一種顯示基板及具有該顯示基板的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示基板及具有該顯示基板的顯示裝置，該顯示基板包括：位于所述顯示基板的對位區(qū)域的對位標識；以及位于所述對位標識周邊預設區(qū)域的阻隔結構，所述阻隔結構用于阻擋摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留顆粒。該阻隔結構能夠將摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留ITO等微小顆粒提前堆積在所述阻隔結構中，而不影響對位標識的樣貌，從而避免對位標識樣貌改變而導致的對位模糊或對位偏移的問題，使設備順利識別對位標識，完成顯示基板之間的對盒，大幅提高了生產(chǎn)的穩(wěn)定性與效率，節(jié)約了成本。
【專利說明】一種顯示基板及具有該顯示基板的顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種顯示基板及具有該顯示基板的顯示裝置。

【背景技術】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯不屏)由薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板和彩膜(Color Filter, CF)基板對盒而成，TFT基板和CF基板之間填充有液晶，通過控制TFT基板上的電壓變化來驅動液晶的偏轉，從而達到輸出不同畫面的要求。在成盒工藝中，最重要的一步就是對盒(Cell)技術，即將TFT基板和CF基板按照設計要求，在精度范圍內完成對盒。請參考圖1，圖1為TFT基板101和CF基板102的對盒示意圖。而對盒工藝中起到最重要作用，也是最關鍵部分的是用來對位的對位標識(Mark) 103。若對位標識103出現(xiàn)問題，例如在TFT基板的摩擦取向過程中因TFT基板上的微小殘留顆粒堆積而在對位標識的邊緣處形成鋸齒狀殘留，對盒必將無法準確完成，從而造成TFT-1XD出現(xiàn)各種不良，如Mura類不良，Zara類不良等。


【發(fā)明內容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種顯示基板及具有該顯示基板的顯示裝置，以解決在顯示基板的摩擦取向過程中因顯示基板上的微小殘留顆粒堆積而在對位標識的邊緣處形成鋸齒狀殘留，導致顯示基板對位不準的問題。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種顯示基板，包括:位于所述顯示基板的對位區(qū)域的對位標識；其特征在于，還包括:位于所述對位標識周邊預設區(qū)域的阻隔結構，所述阻隔結構用于阻擋摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留顆粒。
[0005]優(yōu)選地，所述阻隔結構為溝壑狀。
[0006]優(yōu)選地，所述阻隔結構包括:多個平行間隔設置的線狀凸起。
[0007]優(yōu)選地，所述阻隔結構還包括:將所述對位標識圍住的矩形框凸起，所述線狀凸起位于所述矩形框凸起內。
[0008]優(yōu)選地，在從遠離所述對位標識至靠近所述對位標識的方向上，所述多個線狀凸起的長度逐漸變短。
[0009]優(yōu)選地，所述線狀凸起的延伸方向與所述摩擦取向輥的前進方向垂直。
[0010]優(yōu)選地，所述阻隔結構包括:多個呈同心分布的圓圈狀凸起，所述對位標識位于所述多個圓圈狀凸起的圓心區(qū)域。
[0011]優(yōu)選地，所述阻隔結構包括:多個間隔設置的鋸齒狀凸起。
[0012]優(yōu)選地，所述阻隔結構與所述對位標識具有相同的膜層結構。
[0013]優(yōu)選地，所述阻隔結構包括至少一層金屬層和用于覆蓋所述金屬層的絕緣層。
[0014]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示基板。
[0015]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0016]在對位標識周邊預設區(qū)域形成阻隔結構，阻隔結構能夠將摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留ITO等微小顆粒提前堆積在所述阻隔結構中，而不影響對位標識的樣貌，從而避免對位標識樣貌改變而導致的對位模糊或對位偏移的問題，使設備順利識別對位標識，完成顯不基板之間的對盒，大幅提聞了生廣的穩(wěn)定性與效率，節(jié)約了成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有的TFT基板和CF基板上的對位標識的分布不意圖；
[0018]圖2為現(xiàn)有的TFT基板上的對位標識的放大俯視圖；
[0019]圖3為完美生產(chǎn)環(huán)境下TFT基板無ITO微小殘留顆粒時對位標識的截面示意圖；
[0020]圖4為TFT基板有ITO微小殘留顆粒時對位標識的截面不意圖；
[0021]圖5為現(xiàn)有的摩擦取向過程示意圖；
[0022]圖6為摩擦取向過程中ITO殘留顆粒堆積產(chǎn)生過程示意圖；
[0023]圖7為正常的對位標識(左)和具有鋸齒狀殘留的對位標識的比較示意圖；
