像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法，其中，像素結構包括：對于任意相鄰的兩行像素單元，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，且第二側與第一側相對設置。本發(fā)明的技術方案可以通過列反轉來實現點反轉或者通過兩列反轉來實現兩點反轉，以保證極性反轉具有較小的功耗；并且，可以避免因公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓無法完全補償而出現的橫紋問題或者閃爍不良，從而可以改善像素結構的顯示效果。
【專利說明】像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法。

【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示裝置的應用越來越廣泛，且顯示效果不斷地得到改善。
[0003]—般而言，在液晶顯示裝置中，施加在液晶分子上的電壓差的極性必須每隔一段時間進行反轉，用以避免液晶材料由于產生極化而造成永久性的破壞，也用以避免圖像殘存效應。通常的一些極性反轉方法包括:巾貞反轉(Frame Invers1n)、點反轉(DotInvers1n)、行反轉(Column Invers1n)、列反轉(Row Invers1n)、兩列反轉和兩點反轉等。在上述反轉方法中，幀反轉的功耗最小，但容易出現閃爍現象；點反轉的功耗最大，但是顯示效果最好；而行反轉、列反轉、兩列反轉以及兩點反轉的功耗都介于點反轉和幀反轉的功耗之間。
[0004]基于上述各反轉方法的特點，現有技術中，通常會采用行反轉或者列反轉來實現點反轉，以降低極性反轉的功耗。圖1是現有技術的像素結構的結構示意圖。如圖1所示，可以通過列反轉來實現點反轉的像素結構包括:多條數據線11和多條掃描線12，以及多條數據線11和多條掃描線12交叉形成的多個像素單元13 ;位于像素單元13中的薄膜晶體管14和像素電極15，且每個薄膜晶體管14的柵極與其下方的掃描線12電連接，漏極與其所在的像素單元中的像素電極15電連接；對于任意相鄰兩行像素單元13，一行像素單元13中的薄膜晶體管14的源極與其左側的數據線11電連接，另一行像素單元13中的薄膜晶體管14的源極與其右側的數據線11電連接，也就是說，像素結構中，奇數行和偶數行的像素單元13中的薄膜晶體管14與不同側的數據線11電連接。
[0005]然而，對于上述的像素結構，如果在制作薄膜晶體管14的過程中，其源極和漏極與柵極的對位發(fā)生問題，例如薄膜晶體管14的源極和漏極與正常對位相比向左偏或者向右偏，會出現奇數行的薄膜晶體管14的漏極與柵極的交疊面積與偶數行的薄膜晶體管14的漏極與柵極的交疊面積不相等，使得奇數行的薄膜晶體管14的漏極與柵極形成的電容與偶數行的薄膜晶體管14的漏極與柵極形成的電容不相等，當掃描線施加的掃描信號被拉低時，會使得奇數行和偶數行中像素電極15的電壓被拉低的幅度大小不同，相應地，奇數行和偶數行中像素電極15所需的公共電極的補償電壓不同，由于公共電極呈面狀，即位于不同像素電極上方的公共電極所施加的公共電壓相同，因此，導致公共電極不能對奇數行或者偶數行像素電極的電壓進行完全地補償，從而會使像素結構出現橫紋或者閃爍不良。


【發(fā)明內容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法，以解決現有技術中通過列反轉來實現點反轉的像素結構，在薄膜晶體管對位發(fā)生問題時，會出現橫紋或者閃爍不良的技術問題。
[0007]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素結構，包括:
[0008]多條數據線和多條掃描線；
[0009]所述多條數據線和所述多條掃描線交叉形成的多個像素單元，其中，所述像素單兀與一條數據線和一條掃描線對應；
[0010]位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管；
[0011]對于任意相鄰的兩行像素單元，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接；
[0012]所述薄膜晶體管的第一側與第二側相對設置。
[0013]第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括上述第一方面所述的像素結構。
[0014]第三方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括上述第二方面所述的顯示面板。
[0015]第四方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述第三方面所述的顯示裝置。
[0016]第五方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置的驅動方法，所述驅動方法由上述第四方面所述的顯示裝置來執(zhí)行，包括:
