陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的in-cell技術(shù)中，陣列基板的制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題。該陣列基板包括若干個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中設(shè)置有TFT，TFT的LTPS下方設(shè)置有遮光層；陣列基板還包括若干公共電極和若干尋址線；公共電極用于為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，也用于產(chǎn)生觸控信號(hào)；尋址線與相應(yīng)的公共電極連接，且尋址線與遮光層位于同一圖層。本發(fā)明可用于手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備。
【專利說明】陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003]另一方面，隨著智能電子產(chǎn)品的普及，電容式觸控屏也被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等各種電子產(chǎn)品中。目前較為多見的電容式觸控屏有OGS(One glass solut1n)、on-cell和in-cell三種技術(shù)。其中，in-cell技術(shù)由于其制作工藝上的優(yōu)勢(shì),相比OGS技術(shù)和on-cell技術(shù)，具有更加輕薄、透光性更好、結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]本發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下技術(shù)問題:采用in-cell技術(shù)的液晶顯示器中，至少需要增設(shè)尋址線及相應(yīng)的絕緣層等結(jié)構(gòu)。在陣列基板的制造過程中，需要增加至少一次構(gòu)圖工藝(Photo Engraving Process,簡稱PEP),因此現(xiàn)有技術(shù)存在陣列基板的制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有的in-cell技術(shù)中，陣列基板的制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括若干個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT),所述薄膜晶體管的低溫多晶娃(LowTemperature Poly-Silicon,簡稱LTPS)下方設(shè)置有遮光層；
[0007]所述陣列基板還包括若干公共電極和若干尋址線；
[0008]所述公共電極用于為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，也用于產(chǎn)生觸控信號(hào)；
[0009]所述尋址線與相應(yīng)的公共電極連接，且所述尋址線與所述遮光層位于同一圖層。
[0010]進(jìn)一步的是，所述尋址線的側(cè)邊設(shè)置有凸出部，所述公共電極與所述尋址線的凸出部連接。
[0011]進(jìn)一步的是，該陣列基板還包括若干掃描線和若干數(shù)據(jù)線。
[0012]優(yōu)選的是，所述尋址線位于所述數(shù)據(jù)線的正下方。
[0013]或者，所述尋址線位于所述掃描線的正下方。
[0014]優(yōu)選的是，所述尋址線為金屬材料。
[0015]進(jìn)一步的是，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
[0016]優(yōu)選的是，一個(gè)所述公共電極對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)所述像素單元。
[0017]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。
[0018]進(jìn)一步的是，所述顯示裝置為邊緣場(chǎng)開關(guān)型(Fringe Field Switching,簡稱FFS)液晶顯示器。
[0019]本發(fā)明帶來了以下有益效果:一般采用LTPS的薄膜晶體管大多是頂柵型薄膜晶體管，為了防止薄膜晶體管的溝道區(qū)域在受到背光源的光照情況下出現(xiàn)光生電流的問題，通常會(huì)在LTPS下方設(shè)置遮光層(Light Shielding Layer)。
[0020]本發(fā)明提供的陣列基板中，將用于傳輸觸控信號(hào)的尋址線與用于遮光的遮光層設(shè)置在同一圖層。在陣列基板的制造過程中，尋址線和遮光層可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，從而不需要單獨(dú)為了形成尋址線增加構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡化了陣列基板的制造過程。
[0021]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0023]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0024]圖2是圖1中沿A-A線的剖面示意圖；
[0025]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的另一種實(shí)施方式的平面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0027]如圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板中包括若干個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管I及像素電極2。
[0028]本實(shí)施例中的薄膜晶體管為采用LTPS的頂柵型薄膜晶體管。柵極101位于LTPS102上方，且柵極101與LTPS 102之間設(shè)置有絕緣層32。柵極101上方設(shè)置有絕緣層33，源極103和漏極104設(shè)置于絕緣層33上，并且源極103和漏極104通過過孔41與LTPS 102連接。像素電極2與漏極104之間通過貫穿絕緣層34、35的過孔42連接。
[0029]LTPS 102下方還設(shè)置有遮光層51，遮光層51與LTPS 102之間設(shè)置有絕緣層31。遮光層51用于為LTPS 102遮光，防止薄膜晶體管的溝道區(qū)域在受到背光源的光照情況下出現(xiàn)光生電流的問題。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中還包括若干公共電極6和若干尋址線52，尋址線52與相應(yīng)的公共電極6之間通過貫穿絕緣層31、32、33、34的過孔43連接。
