一種3d眼鏡控制電路的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種3D眼鏡控制電路，包括電源、MOS場效應晶體管和三極管，MOS場效應晶體管的源極與電源連接，MOS場效應晶體管的漏極連接至3D眼鏡的主控制單元，三極管的集電極與MOS場效應晶體管柵極連接，三極管的發(fā)射極接地，控制電路還包括一按鍵，該按鍵的輸入端連接于電源，控制電路還包括一個共陰極雙二極管，其中雙二極管的一個正極連接于按鍵的輸出端，另一個正極接主控制單元的I/O接口，共同的負極通過一個電阻連接至三極管的基極。本發(fā)明通過此方法，可以更省電，基本可以做到關(guān)機0功耗，使電池能夠使用的時間更長。
【專利說明】一種3D眼鏡控制電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請屬于3D眼鏡【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種3D眼鏡控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]3D電視越來越普及，配合3D電視技術(shù)的快門式3D眼鏡也越來越多，快門式3D眼鏡在工作及待機的時候均會耗電，目前通用的做法是用一塊紐扣電池來供電，通過3D眼鏡主控芯片來做電源管理。待機及關(guān)機的時候3D主控進入睡眠狀態(tài)。
[0003]紐扣電池因為體積的原因容量都做不大，因無物理切斷電源機制(受結(jié)構(gòu)所限及美觀等原因，都不會使用硬性開關(guān)，而大量采用輕觸開關(guān))，待機及關(guān)機功耗就顯得格外的關(guān)鍵。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種3D眼鏡控制電路，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0006]本申請實施例公開了一種3D眼鏡控制電路，包括電源、MOS場效應晶體管、第一電阻、第二電阻和三極管，所述MOS場效應晶體管的源極與所述電源連接，所述MOS場效應晶體管的漏極連接至3D眼鏡的主控制單元，所述第一電阻連接在所述電源和MOS場效應晶體管的柵極之間，所述三極管的集電極與所述MOS場效應晶體管柵極連接，所述三極管的發(fā)射極接地，所述第二電阻連接于所述三極管的發(fā)射極和基極之間，所述控制電路還包括一按鍵，該按鍵的輸入端連接于所述電源，該按鍵的輸出端通過第三電阻接地，所述控制電路還包括一個共陰極雙二極管，其中雙二極管的一個正極連接于按鍵的輸出端，另一個正極接主控制單元的I/O接口，共同的負極通過第四電阻連接至三極管的基極。
[0007]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述MOS場效應晶體管為PMOS管。
[0008]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述共陰極雙二極管型號為BAV74。
[0009]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，:所述第一電阻為1KΩ。
[0010]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述第二電阻為10ΚΩ。
[0011]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述第三電阻為10ΚΩ。
[0012]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述第四電阻為1ΚΩ。
[0013]優(yōu)選的，在上述的3D眼鏡控制電路中，所述電源為紐扣電池或可充電電池。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明利用MOS管來做電子開關(guān)，配合3D主控來完全切斷電源，本發(fā)明通過此方法，可以更省電，基本可以做到關(guān)機O功耗，使電池能夠使用的時間更長。當然，也就更環(huán)保。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1所示為本發(fā)明具體實施例中3D眼鏡控制電路的示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行詳細的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]參圖1所示，3D眼鏡控制電路包括電源BAT_IN、MOS場效應晶體管Q1、第一電阻R2、第二電阻R4和三極管Q1。其中，電源BAT_IN可以為紐扣電池，也可以為可充電電池，例如鋰電池，MOS場效應晶體管優(yōu)選為A03401，第一電阻R2和第二電阻R4的阻值優(yōu)選為1K Ω，三極管Ql優(yōu)選為NPN型三極管2N3904。
