像素、包括該像素的顯示面板及其斷線修復(fù)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了像素、包括該像素的顯示面板及其斷線修復(fù)方法，該像素結(jié)構(gòu)包括：由第一金屬層構(gòu)成的掃描線、存儲電極、第一修復(fù)圖案，由第二金屬層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、公共電極線、第二修復(fù)圖案；所述數(shù)據(jù)線的電壓信號通過薄膜晶體管開關(guān)傳輸?shù)较袼仉姌O后再經(jīng)存儲電極上的接觸孔導(dǎo)入到存儲電極，所述存儲電極深入公共電極線，與公共電極線形成存儲電容；所述第二修復(fù)圖案與存儲電極、第一修復(fù)圖案存在重疊區(qū)域。發(fā)生公共電極線斷線時，利用激光打點或其他等熔融技術(shù)熔接像素兩側(cè)的存儲電極與公共電極線、熔接像素兩側(cè)的第二修復(fù)圖案與存儲電極、熔接第二修復(fù)圖案與第一修復(fù)圖案，形成像素兩側(cè)的公共電極線等電位連接，保證發(fā)生斷線的公共電極線的電位的穩(wěn)定。
【專利說明】像素、包括該像素的顯示面板及其斷線修復(fù)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素、包括該像素的顯示面板及其斷線修復(fù)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]采用液晶垂直配向(Vertical Alignment,VA)的液晶面板是現(xiàn)在高端液晶顯示產(chǎn)品中應(yīng)用較多的面板類型，屬于廣視角面板。傳統(tǒng)VA液晶面板的正面(正視)對比度高，但是液晶的響應(yīng)速度比較慢。
[0003]針對傳統(tǒng)VA液晶面板存在的不足，日本夏普公司、瑞士 Rolic公司開發(fā)了采用紫外光配向的 UV2A(UV Vertical Alignment)技術(shù)。與原有的 MVA(Mult1-domain VerticalAlignment)、PVA(Patterned Vertical Alignment) > PSVA(Polymer Susfained VerticalAlignment)等傳統(tǒng)VA顯示技術(shù)相比，UV2A技術(shù)具有更高的透過率、更高的對比度以及更快的響應(yīng)速度。例如，白態(tài)下，MVA需要設(shè)置有和溝槽結(jié)構(gòu)，用于形成多疇，因此不可避免地被溝槽和突起占掉一些開口率；而UV2A是由不同方向的紫外光照射使液晶在配向膜上形成多疇配向，無需溝槽和突起，因此開口率比MVA的面板提高20%以上。黑態(tài)下，MVA在相對于結(jié)構(gòu)的位置上有漏光，其原因是因為液晶分子在結(jié)構(gòu)的位置為傾斜站立，形成雙折射效應(yīng)造成漏光；而爪^\因為不需要結(jié)構(gòu)來控制液晶的倒向，故不會有漏光，實現(xiàn)了“深黑”顯示。所以UV2A的對比度可較MVA由原本的3000:1提升至6000:1以上；另外UV2A技術(shù)實現(xiàn)了所有液晶分子全面均一的限制力，實現(xiàn)了高速反應(yīng)，響應(yīng)時間僅為MVA的一半。綜上所述，UV2A較之MVA更進一步地提升了液晶電視等顯示終端的影像品質(zhì)。
[0004]隨著液晶面板的解析度越來越高，在現(xiàn)有的UV2A技術(shù)上，如何再進一步提高液晶面板的透過率，成為面板設(shè)計者不斷努力的課題。為此，現(xiàn)有技術(shù)中先后提出了一些改進技術(shù)，有效提升了 UV2A液晶面板的透過率。在實際生產(chǎn)制造過程中，基于改進技術(shù)的UV2A液晶面板需要盡可能地提升合格率。在基于改進技術(shù)的UV2A液晶面板中，掃描線的斷線概率非常低，數(shù)據(jù)線的斷線設(shè)計有專用的修復(fù)圖案，公共電極線的斷線修復(fù)能力相對薄弱。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明主要目的在于提供一種像素、包括該像素的顯示面板及其斷線修復(fù)方法，利用本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)及修復(fù)方法，可以有效提升公共電極線的斷線修復(fù)概率，提升包括該像素的顯示面板的合格率。
[0006]為實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明提出了一種像素結(jié)構(gòu)，包括:兩掃描線；兩公共電極線，與所述兩掃描線交叉形成像素區(qū)域；至少一條數(shù)據(jù)線，平行于所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)；還包括第一存儲電極和第二存儲電極，所述第一、二存儲電極與所述兩公共電極線分別重疊；像素電極，覆蓋所述像素區(qū)域，且通過第一接觸孔與所述第一存儲電極電連接，通過第二接觸孔與所述第二存儲電極電連接；一開關(guān)，形成在所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域，具有掃描線的部分形成的柵極，數(shù)據(jù)線的部分形成的源極，以及一漏極圖案，通過第三接觸孔與所述像素電極電連接。
