一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可提高開口率；該陣列基板包括多個(gè)子像素，每個(gè)子像素包括：至少一個(gè)薄膜晶體管，有機(jī)樹脂層，以及沿?cái)?shù)據(jù)線方向排列的不接觸的第一像素電極和第二像素電極；第一像素電極延伸到第一柵線上方，第二像素電極延伸到第二柵線上方，第一柵線和第二柵線相鄰；位于第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的第一像素電極在第一柵線上方連接，位于第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的第二像素電極在第二柵線上方連接；相鄰兩個(gè)子像素的第一像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接，第二像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接。用于需要提高開口率的陣列基板及顯示裝置的制造。
【專利說明】—種陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。
[0003]TFT-1XD包括陣列基板、彩膜基板以及位于二者之間的液晶層；其中，如圖1所示，陣列基板01包括多個(gè)子像素10，每個(gè)所述子像素10由相鄰兩根柵線20和相鄰兩根數(shù)據(jù)線30交叉限定，每個(gè)子像素10包括薄膜晶體管101以及與薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極102。
[0004]目前，為了防止柵線20信號(hào)對(duì)像素電極102造成干擾，需要在像素電極102與柵線20之間設(shè)置一定間距L，而這個(gè)間距L也不能太小，這樣的話勢(shì)必導(dǎo)致通過該間距L部分的光不能被通過像素電極102和公共電極驅(qū)動(dòng)的液晶層所控制，從而最終被彩膜基板的黑矩陣所濾除，影響開口率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可提高開口率。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，提供一種陣列基板，包括多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素由相鄰兩根柵線和相鄰兩根數(shù)據(jù)線交叉限定；每個(gè)所述子像素包括:至少一個(gè)薄膜晶體管，位于所述薄膜晶體管上方的有機(jī)樹脂層，以及位于所述有機(jī)樹脂層上方且沿所述數(shù)據(jù)線方向排列的第一像素電極和第二像素電極；其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極不接觸；
[0008]所述第一像素電極延伸到與所述第一像素電極靠近的第一柵線上方，所述第二像素電極延伸到與所述第二像素電極靠近的第二柵線上方；其中，所述第一柵線和所述第二柵線相鄰；
[0009]沿所述數(shù)據(jù)線方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線之間，位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極均靠近所述第一柵線且在所述第一柵線上方連接，所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極均遠(yuǎn)離所述第一柵線.
[0010]沿所述數(shù)據(jù)線方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線之間，位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極均靠近所述第二柵線且在所述第二柵線上方連接，所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極均遠(yuǎn)離所述第二柵線.
[0011]所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接，所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接。
[0012]優(yōu)選的，在每個(gè)所述子像素中，與所述薄膜晶體管的漏極電連接的所述第一像素電極和/或所述第二像素電極露出所述薄膜晶體管的區(qū)域。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的，每個(gè)所述子像素包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接；
[0014]沿所述數(shù)據(jù)線方向，所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素中的兩個(gè)所述第一薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵線連接，且均相對(duì)所述第一柵線對(duì)稱；所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素中的兩個(gè)所述第二薄膜晶體管的柵極均與所述第二柵線連接，且均相對(duì)所述第二柵線對(duì)稱。
[0015]基于上述，優(yōu)選的，沿柵線方向，所述第一像素電極和所述第二像素電極均延伸到所述數(shù)據(jù)線上方。
[0016]優(yōu)選的，所述第一像素電極和所述第二像素電極的面積相等。
[0017]優(yōu)選的，所述有機(jī)樹脂層的厚度為I?3 μ m。
[0018]優(yōu)選的，每個(gè)所述子像素還包括位于所述第一像素電極和所述第二像素電極上方的公共電極。