[0017]各行掃描線依次導通所述各行掃描線控制的像素單元，其中，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，并且在任意相鄰的兩行像素單元中，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，且所述薄膜晶體管的第一側與第二側相對設置；
[0018]通過奇數組數據線向導通的像素單元施加第一數據信號，通過偶數組數據線向導通的像素單元施加第二數據信號，其中所述第一數據信號的極性與第二數據信號的極性相反，每組數據線包括至少一列數據線。
[0019]本發(fā)明實施例提供的像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法，通過設置像素結構中的任意相鄰的兩行像素單元，使一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，使另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，這樣的像素結構可以通過列反轉來實現點反轉或者通過兩列反轉來實現兩點反轉，以保證極性反轉具有較小的功耗；并且，對于上述的像素結構，即使在制作薄膜晶體管的過程中對位發(fā)生問題，當掃描線施加的掃描信號被拉低時，奇數行和偶數行像素單元中的像素電極的電壓被拉低的幅度大小仍然是相同，相應地，奇數行和偶數行像素電極所需的公共電極的補償電壓也相同，即公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓能夠進行完全補償，因此，可以避免因公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓無法完全補償而出現的橫紋問題或者閃爍不良，從而可以改善像素結構的顯示效果O

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0021]圖1是現有技術的像素結構的結構示意圖；
[0022]圖2a是本發(fā)明實施例提供的一種像素結構的結構示意圖；
[0023]圖2b是與圖2a對應的一種采用列反轉實現點反轉的像素結構的簡化示意圖；
[0024]圖2c是本發(fā)明實施例提供的另一種像素結構的結構示意圖；
[0025]圖3a是本發(fā)明實施例提供的又一種像素結構的結構示意圖；
[0026]圖3b是本發(fā)明實施例提供的再一種像素結構的結構示意圖；
[0027]圖4a是本發(fā)明實施例提供的再一種像素結構的結構示意圖；
[0028]圖4b是與圖4a對應的一種采用兩列反轉實現兩點反轉的像素結構的簡化示意圖；
[0029]圖4c是本發(fā)明實施例提供的再一種像素結構的結構示意圖；
[0030]圖5a是本發(fā)明實施例提供的再一種像素結構的結構示意圖；
[0031]圖5b是本發(fā)明實施例提供的再一種像素結構的結構示意圖；
[0032]圖6是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0033]圖7是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖；
[0034]圖8是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖；
[0035]圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的驅動方法的流程示意圖；
[0036]圖1Oa-圖1Oc是本發(fā)明實施例提供的一種由列反轉實現點反轉的步驟對應的極性反轉的示意圖；
[0037]圖1la和圖1lb是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的極性反轉的示意圖；
[0038]圖12a-圖12d是本發(fā)明實施例提供的另一種顯示裝置的極性反轉的示意圖。

【具體實施方式】
[0039]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內容。
[0040]本發(fā)明實施例提供一種像素結構。圖2a是本發(fā)明實施例提供的一種像素結構的結構示意圖。如圖2a所示，所述像素結構包括:多條數據線21和多條掃描線22 ;所述多條數據線21和所述多條掃描線22交叉形成的多個像素單元23，其中，所述像素單元23與一條數據線21和一條掃描線22對應；位于所述像素單元23中的像素電極25和薄膜晶體管
24;對于任意相鄰的兩行像素單元23，一行(在圖中為奇數行)像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第一側(在圖中為右側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，另一行(在圖中為偶數行)像素單元23中的薄膜晶體管24和與其所在的像素單元23中的像素電極25電連接。
