陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及液晶顯示面板，所述陣列基板中，與一條掃描線連接的薄膜晶體管中，對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比大于對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比，以在數(shù)據(jù)線輸入電壓信號(hào)時(shí)使得與對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管連接的像素電極和與對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管連接的像素電極之間的電壓差小于閾值。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠提高畫面亮度的均勻性。
【專利說(shuō)明】陣列基板及液晶顯不面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示面板具有色彩表現(xiàn)優(yōu)異、可視角度大、對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn)，使得其具有廣闊 的市場(chǎng)前景。
[0003] 如圖1所示，液晶顯示面板11通常由位于其周圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12和掃描驅(qū)動(dòng)器 13驅(qū)動(dòng)顯不。一條掃描線的掃描信號(hào)分別由與掃描線兩端連接的掃描驅(qū)動(dòng)器13輸入，以控 制與該條掃描線連接的薄膜晶體管（TFT)打開(kāi)，從而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12可通過(guò)薄膜晶體管對(duì)液 晶顯示面板11的像素電極14輸入顯示畫面所需的電壓信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)液晶顯示面板11的顯 /_J、1 〇
[0004] 然而，由于掃描線的信號(hào)的阻容延遲（RC Delay)，導(dǎo)致輸入至掃描線的掃描信號(hào) 波形發(fā)生失真，即從掃描線兩端輸入的原本波形正常的掃描信號(hào)在向掃描線的中間傳輸 時(shí)，受掃描線的RC Delay影響，掃描信號(hào)會(huì)逐漸減小，在傳輸?shù)街虚g部分的掃描線時(shí)掃描信 號(hào)的減小程度尤為嚴(yán)重，從而導(dǎo)致液晶顯示面板11中間的像素電極14的充電率降低，使得 液晶顯示面板11中間的像素電極14的電壓15低于液晶顯示面板11兩側(cè)邊的像素電極14 的電壓16,造成液晶顯示面板11的中間區(qū)域的亮度低于兩側(cè)邊區(qū)域的亮度，即出現(xiàn)液晶顯 示面板"兩側(cè)發(fā)白"的現(xiàn)象，降低液晶顯示面板11亮度的均勻性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及液晶顯示面板，能夠提高畫面 亮度的均勻性。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，包括掃 描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極；所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述 薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接；其中， 與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管的寬長(zhǎng) 比大于對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比，以在所述數(shù)據(jù)線輸入電壓信號(hào)時(shí)使 得與對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管連接的像素電極和與對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的 薄膜晶體管連接的像素電極之間的電壓差小于閾值。
[0007] 其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由 所述掃描線中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄 膜晶體管的寬長(zhǎng)比相等。
[0008] 其中，所述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度相同，所述薄膜晶體管的溝道寬度由所述掃描 線中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管 的溝道寬度相等。
[0009] 其中，所述薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部分的大小由所述掃描線中間至所 述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的源極層與漏極 層相對(duì)部分的大小相同。
[0010] 其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由 所述掃描線中間至所述掃描線兩端依次遞減。
[0011] 其中，所述薄膜晶體管的源極層和漏極層相互平行。
[0012] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種液晶顯示面板， 包括陣列基板、彩色濾光基板及位于所述陣列基板和所述彩色濾光基板之間的液晶層；所 述陣列基板包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極；所述薄膜晶體管的柵極與所述 掃描線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像 素電極連接；其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的 薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比大于對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比，以在所述數(shù)據(jù)線 輸入電壓信號(hào)時(shí)使得與對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管連接的像素電極和與對(duì)應(yīng)于 所述掃描線兩端的薄膜晶體管連接的像素電極之間的電壓差小于閾值。
