像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種像素結(jié)構(gòu)，其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)元件、像素電極以及共用電極。主動(dòng)元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極與主動(dòng)元件電性連接。共用電極與像素電極重疊設(shè)置，其中共用電極與像素電極耦合，以形成第一儲(chǔ)存電容器以及第二儲(chǔ)存電容器，且第一儲(chǔ)存電容器以及第二儲(chǔ)存電容器共同使用像素電極作為上電極。
【專利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可避免串?dāng)_現(xiàn)象(cross-talk)產(chǎn)生的像素結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的顯示面板中，一般使用共用電極作為遮蔽(shielding)層，以避免數(shù)據(jù)線與像素電極之間產(chǎn)生寄生電容。然而，共用電極本身作為電容器的下電極，共用電極的共電壓亦會(huì)受到數(shù)據(jù)線信號(hào)的干擾而產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象(cross-talk)，進(jìn)而扯動(dòng)共電壓(VcJ，而使顯不面板的顯不品質(zhì)不穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可避免串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生。
[0004]本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)元件、像素電極以及共用電極。主動(dòng)元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極與主動(dòng)元件電性連接。共用電極與像素電極重疊設(shè)置，其中共用電極與像素電極耦合，以形成第一儲(chǔ)存電容器以及第二儲(chǔ)存電容器，且第一儲(chǔ)存電容器以及第二儲(chǔ)存電容器共同使用像素電極作為上電極。
[0005]本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)元件、主像素電極(main pixel electrode)、次像素電極(sub pixel electrode)、主共用電極以及次共用電極。主動(dòng)元件與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。主像素電極與主動(dòng)元件電性連接。次像素電極與主動(dòng)元件電性連接。主共用電極與主像素電極重疊設(shè)置。次共用電極與次像素電極重疊設(shè)置。主共用電極與主像素電極耦合，以形成第一主儲(chǔ)存電容器以及第二主儲(chǔ)存電容器，且第一主儲(chǔ)存電容器以及第二主儲(chǔ)存電容器共同使用主像素電極作為主上電極。次共用電極與次像素電極耦合，以形成第一次儲(chǔ)存電容器以及第二次儲(chǔ)存電容器，且第一次儲(chǔ)存電容器以及第二次儲(chǔ)存電容器共同使用次像素電極作為次上電極。
[0006]基于上述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，共用電極與像素電極耦合而形成兩個(gè)儲(chǔ)存電容器，且兩個(gè)儲(chǔ)存電容器共同使用像素電極作為上電極，如此可避免數(shù)據(jù)線對(duì)于共用電極的串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生，進(jìn)而可使顯示面板的顯示品質(zhì)獲得改善。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0009]圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0010]圖3為圖2中沿線1-1’的剖面示意圖。
[0011]圖4為圖2的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0012]圖5為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0013]圖6為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0014]圖7為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0015]圖8為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異曲線圖。
[0016]圖9為依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異曲線圖。
[0017]圖10為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0018]其中，附圖標(biāo)記:
[0019]10:第一基板
[0020]12:像素陣列層
[0021]20:第二基板
[0022]30:顯示介質(zhì)
[0023]100、100a、200、200a:像素結(jié)構(gòu)
[0024]112、122、212、222、232、242:主干部
[0025]114、124、214、224、234、244:分支部
[0026]116、116a、126、216、216a、226、236、246:接墊
[0027]150、160、170、250、270、370:間隙
[0028]1000:顯示面板
[0029]BE:第三下電極