[0041]需要說明的是，像素單元進行顯示是由位于像素單元中的像素電極和與該像素電極電連接的且控制該像素電極的薄膜晶體管來實現的，在薄膜晶體管對像素電極進行控制的同時，也就實現了薄膜晶體管對所述像素電極所在的像素單元的控制。與薄膜晶體管的柵極電連接的掃描線可以控制薄膜晶體管的開啟或者關閉，與薄膜晶體管的源極電連接的數據線可以在薄膜晶體管開啟時，為與其電連接的像素電極提供數據信號。基于此，上述的像素單元23與一條數據線21和一條掃描線22對應，可以理解為:與像素單元23對應的一條數據線21為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的數據線21，與像素單元23對應的一條掃描線22為控制該像素單元23的薄膜晶體管24所電連接的掃描線22。
[0042]如果上述像素結構的極性反轉采用列反轉，參見圖2b，任意相鄰兩條數據線21提供的數據信號的極性相反，其中，所述數據信號的極性由該數據信號的電壓與公共電壓的電壓差決定，當該電壓差大于O時，極性為正，在圖中用“+”號表示；當該電壓差小于O時，極性為負，在圖中用“一”號表示。在圖2b中，對于任意相鄰的兩行像素單元23，一行(在圖中為奇數行)像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第一側(在圖中為右側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，以及另一行(在圖中為偶數行)像素單元23中的薄膜晶體管24和與其所在的像素單元23中的像素電極25電連接，因此對于一列像素單元23來說，位于偶數行的像素單元23由在其左側的第一條數據線21來提供數據信號，而位于奇數行的像素單元23由在其左側的第二條數據線21來提供數據信號，即在同一列的像素單元23中，奇數行的像素單元23與偶數行的像素單元23獲得的數據信號的極性相反，且對于相鄰兩列像素單元，位于同一行的兩個像素單元23獲得的數據信號的極性也相反。如上所述，圖2a所示的像素結構可以通過列反轉實現點反轉，因此，與現有技術一樣，可以使極性反轉的功耗較小。需要說明的是，上述的極性反轉可以以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期，也可以以四幀或者更多偶數幀畫面為一個極性反轉驅動周期，其中，優(yōu)選為以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期。
[0043]此外，由于薄膜晶體管24均與同一側(在圖中為左側)的數據線電連接，如果在制作薄膜晶體管24的過程中，其源極和漏極與柵極的對位發(fā)生問題，則奇數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極的交疊面積與偶數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極的交疊面積相等，使得奇數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極形成的電容與偶數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極形成的電容相等，當掃描線22施加的掃描信號被拉低時，會使得奇數行和偶數行像素單元中的像素電極25的電壓被拉低的幅度大小相同，相應地，奇數行和偶數行像素電極25所需的公共電極的補償電壓也相同，與現有技術相比，由于公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓均能夠進行完全補償，因此，可以避免因公共電極對奇數行和偶數行像素電極無法完全補償而出現的橫紋問題或者閃爍不良，從而可以改善像素結構的顯示效果。
[0044]在圖2a中，奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其右側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一像素單元23中的像素電極25電連接。除此之外，參見圖2c，像素結構也可以是奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其左側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一像素單元23中的像素電極25電連接，同樣可以通過列反轉來實現點反轉，具體請參考圖2b，在此不再贅述。
[0045]除了圖2a和圖2c所示的像素結構，在本發(fā)明實施例中，參見圖3a，像素結構也可以為偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其右側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一像素單元23中的像素電極25電連接；或者參見圖3b，像素結構也可以為偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其左側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一像素單元23中的像素電極
