一種水冷式雙壓電變形鏡的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種水冷式雙壓電變形鏡，包括水冷式雙壓電變形鏡主體和水冷式雙壓電變形鏡鏡架，所述的水冷式雙壓電變形鏡主體設(shè)置于水冷式雙壓電變形鏡鏡架內(nèi)，水冷式雙壓電變形鏡包括反射鏡一、反射鏡二、壓電晶片一、壓電晶片二、電極引線、變形鏡支撐件、微通道一；水冷式雙壓電變形鏡鏡架包括前蓋板、后蓋板和微通道二，鏡架前蓋板上設(shè)置的微通道二與反射鏡二上的微通道一一對(duì)應(yīng)，通水后，通過流水帶走反射鏡一外表面上的熱量，即可實(shí)現(xiàn)變形鏡的水冷功能；通過采用主動(dòng)冷卻控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)光系統(tǒng)中校正激光束像差的功能，該變形鏡可擬合不同類型的像差，波前校正空間分辨率高，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低、工藝簡(jiǎn)單。
【專利說明】—種水冷式雙壓電變形鏡
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于雙壓電變形鏡領(lǐng)域，具體涉及一種水冷式雙壓電變形鏡，用于強(qiáng)光系統(tǒng)中的波像差校正。
【背景技術(shù)】
[0002]變形鏡是一種用在光學(xué)系統(tǒng)中進(jìn)行光束畸變修正的新型光學(xué)器件，在軍事和民用市場(chǎng)兩方面都有良好的應(yīng)用前景。雙壓電變形鏡具有調(diào)制動(dòng)態(tài)范圍大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，易于實(shí)現(xiàn)在光路調(diào)節(jié)中補(bǔ)償像差的優(yōu)點(diǎn)，但是由于其變形鏡鏡面及壓電晶片材料的特性，在承受連續(xù)高功率激光長(zhǎng)時(shí)間輻照時(shí)，受鏡面鍍膜技術(shù)和工藝的限制，變形鏡必將有總功率5%。?1%的熱沉積，實(shí)驗(yàn)表明，不對(duì)該部分累積熱進(jìn)行主動(dòng)控制，變形鏡鏡面將發(fā)生熱致形變甚至將雙壓電晶片與鏡面連接處的粘膠燒毀，導(dǎo)致變形鏡失效。采用普通雙壓電變形鏡的自適應(yīng)系統(tǒng)只能對(duì)弱光的波前進(jìn)行校正，因此只能應(yīng)用于弱光系統(tǒng)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中雙壓電變形鏡不能應(yīng)用于強(qiáng)光系統(tǒng)的不足，提供了 一種水冷式雙壓電變形鏡。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種水冷式雙壓電變形鏡，包括水冷式雙壓電變形鏡主體和水冷式雙壓電變形鏡鏡架，所述的水冷式雙壓電變形鏡主體設(shè)置于水冷式雙壓電變形鏡鏡架內(nèi)；
[0005]水冷式雙壓電變形鏡主體包括反射鏡一、反射鏡二、壓電晶片一、壓電晶片二、電極引線、變形鏡支撐件；所述反射鏡一的背面與反射鏡二的正面相粘接，反射鏡二的背面與壓電晶片一的正極面相粘接，壓電晶片一和壓電晶片二的負(fù)極面相粘接，變形鏡支撐件的一面與反射鏡二的背面固聯(lián)；電極引線的一端從壓電晶片一、壓電晶片二的各個(gè)電極引出；
[0006]水冷式雙壓電變形鏡鏡架,包括前蓋板和后蓋板，所述后蓋板上設(shè)置有一個(gè)進(jìn)水口，一個(gè)出水口。
[0007]在上述技術(shù)方案中，所述反射鏡二的正面設(shè)置有微通道一。
[0008]在上述技術(shù)方案中，所述前蓋板上設(shè)置有微通道二。
[0009]在上述技術(shù)方案中，所述微通道一和微通道二的通道大小、通道間隔相同。
[0010]在上述技術(shù)方案中，所述電極引線的數(shù)量與變形鏡的電極數(shù)相等。
[0011]本實(shí)用新型的一種水冷式雙壓電變形鏡，通過對(duì)不同電極施加電壓，使鏡面發(fā)生變形，實(shí)現(xiàn)波前校正。工作時(shí)，通過對(duì)變形鏡后蓋板的進(jìn)水口中導(dǎo)入流水，流水經(jīng)過微通道二，微通道一，最后從后蓋板的出水口流出，從而實(shí)現(xiàn)雙壓電變形鏡的水冷功能。通過采用主動(dòng)冷卻控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)光系統(tǒng)中校正激光束像差的功能，該變形鏡可擬合不同類型的像差，波前校正空間分辨率高，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低、工藝簡(jiǎn)單。【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的水冷式雙壓電變形鏡主視圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型的水冷式雙壓電變形鏡剖視圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型的水冷式雙壓電變形鏡鏡架結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖4是本實(shí)用新型的水冷式雙壓電變形鏡鏡架后視圖；