[0013] 其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由 所述掃描線中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶 體管的寬長(zhǎng)比相等。
[0014] 其中，所述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度相同，所述薄膜晶體管的溝道寬度由所述掃描 線中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管 的溝道寬度相等。
[0015] 其中，所述薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部分的大小由所述掃描線中間至所 述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的源極層與漏極 層相對(duì)部分的大小相同。
[0016] 本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的陣列基板中，通過(guò)設(shè)置 對(duì)應(yīng)于掃描線不同位置的薄膜晶體管的不同寬長(zhǎng)比，使得對(duì)應(yīng)于掃描線不同位置的像素電 極之間的電壓差小于閾值，從而可以使得對(duì)應(yīng)于掃描線不同位置的像素電極的電壓大致相 等，進(jìn)而使得對(duì)應(yīng)于掃描線不同位置的顯示畫面的亮度大致相同，由此能夠提高畫面亮度 的均勻性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種液晶顯示面板的像素電極的電壓波形圖；
[0018] 圖2是本發(fā)明陣列基板中像素結(jié)構(gòu)一實(shí)施方式的等效電路圖；
[0019] 圖3是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，像素電極的充電率的曲線示意圖，其中，圖 中示出了現(xiàn)有技術(shù)的像素電極的充電率的曲線圖；
[0020] 圖4是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，像素電極的電壓波形圖，其中，圖中示出了 現(xiàn)有技術(shù)的像素電極的電壓波形圖；
[0021] 圖5是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，沿掃描線的長(zhǎng)度方向以預(yù)定距離長(zhǎng)度對(duì)陣 列基板進(jìn)行劃分區(qū)域的示意圖；
[0022] 圖6是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，薄膜晶體管的溝道寬度的變化曲線示意 圖；
[0023] 圖7是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)掃描線中間的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0024] 圖8是圖7所示的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖9是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)掃描線其他一處位置的像素結(jié)構(gòu)的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0026] 圖10是圖9所示的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖11是本發(fā)明陣列基板另一實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)掃描線不同位置的薄膜晶體管的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖12是本發(fā)明陣列基板又一實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)掃描線不同位置的薄膜晶體管的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖13是本發(fā)明陣列基板又一實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)掃描線不同位置的薄膜晶體管的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖14是本發(fā)明陣列基板又一實(shí)施方式中，薄膜晶體管的溝道寬度的變化曲線示 意圖；
[0031] 圖15是本發(fā)明陣列基板又一實(shí)施方式中，具有馬蹄形薄膜晶體管的像素結(jié)構(gòu)的 示意圖；
[0032] 圖16是本發(fā)明液晶顯示面板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面將通過(guò)附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0034] 參閱圖2,圖2是本發(fā)明陣列基板中像素結(jié)構(gòu)一實(shí)施方式的等效電路圖。陣列基板 包括掃描線21、數(shù)據(jù)線22、像素電極23以及薄膜晶體管Q1。掃描線21和數(shù)據(jù)線22相互交 叉，由一個(gè)像素電極23、一個(gè)薄膜晶體管Q1和相互交叉的一條掃描線21、一條數(shù)據(jù)線22共 同定義一個(gè)像素結(jié)構(gòu)，陣列基板包括多個(gè)矩陣排列的像素結(jié)構(gòu)。
