陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，該陣列基板，包括：相對設置的第一導電連接條；和形成于所述第一導電連接條之間的多個電極條，所述多個電極條通過所述第一導電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；所述多個電極條中存在至少一個電極條，所述至少一個電極條的一端與所述第一導電連接條中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條中的另一個間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。本發(fā)明能夠提高顯示質量。
【專利說明】陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別是一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法。

【背景技術】
[0002]對于液晶顯不而言，其從總體上包括兩種模式:橫向電場模式和垂直電場模式。垂直電場模式的液晶顯示器又包括多種類型，如:邊緣場開關叩3模式、平面轉換1？3模式和高級超維場轉換技術纟03模式等。
[0003]垂直電場模式的液晶顯示裝置中，當亞像素的亮度最高時，對應的液晶分子處于最大偏轉狀態(tài)。此時，當顯示裝置的顯示面受到外界壓力(如用戶進行觸摸控制操作時指點屏幕帶來到壓力)時，會導致液晶分子發(fā)生反向偏轉。
[0004]而在液晶分子發(fā)生反向偏轉時，由于液晶受回復力的存在，會導致液晶分子難以恢復或者難以快速恢復到水平的最大偏轉狀態(tài)，導致顯示的實際亮度低于目標亮度，影響顯示質量。


【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，提高顯示質量。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:對應于亞像素設置的像素電極和對應于亞像素設置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場，所述像素電極和公共電極之中的至少一個包括:
[0007]相對設置的第一導電連接條；和
[0008]形成于所述第一導電連接條之間的多個電極條，所述多個電極條通過所述第一導電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；
[0009]所述多個電極條中存在至少一個電極條，所述至少一個電極條的一端與所述第一導電連接條中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條中的另一個間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
[0010]上述的陣列基板，其中，還包括:相對設置的第二導電連接條，和所述第一導電連接條形成一導電連接框，所述多個電極條通過所述導電連接框相互電連接。
[0011]上述的陣列基板，其中，所述多個電極條相互平行。
[0012]上述的陣列基板，其中，所述開口包括多個時，在所述電極條的延伸方向上存在相對設置的開口。
[0013]上述的陣列基板，其中，所述陣列基板為邊緣場開關叩3模式或平面轉換1？3模式或高級超維場轉換技術八03模式的陣列基板。
[0014]上述的陣列基板，其中，所述導電連接框和所述多個電極條通過一次構圖工藝形成。
[0015]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:像素電極形成步驟和公共電極形成步驟，在形成像素電極和/或形成公共電極的過程中，通過掩膜版，使得形成的像素電極和/或公共電極包括:相對設置的第一導電連接條；和形成于所述第一導電連接條之間的多個電極條，所述多個電極條通過所述第一導電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫；所述多個電極條中存在至少一個電極條，所述至少一個電極條的一端與所述第一導電連接條中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條中的另一個間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
[0017]本發(fā)明實施例具有以下的有益效果:
[0018]本發(fā)明實施例中，設置至少一個電極條，其一端與所述導電框電連接，另一端與所述導電框間隔一定距離，形成一開口，連通所述狹縫。上述方式設置的電極條使得在開口處，電場的方向與亞像素內其它位置的電場方向不同，從而使得該開口處的液晶的偏轉程度較小，進而利用該偏轉程度較小的液晶來影響其它位置的液晶，加快亞像素內的其它液晶分子的恢復，提高了顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖匕表示本發(fā)明實施例的陣列基板中的電極的一種結構示意圖；
[0020]圖表示本發(fā)明實施例的陣列基板中的電極的另一種結構示意圖；