[0016]圖5是本實(shí)用新型的水冷式雙壓電變形鏡反射鏡二的主視圖；
[0017]其中:1是水冷式雙壓電變形鏡主體，2是水冷式雙壓電變形鏡鏡架，3是反射鏡一，4是反射鏡二，5是壓電晶片一，6是壓電晶片二，7是電極引線8是變形鏡支撐件，9是微通道一，10是如蓋板，11是后蓋板，12是微通道二，13是孔洞，14是進(jìn)水口，15是出水口。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖給出的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的一種水冷式雙壓電變形鏡作進(jìn)一步描述。
[0019]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種水冷式雙壓電變形鏡包括水冷式雙壓電變形鏡主體1、水冷式雙壓電變形鏡鏡架2 ;水冷式雙壓電變形鏡I設(shè)置于水冷式雙壓電變形鏡鏡架2內(nèi)。
[0020]如圖2所示，水冷式雙壓電變形鏡主體包括反射鏡一 3、反射鏡二 4、壓電晶片一 5、壓電晶片二 6、電極引線7、變形鏡支撐件8、微通道一 9。反射鏡一 3背面與反射鏡二 4上設(shè)置有微通道一 9的面相粘合，反射鏡二 4背面與壓電晶片一 5的正極面相粘接，壓電晶片一 5和壓電晶片二 6的兩負(fù)極面相粘接，變形鏡支撐件8的一面與反射鏡二 4背面相粘接，電極引線7—端從壓電晶片一 5和壓電晶片二 6的各電極引出，另一端與供給電源相連，通過對(duì)不同電極供給不同電壓，實(shí)現(xiàn)變形鏡的面形變化，從而輸出所需的像差。
[0021]如圖3所示,水冷式雙壓電變形鏡鏡架包括前蓋板10、后蓋板11、微通道二 12。設(shè)置有微通道二 12的前蓋板10與后蓋板11通過螺絲固定。
[0022]如圖4所示,水冷式雙壓電變形鏡鏡架的后蓋板上設(shè)置有一孔洞13、進(jìn)水口 14、出水口 15。孔洞11用于引出水冷式雙壓電變形鏡的電極引線7。從進(jìn)水口 14中導(dǎo)入流水，流水進(jìn)入前蓋板10的微通道二 12，再導(dǎo)入反射鏡二 4的微通道一 9，最后從后蓋板11的出水口 15流出，從而實(shí)現(xiàn)雙壓電變形鏡的水冷功能。
[0023]如圖5所示，所述的反射鏡二 4正面設(shè)置排布均勻、大小相同的微通道一 9，微通道平行于反射鏡長(zhǎng)軸方向。
[0024]本說明書中公開的所有特征，除了互相排斥的特征以外，均可以以任何方式組合。
[0025]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種水冷式雙壓電變形鏡，其特征在于:包括水冷式雙壓電變形鏡主體和水冷式雙壓電變形鏡鏡架，所述的水冷式雙壓電變形鏡主體設(shè)置于水冷式雙壓電變形鏡鏡架內(nèi)； 水冷式雙壓電變形鏡主體包括反射鏡一、反射鏡二、壓電晶片一、壓電晶片二、電極引線、變形鏡支撐件；所述反射鏡一的背面與反射鏡二的正面相粘接，反射鏡二的背面與壓電晶片一的正極面相粘接，壓電晶片一和壓電晶片二的負(fù)極面相粘接，變形鏡支撐件的一面與反射鏡二的背面固聯(lián)；電極引線的一端從壓電晶片一、壓電晶片二的各個(gè)電極引出； 水冷式雙壓電變形鏡鏡架，包括前蓋板和后蓋板，所述后蓋板上設(shè)置有一個(gè)進(jìn)水口，一個(gè)出水口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水冷式雙壓電變形鏡，其特征在于所述反射鏡二的正面設(shè)置有微通道一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水冷式雙壓電變形鏡，其特征在于所述前蓋板上設(shè)置有微通道二。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種水冷式雙壓電變形鏡，其特征在于所述微通道一和微通道二的通道大小、通道間隔相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水冷式雙壓電變形鏡，其特征為所述電極引線的數(shù)量與變形鏡的電極數(shù)相等。
【文檔編號(hào)】G02B26/06GK203705723SQ201420010286
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月8日
【發(fā)明者】張凱, 徐宏來, 雒仲祥, 何忠武, 李國(guó)會(huì), 關(guān)有光, 楊媛, 杜應(yīng)磊, 向汝建 申請(qǐng)人:中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所