[0035] 薄膜晶體管Q1的柵極和掃描線21連接，源極和數(shù)據(jù)線22連接，漏極和像素電極 23連接。在驅(qū)動(dòng)像素電極23以實(shí)現(xiàn)畫面顯示時(shí)，掃描線21兩端的掃描驅(qū)動(dòng)器（圖未示） 分別自掃描線21兩端輸入掃描信號(hào)至掃描線21中以控制薄膜晶體管Q1打開(kāi)，數(shù)據(jù)線22 通過(guò)薄膜晶體管Q1對(duì)像素電極23輸入顯示所需的電壓信號(hào)，由此實(shí)現(xiàn)畫面的顯示。
[0036] 其中，在與一條掃描線21連接的所有薄膜晶體管Q1中，對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的 薄膜晶體管Ql_a的寬長(zhǎng)比大于對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的薄膜晶體管Ql_b的寬長(zhǎng)比，所述對(duì) 應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a即是指與掃描線21中間連接的薄膜晶體管Ql_a， 所述對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的薄膜晶體管Ql_b即是指與掃描線21兩端連接的薄膜晶體管 Ql_b。在此，僅是以一條掃描線21所連接的所有薄膜晶體管Q1為例進(jìn)行說(shuō)明，本實(shí)施方式 的陣列基板的所有掃描線所連接的薄膜晶體管Q1均具有上述特征。
[0037] 薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比是指薄膜晶體管Q1的溝道寬度和溝道長(zhǎng)度的比值。寬長(zhǎng) 比越大，薄膜晶體管Q1的源極漏極之間的電流越大，使得像素電極23的充電率也就越高， 即在相同的充電時(shí)間里寬長(zhǎng)比越大像素電極23獲得的電壓也就越大；反之，寬長(zhǎng)比越小， 薄膜晶體管Q1的源極漏極之間的電流越小，使得像素電極23的充電率也就越低。像素電 極23的充電率是指像素電極23的電壓和數(shù)據(jù)線22的電壓的比值，在理想情況下，在數(shù)據(jù) 線22對(duì)像素電極23充電后，像素電極23的電壓應(yīng)達(dá)到數(shù)據(jù)線22的電壓。
[0038] 需要說(shuō)明的是，在圖2中，對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a僅是標(biāo)示一個(gè) 薄膜晶體管Q1，但是并不代表本實(shí)施方式所述的對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a 僅是指代與掃描線21中點(diǎn)連接的一個(gè)薄膜晶體管Q1，可以是指代與掃描信號(hào)失真較嚴(yán)重 的中間部分的掃描線21所連接的多個(gè)薄膜晶體管Q1。而對(duì)應(yīng)于掃描線兩端的薄膜晶體管 Ql_b同理亦然。
[0039] 現(xiàn)有技術(shù)中，所有薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比通常都是相同的，而由于掃描線的RC Delay，導(dǎo)致到達(dá)掃描線中間的掃描信號(hào)較低于掃描線兩端的掃描信號(hào)，即掃描線中間的掃 描信號(hào)發(fā)生較嚴(yán)重的失真，使得在數(shù)據(jù)線對(duì)像素電極完成充電后，對(duì)應(yīng)掃描線中間的像素 電極的電壓遠(yuǎn)低于對(duì)應(yīng)掃描線兩端的像素電極的電壓，造成兩側(cè)邊發(fā)白的現(xiàn)象。掃描信號(hào) 越小像素電極的充電率越低，而薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比越大，像素電極的充電率越高。本實(shí)施 方式中，使對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a的寬長(zhǎng)比具有較大值，并使對(duì)應(yīng)于掃描 線21兩端的薄膜晶體管Ql_b具有較小值，以利用不同位置的薄膜晶體管Q1的不同寬長(zhǎng)比 來(lái)應(yīng)對(duì)不同位置的掃描信號(hào)的不同失真程度，從而可以使得對(duì)應(yīng)于掃描線21不同位置的 像素電極23的充電率之間的差異減小，甚至趨近于相同。
[0040] 例如，參閱圖3和圖4,圖3是現(xiàn)有技術(shù)的像素電極和本實(shí)施方式的像素電極的充 電率的波形圖，圖4是現(xiàn)有技術(shù)的像素電極和本實(shí)施方式的像素電極的電壓波形圖，其中， 圖4中僅示出兩側(cè)邊和中間區(qū)域的像素電極的電壓波形?，F(xiàn)有技術(shù)的像素電極，受掃描信 號(hào)的RC Delay的影響，對(duì)應(yīng)于掃描線中間的像素電極的充電率一般僅為90%，而對(duì)應(yīng)于掃 描線兩端的像素電極尤其是最靠近掃描信號(hào)輸入端的像素電極的充電率可以達(dá)到100 %， 如圖3所示的曲線a。而現(xiàn)有技術(shù)中，兩側(cè)邊的像素電極的電壓波形和中間的像素電極的 電壓波形則分別為圖4所示的波形e_l、e_2,由該波形圖可看出，兩側(cè)邊像素電極的電壓較 高于中間像素電極的電壓。而本發(fā)明實(shí)施方式中，通過(guò)使對(duì)應(yīng)于掃描線21左右兩端的薄膜 晶體管Ql_b的寬長(zhǎng)比小于對(duì)應(yīng)掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a的寬長(zhǎng)比，從而可以降低 與對(duì)應(yīng)于掃描線21左右兩端的薄膜晶體管Ql_b連接的像素電極23的充電率，如圖3所示 的曲線b，以減小與對(duì)應(yīng)于掃描線21左右兩端的薄膜晶體管Ql_b連接的像素電極23和與 對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a連接的像素電極之間充電率的差異，從而可以使 得與對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a連接的像素電極23和與對(duì)應(yīng)于掃描線兩端 的薄膜晶體管Ql_b連接的像素電極23之間的電壓差小于閾值，即可以使得與對(duì)應(yīng)于掃描 線21中間的薄膜晶體管Ql_a連接的像素電極23的電壓和與對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的薄膜 晶體管Ql_b連接的像素電極23的電壓大約相等，由此在顯示畫面時(shí)，可以使得對(duì)應(yīng)于掃描 線21中間的畫面亮度和對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的畫面亮度大致相同，從而能夠提高畫面亮 度的均勻性。