[0019]另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0020]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，由于在薄膜晶體管與第一像素電極和第二像素電極之間設(shè)置有有機(jī)樹脂層，而有機(jī)材料的絕緣層的厚度通常為微米級(jí)，因此，可以避免柵線信號(hào)對(duì)第一像素電極和第二像素電極的干擾，并且減少第一像素電極和第二像素電極與薄膜晶體管各電極之間產(chǎn)生的寄生電容。在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例中由于在每個(gè)子像素中第一像素電極和第二像素電極分別與靠近的第一柵線和第二柵線之間沒有間距，且由于每個(gè)子像素中的第一像素電極和第二像素電極沒有互相干擾的問題，因此所述第一像素電極和第二像素電極之間的間距可以做的非常小，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)子像素中像素電極與柵線之間設(shè)置一定間距而導(dǎo)致開口率下降，本實(shí)用新型實(shí)施例可以提聞開口率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0024]圖3為圖2的AA’向剖面示意圖；
[0025]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0026]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0027]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0028]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的子像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記:
[0030]01-陣列基板；10-子像素；101-薄膜晶體管；1la-第一薄膜晶體管；1lb-第二薄膜晶體管；1011-柵極；1012-柵絕緣層；1013-有源層；1014-源極；1015-漏極；102_像素電極；102a-第一像素電極；102b-第二像素電極；103_有機(jī)樹脂層；104_公共電極；20-柵線；201_第一柵線；202_第二柵線；30_數(shù)據(jù)線。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板01，如圖2、圖4、圖5所示，該陣列基板01包括多個(gè)子像素10，每個(gè)所述子像素10由相鄰兩根柵線和相鄰兩根數(shù)據(jù)線30交叉限定。
[0033]其中，如圖3所示，每個(gè)所述子像素10包括:至少一個(gè)薄膜晶體管101，位于所述薄膜晶體管上方的有機(jī)樹脂層103、以及位于所述有機(jī)樹脂層103上方且沿所述數(shù)據(jù)線30方向排列的第一像素電極102a和第二像素電極102b ;其中，所述第一像素電極102a和所述第二像素電極102b不接觸。
[0034]所述第一像素電極102a延伸到與所述第一像素電極102a靠近的第一柵線201上方，所述第二像素電極102b延伸到與所述第二像素電極102b靠近的第二柵線202上方；其中，所述第一柵線201和所述第二柵線202相鄰。
[0035]沿所述數(shù)據(jù)線30方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線30之間，位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a均靠近所述第一柵線201且在所述第一柵線201上方連接，所述位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b均遠(yuǎn)離所述第一柵線201。
[0036]沿所述數(shù)據(jù)線30方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線30之間，位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b均靠近所述第二柵線202且在所述第二柵線202上方連接，所述位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a均遠(yuǎn)離所述第二柵線202。
[0037]所述位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a與至少一個(gè)薄膜晶體管101的漏極1015電連接，所述位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b與至少一個(gè)薄膜晶體管101的漏極1015電連接。
[0038]其中，所述薄膜晶體管101包括柵極1011、柵絕緣層1012、有源層1013、源極1014和漏極1015。
[0039]所述柵極1011、源極1014和漏極1015、柵線、數(shù)據(jù)線30的材料可以為銅(Cu)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)等，也可以為這些材料的合金。所述柵絕緣層1012的材料可以為氮化硅或氧化硅。有源層1013的材料可以為非晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體等。所述有機(jī)樹脂層103的材料可以是普通樹脂，也可以是感光樹脂。像素電極的材料可以是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或其他透明金屬氧化物導(dǎo)電材料。
[0040]需要說明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，不管是小尺寸還是大尺寸的陣列基板，其均包括多根柵線，即沿?cái)?shù)據(jù)線方向包括第一根柵線、第二根柵線、第三根柵線…第N根柵線，而本實(shí)用新型實(shí)施例中將只要是相鄰的兩根柵線都稱為第一柵線201和第二柵線202。
[0041]例如:當(dāng)?shù)谝桓鶘啪€為第一柵線201時(shí)，則第二根柵線為第二柵線202，第三根柵線為第一柵線201，依此類推。
[0042]也就是說，對(duì)于任意一根柵線，當(dāng)該柵線被稱為第一柵線201時(shí)，則與其相鄰的上下兩根柵線則均為第二柵線202，同理，當(dāng)該柵線被稱為第二柵線202時(shí)，則與其相鄰的上下兩根柵線則均為第一柵線201。