25電連接。需要說明的是，在圖3a和圖3b中所示的像素結構，同樣可以通過列反轉來實現點反轉，具體請參考圖2b，在此不再贅述。
[0046]在本發(fā)明實施例中，上述的通過列反轉來實現點反轉的像素結構，在保證極性反轉的功耗較小的情況下，可以避免在制作薄膜晶體管的過程中，其源極和漏極與柵極的對位發(fā)生問題而使像素結構出現的橫紋問題或者閃爍不良。除此之外，也可以通過兩列反轉來實現兩點反轉的像素結構達到相似的效果，相關的優(yōu)選實施例請見下面的描述。
[0047]參見圖4a，奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第一側(圖中為右側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第二側(圖中為左側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，其中，所述薄膜晶體管24的第一側與第二側相對設置。
[0048]如果圖4a中的像素結構的極性反轉采用兩列反轉，參見圖4b，將相鄰的兩條數據線21作為一組數據線，并且一組數據線提供的數據信號的極性相同，而相鄰兩組數據線提供的數據信號的極性相反。由于奇數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第一側(圖中為右側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其第二側(圖中為左側)相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接，因此，在圖4b所示的從左到右排列的七條數據線(未考慮圖中省略部分的數據線)中，對于提供數據信號的極性依次為“ + 一”和“一”的三條數據線，在這三條數據線之間的兩列像素單元23中，在奇數行上的像素單元23由靠近該像素單元23且位于其左側的第二條數據線21來提供數據信號，相應的像素單元23獲得的數據信號的極性為“ + ”，而在偶數行上的像素單元23由靠近該像素單元23且位于其右側的第二條數據線21來提供數據信號，相應的像素單元23獲得的數據信號的極性為“一”，即在上述兩列像素單元23中，位于奇數行上的像素單元23與位于偶數行上的像素單元23獲得的數據信號的極性相反，同理，可以得到對于提供數據信號的極性依次為“一”、“ + ”和“ + ”的三條數據線，并且在這三條數據線之間的兩列像素單元23中，，位于奇數行上的像素單元23獲得的數據信號的極性為“一”，而位于偶數行上的像素單元23獲得的數據信號的極性均為“ + ”。如上所述，圖4a所示的像素結構能夠通過兩列反轉實現兩點反轉，因此，與現有技術一樣，可以使極性反轉的功耗較小。需要說明的是，上述的極性反轉可以以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期，也可以以四幀或者更多偶數幀畫面為一個極性反轉驅動周期，其中，優(yōu)選為以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期。
[0049]此外，在圖4a中，由于薄膜晶體管24均與同一側(在圖中為左側)的數據線電連接，如果在制作薄膜晶體管24的過程中，其源極和漏極與柵極的對位發(fā)生問題，則奇數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極的交疊面積與偶數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極的交疊面積相等，使得奇數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極形成的電容與偶數行的薄膜晶體管24的漏極與柵極形成的電容相等，當掃描線22施加的掃描信號被拉低時，會使得奇數行和偶數行像素單元中的像素電極25的電壓被拉低的幅度大小相同，相應地，奇數行和偶數行像素電極25所需的公共電極的補償電壓也相同，與現有技術相比，由于公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓均能夠進行完全補償，因此，可以避免因公共電極對奇數行和偶數行像素電極無法完全補償而出現的橫紋問題或者閃爍不良，從而可以改善像素結構的顯示效果。
[0050]對于通過兩列反轉來實現兩點反轉的像素結構，圖4a僅給出了的一個具體的示例，在另一個具體示例中，參見圖4c，像素結構也可以為:偶數行像素單元23中的薄膜晶體管24和與其位于同一行的且與其右側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接；奇數行像素單元23中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其左側相鄰的像素單元23中的像素電極25電連接。