[0007]進一步地，所述第一存儲電極具有連續(xù)的第一圖案和第二圖案，所述第一圖案與一所述公共電極線重疊形成第一存儲電容，所述第二圖案在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第一接觸孔；所述第二存儲電極具有連續(xù)的第三圖案和第四圖案，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊部分形成第二存儲電容，所述第四圖案在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第二接觸孔。
[0008]進一步地，還包括至少一個第一修復(fù)圖案，設(shè)置于所述第二圖案與所述第四圖案之間，所述至少一個第一修復(fù)圖案與所述第二、四圖案呈非連續(xù)分布。
[0009]進一步地，還包括至少兩個第二修復(fù)圖案，一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案與所述第一修復(fù)圖案；另一所述第二修復(fù)圖案，覆蓋所述第四圖案與所述第一修復(fù)圖案；其中，所述第二修復(fù)圖案與所述第二、四圖案以及所述第一修復(fù)圖案不同層。
[0010]進一步地，兩個以及兩個以上的所述第一修復(fù)圖案也呈非連續(xù)分布，且任兩相鄰的所述第一修復(fù)圖案之間通過所述第二修復(fù)圖案覆蓋。
[0011]作為本發(fā)明的一些實施例，所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案的部分區(qū)域上形成所述第一接觸孔；另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案的部分區(qū)域上形成所述第二接觸孔。
[0012]作為本發(fā)明的另一些實施例，所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案的區(qū)域不包括所述第一接觸孔；另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案的區(qū)域不包括所述第二接觸孔。
[0013]為實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明另外提出了一種顯示面板，其包括:一基板；一對置基板；以及夾設(shè)于所述基板與所述對置基板之間的顯示介質(zhì)；其中，在所述基板上形成呈陣列排布的復(fù)數(shù)個上述像素結(jié)構(gòu)。
[0014]為實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明又提出了一種顯示面板的斷線修復(fù)方法，使用上述一些實施例公共電極線上出現(xiàn)斷點A的所述像素進行修復(fù)，具體包括以下步驟:
[0015]將所述第一圖案與一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接；將所述第二修復(fù)圖案與所述第一修復(fù)圖案的多個重疊區(qū)域通過熔融連接；將漏極切斷，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接。
[0016]為實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明再提出了一種顯示面板的斷線修復(fù)方法，使用上述一些實施例公共電極線上出現(xiàn)斷點A的所述像素進行修復(fù)，包括以下步驟:
[0017]將所述第一圖案與一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接；將所述第二圖案與所述第二修復(fù)圖案的重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第四圖案與所述第二修復(fù)圖案重疊區(qū)域通過熔融連接；將所述第二修復(fù)圖案與所述第一修復(fù)圖案的多個重疊區(qū)域通過熔融連接；將漏極切斷，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1A為示意性示出本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的電路原理圖；
[0019]圖1B為基于圖1A中像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)的電路原理圖；
[0020]圖2為示意性示出本發(fā)明第一實施例像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0021]圖3A為示意性示出本發(fā)明第一實施例像素的第一層和第二層圖案示意圖；
[0022]圖3B為示意性示出本發(fā)明第一實施例像素的第三層和第四層圖案示意圖；
[0023]圖4為示意性示出實施例一中像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)方法示意圖；
[0024]圖5本發(fā)明第二實施例像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0025]圖6為示意性示出本發(fā)明實施例二所述像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)方法示意圖；
[0026]圖7為示意性示出本發(fā)明第三實施例像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0027]圖8A為示意性示出本發(fā)明第三實施例像素的第一層和第二層圖案示意圖；