[0043]基于此，當(dāng)?shù)谝粬啪€201和第二柵線202確定后，對(duì)于由任意相鄰的兩根數(shù)據(jù)線30和任意相鄰的兩根第一柵線201和第二柵線202限定的一個(gè)子像素10，其中的第一像素電極102a靠近第一柵線201并延伸第一柵線201上(即第一像素電極102a與所述第一柵線201具有重疊面積)，其中的第二像素電極102b靠近第二柵線202并延伸第二柵線202上(即第二像素電極102b與所述第二柵線202具有重疊面積)。
[0044]在此基礎(chǔ)上，對(duì)于由任意相鄰的兩根數(shù)據(jù)線30與任意的一根第一柵線201和位于該第一柵線201兩側(cè)的兩根第二柵線202限定的兩個(gè)相鄰的子像素10，該兩個(gè)子像素10中的第一像素電極102a則均應(yīng)靠近并延伸到所述第一柵線201上，該兩個(gè)子像素10中的第二像素電極102b則應(yīng)分別靠近并延伸到與其靠近的所述第二柵線202上(即遠(yuǎn)離所述第一柵線201)。
[0045]同理，對(duì)于由任意相鄰的兩根數(shù)據(jù)線30與任意的一根第二柵線202和位于該第二柵線202兩側(cè)的兩根第一柵線201限定的兩個(gè)相鄰的子像素10，該兩個(gè)子像素10中的第二像素電極102b則應(yīng)靠近并延伸到所述第二柵線202上，該兩個(gè)子像素10中的第一像素電極102a則應(yīng)分別靠近并延伸到與其靠近的所述第一柵線201上(即遠(yuǎn)離所述第二柵線202)。
[0046]例如:對(duì)于由豎直的相鄰兩根數(shù)據(jù)線30和從上到下的順序?yàn)榈诙l柵線、第三條柵線、第四條柵線限定出的兩個(gè)相鄰子像素10而言，當(dāng)?shù)诙l柵線、第三條柵線、第四條柵線分別為第一柵線201、第二柵線202、第一柵線201時(shí)，對(duì)于位于第二條柵線和第三條柵線之間的子像素10，其中的第一像素電極102a靠近第二條柵線且延伸到第二條柵線上，第二像素電極102b靠近第三條柵線且延伸到第三條柵線上；對(duì)于位于第三條柵線和第四條柵線之間的子像素10，其中的第二像素電極102b靠近第三條柵線且延伸到第三條柵線上，第一像素電極102a靠近第四條柵線且延伸到第四條柵線上。
[0047]第二，由于每個(gè)子像素均包括第一像素電極102a和第二像素電極102b，并且沿所述數(shù)據(jù)線30方向，位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a均靠近所述第一柵線201且在所述第一柵線201上方連接，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員據(jù)此應(yīng)該容易知道，位于所述相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a是一體成形的。
[0048]同理，由于每個(gè)子像素均包括第一像素電極102a和第二像素電極102b，并且沿所述數(shù)據(jù)線30方向，位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b均靠近所述第二柵線202且在所述第二柵線202上方連接，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員據(jù)此應(yīng)該容易知道，位于所述相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b是一體成形的。
[0049]也就是說，對(duì)于位于任意相鄰的兩根數(shù)據(jù)線30之間的一列子像素10而言，位于任意一根所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a是一體成形的，并且，位于任意一根所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b是一體成形的。
[0050]第三，由于位于相鄰子像素10中的第一像素電極102a或第二像素電極102b是連接在一起的，因此，當(dāng)在每個(gè)子像素10中設(shè)置一個(gè)薄膜晶體管101時(shí)，只需使相鄰兩個(gè)子像素10中的薄膜晶體管101的漏極1015分別與第一像素電極102a和第二像素電極102b電連接即可。
[0051]第四，不對(duì)所述薄膜晶體管的類型進(jìn)行限定，其可以是頂柵型，也可以是底柵型。
[0052]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板01，包括多個(gè)子像素10，每個(gè)所述子像素10由相鄰兩根柵線和相鄰兩根數(shù)據(jù)線30交叉限定；每個(gè)所述子像素10包括:至少一個(gè)薄膜晶體管101，位于所述薄膜晶體管上方的有機(jī)樹脂層103、以及位于所述有機(jī)樹脂層103上方且沿所述數(shù)據(jù)線30方向排列的第一像素電極102a和第二像素電極102b ;其中，所述第一像素電極102a和所述第二像素電極102b不接觸；所述第一像素電極102a延伸到與所述第一像素電極102a靠近的第一柵線201上方，所述第二像素電極102b延伸到與所述第二像素電極102b靠近的第二柵線202上方；其中，所述第一柵線201和所述第二柵線202相鄰；沿所述數(shù)據(jù)線30方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線30之間，位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a均靠近所述第一柵線201且在所述第一柵線201上方連接，位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b均遠(yuǎn)離所述第一柵線201 ;沿所述數(shù)據(jù)線30方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線30之間，位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b均靠近所述第二柵線202且在所述第二柵線202上方連接，位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a均遠(yuǎn)離所述第二柵線202 ;所述位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第一像素電極102a與至少一個(gè)薄膜晶體管101的漏極1015電連接，所述位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10的所述第二像素電極102b與至少一個(gè)薄膜晶體管101的漏極1015電連接。