[0031]該陣列基板在應(yīng)用中可采用顯示與觸控分時(shí)掃描:在顯示圖像時(shí)，公共電極6為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，使公共電極6與像素電極2之間形成電場(chǎng)，并且一個(gè)公共電極6可以對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)像素單兀；在觸控掃描時(shí)，公共電極6作為觸控傳感器,用于產(chǎn)生觸控信號(hào)。
[0032]本實(shí)施例中，尋址線52與遮光層51位于同一圖層。尋址線52和遮光層51優(yōu)選為金屬材料，從而既能保證遮光層51的遮光效果，又能保證尋址線52傳輸觸控信號(hào)時(shí)的可靠性。
[0033]尋址線52與遮光層51位于同一圖層，所以在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中，尋址線52和遮光層51可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，從而不需要單獨(dú)為了形成尋址線52增加構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡化了陣列基板的制造過程。
[0034]另外，由于本實(shí)施例相比于現(xiàn)有技術(shù)減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，因此也使陣列基板成品的表面更加平坦，降低了由此造成斑紋(mura)的風(fēng)險(xiǎn)，從而提高了產(chǎn)品的良品率。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中還包括若干掃描線7和若干數(shù)據(jù)線8。作為一個(gè)優(yōu)選方案，尋址線52位于數(shù)據(jù)線8的正下方，使尋址線52的正投影與數(shù)據(jù)線8基本重合。當(dāng)然，尋址線52與數(shù)據(jù)線8的寬度可以稍有不同。這樣可以使尋址線52和數(shù)據(jù)線8被彩膜基板上的同一條黑矩陣遮擋，而不會(huì)因?yàn)閷ぶ肪€52影響液晶顯示器整體的開口率。
[0036]如圖3所示，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的另一種實(shí)施方式中，尋址線52位于掃描線7的正下方，使尋址線52的正投影與掃描線7基本重合。當(dāng)然，尋址線52與掃描線7的寬度也可以稍有不同。在此種實(shí)施方式中，可以使尋址線52和掃描線7被彩膜基板上的同一條黑矩陣遮擋，而不會(huì)因?yàn)閷ぶ肪€52影響液晶顯示器整體的開口率。
[0037]進(jìn)一步的是，尋址線52的側(cè)邊設(shè)置有凸出部53，過孔43設(shè)置于凸出部53處，使公共電極6與尋址線52的凸出部53連接。應(yīng)當(dāng)說明的是，雖然凸出部53延伸在尋址線52的主體之外，并且占用了像素單元的開口區(qū)域，但是由于凸出部53的面積非常小，而且數(shù)量也很少，所以幾乎不會(huì)影響液晶顯示器整體的開口率。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，可以是手機(jī)、平板電腦等具有觸控功能的顯示裝置，并且采用in-cell技術(shù)實(shí)現(xiàn)觸控電路。該顯示裝置包括彩膜基板和上述本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板。
[0039]該顯示裝置優(yōu)選為邊緣場(chǎng)開關(guān)型(Fringe Field Switching,簡稱FFS)液晶顯示器。其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫狀像素電極電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)，使狹縫狀電極間以及電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生平面旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶層的透光效率。FFS技術(shù)可以提高液晶顯示器的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置與上述本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。
[0041]雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括若干個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的低溫多晶硅下方設(shè)置有遮光層； 所述陣列基板還包括若干公共電極和若干尋址線； 所述公共電極用于為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，也用于產(chǎn)生觸控信號(hào)； 所述尋址線與相應(yīng)的公共電極連接，且所述尋址線與所述遮光層位于同一圖層。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述尋址線的側(cè)邊設(shè)置有凸出部，所述公共電極與所述尋址線的凸出部連接。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括若干掃描線和若干數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述尋址線位于所述數(shù)據(jù)線的正下方。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述尋址線位于所述掃描線的正下方。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述尋址線為金屬材料。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，一個(gè)所述公共電極對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)所述像素單元。
9.一種顯示裝置，包括彩膜基板和如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為邊緣場(chǎng)開關(guān)型液晶顯示器。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104460157SQ201410799551
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月19日
【發(fā)明者】占偉, 申智淵, 杜海波 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司