光刻版設(shè)計(jì)方法及光刻工藝中不同光刻機(jī)的匹配方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光刻版設(shè)計(jì)方法及光刻工藝中不同光刻機(jī)的匹配方法，根據(jù)同一產(chǎn)品的圖形層次以及空閑的不同類型光刻機(jī)的數(shù)量確定每一圖形層次光刻工藝所使用的光刻機(jī)，其中，用于第一類光刻機(jī)的光刻版版圖由整數(shù)倍的用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖組成，所述第一類光刻機(jī)的曝光視場(chǎng)大于所述第二類光刻機(jī)的曝光視場(chǎng)。如此，可以在同一產(chǎn)品的光刻工藝中采用多種型號(hào)的光刻機(jī)，并且仍然可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品圖形的對(duì)準(zhǔn)，在不犧牲第一類光刻機(jī)效率的前提下，兼容第二類光刻機(jī)的效率，充分發(fā)揮在線各類型光刻機(jī)的產(chǎn)能。
【專利說明】光刻版設(shè)計(jì)方法及光刻工藝中不同光刻機(jī)的匹配方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻版設(shè)計(jì)方法及光刻工藝中不同 光刻機(jī)的匹配方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 光刻技術(shù)是在一片平整的娃片上構(gòu)建晶體管和電路的基礎(chǔ)，該其中包含有很多步 驟與流程。例如，首先要在娃片上涂上一層光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的掩 模板或稱光刻版（MASK)照射在娃片上，W正性光刻膠為例，被照射的光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)后 續(xù)可利用堿性顯影液去除，而未照射到的部分則不會(huì)與堿性顯影液反應(yīng)而得W保留在娃片 上，W此作為刻蝕工藝的掩膜層。
[0003] 在超大規(guī)模集成電路工藝生產(chǎn)線上，往往投入多臺(tái)光刻機(jī)同時(shí)使用，既有相同型 號(hào)的多臺(tái)光刻機(jī)同時(shí)運(yùn)行的情況，但更多的是不同型號(hào)光刻機(jī)同時(shí)運(yùn)行。該是因?yàn)殡S著不 同工藝平臺(tái)的發(fā)展（例如從2ym生產(chǎn)平臺(tái)逐步升級(jí)為1. 2ym、1. 0ym、0. 8ym、0. 5ym生 產(chǎn)平臺(tái)），光刻機(jī)性能也不斷地產(chǎn)生相應(yīng)的升級(jí)，例如由G-線升級(jí)為I-線光刻機(jī)，為此必然 需要用到不同型號(hào)的光刻機(jī)。
[0004] 對(duì)于NIKON光刻機(jī)，不同型號(hào)可加工的最大曝光視場(chǎng)大小不同，導(dǎo)致效率存在很 大差異，常用的曝光視場(chǎng)情況和效率如下表1所示：
[0005]

【權(quán)利要求】
1. 一種光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：根據(jù)同一產(chǎn)品的圖形層次以及空閑的不同類型 光刻機(jī)的數(shù)量確定每一圖形層次光刻工藝所使用的光刻機(jī)，其中，用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖由整數(shù)倍的用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖組成，所述第一類光刻機(jī)的曝光視場(chǎng) 大于所述第二類光刻機(jī)的曝光視場(chǎng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：制作用于第二類光刻機(jī)的光 刻版版圖后，按同樣的劃片道大小，將所述用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖復(fù)制整數(shù)倍并 進(jìn)行拼接，形成用于第一類光刻機(jī)的光刻版版圖。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第二類光刻機(jī)的光 刻版版圖邊緣區(qū)域的劃片道寬度是其中間區(qū)域的劃片道寬度的一半。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖和用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖均為正方形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖的面積是用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖的面積的四倍或九倍。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖的邊長在17mm?22mm之間，所述用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖的邊長是所述 用于第一類光刻機(jī)的光刻版版圖的邊長的二分之一。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖的面積是20mm*20mm，所述用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖的面積是10mm*10mm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖和用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖均為長方形。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖的面積是用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖的面積的四倍或九倍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻版設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述用于第一類光刻機(jī)的光 刻版版圖的長邊邊長在17mm?22mm之間，所述用于第二類光刻機(jī)的光刻版版圖的長邊邊 長是所述用于第一類光刻機(jī)的光刻版版圖的邊長的二分之一，所述用于第二類光刻機(jī)的光 刻版版圖的短邊邊長是所述用于第一類光刻機(jī)的光刻版版圖的短邊邊長的二分之一。
11. 一種光刻工藝中不同光刻機(jī)的匹配方法，其特征在于：采用如權(quán)利要求1至10中 任意一項(xiàng)所述的光刻版設(shè)計(jì)方法制作光刻版，并根據(jù)所述光刻版設(shè)置每次光刻工藝時(shí)光刻 機(jī)的曝光視場(chǎng)，以使得同一產(chǎn)品的不同圖形層次使用不同的光刻機(jī)進(jìn)行光刻。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻工藝中不同光刻機(jī)的匹配方法，其特征在于：所述產(chǎn) 品的第一個(gè)圖形層次使用所述第一類光刻機(jī)進(jìn)行光刻。
【文檔編號(hào)】G03F1/00GK104375376SQ201410674981
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月21日
【發(fā)明者】李立文, 趙學(xué)鋒, 俞馬鋒, 宋金偉, 李志栓 申請(qǐng)人:杭州士蘭集成電路有限公司