[0028]圖SB為示意性示出本發(fā)明第三實施例像素的第三層和第四層圖案示意圖；
[0029]圖9為示意性示出實施例三所述像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)方法示意圖；
[0030]圖10為示意性示出本發(fā)明第四實施例像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0031]圖11為示意性示出實施例四所述像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)方法。

【具體實施方式】
[0032]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
[0033]在以下描述中，為了解釋說明，提出許多具體的細節(jié)以提供對本發(fā)明的全面理解。但是顯然，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)為不具有這些具體細節(jié)。在其他情況中，已知結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖形式示出，以避免不必要的對本發(fā)明的誤解。
[0034]圖1A為示意性示出本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的電路原理圖。如圖1所示，本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)包括:橫向分布的掃描線Gate，縱向分布的數(shù)據(jù)線Date和公共電極線Cs，掃描線Gate和數(shù)據(jù)線Date分別連接薄膜晶體管TFT的柵極和源極，薄膜晶體管TFT的漏極連接像素電極，像素電極與左右兩側(cè)的公共電極線Cs(n-l)和Cs (η)分別形成存儲電容Cstl和Cst2，液晶形成電容Clc。
[0035]圖1B為基于圖1A中像素結(jié)構(gòu)的公共電極線斷線修復(fù)的電路原理圖。如圖2所示，本發(fā)明的修復(fù)方法是通過激光打點或其他等熔融技術(shù)等技術(shù)，把存儲電容Cstl和Cst2兩端的電極熔接在一起，使存儲電容Cstl和Cst2呈短路狀態(tài)，從而把未發(fā)生斷線的公共電極線Cs(n-l)上的電位經(jīng)像素電極引入到發(fā)生斷線的公共電極線Cs (η)上。
[0036]實施例一
[0037]圖2為本發(fā)明第一實施例的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。在圖2中，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:兩掃描線11 ;兩公共電極線32，與所述兩掃描線11交叉形成像素區(qū)域；至少一條數(shù)據(jù)線31，平行于所述公共電極線32設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)；還包括兩存儲電極12，即第一存儲電極12a和所述第二存儲電極12b，所述第一、二存儲電極與所述兩公共電極線32分別重疊；像素電極51，覆蓋所述像素區(qū)域，且通過第一接觸孔42與所述第一存儲電極12電連接，通過第二接觸孔與所述第二存儲電極電連接；一開關(guān)31，形成在所述掃描線11與所述數(shù)據(jù)線31重疊區(qū)域，具有掃描線的部分形成的柵極，數(shù)據(jù)線的部分形成的源極，以及一漏極圖案，通過第三接觸孔41與所述像素電極51電連接。
[0038]進一步地，所述第一存儲電極12a具有連續(xù)的第一圖案121a和第二圖案122a，所述第一圖案121a與一所述公共電極線32重疊形成第一存儲電容，所述第二圖案122a在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第一接觸孔42 ;所述第二存儲電極具有連續(xù)的第三圖案121b和第四圖案122b，所述第三圖案121b與另一所述公共電極線重疊部分形成第二存儲電容，所述第四圖案122b在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第二接觸孔。
[0039]進一步地，還包括至少一個第一修復(fù)圖案，設(shè)置于所述第二圖案122a與所述第四圖案122b之間，所述至少一個第一修復(fù)圖案與所述第二、四圖案呈非連續(xù)分布。
[0040]進一步地，還包括至少一個第一修復(fù)圖案14，設(shè)置于所述第二圖案122a與所述第四圖案122b之間，所述至少一個第一修復(fù)圖案與所述第二、四圖案呈非連續(xù)分布。
[0041]進一步地，還包括至少兩個第二修復(fù)線34，一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案122a與所述第一修復(fù)圖案；另一所述第二修復(fù)圖案，覆蓋所述第四圖案122b與所述第一修復(fù)圖案；其中，所述第二修復(fù)圖案與所述第二、四圖案以及所述第一修復(fù)圖案不同層。
[0042]進一步地，所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案122a的部分區(qū)域上形成所述第一接觸孔42 ;另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案122b的部分區(qū)域上形成所述第二接觸孔。