[0051 ] 在本發(fā)明實施例中，所述薄膜晶體管的源極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對應的數據線電連接；所述的薄膜晶體管的柵極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對應的掃描線電連接。例如，在圖2a中，薄膜晶體管24的柵極均與位于其下方且與其相鄰的掃描線22電連接，即與像素單元23對應的掃描線22位于其下方且與其相鄰；薄膜晶體管24的源極與其所在的像素單元23左側相鄰的數據線21電連接，對于奇數行的像素單元23來說，該數據線21和與其電連接的薄膜晶體管24右側相鄰的像素單元23對應，并為該像素單元23提供數據信號，而對于偶數行的像素單元23來說，該數據線21和與其電連接的薄膜晶體管24所在的像素單元23對應，并為該像素單元23提供數據信號；關于在圖2c、圖3a、圖3b、圖4a和圖4c中薄膜晶體管24與數據線21和掃描線22的電連接，請參考上述關于圖2a的相關描述，在此不再贅述。
[0052]在上述各個實施例中，僅給出了薄膜晶體管24均與其左側相鄰的數據線21電連接，然而，也可以使薄膜晶體管24均與其右側相鄰的數據線21電連接，在此不作限定。
[0053]在上述各實施例中，像素結構中的像素單元23的排列方式采用了陣列排列。除此之外，像素單元23的排列方式也可以采用交錯排列。關于由交錯排列的像素單元23構成的像素結構以及該像素結構如何通過列反轉實現點反轉或者通過兩列反轉實現兩點反轉，具體請參考圖2a-圖2c、圖3a、圖3b和圖4a_圖4c以及相關的描述，在此不再贅述。
[0054]進一步地，參見圖2a、圖3a、圖4a和圖4c，與位于同一行的且左側相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接的像素電極25和與所述像素電極25左側相鄰的數據線21部分交疊；或者參見圖2c、圖3b、圖4a和圖4c，與位于同一行的且右側相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接的像素電極25和所述像素電極25右側相鄰的數據線21部分交疊。
[0055]在本發(fā)明實施例中，在上述的像素結構的基礎上，參見圖5a，優(yōu)選為像素結構還包括:公共電極26，所述公共電極26位于所述像素電極25和與所述像素電極25電連接的薄膜晶體管24的源極242和漏極243所在的膜層之間且與兩者通過第二絕緣層272電絕緣。此外，在圖5a中，柵極241上覆蓋有第一絕緣層271，且有源層244位于第一絕緣層271上，源極242和漏極243設置在有源層244兩側且分別與有源層244電連接，源極242、漏極243和有源層244通過第一絕緣層271與柵極241電絕緣，以及漏極243與像素電極25電連接；并且公共電極26與像素電極25通過第三絕緣層273電絕緣。
[0056]由于與位于同一行的且左側相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接的像素電極25和與所述像素電極25左側相鄰的數據線21部分交疊，或者與位于同一行的且右側相鄰的像素單元23中的薄膜晶體管24電連接的像素電極25和所述像素電極25右側相鄰的數據線21部分交疊，在工作時，在交疊處可能會產生電信號的影響，因此，通過在薄膜晶體管24的源極242和漏極243與像素電極25之間設置公共電極26，可以對上述的像素電極25和數據線21的交疊處起到電信號屏蔽的作用。
[0057]在上述像素結構的實施例中，像素電極采用了狹縫結構，而公共電極采用了整面結構，然而在像素結構的其他實施例中，也可以公共電極具有狹縫結構，而像素電極在像素單元內為整面結構。在此種情況下，參見圖5b，公共電極26可以設置在像素電極25上，并通過第三絕緣層273實現電絕緣。
[0058]需要說明的是，在圖5a和圖5b中的薄膜晶體管24的柵極241設置在源極242和漏極243的下方，然而這僅是設置柵極241的具體示例，在其他示例中，柵極241也可以設置在源極242和漏極243的上方，在此不做限定。
[0059]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板。圖6是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。參見圖6，所述陣列基板包括:玻璃基板31和像素結構32，所述像素結構32為上述各實施例所述的像素結構。
[0060]本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板。圖7是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。參見圖7，所述顯示面板包括陣列基板41、與陣列基板41相對設置的彩膜基板42以及位于陣列基板41和彩膜基板42之間的液晶層43，其中，液晶層43由液晶分子431形成。本實施例中的陣列基板41為上述實施例中所述的陣列基板。