[0021]圖1(3表示本發(fā)明實施例的陣列基板中的電極的再一種結構示意圖；
[0022]圖2表示現(xiàn)有技術的陣列基板中的電極的結構示意圖；
[0023]圖33表示本發(fā)明實施例的圖1所示的陣列基板中其中一個具有缺口的電極條形成的電場的示意圖；
[0024]圖36表示本發(fā)明實施例的開口處的液晶分子在圖3所示的電場影響下的偏轉示意圖；
[0025]圖如-仙表示本發(fā)明實施例中的電極條的形狀和位置的示意圖；
[0026]圖5表示本發(fā)明實施例的陣列基板中，處于最高灰度時，亞像素內不同位置對應的液晶的偏轉不意圖。

【具體實施方式】
[0027]本發(fā)明實施例的中，通過電極條的設計來改變亞像素邊緣處的液晶分子的狀態(tài)，使得亞像素邊緣處的液晶分子能夠對亞像素內的其它液晶分子形成一個粘滯作用，加快其它液晶分子恢復到原本偏轉狀態(tài)的速度，提高顯示效果。
[0028]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:對應于亞像素設置的像素電極和對應于亞像素設置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場，所述像素電極和公共電極之中的至少一個，如圖匕所示包括:
[0029]相對設置的第一導電連接條1011 ；和
[0030]形成于所述第一導電連接條1011之間的多個電極條102，所述多個電極條102和所述第一導電連接條1011整體電連通，相鄰的電極條之間形成有狹縫103 ；
[0031]所述多個電極條102中存在至少一個電極條1021，所述至少一個電極條1021的一端與所述第一導電連接條1011中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條1011中的另一個間隔一定距離，形成一開口 104，連通相鄰的所述狹縫103。
[0032]如圖匕所示，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括:相對設置的第二導電連接條1012，和所述第一導電連接條1011形成一導電連接框，所述多個電極條102通過所述導電連接框相互電連接。
[0033]在圖匕中，形成了一個導電連接框，但本發(fā)明具體實施例并不局限于導電連接框的結構，如圖化所示，為本發(fā)明實施例的陣列基板中的電極的另一種結構示意圖。與圖所示的結構相比，并沒有第二導電連接條1012，此時，只需要其中一個電極條同時連通相對設置的第一導電連接條1011，即可使得所述多個電極條102和所述第一導電連接條1011形成整體電連通的結構。
[0034]如圖1(3所示，為本發(fā)明實施例的陣列基板中的電極的再一種結構示意圖。其中，只包括一條第二導電連接條1012，而任意一條電極條都只與第一導電連接條1011之中的一個電連接，而所有的電極條都通過第一導電連接條1011和第二導電連接條1012形成整體電連通的結構。
[0035]以上列舉了本發(fā)明實施例中形成開口結構的各種實現(xiàn)方式，但本發(fā)明實施例并不局限于以上的實現(xiàn)方式，只要電極條能夠與導電連接條之間形成開口結構，同時形成的任意一個像素電極或公共電極呈現(xiàn)整體電連通即可。
[0036]本發(fā)明實施例中如圖1所示的結構中，與圖2所示的現(xiàn)有技術的像素電極或公共電極相比，其設置的電極條中存在至少一個電極條，其一端與所述導電框(由第二導電連接條1012和第一導電連接條1011形成)電連接，另一端與所述導電框間隔一定距離，形成一開口，連通所述狹縫。上述方式設置的電極條使得在開口處，電場的方向與亞像素內其它位置的電場方向不同，從而使得該開口處的液晶的偏轉程度較小，進而利用該偏轉程度較小的液晶來影響其它位置的液晶，加快亞像素內的其它液晶分子的恢復，提高了顯示效果。
[0037]下面對本發(fā)明實施例的陣列基板能夠提高顯示效果作進一步詳細說明如下。
[0038]如圖2所示，現(xiàn)有技術中的狹縫狀的公共電極或像素電極中，其電極條的兩端分別搭接到導電連接框的兩個相對側邊，因此，對于整個電極條而言，其和另一個板狀電極形成的電場在電極條的各個位置都是相同的。
[0039]而本發(fā)明實施例中，如圖1所示，電極條1021的一端與所述導電框間隔一定距離，形成一開口 104，在開口 104處不再有電極條的存在，所以在所述開口處的電場與電極條1021所在位置的電場的方向和大小都會發(fā)生變化，而這種改變的電場就能夠加快液晶的恢復，解釋如下。
[0040]相對于圖2所示的現(xiàn)有技術的陣列基板結構而言，當亞像素處于最高灰度時，如圖33所示，對于電極條1021而言，由施加到像素電極和公共電極的電信號的共同作用下，在開口 104處產生了平面電場21。如圖33所示，￡1垂直于電極條1021的短邊，而￡1會對液晶分子產生使之向V方向偏轉的作用力。而對于電極條1021其他位置，如圖33所示，施加到像素電極和公共電極的電信號的共同作用下產生了平面電場22。如圖％所示，￡2垂直于電極條1021的長邊，其會對液晶分子產生使之向X方向偏轉的作用力。
