠不進(jìn)行曝光,以正性光刻膠為例,受到曝光的光刻膠變性而被顯影掉。這樣在顯影時(shí),由于扇出區(qū)的信號(hào)線走線十分稠密所以信號(hào)線之間的光刻膠較難被顯影掉,使得扇出區(qū)信號(hào)線的寬度比較大;(2)從光強(qiáng)分布來(lái)看,扇出區(qū)的信號(hào)線走線十分稠密,對(duì)光強(qiáng)的影響較大,因此,扇出區(qū)的信號(hào)線之間的光刻膠接受到的光強(qiáng)就比較弱,以正性光刻膠為例,受到曝光被顯影掉掉的光刻膠比較少,進(jìn)一步使得扇出區(qū)信號(hào)線的寬度比較大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法,能夠減少像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線之間的線寬差異。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面,提供一種相移掩模板,用于制作陣列基板像素區(qū)和扇出區(qū)的信號(hào)線,所述相移掩膜板包括依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
[0008]進(jìn)一步地,所述第一遮光圖案由位于襯底上的相移層形成,所述第二遮光圖案由位于襯底上的相移層和位于相移層上的不透光層形成。
[0009]進(jìn)一步地,所述不透光層的材料為鉻。
[0010]進(jìn)一步地,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的信號(hào)線,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于扇出區(qū)的信號(hào)線。
[0011]進(jìn)一步地,每一信號(hào)線包括有位于像素區(qū)的第一走線和與所述第一走線連接、位于扇出區(qū)的第二走線,以第n+1條信號(hào)線的第一走線和第二走線所成角的平分線為界,將第η條信號(hào)線劃分為像素區(qū)側(cè)的第一部分和扇出區(qū)的第二部分,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第一部分,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第二部分,其中,所述第n+1條信號(hào)線位于所述第η條信號(hào)線的第一方向上,所述第一方向?yàn)樯刃螀^(qū)信號(hào)線由疏到密的方向。
[0012]進(jìn)一步地,所述信號(hào)線包括數(shù)據(jù)線和柵線。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述相移掩模板的制作方法,所述制作方法包括:
[0014]提供一襯底;
[0015]在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
[0016]進(jìn)一步地,所述在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案包括:
[0017]在所述襯底上依次形成相移層和不透光層,并在所述不透光層上涂覆光刻膠;
[0018]顯影后去除所述遮光圖案區(qū)域外的光刻膠;
[0019]通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述遮光圖案區(qū)域外的相移層和不透光層;
[0020]通過(guò)濕刻工藝對(duì)剩余的不透光層進(jìn)行刻蝕減薄;
[0021]去除剩余的光刻膠;
[0022]在經(jīng)過(guò)上述步驟的襯底上涂覆光刻膠;
[0023]顯影后去除第一遮光圖案區(qū)域的光刻膠;
[0024]通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述第一遮光圖案區(qū)域的不透光層;
[0025]去除剩余的光刻膠。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法,包括:
[0027]形成導(dǎo)電層;
[0028]在所述導(dǎo)電層上涂覆光刻膠;
[0029]使用上述的相移掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,顯影后形成對(duì)應(yīng)于所述遮光圖案的光刻膠保留區(qū)域;
[0030]通過(guò)刻蝕工藝形成像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線;
[0031]去除剩余的光刻膠。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板,為采用上述的制作方法制成。
[0033]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0034]上述方案中,相移掩膜板的每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng),相移掩膜板的這種設(shè)計(jì)能夠使得在曝光時(shí),像素區(qū)的信號(hào)線之間的光刻膠接受到的光強(qiáng)比較弱,減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,從而減少像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1A為邊緣相移掩模板的平面示意圖;
[0036]圖1B為邊緣相移掩模板的剖面示意圖;
[0037]圖2為像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線的示意圖;
[0038]圖3為利用邊緣相移掩膜板進(jìn)行曝光的示意圖;
[0039]圖4為利用邊緣相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),掩模板下方光刻膠接受到的光強(qiáng)分布示意圖;
[0040]圖5為利用無(wú)鉻相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),掩模板下方光刻膠接受到的光強(qiáng)分布示意圖;
[0041]圖6A為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板的平面不意圖;