[0019]MOS場效應晶體管Ql的源極S與電源BAT_IN連接，MOS場效應晶體管的漏極D連接至3D眼鏡的主控制單元，第一電阻R2連接在電源BAT_IN和MOS場效應晶體管的柵極G之間，三極管Ql的集電極與MOS場效應晶體管Ql柵極G連接，三極管Ql的發(fā)射極接地，第二電阻R4連接于三極管Ql的發(fā)射極和基極之間。
[0020]R2及R4的作用都是為了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，以分別保持Ql和Q2為關(guān)斷狀態(tài)。
[0021]主控制單元可以包括微處理器(MCU)，該MCU可以包括中央處理單元(CentralProcessing Unit, CPU)、只讀存儲模塊(read-only memory, ROM)、隨機存儲模塊(randomaccess memory, RAM)、定時模塊、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊(A/D converter)、以及復數(shù)輸入/輸出埠。當然，主控制單元也可以采用其它形式的集成電路，如:特定用途集成電路(Applicat1n Specific Integrated Circuit，ASIC)或現(xiàn)場可程序化門陣列(FieldProgrammable Gate Array, FPGA)等。
[0022]控制電路還包括一按鍵SI，該按鍵SI的輸入端2連接于電源BAT_IN，該按鍵SI的輸出端I通過第三電阻Rl接地，第三電阻Rl的阻值優(yōu)選為10K Ω。
[0023]Rl的作用是保證按鍵未按下時KEY_DET信號為低電平。
[0024]控制電路還包括一個共陰極雙二極管D1，D1優(yōu)選為BAV74貼片二極管。其中一個正極Al連接于按鍵SI的輸出端1，另一個正極A接主控制單元的1/0接口，共陰極雙二極管的輸出端K通過第四電阻R3連接至三極管Ql的基極。第四電阻R3的阻值優(yōu)選為IK Ω。
[0025]R3的作用是保護Q2，限制Q2基極的電流。
[0026]3D眼鏡控制電路的控制原理如下:
[0027]開機流程，當按下按鍵SI的時候，電池電源通過S1、D1、R3將Q2的基極拉高。使Q2導通。Ql的G極給拉低，隨之Ql導通。電池通過Ql給3D主控供電。3D主控工作后，第一時間將CT_P0WER信號腳拉高，以保持Ql，Q2的導通。整機正常開機工作。
[0028]關(guān)機流程，當按下按鍵SI的時候，KEY_DET信號變高(原通過Rl置為低電平)，3D主控測到此信號后將CT_P0WER信號拉低，則Ql，Q2均不導通，整機電源切斷。
[0029]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0030]以上所述僅是本申請的【具體實施方式】，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本申請的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種3D眼鏡控制電路，其特征在于，包括電源、MOS場效應晶體管、第一電阻、第二電阻和三極管，所述MOS場效應晶體管的源極與所述電源連接，所述MOS場效應晶體管的漏極連接至3D眼鏡的主控制單元，所述第一電阻連接在所述電源和MOS場效應晶體管的柵極之間，所述三極管的集電極與所述MOS場效應晶體管柵極連接，所述三極管的發(fā)射極接地，所述第二電阻連接于所述三極管的發(fā)射極和基極之間，所述控制電路還包括一按鍵，該按鍵的輸入端連接于所述電源，該按鍵的輸出端通過第三電阻接地，所述控制電路還包括一個共陰極雙二極管，其中雙二極管的一個正極連接于按鍵的輸出端，另一個正極接主控制單元的I/O接口，共同的負極通過第四電阻連接至三極管的基極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述MOS場效應晶體管為PMOS 管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述共陰極雙二極管型號為BAV74o
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述第一電阻為1KΩ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述第二電阻為1KΩ。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述第三電阻為1KΩ。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述第四電阻為IKΩ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D眼鏡控制電路，其特征在于:所述電源為紐扣電池或可充電電池。
【文檔編號】G02B27/22GK104469339SQ201410664569
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
【發(fā)明者】章建民 申請人:江蘇億成光電科技有限公司