[0041]如圖36所示，在上述的電場￡1和￡2作用下，開口中心處的液晶分子由于受到電場￡2的影響較小，因此基本呈無偏轉狀態(tài)，而越靠近開口邊緣的液晶分子，由于受到電場￡2的作用越來越大，因此偏轉程度越來越大。但由于￡1的作用，最邊緣的液晶分子也無法達到最大偏轉狀態(tài)。
[0042]也就是說，在上述電場￡1和￡2的作用下，當亞像素處于最高灰度時，將開口 104區(qū)域內的液晶會維持如圖5所示的相對較小的偏轉狀態(tài)，而其他位置的液晶會維持如圖5所示的最大偏轉狀態(tài)(即液晶分子平行于X軸)。
[0043]也就是說，由于上述的電場￡1和￡2的存在，當亞像素處于最高灰度時，如圖5所示，開口 104處的液晶的偏轉程度相對亞像素內的其它位置的液晶的偏轉程度相對較小，而沒有達到水平的最大偏轉狀態(tài)。
[0044]當亞像素受到按壓時，由于開口 104處的液晶的偏轉程度到水平的最大偏轉狀態(tài)之間還有一段預留量，所以開口 104處的液晶不會發(fā)生反向偏轉。當按壓作用力消失時，由于開口 104處的液晶并沒有發(fā)生反向偏轉，所以能夠以相對較快的速度恢復到原本位置，在液晶分子之間的粘滯力的作用下，開口 104處的液晶分子會加快其他位置的液晶分子恢復到水平偏轉狀態(tài)的速度。
[0045]在本發(fā)明的具體實施例中，并不限定電極條的具體形狀，如電極條可以設計為如圖如-仙的多個電極條相互平行的各種形狀。
[0046]上述的陣列基板，所述第一導電連接條、第二導電連接條和所述多個電極條可以通過一次構圖工藝形成。
[0047]上述的開口可以設置一個，也可以設置多個，當所述開口包括多個時，由于能夠從各個方向對反向偏轉的液晶分子產生作用，加快其恢復到水平偏轉狀態(tài)的速度，在本發(fā)明的具體實施例中，如圖1所示，在所述電極條的延伸方向X上存在相對設置的開口。
[0048]同時，上述開口的數(shù)量、位置以及尺寸可以通過仿真或者實際測試得到，在此不作詳細描述。
[0049]采用上述的設置，如圖1所示，處于上方開口處的液晶會從上往下對亞像素內的其它位置的發(fā)生反向偏轉的液晶分子進行作用，使之恢復到水平偏轉狀態(tài)，而處于下方開口處的液晶會從下往上對亞像素內的其它位置的發(fā)生反向偏轉的液晶分子進行作用，使之恢復到水平偏轉狀態(tài)。，相對于從一個方向對亞像素內的其它位置的液晶進行恢復的方式而言，開口相對設置的方式能夠進一步加快亞像素內液晶的恢復速度。
[0050]本發(fā)明實施例的陣列基板可以是邊緣場開關叩3模式或平面轉換1？3模式或高級超維場轉換技術八03模式的陣列基板。
[0051]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0052]下面以陣列基板為像素電極位于公共電極上方的八03陣列基板為例來說明本發(fā)明實施例的陣列基板的形成過程，其包括如下步驟:
[0053]步驟一，形成柵極和柵線。
[0054]此步驟可以采用任何可以通過一次構圖工藝實現(xiàn)的現(xiàn)有技術來實現(xiàn)。其中，構圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕等形成圖形的工藝；一次構圖工藝，是指使用一張掩模板此4的構圖工藝。例如，利用普通掩摸工藝實現(xiàn)，借助普通掩膜版對玻璃襯底上的柵極金屬薄膜進行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極和柵線的圖形。具體地，包括:在基板(襯底)上沉積柵金屬薄膜，利用普通掩摸板進行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線的圖形。
[0055]普通(常規(guī))掩膜版指通常所使用的具有透光區(qū)和非透光區(qū)的掩膜版，借助該第一常規(guī)掩膜版對形成在柵極金屬薄膜上的光刻膠層進行曝光顯影后，需要保留的柵極金屬薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的柵極金屬薄膜上的光刻膠被去除，通過刻蝕步驟，將不需要的柵極金屬薄膜刻蝕掉，剩余的柵極金屬薄膜即為所需的圖案化的柵極。
[0056]形成柵極金屬薄膜的工藝可以為濺射工藝，也可以為本領域技術人員所知的其它工藝。
[0057]步驟二，在完成所述步驟一的所述襯底上形成柵絕緣層。
[0058]其中，形成柵極絕緣層的工藝可以為化學氣相沉積工藝，也可以是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0059]步驟三，形成有源層、源極、漏極。
[0060]可以采用多色調掩模板來實現(xiàn)，也可采用雙色調掩模板并結合等離子體灰化工藝實現(xiàn)，具體實現(xiàn)過程包括:
[0061]首先，在所述柵絕緣層上方依次形成用于制作所述有源層的半導體薄膜及用于制作源極和漏極的金屬薄膜。
[0062]其次，同時刻蝕掉預定形成所述薄膜晶體管的區(qū)域之外的所述半導體薄膜和金屬薄膜。
[0063]最后，對保留的所述金屬薄膜進行刻蝕處理，形成所述源極和漏極。
[0064]步驟四，形成公共電極。
[0065]形成公共電極的過程也與上述過程相似，在此不再詳細描述。