[0061]需要說明的是，上述顯示面板可以具有觸控功能，也可以不具有觸控功能，在實際制作時，可以根據具體的需要進行選擇和設計。其中，觸控功能可以為電磁觸控功能、電容觸控功能或者電磁電容觸控功能等。
[0062]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置。圖8是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖。參見圖8，顯示裝置包括顯示面板51，還可以包括驅動電路和其他用于支持顯示裝置50正常工作的器件。其中，所述顯示面板51為上述實施例中所述的顯示面板。上述的顯示裝置50可以為手機、臺式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙中的一種。
[0063]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置的驅動方法，所述驅動方法采用上述實施例所述的顯示裝置來執(zhí)行。圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的驅動方法的流程示意圖。參見圖9，所述顯示裝置的驅動方法包括:
[0064]步驟601、各行掃描線依次導通所述各行掃描線控制的像素單元，其中，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，并且在任意相鄰的兩行像素單元中，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，且所述薄膜晶體管的第一側與第二側相對設置；
[0065]步驟602、通過奇數組數據線向導通的像素單元施加第一數據信號，通過偶數組數據線向導通的像素單元施加第二數據信號，其中所述第一數據信號的極性與第二數據信號的極性相反，每組數據線包括至少一列數據線。
[0066]需要說明的是，上述數據信號的極性由數據信號的電壓與公共電壓的電壓差決定，當該電壓差大于O時，極性為正，通常用“ + ”號表示；當該電壓差小于O時，極性為負，通常用“一”號表示。因此，第二數據信號的極性與第一數據信號的極性相反可以理解為:當第一數據信號的極性為正時，第二數據信號的極性為負，或者當第一數據信號的極性為負時，第二數據信號的極性為正。
[0067]在本發(fā)明實施例中，優(yōu)選為每組數據線包括一列數據線或者兩列數據線。
[0068]由于執(zhí)行本發(fā)明實施例的驅動方法的顯示裝置采用了上述實施例中的像素結構，因此，通過上述步驟601-步驟603對顯示裝置的驅動，可以使顯示裝置在一幀畫面內通過列反轉來實現點反轉(對應于每組數據線為一列數據線)或者通過兩列反轉來實現兩點反轉(對應于每組數據線為兩列數據線)。接下來，就以上述步驟對顯示裝置的驅動以使顯示裝置在一幀畫面內通過列反轉來實現點反轉為例進行說明，關于上述步驟對顯示裝置的驅動以使顯示裝置在一幀畫面內通過兩列反轉來實現兩點反轉的情況，可以參照顯示裝置在一幀畫面內通過列反轉來實現點反轉的情況，也可以參見上述像素結構關于由兩列反轉來實現兩點反轉的相關原理的描述，在此不再一一贅述。
[0069]下面以顯示裝置采用圖2a所示的像素結構為例來進一步說明通過步驟601-步驟603的驅動使顯示裝置由列反轉實現點反轉，并且假定該像素結構包含7條數據線和7條掃描線。相關的驅動方法的具體步驟如下:
[0070]步驟6011、第一行掃描線導通該行掃描線控制的像素單元，并且通過奇數列數據線向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，通過偶數列數據線向導通的像素單元施加極性為“ + ”的第二數據信號。
[0071]參見圖10a，第一行掃描線SI導通該行掃描線SI控制的像素單元，并且通過奇數列數據線D1、D3、D5和D7向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，偶數列數據線D2、D4和D6向導通的像素單元施加極性為“ + ”的第二數據信號。如圖2a所示，由于該行的像素單元中的像素電極均和與其位于同一行的且位于其左側相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接，并且該薄膜晶體管和與其左側相鄰的數據線電連接，因此，在圖1Oa中，經過對第一行各個像素單元施加第一數據信號和第二數據信號后，按從左到右的順序，各個像素單元獲得的數據信號的極性依次為“ + 一”交替。
[0072]步驟6012、關閉第一行掃描線導通的像素單元，再經第二行掃描線導通該行掃描線控制的像素單元，并且通過奇數列數據線向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，通過偶數列數據線向導通的像素單元施加極性為“ + ”的第二數據信號。