[0030]C1、C2、C3:儲(chǔ)存電容器
[0031]CE1、CE2:下電極
[0032]CE:共用電極
[0033]CH、CH’:通道層
[0034]CEm:主共用電極
[0035]CEs:次共用電極
[0036]Cml、Cm2:主儲(chǔ)存電容器
[0037]Csl、Cs2:次儲(chǔ)存電容器
[0038]CEml、CEm2:主下電極
[0039]CEsl、CEs2:次下電極
[0040]D、D1、D2、D3:漏極
[0041]DL:數(shù)據(jù)線
[0042]d、d2:寬度
[0043]E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8:邊緣
[0044]G、G3:柵極
[0045]G1:柵絕緣層
[0046]1-1，:線
[0047]PE:像素電極
[0048]PV:絕緣層
[0049]PEm:主像素電極
[0050]PEs:次像素電極
[0051]S、S1、S2、S3:源極
[0052]SL、SL1、SL2:掃描線
[0053]T、T’:主動(dòng)元件
[0054]T1、T2:驅(qū)動(dòng)元件
[0055]Τ3:分享開(kāi)關(guān)元件
[0056]TE:第三上電極
[0057]W、W1、W2、W3:接觸窗

【具體實(shí)施方式】
[0058]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
[0059]圖1為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，顯示面板1000包括第一基板10、第二基板20、顯示介質(zhì)30以及像素陣列層12。顯示面板1000可為液晶顯示面板(liquid crystal display (IXD)panel)、電泳顯示面板或是其他形式的顯示面板。在本實(shí)施例中，顯示面板1000例如是垂直配向式(vertical alignment, VA)液晶顯示面板，此類VA液晶顯示面板具有垂直配向模式的高對(duì)比特性，然本發(fā)明不限于此。
[0060]第一基板10的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、金屬或其類似材質(zhì)。第二基板20位于第一基板10的對(duì)向。第二基板20的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物或其類似材質(zhì)。
[0061]顯示介質(zhì)30位于第一基板10上的像素陣列層12與第二基板20之間。顯示介質(zhì)30包括多個(gè)液晶分子(未繪示)、電泳分子或是其他的顯示材料。液晶分子可以是正型液晶分子或負(fù)型液晶分子。由于負(fù)型液晶分子的介電異方性(dielectric anisotropy, Δ ε )小于0，且垂直配向液晶分子具有高對(duì)比度，因此負(fù)型垂直配向的液晶分子可有效地增加對(duì)比度與視角并抑制色偏問(wèn)題。本文中的實(shí)施例的顯示介質(zhì)30為垂直配向的負(fù)型液晶，但本發(fā)明不限于此。
[0062]像素陣列層12位于第一基板10上，且像素陣列層12上方覆蓋有顯示介質(zhì)30。像素陣列層12由多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組成的陣列形式所構(gòu)成。下文參照?qǐng)D式更詳細(xì)地說(shuō)明本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。
[0063]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2、圖3、圖4，圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖，圖3為圖2中沿線1-1’的剖面示意圖，圖4為圖2的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。如圖2所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100包括掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、主動(dòng)元件T、像素電極PE以及共用電極CE。
[0064]掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL的延伸方向與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL是位于不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來(lái)傳遞驅(qū)動(dòng)像素結(jié)構(gòu)100的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL —般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其他導(dǎo)電材料例如是包括合金、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮化物、金屬材料的氮氧化物或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆疊層。