[0053]本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于在薄膜晶體管101與第一像素電極102a和第二像素電極102b之間設(shè)置有有機(jī)樹脂層103，而有機(jī)材料的絕緣層的厚度通常為微米級(jí)，因此，可以避免柵線信號(hào)對(duì)第一像素電極102a和第二像素電極102b的干擾，并且減少第一像素電極102a和第二像素電極102b與薄膜晶體管101各電極之間產(chǎn)生的寄生電容。在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例中由于在每個(gè)子像素10中第一像素電極102a和第二像素電極102b分別與靠近的第一柵線201和第二柵線202之間沒有間距，且由于每個(gè)子像素10中的第一像素電極102a和第二像素電極102b沒有互相干擾的問題，因此所述第一像素電極102a和第二像素電極102b之間的間距可以做的非常小，因此，相比現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)子像素10中像素電極與柵線之間設(shè)置一定間距而導(dǎo)致開口率下降，本實(shí)用新型實(shí)施例可以提高開口率。
[0054]如圖4所示，為了避免第一像素電極102a和第二像素電極102b與薄膜晶體管101各電極之間產(chǎn)生寄生電容，從而對(duì)所述陣列基板造成影響，本實(shí)用新型示例優(yōu)選為，在每個(gè)所述子像素10中，與所述薄膜晶體管101的漏極1015電連接的所述第一像素電極102a和/或所述第二像素電極102b露出所述薄膜晶體管101的區(qū)域。
[0055]這里，由于薄膜晶體管101的漏極1015需要與所述第一像素電極102a和/或所述第二像素電極102b電連接，而漏極1015又是屬于所述薄膜晶體管101的一部分，因此，上述所述第一像素電極102a和/或所述第二像素電極102b露出所述薄膜晶體管101的區(qū)域僅是相對(duì)的露出，即:可以使漏極1015的用于與所述第一像素電極102a和/或所述第二像素電極102b連接的部分不露出即可。
[0056]進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖5所示，每個(gè)所述子像素10包括第一薄膜晶體管1la和第二薄膜晶體管101b。
[0057]其中，所述第一薄膜晶體管1la的漏極1015與所述第一像素電極102a電連接，所述第二薄膜晶體管1lb的漏極1015與所述第二像素電極102b電連接。
[0058]沿所述數(shù)據(jù)線30方向，所述位于所述第一柵線201兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10中的兩個(gè)所述第一薄膜晶體管1la的柵極1011均與所述第一柵線201連接，且均相對(duì)所述第一柵線201對(duì)稱；所述位于所述第二柵線202兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素10中的兩個(gè)所述第二薄膜晶體管1lb的柵極1011均與所述第二柵線202連接，且均相對(duì)所述第二柵線202對(duì)稱。
[0059]這樣，相對(duì)于在每個(gè)子像素10中設(shè)置一個(gè)薄膜晶體管101，使得該一個(gè)薄膜晶體管101在驅(qū)動(dòng)相鄰兩個(gè)子像素10的兩個(gè)第一子像素102a或兩個(gè)第二子像素102b時(shí)，在兩個(gè)第一子像素102a或兩個(gè)第二子像素102b中產(chǎn)生壓降，本實(shí)用新型實(shí)施例通過在每個(gè)子像素10中設(shè)置兩個(gè)薄膜晶體管，用于分別驅(qū)動(dòng)相鄰兩個(gè)子像素10的兩個(gè)第一子像素102a或兩個(gè)第二子像素102b，可以避免壓降的產(chǎn)生，從而提高該陣列基板01的性能。
[0060]基于上述，為了進(jìn)一步提高開口率，如圖6所示，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選為，沿柵線方向，所述第一像素電極102a和所述第二像素電極102b均延伸到所述數(shù)據(jù)線30上方。
[0061]優(yōu)選的，所述第一像素電極102a和所述第二像素電極102b的面積相等。
[0062]這樣，可以保證相鄰兩個(gè)子像素10的兩個(gè)相連接的第一像素電極102a和兩個(gè)相連接的第二像素電極102b的面積相等，從而在該陣列基板01應(yīng)用于液晶顯示裝置時(shí)，保證各種顏色的發(fā)光面積。
[0063]優(yōu)選的，考慮到目前陣列基板薄型化的市場(chǎng)需求，本實(shí)用新型實(shí)施例中，優(yōu)選將所述有機(jī)樹脂層103的厚度設(shè)置為I?3 μ m。
[0064]此處，所述有機(jī)樹脂層103優(yōu)選為具有低介電常數(shù)且絕緣的有機(jī)樹脂材料，例如熱固性酹醒樹脂(Phenol Thermosetting Resin,簡(jiǎn)稱PTS)、低介電非感光型有機(jī)樹脂等。
[0065]在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板01還可以包括設(shè)置在所述有機(jī)樹脂層103下方的粘附層，所述粘附層用于增強(qiáng)所述有機(jī)樹脂層與靠近的薄膜晶體管101的電極層之間的結(jié)合強(qiáng)度。其中，所述粘附層可以為氮化硅層、或氧化硅層、或氮氧化硅層等。