[0042]圖6B為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板a方向上的剖面不意圖;
[0043]圖6C為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板b方向上的剖面不意圖;
[0044]圖7A為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板的平面不意圖;
[0045]圖7B為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板a方向上的剖面不意圖;
[0046]圖7C為本發(fā)明實(shí)施例一相移掩模板b方向上的剖面不意圖;
[0047]圖8為本發(fā)明實(shí)施例相移掩模板的制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0049]本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異較大的問(wèn)題,提供一種相移掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法,能夠減少像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線之間的線寬差異。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種相移掩模板,用于制作陣列基板像素區(qū)和扇出區(qū)的信號(hào)線,其中,所述相移掩膜板包括依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
[0051]本發(fā)明的相移掩膜板的每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng),相移掩膜板的這種設(shè)計(jì)能夠使得在曝光時(shí),像素區(qū)的信號(hào)線之間的光刻膠接受到的光強(qiáng)比較弱,減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,從而減少像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異。
[0052]具體地,所述第一遮光圖案由位于襯底上的相移層形成,所述第二遮光圖案由位于襯底上的相移層和位于相移層上的不透光層形成。
[0053]進(jìn)一步地,所述不透光層的材料可以為鉻。
[0054]進(jìn)一步地,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的信號(hào)線,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于扇出區(qū)的信號(hào)線。
[0055]進(jìn)一步地,每一信號(hào)線包括有位于像素區(qū)的第一走線和與所述第一走線連接、位于扇出區(qū)的第二走線,以第n+1條信號(hào)線的第一走線和第二走線所成角的平分線為界,將第η條信號(hào)線劃分為像素區(qū)側(cè)的第一部分和扇出區(qū)的第二部分,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第一部分,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第二部分,其中,所述第n+1條信號(hào)線位于所述第η條信號(hào)線的第一方向上,所述第一方向?yàn)樯刃螀^(qū)信號(hào)線由疏到密的方向。
[0056]進(jìn)一步地,所述信號(hào)線包括數(shù)據(jù)線和柵線。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種如上所述相移掩模板的制作方法,所述制作方法包括:
[0058]提供一襯底;
[0059]在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
[0060]本發(fā)明制作的相移掩膜板中,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用該相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng),相移掩膜板的這種設(shè)計(jì)能夠使得在曝光時(shí),像素區(qū)的信號(hào)線之間的光刻膠接受到的光強(qiáng)比較弱,減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,從而減少像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異。
[0061]進(jìn)一步地,所述在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案包括:
[0062]在所述襯底上依次形成相移層和不透光層,并在所述不透光層上涂覆光刻膠;
[0063]顯影后去除所述遮光圖案區(qū)域外的光刻膠;
[0064]通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述遮光圖案區(qū)域外的相移層和不透光層;
[0065]通過(guò)濕刻工藝對(duì)剩余的不透光層進(jìn)行刻蝕減??;
[0066]去除剩余的光刻膠;
[0067]在經(jīng)過(guò)上述步驟的襯底上涂覆光刻膠;
[0068]顯影后去除第一遮光圖案區(qū)域的光刻膠;
[0069]通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述第一遮光圖案區(qū)域的不透光層;
[0070]去除剩余的光刻膠。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法,包括:
[0072]形成導(dǎo)電層;
[0073]在所述導(dǎo)電層上涂覆光刻膠;
[0074]使用如上所述的相移掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,顯影后形成對(duì)應(yīng)于所述遮光圖案的光刻膠保留區(qū)域;
[0075]通過(guò)刻蝕工藝形成像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線;