[0043]上述像素的制作方法包括:在襯底上依次分布著第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、鈍化層、接觸孔、像素電極。由第一金屬層形成掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14 ;由半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管溝道21 ;由第二金屬層形成數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34;在漏極上形成第三接觸孔41，在存儲電極12上形成接觸孔42 ;在鈍化層上方覆蓋像素電極51。
[0044]由第一金屬層形成的掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14的平面結(jié)構(gòu)如圖3A所示。在掃描線11的上方，隔著透明的柵極絕緣層，分布著薄膜晶體管溝道21。
[0045]由第二金屬層形成的數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34的平面結(jié)構(gòu)如圖3B所示。在漏極33的上方，通過刻蝕透明的鈍化層形成接觸孔41 ;在存儲電極12的上方，通過刻蝕透明的鈍化層和透明的柵極絕緣層形成接觸孔42。
[0046]參考圖3B，所述像素區(qū)域覆蓋透明的像素電極51后，就形成如圖2所示的像素結(jié)構(gòu)。像素電極51分別通過接觸孔41與漏極33實現(xiàn)電學(xué)連接。接觸孔42的開口同時覆蓋了存儲電極12和第二修復(fù)圖案34，所以像素電極51通過接觸孔42同時與存儲電極12、第二修復(fù)圖案34實現(xiàn)電學(xué)連接。與像素電極51等電位的存儲電極12與公共電極線32隔著柵極絕緣層，形成平行板結(jié)構(gòu)的存儲電容Cst。
[0047]如圖4所示，當(dāng)公共電極線32b發(fā)生斷線，即公共電極線上出現(xiàn)斷點A(0pen處)時，對應(yīng)的斷線修復(fù)方法步驟如下:
[0048]在第一存儲電極12a的第一圖案121a和一公共電極線32a的重疊區(qū)域，通過激光打點SI或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32a與第一存儲電極12a的等電位連接；
[0049]在一第二修復(fù)圖案34a和一第一修復(fù)圖案14a的重疊區(qū)域，通過激光打點S2或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的等電位連接；
[0050]在另一第二修復(fù)圖案34b和另一第一修復(fù)圖案14b的重疊區(qū)域，通過激光打點S3或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)另一第二修復(fù)圖案34b和另一第一修復(fù)圖案14b的等電位連接；
[0051]在第二存儲電極12b的第三圖案121b和另一公共電極線32b的重疊區(qū)域，通過激光打點S4或其他等熔融技術(shù),實現(xiàn)公共電極線32b與第二存儲電極12b的等電位連接；
[0052]切斷漏極33，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接。
[0053]通過以上修復(fù)步驟，公共電極線32a的電位通過第一存儲電極12a、接觸孔42、第二修復(fù)圖案34a、第一修復(fù)圖案14a、第一修復(fù)圖案14b、第二修復(fù)圖案34b、接觸孔42、第二存儲電極12b,與公共電極線32b斷點A下方的部分實現(xiàn)等電位連接。
[0054]實施例二
[0055]圖5本發(fā)明第二實施例的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖5所述，所述像素結(jié)構(gòu)與上述實施例1的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同之處僅在于:所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案122a的區(qū)域不包括所述第一接觸孔；另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案122b的區(qū)域不包括所述第二接觸孔。
[0056]上述像素的制作方法為在襯底上依次分布著第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、鈍化層、接觸孔、像素電極。由第一金屬層形成掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14 ;由半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管溝道21 ;由第二金屬層形成數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34 ;在漏極上形成接觸孔41，在存儲電極上形成接觸孔42 ;在鈍化層上方覆蓋像素電極51。
[0057]與圖2所示的第一實施例的像素制作方法不同的是，在圖5所示的第二實施例的像素結(jié)構(gòu)中，接觸孔42只覆蓋存儲電極12，沒有覆蓋第二修復(fù)圖案34。第二修復(fù)圖案34分別與兩側(cè)的存儲電極12、第一修復(fù)圖案14存在重疊部分。