而本發(fā)明實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的像素電極23的電壓波形和對(duì) 應(yīng)于掃描線21中間的像素電極23的電壓波形則分別為圖4所示的波形f_l、f_2,由該電 壓波形可看出，兩側(cè)邊的像素電極23的電壓較低于現(xiàn)有技術(shù)的兩側(cè)邊的像素電極的電壓， 其與中間的像素電極23的電壓大致相同。
[0041] 在實(shí)際應(yīng)用中，受制造工藝等因素的影響，有可能難以使得與對(duì)應(yīng)于掃描線21中 間的薄膜晶體管Ql_a連接的像素電極23的電壓和與對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的薄膜晶體管 913連接的像素電極23的電壓完全相等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施 方式所提供的方案，可以根據(jù)掃描信號(hào)的失真程度來(lái)設(shè)置對(duì)應(yīng)于掃描線21不同位置的薄 膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比，即對(duì)應(yīng)掃描信號(hào)失真輕微的掃描線21兩端的薄膜晶體管Ql_b的寬 長(zhǎng)比可以設(shè)置得較小，對(duì)應(yīng)掃描信號(hào)失真較嚴(yán)重的掃描線21中間的薄膜晶體管Ql_a可以 設(shè)置得較大，從而完全可以使得中間的像素電極23和兩側(cè)邊的像素電極23之間的電壓差 盡可能地小，進(jìn)而使得中間畫面的亮度和兩側(cè)邊畫面的亮度趨近于相同，以提高畫面亮度 的均勻性。
[0042] 越遠(yuǎn)離信號(hào)輸入端掃描信號(hào)失真越嚴(yán)重。為了進(jìn)一步提高畫面亮度的均勻性，在 本發(fā)明陣列基板的一實(shí)施方式中，如圖5所示，在與一條掃描線21連接的薄膜晶體管Q1 中，薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比由掃描線21中間至掃描線21兩端每間隔預(yù)定距離d逐級(jí)遞減， 在同一預(yù)定距離d內(nèi)的薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比相等。通常在掃描線21的一小段范圍內(nèi)， 不同位置的掃描線21其掃描信號(hào)的失真程度差異并不大，因此與這一段掃描線21對(duì)應(yīng)的 多個(gè)像素電極23之間的充電率差異也并不大，本實(shí)施方式所述的預(yù)定距離d即為掃描信號(hào) 失真程度差異不大的這一段掃描線21的長(zhǎng)度，可以根據(jù)掃描信號(hào)的失真程度設(shè)置該距離 長(zhǎng)度。
[0043] 例如，根據(jù)掃描信號(hào)的失真程度將陣列基板沿掃描線21的長(zhǎng)度方向均分成距離 長(zhǎng)度為d的11個(gè)區(qū)域，中間區(qū)域1st即對(duì)應(yīng)掃描線21中間的區(qū)域，位于中間區(qū)域1st的薄 膜晶體管Q1即為對(duì)應(yīng)于掃描線21中間的薄膜晶體管；兩最側(cè)邊區(qū)域6th即對(duì)應(yīng)掃描線21 兩端的區(qū)域，位于兩最側(cè)邊區(qū)域6th的薄膜晶體管Q1即為對(duì)應(yīng)于掃描線21兩端的薄膜晶 體管。其中，中間區(qū)域1st的左右兩邊的基板結(jié)構(gòu)對(duì)稱設(shè)置，因此僅以右邊進(jìn)行說(shuō)明。因此， 與一條掃描線21連接的所有薄膜晶體管Q1中，薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比由中間區(qū)域1st至 最右側(cè)區(qū)域6th逐級(jí)遞減，在同一個(gè)區(qū)域中的薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比相等。因此，本實(shí)施 方式中，位于中間區(qū)域1st的薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比最大，位于最右側(cè)區(qū)域6th的薄膜晶 體管Q1的寬長(zhǎng)比最小。
[0044] 其中，圖5中僅是示意性地示出以對(duì)應(yīng)兩個(gè)薄膜晶體管Q1的一段掃描線21作為 一個(gè)間隔距離d，在其他實(shí)施方式中，可以根據(jù)掃描信號(hào)的失真程度將對(duì)應(yīng)于更多個(gè)（如十 個(gè)、二十個(gè)等）薄膜晶體管Q1的一段掃描線21作為一個(gè)間隔距離d。
[0045] 此外，本實(shí)施方式中，薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比由中間區(qū)域1st至最右側(cè)區(qū)域6th 以等差方式依次遞減，即任意兩個(gè)相鄰區(qū)域之間的薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比的差值相等，當(dāng) 然，其他實(shí)施方式中，也可以設(shè)置為不相等，可以根據(jù)掃描信號(hào)的失真情況設(shè)置各個(gè)區(qū)域中 的薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比，以使得對(duì)應(yīng)不同失真情況的掃描線21所對(duì)應(yīng)的像素電極23的 電壓大致相等即可，從而以提高畫面亮度的均勻性。