[0065]在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件T與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。在此，主動(dòng)元件T例如是薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)，其包括柵極G、通道層CH、漏極D以及源極S。柵極G與掃描線SL電性連接，源極S與數(shù)據(jù)線DL電性連接。換言之，當(dāng)有控制信號(hào)輸入掃描線SL時(shí)，掃描線SL與柵極G之間會(huì)電性導(dǎo)通；當(dāng)有控制信號(hào)輸入數(shù)據(jù)線DL時(shí)，數(shù)據(jù)線DL會(huì)與源極S電性導(dǎo)通。通道層CH位于柵極G上方并且位于源極S與漏極D下方。本實(shí)施例的主動(dòng)元件T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，主動(dòng)元件T也可以是頂部柵極型薄膜晶體管。
[0066]像素電極PE與主動(dòng)元件T電性連接。更詳細(xì)地說(shuō)，像素電極PE可通過(guò)接觸窗W與主動(dòng)元件T的漏極D電性連接。像素電極PE的材質(zhì)例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物(indium-tin-oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、銷錫氧化物(aluminum tin oxide，ΑΤΟ)、銷鋅氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、銦鍺鋅氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0067]在本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100中，共用電極CE與像素電極PE重疊設(shè)置，故共用電極CE可與像素電極PE耦合，以形成第一儲(chǔ)存電容器Cl以及第二儲(chǔ)存電容器C2 (如圖4所示)。值得一提的是，第一儲(chǔ)存電容器Cl以及第二儲(chǔ)存電容器C2共同使用像素電極PE作為上電極。如圖2所示，共用電極CE包括第一儲(chǔ)存電容器Cl的第一下電極CEl及第二儲(chǔ)存電容器C2的第二下電極CE2。共用電極CE的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。
[0068]第一下電極CEl包括第一主干部112以及至少一第一分支部114。第一主干部112沿掃描線SL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第一主干部112與掃描線SL平行設(shè)置，且第一主干部112橫跨數(shù)據(jù)線DL，以與數(shù)據(jù)線DL局部地重疊。如圖2所示，本實(shí)施例的共用電極CE具有兩個(gè)第一分支部114，然本發(fā)明不限于此。第一分支部114沿?cái)?shù)據(jù)線DL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中第一分支部114與第一主干部112連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。更具體而言，本實(shí)施例的第一下電極CEl呈“Π”字型，然本發(fā)明不限于此。第一分支部114位于像素結(jié)構(gòu)PE與數(shù)據(jù)線DL之間。值得一提的是，第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL之間具有間隙150。在本實(shí)施例中，間隙150的寬度d較佳小于2.5微米?；陂_(kāi)口率以及防止漏光的觀點(diǎn)而言，間隙150的寬度d更佳為小于I微米。值得一提的是，第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL之間的間隙150可為O微米，甚至第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL可以重疊。由于第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL之間間隙150較小，因此數(shù)據(jù)線DL上的信號(hào)將可能影響共用電極CE (第一分支部114)的電位穩(wěn)定性。因此本實(shí)施例在此像素結(jié)構(gòu)中的共用電極CE除了設(shè)計(jì)第一下電極CEl之外，更設(shè)計(jì)了第二下電極CE2，其中第一下電極CEl以及第二下電極CE2分離開(kāi)來(lái)，如此可以改善共用電極CE (第一分支部114)的電位穩(wěn)定性。
[0069]更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二下電極CE2包括第二主干部122以及至少一第二分支部124。第二主干部122沿掃描線SL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第二主干部122與掃描線SL平行設(shè)置，且第二主干部122橫跨數(shù)據(jù)線DL，以與數(shù)據(jù)線DL局部地重疊。此外，如圖2所示，第二主干部122與第一主干部112分別位于共用電極CE的相對(duì)兩端，即分別設(shè)置于共用電極CE的兩側(cè)。本實(shí)施例的共用電極CE具有兩個(gè)第二分支部124，然本發(fā)明不限于此。第二分支部124，沿?cái)?shù)據(jù)線DL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中第二分支部124與第二主干部122連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。更具體而言，本實(shí)施例的第二下電極CE2呈倒“Π”字型，然本發(fā)明不限于此。第二分支部124位于像素結(jié)構(gòu)PE與數(shù)據(jù)線DL之間。值得一提的是，第二分支部124與數(shù)據(jù)線DL之間具有間隙160。在本實(shí)施例中，間隙160具有與間隙150相同的寬度d，然本發(fā)明不限于此。類似地，間隙160的寬度d較佳小于2.5微米?；陂_(kāi)口率以及防止漏光的觀點(diǎn)而言，間隙160的寬度d更佳為小于I微米。值得一提的是，第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL之間的間隙160可為O微米，甚至第一分支部114與數(shù)據(jù)線DL可以重疊。特別的是，在本實(shí)施例中，第二分支部124與第一分支部114之間具有間隙170而分離開(kāi)來(lái)。本實(shí)施例不限定間隙170的寬度，只要足以使第二分支部124與第一分支部114彼此電性隔咼即可。