[0076]去除剩余的光刻膠。
[0077]本發(fā)明的制作方法中,在利用相移掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng),這樣能夠使得在曝光時(shí),像素區(qū)的信號(hào)線之間的光刻膠接受到的光強(qiáng)比較弱,減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,從而減少像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異。
[0078]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板,為采用如上所述的制作方法制成。
[0079]下面結(jié)合附圖以及具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的相移掩膜板及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹:
[0080]圖4為利用邊緣相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),掩模板下方光刻膠接受到的光強(qiáng)分布示意圖,圖5為利用無(wú)鉻相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),掩模板下方光刻膠接受到的光強(qiáng)分布示意圖,由圖4和圖5可以看出,在利用邊緣相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),遮光圖案下區(qū)域基本不接受光強(qiáng),遮光圖案之間區(qū)域接受到的光強(qiáng)比較大;在利用無(wú)鉻相移掩模板進(jìn)行曝光時(shí),遮光圖案下區(qū)域接受到部分光強(qiáng),遮光圖案之間區(qū)域接收到的光強(qiáng)比較小,這樣將無(wú)鉻相移掩膜板和邊緣相移掩膜板相結(jié)合,可以減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異。
[0081]實(shí)施例一
[0082]本實(shí)施例的相移掩膜板的制作方法包括以下步驟:
[0083]步驟al,如圖8(1)所示,提供襯底1,襯底I可以為玻璃基板或石英基板。在襯底I上依次形成相移層2和不透光層3,不透光層3的材料為鉻,并在不透光層3上涂覆光刻膠4 ;
[0084]步驟a2,如圖8(2)所示,顯影后去除遮光圖案區(qū)域外的光刻膠,通過(guò)干刻工藝刻蝕掉遮光圖案區(qū)域外的相移層2和不透光層3 ;
[0085]步驟a3,如圖8(3)所示,通過(guò)濕刻工藝對(duì)剩余的不透光層3進(jìn)行刻蝕減?。?br>
[0086]步驟a4,如圖8⑷所示,去除剩余的光刻膠;
[0087]步驟a5,如圖8(5)所示,在經(jīng)過(guò)上述步驟的襯底上涂覆光刻膠4 ;
[0088]步驟a6,如圖8(6)所示,顯影后去除第一遮光圖案區(qū)域的光刻膠4 ;
[0089]步驟a7,如圖8(7)所示,通過(guò)干刻工藝刻蝕掉第一遮光圖案區(qū)域的不透光層3 ;
[0090]步驟a8,如圖8 (8)所示,去除剩余的光刻膠,即可形成如圖6A所示的相移掩膜板,圖6A所不相移掩膜板a方向上的剖面不意圖如圖6B所不,圖6A所不相移掩膜板b方向上的剖面示意圖如圖6C所示。
[0091]可見(jiàn),本實(shí)施例的相移掩膜板中,對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的信號(hào)線的遮光圖案由位于襯底上的相移層形成,對(duì)應(yīng)于扇出區(qū)的信號(hào)線的遮光圖案由位于襯底上的相移層和位于相移層上的不透光層形成。這樣,在利用該相移掩膜板進(jìn)行曝光制作信號(hào)線時(shí),對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的信號(hào)線的遮光圖案之間的光刻膠接收的光照比較弱,對(duì)應(yīng)于扇出區(qū)的信號(hào)線的遮光圖案之間的光刻膠接收的光照比較強(qiáng),從而減少像素區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與扇出區(qū)信號(hào)線之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,進(jìn)而減少刻蝕后形成的像素區(qū)信號(hào)線和扇出區(qū)信號(hào)線之間的線寬差異,使制作的陣列基板像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線之間的線寬差小于2um。
[0092]實(shí)施例二
[0093]本實(shí)施例的相移掩膜板的制作方法包括以下步驟:
[0094]步驟bl,如圖8(1)所示,提供襯底1,襯底I可以為玻璃基板或石英基板。在襯底I上依次形成相移層2和不透光層3,不透光層3的材料為鉻,并在不透光層3上涂覆光刻膠4 ;
[0095]步驟b2,如圖8(2)所示,顯影后去除遮光圖案區(qū)域外的光刻膠,通過(guò)干刻工藝刻蝕掉遮光圖案區(qū)域外的相移層2和不透光層3 ;
[0096]步驟b3,如圖8(3)所示,通過(guò)濕刻工藝對(duì)剩余的不透光層3進(jìn)行刻蝕減?。?br>
[0097]步驟b4,如圖8⑷所示,去除剩余的光刻膠;
[0098]步驟b5,如圖8(5)所示,在經(jīng)過(guò)上述步驟的襯底上涂覆光刻膠4 ;
[0099]步驟b6,如圖8(6)所示,顯影后去除第一遮光圖案區(qū)域的光刻膠4 ;
[0100]步驟b7,如圖8(7)所示,通過(guò)干刻工藝刻蝕掉第一遮光圖案區(qū)域的不透光層3 ;
[0101]步驟b8,如圖8 (8)所示,去除剩余的光刻膠,即可形成如圖7A所示的相移掩膜板,圖7A所示相移掩膜板a方向上的剖面示意圖如圖7B所示,圖7A所示相移掩膜板b方向上的剖面示意圖如圖7C所示。
[0102]由圖2可以看出,每一信號(hào)線包括有位于像素區(qū)的第一走線和與第一走線連接、位于扇出區(qū)的第二走線,以第n+1條信號(hào)線的第一走線和第二走線所成角的平分線為界,將第η條信號(hào)線劃分為像素區(qū)側(cè)的第一部分和扇出區(qū)的第二部分,其中,第n+1條信號(hào)線位于第η條信號(hào)線的第一方向上,第一方向?yàn)樯刃螀^(qū)信號(hào)線由疏到密的方向,可以看出第一部分的信號(hào)線的寬度小于第二部分的信號(hào)線的寬度。