[0066]步驟五，形成像素電極過孔。
[0067]首先，形成鈍化層，具體地，鈍化層的形成工藝可以為化學氣相沉積工藝，或是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0068]然后，同樣可以利用涂布光刻膠，通過雙色調掩膜版進行曝光、顯影，去除需要形成像素電極層過孔區(qū)域的光刻膠，形成像素電極過孔。
[0069]步驟六，形成像素電極。
[0070]其中一種實現(xiàn)方法可以為，具體包括:在所述鈍化層上及所述像素電極過孔中形成110氧化銦錫薄膜等；利用普通掩膜版對所述110薄膜進行圖案化，以形成像素電極薄膜的圖形。
[0071]在此，不同的是，本發(fā)明實施例的像素電極所包括的電極條中，如圖匕-化所示，部分或全部電極條的一端與相對設置的第一導電連接條1011中的一條電連接，另一端與相對設置的第一導電連接條1011中的另一條間隔一定距離，形成一開口。
[0072]因此，本發(fā)明實施例的陣列基板的制作過程與現(xiàn)有技術的區(qū)別在于，掩膜版的形狀不同。
[0073]具體地，像素電極薄膜的形成工藝可以為濺射工藝，或是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0074]借助該普通掩膜版對形成在氧化銦錫薄膜上的光刻膠層進行曝光、顯影后，需要保留的像素電極薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的像素電極薄膜上的光刻膠被去除，通過刻蝕步驟，將不需要的氧化銦錫薄膜刻蝕掉，剩余的像素電極薄膜即為所需的像素電極。
[0075]當然，應當理解的是，本發(fā)明實施例的上述過程僅僅是舉例描述，本發(fā)明實施例并不限定上述陣列基板的制作過程。
[0076]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括:對應于亞像素設置的像素電極和對應于亞像素設置的公共電極，所述像素電極和公共電極之間設置有絕緣層，所述像素電極和公共電極形成作用于液晶的橫向電場，其特征在于，所述像素電極和公共電極之中的至少一個包括: 相對設置的第一導電連接條；和 形成于所述第一導電連接條之間的多個電極條，所述多個電極條通過所述第一導電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫； 所述多個電極條中存在至少一個電極條，所述至少一個電極條的一端與所述第一導電連接條中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條中的另一個間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:相對設置的第二導電連接條，和所述第一導電連接條形成一導電連接框，所述多個電極條通過所述導電連接框相互電連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多個電極條相互平行。
4.根據權利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述開口包括多個時，在所述電極條的延伸方向上存在相對設置的開口。
5.根據權利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為邊緣場開關FFS模式或平面轉換IPS模式或高級超維場轉換技術ADS模式的陣列基板。
6.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導電連接框和所述多個電極條通過一次構圖工藝形成。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6中任意一項所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制作方法，包括:像素電極形成步驟和公共電極形成步驟，其特征在于，在形成像素電極和/或形成公共電極的過程中，通過掩膜版，使得形成的像素電極和/或公共電極包括: 相對設置的第一導電連接條；和 形成于所述第一導電連接條之間的多個電極條，所述多個電極條通過所述第一導電連接條電連通為一體，相鄰的電極條之間形成有狹縫； 所述多個電極條中存在至少一個電極條，所述至少一個電極條的一端與所述第一導電連接條中的一個電連接，另一端與所述第一導電連接條中的另一個間隔一定距離，形成一開口，連通相鄰的所述狹縫。
9.根據權利要求8所述一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括:所述開口包括多個時，在所述電極條的延伸方向上存在相對設置的開口。
【文檔編號】G02F1/1343GK104317119SQ201410616456
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權日:2014年11月5日
【發(fā)明者】王振偉, 范宇光, 方業(yè)周, 朱紅, 于洪俊 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司