[0070]在本實(shí)施例中，共用電極CE的第一下電極CEl與第二下電極CE2為等電位。更具體而言，如圖2所示，第一主干部112電性連接至第一接墊116，第二主干部122電性連接至第二接墊126。第一接墊116以及第二接墊126電性連接至共電壓V.，然本發(fā)明不限于此。在本實(shí)施例中，此共電壓V.為直流電電壓。
[0071]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，像素電極PE具有彼此相對(duì)的第一邊緣El與第二邊緣E2以及彼此相對(duì)的第三邊緣E3以及第四邊緣E4。第一主干部112與第一邊緣El重疊設(shè)置，而第二主干部122與第二邊緣E2重疊設(shè)置。兩個(gè)第一分支部114分別與第三邊緣E3以及第四邊緣E4重疊設(shè)置。兩個(gè)第二分支部124分別與第三邊緣E3以及第四邊緣E4重疊設(shè)置。
[0072]更具體而言，第一主干部112與像素電極PE之間以及第一分支部114與像素電極PE之間耦合，以形成上述第一儲(chǔ)存電容器Cl。第一儲(chǔ)存電容器Cl具有第一電容值Ca。第二主干部122與像素電極PE之間以及第二分支部124與像素電極PE之間耦合，以形成第二儲(chǔ)存電容器C2。第二儲(chǔ)存電容器C2具有第二電容值Cb。在本實(shí)施例中，Ca/2 < Cb，然本發(fā)明不限于此。
[0073]請(qǐng)參照?qǐng)D3，數(shù)據(jù)線DL與共用電極CE的第二下電極CE2的第二分支部124之間設(shè)置有柵絕緣層(gate insulating layer)GI，以使數(shù)據(jù)線DL與第二分支部124彼此電性隔離。柵絕緣層GI的材料例如是包括無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或上述的組合。無(wú)機(jī)材料例如是包括氧化硅(S1)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(S1N)或上述至少二種材料的堆疊層，然本發(fā)明不限于此。此外，數(shù)據(jù)線DL上方以及像素結(jié)構(gòu)PE下方設(shè)置有絕緣層PV。絕緣層PV的材料例如是包括無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料或上述的組合。無(wú)機(jī)材料例如是包括氧化娃(S1)、氮化娃(SiN)、氮氧化硅(S1N)或上述至少二種材料的堆疊層，然本發(fā)明不限于此。
[0074]在上述的單一像素結(jié)構(gòu)中，共用電極分成兩個(gè)部分以分別同一個(gè)像素電極耦合而形成兩個(gè)儲(chǔ)存電容器。換言之，上述兩個(gè)儲(chǔ)存電容器中的兩個(gè)共用電極是共同使用同一個(gè)像素電極作為上電極。上述的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)可避免數(shù)據(jù)線對(duì)共用電極的串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生，進(jìn)而可使顯示面板的顯示品質(zhì)獲得改善。
[0075]圖5為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，像素結(jié)構(gòu)10a與圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因此相似或相同的構(gòu)件以相似或相同的元件符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。像素結(jié)構(gòu)10a與像素結(jié)構(gòu)100主要的差異在于，像素結(jié)構(gòu)10a的第一主干部112以及第二主干部122連接在一起，并共同通過(guò)接墊116a電性連接至共電壓V.。換言之，第一主干部112以及第二主干部122延伸至顯示面板的周邊區(qū)域之后，會(huì)通過(guò)走線的設(shè)置而連接在一起，并共同連接至接墊116a，共電壓VraJlj是通過(guò)接墊116a而傳輸至第一主干部112以及第二主干部122。
[0076]圖6為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200與圖2的像素結(jié)構(gòu)100類似，因此相同或相似的構(gòu)件以相同或相似的元件符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。在本實(shí)施例中，主動(dòng)元件T’包括第一驅(qū)動(dòng)元件Tl及第二驅(qū)動(dòng)元件T2。第一驅(qū)動(dòng)元件Tl及第二驅(qū)動(dòng)元件T2與主動(dòng)元件T相似，其例如是薄膜晶體管。第一驅(qū)動(dòng)元件Tl與掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DL電性連接，且第二驅(qū)動(dòng)元件T2也與掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。更詳細(xì)而言，第一驅(qū)動(dòng)元件Tl包括柵極G、通道層CH、源極SI以及漏極D1。柵極G與掃描線SLl電性連接。通道層CH位于柵極G上方。源極SI以及漏極Dl位于通道CH上方。源極SI與數(shù)據(jù)線DL電性連接。第二驅(qū)動(dòng)元件T2包括柵極G、通道層CH、源極S2以及漏極D2。柵極G與掃描線SLl電性連接。通道層CH位于柵極G上方。源極S2以及漏極D2位于通道CH上方。源極S2也與數(shù)據(jù)線DL電性連接。在本實(shí)施例中，第一驅(qū)動(dòng)元件Tl以及第二驅(qū)動(dòng)元件T2共用同一個(gè)柵極G并且共用同一個(gè)通道層CH。