[0103]為了減小信號(hào)線的第一部分和第二部分的線寬差異,本實(shí)施例的相移掩膜板包括有第一遮光圖案和第二遮光圖案,第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的第一部分,第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的第二部分,第一遮光圖案由位于襯底上的相移層形成,第二遮光圖案由位于襯底上的相移層和位于相移層上的不透光層形成,這樣,在利用該相移掩膜板進(jìn)行曝光制作信號(hào)線時(shí),第一遮光圖案之間的光刻膠接收的光照比較弱,第二遮光圖案之間的光刻膠接收的光照比較強(qiáng),從而減少信號(hào)線的第一部分之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)與信號(hào)線的第二部分之間的光刻膠接收到的光強(qiáng)的差異,進(jìn)而減少刻蝕后形成的信號(hào)線的第一部分和第二部分的線寬差異,使制作的陣列基板信號(hào)線第一部分和第二部分之間的線寬差小于2um0
[0104]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種相移掩模板,用于制作陣列基板像素區(qū)和扇出區(qū)的信號(hào)線,其特征在于,所述相移掩膜板包括依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩模板,其特征在于,所述第一遮光圖案由位于襯底上的相移層形成,所述第二遮光圖案由位于襯底上的相移層和位于相移層上的不透光層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相移掩模板,其特征在于,所述不透光層的材料為鉻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相移掩模板,其特征在于,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的信號(hào)線,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于扇出區(qū)的信號(hào)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相移掩模板,其特征在于,每一信號(hào)線包括有位于像素區(qū)的第一走線和與所述第一走線連接、位于扇出區(qū)的第二走線,以第n+1條信號(hào)線的第一走線和第二走線所成角的平分線為界,將第η條信號(hào)線劃分為像素區(qū)側(cè)的第一部分和扇出區(qū)的第二部分,所述第一遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第一部分,所述第二遮光圖案對(duì)應(yīng)于信號(hào)線的所述第二部分,其中,所述第n+1條信號(hào)線位于所述第η條信號(hào)線的第一方向上,所述第一方向?yàn)樯刃螀^(qū)信號(hào)線由疏到密的方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的相移掩模板,其特征在于,所述信號(hào)線包括數(shù)據(jù)線和柵線。
7.—種如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述相移掩模板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括: 提供一襯底; 在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案,每一遮光圖案包括有至少對(duì)應(yīng)于像素區(qū)信號(hào)線的第一遮光圖案和除所述第一遮光圖案之外的第二遮光圖案,其中,在利用所述相移掩膜板進(jìn)行曝光時(shí),相鄰第一遮光圖案之間的第一區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)小于相鄰第二遮光圖案之間的第二區(qū)域下方的光刻膠接受到的光強(qiáng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相移掩模板的制作方法,其特征在于,所述在所述襯底上形成依次排布、與陣列基板上的多條信號(hào)線一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)遮光圖案包括: 在所述襯底上依次形成相移層和不透光層,并在所述不透光層上涂覆光刻膠; 顯影后去除所述遮光圖案區(qū)域外的光刻膠; 通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述遮光圖案區(qū)域外的相移層和不透光層; 通過(guò)濕刻工藝對(duì)剩余的不透光層進(jìn)行刻蝕減薄; 去除剩余的光刻膠; 在經(jīng)過(guò)上述步驟的襯底上涂覆光刻膠; 顯影后去除第一遮光圖案區(qū)域的光刻膠; 通過(guò)干刻工藝刻蝕掉所述第一遮光圖案區(qū)域的不透光層; 去除剩余的光刻膠。
9.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括: 形成導(dǎo)電層; 在所述導(dǎo)電層上涂覆光刻膠; 使用如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的相移掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,顯影后形成對(duì)應(yīng)于所述遮光圖案的光刻膠保留區(qū)域; 通過(guò)刻蝕工藝形成像素區(qū)的信號(hào)線和扇出區(qū)的信號(hào)線; 去除剩余的光刻膠。
10.一種陣列基板,其特征在于,為采用如權(quán)利要求9所述的制作方法制成。
【文檔編號(hào)】G03F1/26GK104252098SQ201410480083
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月18日
【發(fā)明者】黎午升 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司