[0073]參見圖10b，關閉第一行掃描線SI導通的像素單元，再經第二行掃描線S2導通該行掃描線控制的像素單元，并且通過奇數列數據線D1、D3、D5和D7向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，通過偶數列數據線D2、D4和D6向導通的像素單元施加極性為“ + ”的第二數據信號。如圖2a所示，由于該行的像素單元中的像素電極均和與其所在的像素單元中的薄膜晶體管電連接，并且該薄膜晶體管和與其左側相鄰的數據線電連接，因此，在圖1Ob中，經過對第二行各個像素單元施加第一數據信號和第二數據信號后，按從左到右的順序，各個像素單元獲得的數據信號的極性依次為“一”、“ + ”交替。
[0074]步驟6013、關閉第二行掃描線導通的像素單元，再經剩余行掃描線導通相應行掃描線控制的像素單元，并且通過奇數列數據線向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，通過偶數列數據線向導通的像素單元施加極性為“+”的第二數據信號。
[0075]參見圖10c，關閉第二行掃描線S2導通的像素單元，再經剩余行掃描線(S3-S7)導通相應行掃描線控制的像素單元，并且通過奇數列數據線D1、D3、D5和D7向導通的像素單元施加極性為“一”的第一數據信號，通過偶數列數據線D2、D4和D6向導通的像素單元施加極性為“ + ”的第二數據信號。對于剩余的像素單元，奇數行的像素單元獲得的數據信號的極性與第一行像素單元獲得的數據信號的極性相同，請參考步驟6011的相關描述；偶數行的像素單元獲得的數據信號的極性與第二行像素單元獲得的數據信號的極性相同，請參考步驟6012的相關描述。并且，圖1Oc同時示出了在一幀畫面內各像素單元所獲得的數據信號的極性情況。通過圖1Oc可以看出，對于采用圖2a中的像素結構的顯示裝置，經步驟6011-步驟6013可以由列反轉實現點反轉。
[0076]在本發(fā)明實施例中，進一步地，所述第一數據信號的極性和所述第二數據信號的極性的幅值相等。例如，如果第一數據信號的電壓為10伏，公共電壓為6伏，那么第二數據信號的電壓應為2伏，這樣第一數據信號的電壓與公共電壓的電壓差為4伏，第二數據信號的電壓與公共電壓的電壓差為-4伏，因此，第一數據信號的極性與第二數據信號的極性相反，且兩數據信號的極性的幅值相同。
[0077]在本發(fā)明實施例中，優(yōu)選為所述顯示裝置的驅動方法以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期。參見圖11a，顯示裝置在第一幀畫面時通過列反轉實現點反轉的數據信號的極性分布，參見圖11b，顯示裝置在第二幀畫面時數據信號的極性分布，通過圖1la和圖1lb可以看出，第一幀畫面與第二幀畫面的每個點(與像素單元對應)的極性相反，即在第一幀畫面的基礎上，第二幀畫面的數據信號的極性發(fā)生了反轉，這表明顯示裝置的驅動方法以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期。
[0078]顯示裝置的驅動方法除了以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期外，也可以以四幀或者更多偶數幀畫面為一個極性反轉驅動周期。例如，圖12a-圖12d示出了顯示裝置的驅動方法以四幀畫面為一個極性反轉驅動周期。然而，通過圖11a、圖1lb以及圖12a-圖12d可以看出，如果顯示裝置的驅動方法以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期，則會增大極性反轉的頻率，這樣會更好地降低液晶材料由于產生極化而造成永久性破壞的可能性，從而可以更好地對液晶材料起到保護的作用。
[0079]本發(fā)明實施例提供的像素結構、陣列基板、顯示面板和顯示裝置及其驅動方法，通過設置像素結構中的任意相鄰的兩行像素單元，使一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，使另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，這樣的像素結構可以通過列反轉來實現點反轉或者通過兩列反轉來實現兩點反轉，以保證極性反轉具有較小的功耗；并且，對于上述的像素結構，即使在制作薄膜晶體管的過程中對位發(fā)生問題，當掃描線施加的掃描信號被拉低時，奇數行和偶數行像素單元中的像素電極的電壓被拉低的幅度大小仍然是相同，相應地，奇數行和偶數行像素電極所需的公共電極的補償電壓也相同，即公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓能夠進行完全補償，因此，可以避免因公共電極對奇數行和偶數行像素電極的電壓無法完全補償而出現的橫紋問題或者閃爍不良，從而可以改善像素結構的顯示效果O
[0080]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權利要求范圍決定。
【權利要求】
1.一種像素結構，其特征在于，包括: 多條數據線和多條掃描線； 所述多條數據線和所述多條掃描線交叉形成的多個像素單元，其中，所述像素單元與一條數據線和一條掃描線對應； 位于所述像素單元中的像素電極和薄膜晶體管； 對于任意相鄰的兩行像素單元，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接； 所述薄膜晶體管的第一側與第二側相對設置。