[0077]像素結(jié)構(gòu)200與圖2的像素結(jié)構(gòu)100的主要差異在于，像素結(jié)構(gòu)200的像素電極可分為主像素電極PEm與次像素電極PEs，且像素結(jié)構(gòu)200的共用電極可分為主共用電極CEm與次共用電極CEs。如此一來(lái)，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200可用于降低顯示面板的色偏(colorwashout)現(xiàn)象。主像素電極PEm及次像素電極PEs分別與主動(dòng)元件T電性連接。更詳細(xì)而言，主像素電極PEm可通過(guò)接觸窗W2與第二驅(qū)動(dòng)元件T2的漏極D2直接接觸，而次像素電極PEs可通過(guò)接觸窗Wl與第一驅(qū)動(dòng)元件Tl的漏極Dl直接接觸。
[0078]如圖6所示，像素結(jié)構(gòu)200更包括分享開(kāi)關(guān)元件T3。分享開(kāi)關(guān)元件T3與掃描線SL2電性連接。分享開(kāi)關(guān)元件T3包括柵極G3、通道層CH’、源極S3以及漏極D3。柵極G3與掃描線SL2電性連接。通道層CH’位于柵極G3上方。源極S3以及漏極D3位于通道層CH’上方。在本實(shí)施例中，分享開(kāi)關(guān)元件T3是以底部柵極型薄膜晶體管為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例，分享開(kāi)關(guān)元件T3也可是以頂部柵極型薄膜晶體管。
[0079]此外，在本實(shí)施例中，分享開(kāi)關(guān)元件T3是與次像素電極PEs電性連接。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如圖6所示，分享開(kāi)關(guān)元件T3的源極S3可通過(guò)接觸窗W3直接與次像素電極PEs電性接觸。
[0080]在本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200中，主共用電極CEm與主像素電極PEm重疊設(shè)置，故主共用電極CEm可與主像素電極PEm耦合，以形成第一主儲(chǔ)存電容器Cml以及第二主儲(chǔ)存電容器Cm2。類似地，次共用電極CEs與次像素電極PEs重疊設(shè)置，故次共用電極CEs可與次像素電極PEs耦合，以形成第一次儲(chǔ)存電容器Csl以及第二次儲(chǔ)存電容器Cs2。值得一提的是，第一主儲(chǔ)存電容器Cml以及第二主儲(chǔ)存電容器Cm2共同使用主像素電極PEm作為主上電極，且第一次儲(chǔ)存電容器Csl以及第二次儲(chǔ)存電容器Cs2共同使用次像素電極PEs作為次上電極。如圖6所示，主共用電極CEm包括第一主儲(chǔ)存電容器Cml的第一主下電極CEml及第二主儲(chǔ)存電容器Cm2的第二主下電極CEm2。類似地，次共用電極CEs包括第一次儲(chǔ)存電容器Csl的第一次下電極CEsl及第二次儲(chǔ)存電容器Cs2的第二次下電極CEs2。
[0081]更具體而言，第一主干部212與主像素電極PEm之間以及第一分支部214與主像素電極PEm之間耦合，以形成上述第一主儲(chǔ)存電容器Cml。第一主儲(chǔ)存電容器Cml具有第一電容值Ca。第二主干部222與主像素電極PEm之間以及第二分支部224與主像素電極PEm之間耦合，以形成上述第二主儲(chǔ)存電容器Cm2。第二主儲(chǔ)存電容器Cm2具有第二電容值Cb。在本實(shí)施例中，Ca/2 < Cb，然本發(fā)明不限于此。類似地，第三主干部232與次像素電極PEs之間以及第三分支部234與次像素電極PEs之間耦合，以形成上述第一次儲(chǔ)存電容器Csl。第一次儲(chǔ)存電容器Cs I具有第三電容值Ce。第四主干部242與次像素電極PEs之間以及第四分支部244與次像素電極PEs之間耦合，以形成上述第二次儲(chǔ)存電容器Cs2。第二次儲(chǔ)存電容器Cs2具有第四電容值Cd。在本實(shí)施例中，Cc/2 < Cd，然本發(fā)明不限于此。
[0082]除此之外，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200還包括第三儲(chǔ)存電容器C3。第三儲(chǔ)存電容器C3與分享開(kāi)關(guān)元件T3電性連接。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第三儲(chǔ)存電容器C3包括第三上電極TE以及第三下電極BE。第三上電極TE與分享開(kāi)關(guān)元件T3的漏極D3電性連接(例如是直接電性接觸)，而第三下電極BE則是電性連接至共電壓V.。根據(jù)本實(shí)施例，第三下電極BE是通過(guò)第二次儲(chǔ)存電容器Cs2的第二次下電極CEs2而電性連接至共電壓V.。