[0066]優(yōu)選的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板01可以適用于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimens1nal Switching,簡(jiǎn)稱ADS)型液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(Push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0067]因此，優(yōu)選的，如圖7所示，每個(gè)所述子像素10還包括位于所述第一像素電極102a和所述第二像素電極102b上方的公共電極104。
[0068]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任一種所述的陣列基板01。
[0069]此處，本實(shí)用新型實(shí)施例所述顯示裝置具體可以是液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0070]需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，本實(shí)用新型實(shí)施例中所有附圖是陣列基板的簡(jiǎn)略的示意圖，只為清楚描述本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對(duì)于其他的與發(fā)明點(diǎn)無關(guān)的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0071]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素由相鄰兩根柵線和相鄰兩根數(shù)據(jù)線交叉限定；其特征在于， 每個(gè)所述子像素包括:至少一個(gè)薄膜晶體管，位于所述薄膜晶體管上方的有機(jī)樹脂層，以及位于所述有機(jī)樹脂層上方且沿所述數(shù)據(jù)線方向排列的第一像素電極和第二像素電極；其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極不接觸； 所述第一像素電極延伸到與所述第一像素電極靠近的第一柵線上方，所述第二像素電極延伸到與所述第二像素電極靠近的第二柵線上方；其中，所述第一柵線和所述第二柵線相鄰； 沿所述數(shù)據(jù)線方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線之間，位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極均靠近所述第一柵線且在所述第一柵線上方連接，所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極均遠(yuǎn)離所述第一柵線； 沿所述數(shù)據(jù)線方向，在任意相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線之間，位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極均靠近所述第二柵線且在所述第二柵線上方連接，所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極均遠(yuǎn)離所述第二柵線； 所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第一像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接，所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素的所述第二像素電極與至少一個(gè)薄膜晶體管的漏極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在每個(gè)所述子像素中，與所述薄膜晶體管的漏極電連接的所述第一像素電極和/或所述第二像素電極露出所述薄膜晶體管的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述子像素包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管； 所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接； 沿所述數(shù)據(jù)線方向，所述位于所述第一柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素中的兩個(gè)所述第一薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵線連接，且均相對(duì)所述第一柵線對(duì)稱；所述位于所述第二柵線兩側(cè)的相鄰兩個(gè)子像素中的兩個(gè)所述第二薄膜晶體管的柵極均與所述第二柵線連接，且均相對(duì)所述第二柵線對(duì)稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，沿柵線方向，所述第一像素電極和所述第二像素電極均延伸到所述數(shù)據(jù)線上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極和所述第二像素電極的面積相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)樹脂層的厚度為I?3μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述子像素還包括位于所述第一像素電極和所述第二像素電極上方的公共電極。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK203930287SQ201420344323
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】程鴻飛, 喬勇, 先建波, 李文波, 李盼 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司