[0058]如圖6所示，當(dāng)公共電極線32b發(fā)生斷線，即公共電極線上出現(xiàn)斷點A(0pen處)時，對應(yīng)的斷線修復(fù)方法步驟如下:
[0059]在公共電極線32a和第一存儲電極12a的第一圖案121a重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32a與第一存儲電極12a的等電位連接；
[0060]在第一存儲電極12a的第二圖案122a和第二修復(fù)圖案34a的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第一存儲電極12a和第二修復(fù)圖案34a的等電位連接；
[0061]在第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的等電位連接；
[0062]在第一修復(fù)圖案14b和第二修復(fù)圖案34b的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第一修復(fù)圖案14b和第二修復(fù)圖案34b的等電位連接；
[0063]在第二修復(fù)圖案34b和第二存儲電極12b的第四圖案122b重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34b和第二存儲電極12b的等電位連接；
[0064]在第二存儲電極12b和公共電極線32b的第三圖案121b重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32b與第二存儲電極12b的等電位連接；
[0065]切斷漏極33，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接；
[0066]通過以上修復(fù)步驟，公共電極線32a的電位通過第一存儲電極12a、第二修復(fù)圖案34a、第一修復(fù)圖案14a、第一修復(fù)圖案14b、第二修復(fù)圖案34b、第二存儲電極12b，與公共電極線32b斷點A下方的部分實現(xiàn)等電位連接。
[0067]實施例三
[0068]圖7本發(fā)明第三實施例的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖7所示，所述像素結(jié)構(gòu)與上述實施例1的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同之處僅在于:平行于所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線為兩條，所述第一修復(fù)圖案14為兩個，所述第二修復(fù)圖案34為三個。
[0069]上述像素的制作方法為在襯底上依次分布著第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、鈍化層、接觸孔、像素電極。由第一金屬層形成掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14 ;由半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管溝道21 ;由第二金屬層形成數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34 ;在漏極上形成接觸孔41，在存儲電極上形成接觸孔42 ;在鈍化層上方覆蓋像素電極51。
[0070]與圖2所示的第一實施例所述像素結(jié)構(gòu)不同的是，在圖7所示的第三實施例的像素結(jié)構(gòu)中，分布著兩條平行的數(shù)據(jù)線31a和數(shù)據(jù)線31b。
[0071]由第一金屬層形成的掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14的平面結(jié)構(gòu)如圖8A所示。在掃描線11的上方，隔著透明的柵極絕緣層，分布著薄膜晶體管溝道21。
[0072]由第二金屬層形成的數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34的平面結(jié)構(gòu)如圖SB所示。在漏極33的上方，通過刻蝕透明的鈍化層形成接觸孔41 ;在存儲電極12的上方，通過刻蝕透明的鈍化層和透明的柵極絕緣層形成接觸孔42。
[0073]在圖8B所示結(jié)構(gòu)的最上方，覆蓋透明的像素電極51后，就形成如圖2所示的像素結(jié)構(gòu)。像素電極51分別通過接觸孔41與漏極33實現(xiàn)電學(xué)連接。接觸孔42的開口同時覆蓋了存儲電極12和第二修復(fù)圖案34，所以像素電極51通過接觸孔42同時與存儲電極12、第二修復(fù)圖案34實現(xiàn)電學(xué)連接。與像素電極51等電位的存儲電極12與公共電極線32隔著柵極絕緣層，形成平行板結(jié)構(gòu)的存儲電容Cst。
[0074]如圖9所示，當(dāng)公共電極線32b發(fā)生斷線，即公共電極線上出現(xiàn)斷點A(0pen處)時，對應(yīng)的斷線修復(fù)方法步驟如下:
[0075]在公共電極線32a和第一存儲電極12a的第一圖案121a重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32a與第一存儲電極12a的等電位連接；
[0076]在第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的等電位連接；