[0083]第一主下電極CEml包括第一主干部212以及至少一第一分支部214。第一主干部212沿掃描線SL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第一主干部212與掃描線SL平行設(shè)置。第一分支部214沿?cái)?shù)據(jù)線DL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第一分支部214與第一主干部212連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。此外，第一分支部214位于主像素結(jié)構(gòu)PEm與數(shù)據(jù)線DL之間。第二主下電極CEm2包括第二主干部222以及至少一第二分支部224。第二主干部222沿掃描線SL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第二主干部222與掃描線SL平行設(shè)置。第一主干部212以及第二主干部222電性連接至共電壓V?！贰５诙种Р?24沿?cái)?shù)據(jù)線DL方向設(shè)置；在本實(shí)施例中，第二分支部224與第二主干部222連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。第二分支部224位于主像素結(jié)構(gòu)PEm與數(shù)據(jù)線DL之間。特別的是，在本實(shí)施例中，第二分支部224與第一分支部214具有間隙270而分離開(kāi)來(lái)。本實(shí)施例不限定間隙270的寬度，只要足以使第二分支部224與第一分支部214彼此電性隔離即可。
[0084]類似地，在本實(shí)施例中，第一次下電極CEsl包括第三主干部232以及至少一第三分支部234。第三主干部232與掃描線SL平行設(shè)置。第三分支部234與第三主干部232連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。此外，第三分支部234位于次像素結(jié)構(gòu)PEs與數(shù)據(jù)線DL之間。第二次下電極CEs2包括第四主干部242以及至少一第四分支部244。第四主干部242與掃描線SL平行設(shè)置。第三主干部232以及第四主干部242電性連接至共電壓V.。第四分支部244與第四主干部242連接且與數(shù)據(jù)線DL平行設(shè)置。第四分支部244位于次像素結(jié)構(gòu)PEs與數(shù)據(jù)線DL之間。特別的是，在本實(shí)施例中，第四分支部244與第三分支部234之間具有間隙370而分離開(kāi)來(lái)。本實(shí)施例不限定間隙370的寬度，只要足以使第三分支部234與第四分支部244彼此電性隔離即可。
[0085]如圖6所示，第一主干部212、第二主干部222、第三主干部232以及第四主干部242皆橫跨數(shù)據(jù)線DL，以與數(shù)據(jù)線DL局部地重疊。值得一提的是，第一分支部214、第二分支部224、第三分支部234以及第四分支部244與數(shù)據(jù)線DL之間具有間隙250。在本實(shí)施例中，間隙250的寬度d2較佳小于2.5微米?；陂_(kāi)口率以及防止漏光的觀點(diǎn)而言，間隙250的寬度d2更佳為小于I微米。值得一提的是，間隙250可為O微米，甚至第一分支部214、第二分支部224、第三分支部234以及第四分支部244與數(shù)據(jù)線DL之間可以重疊。
[0086]主像素電極PEm具有彼此相對(duì)的第一邊緣El與第二邊緣E2以及彼此相對(duì)的第三邊緣E3以及第四邊緣E4。第一主干部212以及第二主干部222分別與第一邊緣El以及第二邊緣E2重疊設(shè)置，且第一分支部214以及第二分支部224分別與第三邊緣E3以及第四邊緣E4重疊設(shè)置。次像素電極PEs具有彼此相對(duì)的第五邊緣E5與第六邊緣E6以及彼此相對(duì)的第七邊緣E7以及第八邊緣E8。第三主干部232以及第四主干部242分別與第五邊緣E5以及第六邊緣E6重疊設(shè)置。第三分支部234以及第四分支部244分別與第七邊緣E7以及第八邊緣E8重疊設(shè)置。
[0087]在本實(shí)施例中，主共用電極CEm與次共用電極CEs為等電位。更具體而言，主共用電極CEm的第一主干部212電性連接至第一接墊216，主共用電極CEm的第二主干部222電性連接至第二接墊226，次共用電極CEs的第三主干部232電性連接至第三接墊236，次共用電極CEs的第四主干部242電性連接至第四接墊246。第一接墊216、第二接墊226、第三接墊236以及第四接墊246電性連接至共電壓V.，然本發(fā)明不限于此。
[0088]圖7為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，像素結(jié)構(gòu)200a與像素結(jié)構(gòu)200相似，因此相似或相同的構(gòu)件以相似或相同的元件符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。像素結(jié)構(gòu)200a與像素結(jié)構(gòu)200主要的差異在于，像素結(jié)構(gòu)200a的第一主干部212、第二主干部222、第三主干部232以及第四主干部242連接在一起，并共同通過(guò)接墊216a電性連接至共電壓V.。換言之，第一主干部212、第二主干部222、第三主干部232以及第四主干部242延伸至顯示面板的周邊區(qū)域之后，會(huì)通過(guò)走線的設(shè)置而連接在一起，并共同連接至接墊216a，共電壓V-則是通過(guò)接墊216a而傳輸至第一主干部212、第二主干部222、第三主干部232以及第四主干部242。