2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于: 奇數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，偶數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一像素單元中的像素電極電連接；或者 偶數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，奇數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一像素單元中的像素電極電連接。
3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于: 奇數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，偶數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接；或者 偶數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接；奇數行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接。
4.根據權利要求2或3所述的像素結構，其特征在于，與位于同一行的且第一側相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接的像素電極和與所述像素電極第一側相鄰的數據線部分交疊；或者 與位于同一行的且第二側相鄰的像素單元中的薄膜晶體管電連接的像素電極和所述像素電極第二側相鄰的數據線部分交疊。
5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括:公共電極，所述公共電極位于所述像素電極和與所述像素電極電連接的薄膜晶體管的源極和漏極所在的膜層之間且與兩者電絕緣。
6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對應的數據線電連接； 所述的薄膜晶體管的柵極和與其電連接的像素電極所在的像素單元對應的掃描線電連接。
7.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素單元的排列方式為交錯排列或者矩陣排列。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一項所述的像素結構。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求8所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的顯示面板。
11.一種顯示裝置的驅動方法，所述顯示裝置由權利要求10所述的顯示裝置來執(zhí)行，其特征在于，包括: 各行掃描線依次導通所述各行掃描線控制的像素單元，其中，所述像素單元包括像素電極和薄膜晶體管，并且在任意相鄰的兩行像素單元中，一行像素單元中的薄膜晶體管和與其位于同一行的且與其第一側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，另一行像素單元中的薄膜晶體管和與其所在的像素單元中的像素電極電連接或者與其位于同一行的且與其第二側相鄰的像素單元中的像素電極電連接，且所述薄膜晶體管的第一側與第二側相對設置； 通過奇數組數據線向導通的像素單元施加第一數據信號，通過偶數組數據線向導通的像素單元施加第二數據信號，其中所述第一數據信號的極性與第二數據信號的極性相反，每組數據線包括至少一列數據線。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于，所述每組數據線包括一列數據線或者兩列數據線。
13.根據權利要求11所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于，所述第一數據信號的極性和所述第二數據信號極性的幅值相等。
14.根據權利要求11所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于，所述顯示裝置的驅動方法以兩幀畫面為一個極性反轉驅動周期。
【文檔編號】G02F1/1362GK104317121SQ201410531216
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月10日 優(yōu)先權日:2014年10月10日
【發(fā)明者】金慧俊, 曹兆鏗, 簡守甫, 林珧 申請人:上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司