[0077]在第一修復(fù)圖案14b和第二修復(fù)圖案34b的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第一修復(fù)圖案14a和第二修復(fù)圖案34b的等電位連接；
[0078]在第二修復(fù)圖案34b和第一修復(fù)圖案14c的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34b和第一修復(fù)圖案14c的等電位連接；
[0079]在第一修復(fù)圖案14d和第二修復(fù)圖案34c的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第一修復(fù)圖案14d和第二修復(fù)圖案34c的等電位連接；
[0080]在第二存儲電極12b的第三圖案121b和公共電極線32b的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32b與第二存儲電極12b的等電位連接；
[0081]切斷漏極33，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接；
[0082]通過以上修復(fù)步驟，公共電極線32a的電位通過第一存儲電極12a、接觸孔42a、第二修復(fù)圖案34a、第一修復(fù)圖案14a、第一修復(fù)圖案14b、第二修復(fù)圖案34b、第一修復(fù)圖案14c、第一修復(fù)圖案14d、第二修復(fù)圖案34c、接觸孔42b、第二存儲電極12b，與公共電極線32b斷點A下方的部分實現(xiàn)等電位連接。
[0083]實施例四
[0084]圖10本發(fā)明第四實施例的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖5所述，所述像素結(jié)構(gòu)與上述實施例1的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同之處僅在于:平行于所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線為兩條。
[0085]上述像素的制作方法為在襯底上依次分布著第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、鈍化層、接觸孔、像素電極。由第一金屬層形成掃描線11、存儲電極12、第一修復(fù)圖案14 ;由半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管溝道21 ;由第二金屬層形成數(shù)據(jù)線31、公共電極線32、漏極33、第二修復(fù)圖案34 ;在漏極上形成接觸孔41，在存儲電極上形成接觸孔42 ;在鈍化層上方覆蓋像素電極51。
[0086]與圖7所示的第三實施例的像素結(jié)構(gòu)不同的是，在圖10所示的第四實施例的像素結(jié)構(gòu)中，原來分立的兩條第一修復(fù)圖案合為一條第一修復(fù)圖案。
[0087]如圖11所示，當(dāng)公共電極線32b發(fā)生斷線，即公共電極線上出現(xiàn)斷點A(0pen處)時，對應(yīng)的斷線修復(fù)方法步驟如下:
[0088]在公共電極線32a和第一存儲電極12a的第一圖案121a重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32a與第一存儲電極12a的等電位連接；
[0089]在第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第二修復(fù)圖案34a和第一修復(fù)圖案14a的等電位連接；
[0090]在第一修復(fù)圖案14b和第二修復(fù)圖案34b的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)第一修復(fù)圖案14b和第二修復(fù)圖案34b的等電位連接；
[0091]在第二存儲電極12b和公共電極線32b的重疊區(qū)域，通過激光打點或其他等熔融技術(shù)，實現(xiàn)公共電極線32b與第二存儲電極12b的等電位連接；
[0092]切斷漏極33，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接；
[0093]通過以上修復(fù)步驟，公共電極線32a的電位通過第一存儲電極12a、接觸孔42a、第二修復(fù)圖案34a、第一修復(fù)圖案14a、第一修復(fù)圖案14b、第二修復(fù)圖案34b、接觸孔42b、第二存儲電極12b,與公共電極線32b斷點A下方的部分實現(xiàn)等電位連接。
[0094]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，上述各具體實施例中斷線修復(fù)方法中的各熔融或切斷步驟無先后順序，在實際的操作過程中可以根據(jù)需要任意調(diào)整修復(fù)順序。
[0095]本發(fā)明的所使用的材料和工藝沒有進行詳細的說明，因為這些沒有被本發(fā)明所改變，并且這些實現(xiàn)的過程被本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，本發(fā)明所公開的像素結(jié)構(gòu)除了上述各實施例所述的結(jié)構(gòu)以外，像素的形狀以及修復(fù)圖案的數(shù)量都可根據(jù)數(shù)據(jù)線的條數(shù)的變化作相應(yīng)地調(diào)整。