[0089]圖8為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異曲線圖。圖9為依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異曲線圖。圖9的共電壓變異曲線圖是以圖2的像素結(jié)構(gòu)來(lái)量測(cè)，圖8的共電壓變異曲線圖像素結(jié)構(gòu)則是以圖10的現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)來(lái)做量測(cè)。圖10的現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)與圖2的像素結(jié)構(gòu)不同之處在于現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)并未采用兩個(gè)共用電極的設(shè)計(jì)。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D8與圖9，縱軸為共電壓變異(mV)，橫軸為時(shí)間變異US)。由圖8與圖9的結(jié)果可知，相較于現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異，依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的共電壓變異較小。如此一來(lái)，依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的顯示品質(zhì)可獲得改善。
[0090]綜上所述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，共用電極與像素電極耦合而形成兩個(gè)儲(chǔ)存電容器。兩個(gè)儲(chǔ)存電容器中的共用電極共同使用像素電極作為上電極。如此一來(lái)，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可避免數(shù)據(jù)線對(duì)共用電極的串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生，進(jìn)而可使顯示面板的顯示品質(zhì)獲得改口 ο
[0091]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線； 一主動(dòng)元件，與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接； 一像素電極，與該主動(dòng)元件電性連接；以及 一共用電極，與該像素電極重疊設(shè)置，其中該共用電極與該像素電極耦合，以形成一第一儲(chǔ)存電容器以及一第二儲(chǔ)存電容器，且該第一儲(chǔ)存電容器以及該第二儲(chǔ)存電容器共同使用該像素電極作為一上電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共用電極包括該第一儲(chǔ)存電容器的一第一下電極及該第二儲(chǔ)存電容器的一第二下電極，其中 該第一下電極包括: 一第一主干部，沿該掃描線方向設(shè)置；以及 至少一第一分支部，與該第一主干部連接且沿該數(shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第一分支部位于該像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間；且 該第二下電極包括: 一第二主干部，沿該掃描線方向設(shè)置，其中該第一主干部以及該第二主干部電性連接至一共電壓；以及 至少一第二分支部，與該第二主干部連接且與沿?cái)?shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第二分支部位于該像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間，且該第二分支部與該第一分支部分結(jié)構(gòu)上分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部以及該第二主干部橫跨該數(shù)據(jù)線以與該數(shù)據(jù)線局部地重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一分支部以及該第二分支部與該數(shù)據(jù)線之間具有一間隙，且該間隙小于2.5微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一分支部以及該第二分支部與該數(shù)據(jù)線部分重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極具有彼此相對(duì)的一第一邊緣與一第二邊緣以及彼此相對(duì)的一第三邊緣以及一第四邊緣，該第一主干部以及該第二主干部分別與該第一邊緣以及該第二邊緣重疊設(shè)置，且該第一分支部以及該第二分支部分別與該第三邊緣以及該第四邊緣重疊設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 該第一主干部與該像素電極之間以及該第一分支部與該像素電極之間耦合，以形成該第一儲(chǔ)存電容器，且該第一儲(chǔ)存電容器具有一第一電容值Ca， 該第二主干部與該像素電極之間以及該第二分支部與該像素電極之間耦合，以形成該第二儲(chǔ)存電容器，且該第二儲(chǔ)存電容器具有一第二電容值Cb，其中Ca/2 < Cb。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部以及該第二主干部結(jié)構(gòu)上連接在一起，以共同電性連接至該共電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部電性連接至一第一接墊，該第二主干部電性連接至一第二接墊，且該第一接墊以及該第二接墊電性連接至該共電壓。