[0024]圖8為本發(fā)明實施例的顯示基板的截面圖；
[0025]圖9為本發(fā)明實施例的阻隔結構對微小殘留顆粒的阻隔效果示意圖；
[0026]圖10為本發(fā)明實施例一的阻隔結構的俯視圖；
[0027]圖11為本發(fā)明實施例二的阻隔結構的俯視圖；
[0028]圖12為本發(fā)明實施例三的阻隔結構的俯視圖；
[0029]圖13為本發(fā)明實施例四的阻隔結構的俯視圖；
[0030]圖14為本發(fā)明實施例五的阻隔結構的俯視圖。
[0031]附圖標識說明
[0032]圖1-7
[0033]101 TFT 基板
[0034]102 CF 基板
[0035]103對位標識
[0036]301 襯底
[0037]302金屬層
[0038]303絕緣層
[0039]401殘留的ITO微小顆粒
[0040]501摩擦取向輥
[0041]圖8-14
[0042]801 襯底
[0043]802對位標識
[0044]803阻隔結構
[0045]401殘留的ITO微小顆粒
[0046]501摩擦取向輥
[0047]1001線狀凸起
[0048]1002矩形框凸起
[0049]1301圓圈狀凸起
[0050]1401鋸齒狀凸起

【具體實施方式】
[0051]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0052]在TFT基板制作過程中，形成最上層的ITO(氧化銦錫)電極時，通常是先鍍上一層ITO膜層，在沒有電路圖案的區(qū)域，將ITO膜層刻蝕掉，但是在實際的工藝中ITO膜層無法完全刻蝕，仍有微小顆粒殘留，即通常所說的ITO Remain(殘留)。請參考圖2至圖4，圖2為現(xiàn)有的TFT基板上的對位標識的俯視圖，圖3為理想生產(chǎn)情況下無ITO微小殘留顆粒時對位標識的截面示意圖，對位標識103通常由設置于襯底301上的一層金屬層302和一層絕緣層303組成，其中，金屬層302通常與TFT基板的柵極金屬層或源漏極金屬層同時形成，圖4為實際生產(chǎn)情況下有ITO微小殘留顆粒時對位標識的截面示意圖，圖4中，401為殘留的ITO微小顆粒。
[0053]對盒工藝主要包括:1)取向膜的涂覆；2)對盒；3)注入液晶。其中在取向膜的涂覆的過程中，會有一步Rubbing(摩擦取向)過程,即通過摩擦取向棍上的摩擦取向布對取向膜進行取向，使之符合液晶的初始排布。Rubbing的示意圖如5所示，圖5中，501為摩擦取向輥，箭頭所指方向為摩擦取向輥501的滾動方向。由于在制作TFT基板的過程中會存在微小ITO顆粒的殘留，在Rubbing過程中，會造成在TFT基板上的臺階處(對位標識103的邊緣)造成ITO顆粒的堆積，使得對位標識103的邊緣形成鋸齒狀殘留。產(chǎn)生過程示意圖如圖6所示。圖7左為理想情況下正常的對位標識，右為具有鋸齒狀殘留的對位標識。
[0054]在對位過程中，機器無法識別上述對位標識邊緣處的鋸齒狀殘留，從而導致對位模糊或對位偏移的情況發(fā)生，對生產(chǎn)和產(chǎn)品造成很大的影響。
[0055]為解決因顯示基板上的微小殘留顆粒堆積而在對位標識的邊緣處形成鋸齒狀殘留，導致顯示基板對位不準的問題，本發(fā)明實施例提供一種顯示基板，包括:位于所述顯示基板的對位區(qū)域的對位標識，以及位于所述對位標識周邊預設區(qū)域的阻隔結構，所述阻隔結構用于阻擋摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留顆粒。
[0056]所述周邊預設區(qū)域位于摩擦取向輥摩擦取向時所經(jīng)區(qū)域。需要說明的是，不限于在對位標識周邊有摩擦取向輥摩擦取向經(jīng)過的區(qū)域，在對位標識周邊都可以設置阻隔結構，不管有無摩擦取向輥經(jīng)過都可以起到阻隔作用。
[0057]由于對位標識周邊預設區(qū)域形成阻隔結構，因而能夠將摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留ITO等顆粒堆積在所述阻隔結構中，而不影響對位標識的樣貌，從而避免對位標識樣貌改變而導致的對位模糊或對位偏移的問題，使設備順利識別對位標識，完成顯示基板之間的對盒，大幅提高了生產(chǎn)的穩(wěn)定性與效率，節(jié)約了成本。
[0058]所述阻隔結構可以與所述顯示基板上的膜層同時形成，以降低制備成本，當然，也可以單獨制備所述阻隔結構。
[0059]所述阻隔結構可以與所述對位標識具有相同的膜層結構，以進一步降低制備成本，當然，所述阻隔結構也可以與所述對位標識具有不同的膜層結構。
[0060]所述對位標識通常是由一層金屬層和用于覆蓋所述金屬層的絕緣層形成，例如，當所述顯示基板為陣列基板時，所述金屬層可以與所述陣列基板的柵金屬層或者源漏金屬層同時形成。所述絕緣層可以與所述陣列基板的鈍化層，或其他絕緣層同時形成。前面提至IJ，所述阻隔結構可以與所述對位標識具有相同的膜層結構，即所述阻隔結構也包括一層金屬層和用于覆蓋所述金屬層的絕緣層。當然，所述阻隔結構也可以包括多層金屬層和絕緣層。
[0061]本發(fā)明實施例中，阻隔結構對顯示基板上的電路、顯示區(qū)域以及對位標識不產(chǎn)生任何影響，實現(xiàn)成本較低。
[0062]請參考圖8,圖8為本發(fā)明實施例的顯示基板的截面示意圖，所述顯示基板包括:襯底基板801，位于所述襯底基板801的對位區(qū)域的對位標識802，以及位于所述對位標識802的周邊預設區(qū)域的阻隔結構803，所述阻隔結構803為溝壑狀。