[0096]以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行多種等同變換，這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括: 兩掃描線； 兩公共電極線，與所述兩掃描線交叉形成像素區(qū)域； 至少一條數(shù)據(jù)線，平行于所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域內(nèi)； 第一存儲電極和第二存儲電極，所述第一、二存儲電極與所述兩公共電極線分別重置; 像素電極，覆蓋所述像素區(qū)域，且通過第一接觸孔與所述第一存儲電極電連接，通過第二接觸孔與所述第二存儲電極電連接； 開關(guān)，形成在所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域，具有掃描線的部分形成的柵極，數(shù)據(jù)線的部分形成的源極，以及一漏極圖案，其通過第三接觸孔與所述像素電極電連接。
2.如權(quán)利I要求所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一存儲電極具有連續(xù)的第一圖案和第二圖案，所述第一圖案與一所述公共電極線重疊形成第一存儲電容，所述第二圖案在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第一接觸孔； 所述第二存儲電極具有連續(xù)的第三圖案和第四圖案，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊部分形成第二存儲電容，所述第四圖案在所述像素區(qū)域內(nèi)，其上形成所述第二接觸孔。
3.如權(quán)利2要求所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括至少一個第一修復(fù)圖案，設(shè)置于所述第二圖案與所述第四圖案之間，所述至少一個第一修復(fù)圖案與所述第二、四圖案呈非連續(xù)分布。
4.如權(quán)利3要求所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括至少兩個第二修復(fù)圖案，一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案與所述第一修復(fù)圖案；另一所述第二修復(fù)圖案，覆蓋所述第四圖案與所述第一修復(fù)圖案；其中，所述第二修復(fù)圖案與所述第二、四圖案以及所述第一修復(fù)圖案不同層。
5.如權(quán)利4要求所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于:兩個以及兩個以上的所述第一修復(fù)圖案也呈非連續(xù)分布，且任兩相鄰的所述第一修復(fù)圖案之間通過所述第二修復(fù)圖案覆蓋。
6.如權(quán)利要求4或5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案的部分區(qū)域上形成所述第一接觸孔；另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案的部分區(qū)域上形成所述第二接觸孔。
7.如權(quán)利要求4或5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第二圖案的區(qū)域不包括所述第一接觸孔；另一所述第二修復(fù)圖案覆蓋所述第四圖案的區(qū)域不包括所述第二接觸孔。
8.—種顯示面板，其包括:一基板；一對置基板；以及夾設(shè)于所述基板與所述對置基板之間的顯示介質(zhì)；其中，在所述基板上形成呈陣列排布的復(fù)數(shù)個如權(quán)利要求1-7所述的像素結(jié)構(gòu)。
9.一種顯示面板的斷線修復(fù)方法，使用公共電極線上出現(xiàn)斷點A的如權(quán)利要求1-6任一項所述的像素進行修復(fù)，具體包括以下步驟: 將所述第一圖案與一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接； 將所述第二修復(fù)圖案與所述第一修復(fù)圖案的多個重疊區(qū)域通過熔融連接； 將漏極切斷，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接。
10.一種顯示面板的斷線修復(fù)方法，使用公共電極線上出現(xiàn)斷點A的如權(quán)利要求1-5或7任一項所述的像素進行修復(fù)，包括以下步驟: 將所述第一圖案與一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第三圖案與另一所述公共電極線重疊區(qū)域通過熔融連接； 將所述第二圖案與所述第二修復(fù)圖案的重疊區(qū)域通過熔融連接，所述第四圖案與所述第二修復(fù)圖案重疊區(qū)域通過熔融連接； 將所述第二修復(fù)圖案與所述第一修復(fù)圖案的多個重疊區(qū)域通過熔融連接； 將漏極切斷，斷開所述漏極與所述像素電極的電連接。
【文檔編號】G02F1/1343GK104460067SQ201410840943
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】馬群剛 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司