[0046] 其中，可以通過(guò)改變薄膜晶體管Q1的溝道寬度W來(lái)改變薄膜晶體管Q1的寬長(zhǎng)比。 具體地，如圖6所示，在與一條掃描線21連接的所有薄膜晶體管Q1中，所有的薄膜晶體管 Q1的長(zhǎng)度相同，而薄膜晶體管Q1的溝道寬度W由掃描線21中間至掃描線21兩端每間隔預(yù) 定距離d逐級(jí)遞減，而在預(yù)定距離d內(nèi)的薄膜晶體管Q1的溝道寬度W相等，也即薄膜晶體 管Q1的溝道寬度W由中間區(qū)域1st至兩最側(cè)邊區(qū)域6th逐級(jí)遞減，在同一區(qū)域內(nèi)的薄膜晶 體管Q1的溝道寬度W相等。
[0047] 舉例而言，位于中間區(qū)域1st內(nèi)的所有薄膜晶體管Q1的溝道寬度W均為40um，然 后自中間區(qū)域1st開(kāi)始，每個(gè)區(qū)域中的薄膜晶體管Q1的溝道寬度W依次減小0. 5um，因此位 于最側(cè)邊區(qū)域6th中的薄膜晶體管Q1的溝道寬度為37. 5um，如下表1所示，
[0048]

【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極； 所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連 接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接； 其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶 體管的寬長(zhǎng)比大于對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比，以在所述數(shù)據(jù)線輸入電 壓信號(hào)時(shí)使得與對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管連接的像素電極和與對(duì)應(yīng)于所述掃 描線兩端的薄膜晶體管連接的像素電極之間的電壓差小于閾值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由所述掃描線 中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的 寬長(zhǎng)比相等。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度相同，所述薄膜晶體管的溝道寬度由所述掃描線中間至所 述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的溝道寬度 相等。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于， 所述薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部分的大小由所述掃描線中間至所述掃描線 兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部 分的大小相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由所述掃描線 中間至所述掃描線兩端依次遞減。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述薄膜晶體管的源極層和漏極層相互平行。
7. -種液晶顯示面板，其特征在于，包括陣列基板、彩色濾光基板及位于所述陣列基板 和所述彩色濾光基板之間的液晶層； 所述陣列基板包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極； 所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連 接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接； 其中，與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶 體管的寬長(zhǎng)比大于對(duì)應(yīng)于所述掃描線兩端的薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比，以在所述數(shù)據(jù)線輸入電 壓信號(hào)時(shí)使得與對(duì)應(yīng)于所述掃描線中間的薄膜晶體管連接的像素電極和與對(duì)應(yīng)于所述掃 描線兩端的薄膜晶體管連接的像素電極之間的電壓差小于閾值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 與一條所述掃描線連接的所述薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管的寬長(zhǎng)比由所述掃描線 中間至所述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的寬長(zhǎng) 比相等。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度相同，所述薄膜晶體管的溝道寬度由所述掃描線中間至所 述掃描線兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在同一所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的溝道寬度 相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部分的大小由所述掃描線中間至所述掃描線 兩端每間隔預(yù)定距離逐級(jí)遞減，在所述預(yù)定距離內(nèi)的薄膜晶體管的源極層與漏極層相對(duì)部 分的大小相同。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104252076SQ201410495664
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月24日
【發(fā)明者】鄭華 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司