[0063]請參考圖9，圖9為本發(fā)明實施例的阻隔結構的阻隔效果示意圖，從圖9中可以看出，當摩擦取向輥摩擦取向時，其攜帶的ITO微小顆粒401會被阻隔結構803提前阻隔在其溝壑中，不會堆積到對位標識802的邊緣，從而不影響對位標識的樣貌，避免對位標識樣貌改變而導致的對位模糊或對位偏移的問題。
[0064]本發(fā)明實施例中，阻隔結構用于阻隔殘留ITO微小顆粒，當然，也可以阻隔顯示基板上的其他微小顆粒。
[0065]本發(fā)明實施例中，顯示基板可以為陣列基板，也可以為彩膜基板，或者其他類型的顯不基板。
[0066]下面舉例對所述阻隔結構的樣貌進行說明。
[0067]請參考圖10，圖10為本發(fā)明實施例一的阻隔結構的俯視圖，所述阻隔結構包括:多個平行間隔設置的線狀凸起1001。
[0068]請參考圖11，圖11為本發(fā)明實施例二的阻隔結構的俯視圖，所述阻隔結構包括:多個平行間隔設置的線狀凸起1001以及將所述對位標識圍住的矩形框凸起1002，所述線狀凸起1001位于所述矩形框凸起1002內。
[0069]請參考圖12，圖12為本發(fā)明實施例三的阻隔結構的俯視圖，所述阻隔結構包括:多個平行間隔設置的線狀凸起1001，在從遠離所述對位標識至靠近所述對位標識的方向上，所述多個線狀凸起1001的長度逐漸變短。
[0070]上述實施例中，各線狀凸起1001之間的間距可以相等，也可以不等。
[0071]上述實施例中，各線狀凸起1001的延伸方向與摩擦取向輥的滾動方向垂直，當然，在本發(fā)明的其他實施例中，各線狀凸起1001的延伸方向也可以不與摩擦取向輥的滾動方向垂直，例如，可以呈預設角度排列。
[0072]請參考圖13，圖13為本發(fā)明實施例四的阻隔結構的俯視圖，所述阻隔結構包括:多個呈同心分布的圓圈狀凸起1301，所述對位標識位于所述多個圓圈狀凸起1301的圓心區(qū)域。
[0073]本發(fā)明實施例中，不同的對位標識對應的圓圈狀凸起1301的個數(shù)可以相同，也可以不同。
[0074]請參考圖14，圖14為本發(fā)明實施例五的阻隔結構的俯視圖，所述阻隔結構包括:多個間隔設置的鋸齒狀凸起1401。
[0075]當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，所述阻隔結構也可以為其他樣貌，在此不再一一舉例說明。
[0076]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述實施例中的顯示基板。
[0077]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種顯示基板，包括:位于所述顯示基板的對位區(qū)域的對位標識；其特征在于，還包括:位于所述對位標識周邊預設區(qū)域的阻隔結構，所述阻隔結構用于阻擋摩擦取向輥摩擦取向時攜帶的殘留顆粒。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構為溝壑狀。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構包括:多個平行間隔設置的線狀凸起。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構還包括:將所述對位標識圍住的矩形框凸起，所述線狀凸起位于所述矩形框凸起內。
5.根據(jù)權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，在從遠離所述對位標識至靠近所述對位標識的方向上，所述多個線狀凸起的長度逐漸變短。
6.根據(jù)權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述線狀凸起的延伸方向與所述摩擦取向輥的前進方向垂直。
7.根據(jù)權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構包括:多個呈同心分布的圓圈狀凸起，所述對位標識位于所述多個圓圈狀凸起的圓心區(qū)域。
8.根據(jù)權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構包括:多個間隔設置的鋸齒狀凸起。
9.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構與所述對位標識具有相同的膜層結構。
10.根據(jù)權利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述阻隔結構包括至少一層金屬層和用于覆蓋所述金屬層的絕緣層。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的顯示基板。
【文檔編號】G02F1/1339GK104267544SQ201410553332
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年10月17日 優(yōu)先權日:2014年10月17日
【發(fā)明者】李佳, 盧昱, 單慶增, 張惠博, 郝金剛 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司