10.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線； 一主動(dòng)元件，與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接； 一主像素電極，與該主動(dòng)元件電性連接； 一次像素電極，與該主動(dòng)元件電性連接； 一主共用電極，與該主像素電極重疊設(shè)置，以及 一次共用電極，與該次像素電極重疊設(shè)置，其中 該主共用電極與該主像素電極耦合，以形成一第一主儲(chǔ)存電容器以及一第二主儲(chǔ)存電容器，且該第一主儲(chǔ)存電容器以及該第二主儲(chǔ)存電容器共同使用該主像素電極作為一主上電極；且 該次共用電極與該次像素電極耦合，以形成一第一次儲(chǔ)存電容器以及一第二次儲(chǔ)存電容器，且該第一次儲(chǔ)存電容器以及該第二次儲(chǔ)存電容器共同使用該次像素電極作為一次上電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主共用電極包括該第一主儲(chǔ)存電容器的一第一主下電極及該第二主儲(chǔ)存電容器的一第二主下電極；該次共用電極包括該第一次儲(chǔ)存電容器的一第一次下電極及該第二次儲(chǔ)存電容器的一第二次下電極，其中 該第一主下電極包括: 一第一主干部，沿該掃描線方向設(shè)置；以及 至少一第一分支部，與該第一主干部連接且沿該數(shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第一分支部位于該主像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間；且該第二主下電極包括: 一第二主干部，沿該掃描線方向設(shè)置，其中該第一主干部以及該第二主干部電性連接至一共電壓；以及 至少一第二分支部，與該第二主干部連接且沿該數(shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第二分支部位于該主像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間，且該第二分支部與該第一分支部結(jié)構(gòu)上分離； 該第一次下電極包括: 一第三主干部，沿該掃描線方向設(shè)置；以及 至少一第三分支部，與該第三主干部連接且沿該數(shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第三分支部位于該次像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間；且該第二次下電極包括: 一第四主干部，沿該掃描線方向設(shè)置，其中該第三主干部以及該第四主干部電性連接至一共電壓；以及 至少一第四分支部，與該第四主干部連接且與沿該數(shù)據(jù)線方向設(shè)置，其中該第四分支部位于該次像素結(jié)構(gòu)與該數(shù)據(jù)線之間，且該第四分支部與該第三分支部結(jié)構(gòu)上分離。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部、該第二主干部、該第三主干部以及該第四主干部橫跨該數(shù)據(jù)線以與該數(shù)據(jù)線局部地重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一分支部、該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部與該數(shù)據(jù)線之間具有一間隙，且該間隙小于2.5微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一分支部、該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部與該數(shù)據(jù)線部分重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于: 該主像素電極具有彼此相對(duì)的一第一邊緣與一第二邊緣以及彼此相對(duì)的一第三邊緣以及一第四邊緣，該第一主干部以及該第二主干部分別與該第一邊緣以及該第二邊緣重疊設(shè)置，且該第一分支部以及該第二分支部分別與該第三邊緣以及該第四邊緣重疊設(shè)置，且 該次像素電極具有彼此相對(duì)的一第五邊緣與一第六邊緣以及彼此相對(duì)的一第七邊緣以及一第八邊緣，該第三主干部以及該第四主干部分別與該第五邊緣以及該第六邊緣重疊設(shè)置，且該第三分支部以及該第四分支部分別與該第七邊緣以及該第八邊緣重疊設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于: 該第一主干部與該主像素電極之間以及該第一分支部與該主像素電極之間耦合，以形成該第一主儲(chǔ)存電容器，且該第一主儲(chǔ)存電容器具有一第一電容值Ca， 該第二主干部與該主像素電極之間以及該第二分支部與該主像素電極之間耦合，以形成該第二主儲(chǔ)存電容器，且該第二主儲(chǔ)存電容器具有一第二電容值Cb，其中Ca/2 < Cb，且 該第三主干部與該次像素電極之間以及該第三分支部與該次像素電極之間耦合，以形成該第一次儲(chǔ)存電容器，且該第一次儲(chǔ)存電容器具有一第三電容值Ce， 該第四主干部與該次像素電極之間以及該第四分支部與該次像素電極之間耦合，以形成該第二次儲(chǔ)存電容器，且該第二次儲(chǔ)存電容器具有一第四電容值Cd，其中Cc/2 < Cd。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部、該第二主干部、該第三主干部以及該第四主干部結(jié)構(gòu)上連接在一起，以共同電性連接至該共電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一主干部電性連接至一第一接墊，該第二主干部電性連接至一第二接墊，該第三主干部電性連接至一第三接墊，該第四主干部電性連接至一第四接墊，且該第一接墊、該第二接墊、該第三接墊以及該第四接墊電性連接至該共電壓。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104460160SQ201410830552
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
【發(fā)明者】林弘哲, 曹正翰, 何昇儒, 吳尚杰 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司