陣列基板、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，所述陣列基板包括：襯底基板；形成于所述襯底基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線相互交叉形成多個(gè)子像素；設(shè)置于所述子像素內(nèi)的像素電極；設(shè)置于所述子像素內(nèi)與所述像素電極相對(duì)設(shè)置且相互絕緣的公共電極；設(shè)置于所述子像素內(nèi)的薄膜晶體管，與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵線及像素電極連接；至少一個(gè)所述子像素內(nèi)還設(shè)置有公共電極線，且至少所述一個(gè)子像素內(nèi)的所述公共電極線和與其位于同一子像素內(nèi)的所述公共電極連接。本實(shí)用新型所提供的陣列基板可以減小公共電極的電阻，降低公共電極信號(hào)的壓降，提高顯示均勻性。
【專利說明】陣列基板、顯示面板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)以輕薄、節(jié)約空間、低能耗、低輻射等特點(diǎn)已經(jīng)成為了市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)以及公共信息顯示，是目前使用最為廣泛的顯示技術(shù)。液晶顯示的畫面質(zhì)量是這些產(chǎn)品成功的重要條件。在諸多的因素中，液晶顯示均勻性是一個(gè)重要參數(shù)。
[0003]液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板以及設(shè)置在兩基板之間的液晶層。在陣列基板上包括縱橫交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線和柵線，這些數(shù)據(jù)線和柵線交錯(cuò)，從而在陣列基板的顯示區(qū)域形成一個(gè)個(gè)的子像素，在每一子像素都設(shè)置有一個(gè)TFT，其中TFT的柵極與柵線連接，漏極與像素電極連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，在柵線傳輸?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)和數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的共同作用下，通過像素電極和公共電極在液晶層形成電場(chǎng)，進(jìn)而通過電場(chǎng)控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)顯示。
[0004]傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)模式(Fringe Field Switching-FFS)的液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極均設(shè)置在陣列基板上，其中每一子像素內(nèi)設(shè)置一像素電極，公共電極與像素電極相互絕緣設(shè)置，并覆蓋整個(gè)顯示區(qū)域，在陣列基板的顯示區(qū)域外圍設(shè)置有公共電極線，公共電極與公共電極線連接，由公共電極線提供信號(hào)。這種傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)模式的液晶顯示裝置存在以下問題:
[0005]公共電極采用一整塊的ITO(氧化銦錫)電極，由于其自身電阻的存在，其靠近公共電極線的區(qū)域和遠(yuǎn)離公共電極線的區(qū)域會(huì)產(chǎn)生公共電極壓降大的問題，從而影響顯示均勻性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，能夠降低公共電極信號(hào)的壓降，提高顯示均勻性。
[0007]本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案如下:
[0008]一種陣列基板,包括:
[0009]襯底基板；
[0010]形成于所述襯底基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線相互交叉形成多個(gè)子像素；
[0011]設(shè)置于所述子像素內(nèi)的像素電極；
[0012]設(shè)置于所述子像素內(nèi)與所述像素電極相對(duì)設(shè)置且相互絕緣的公共電極；
[0013]設(shè)置于所述子像素內(nèi)的薄膜晶體管，與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵線及像素電極連接；
[0014]至少一個(gè)所述子像素內(nèi)還設(shè)置有公共電極線，且至少一個(gè)所述子像素內(nèi)的所述公共電極線和與其位于同一子像素內(nèi)的所述公共電極連接。
[0015]進(jìn)一步的，所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣，且所述公共電極線與所述公共電極處于不同層，并通過位于所述公共電極線與所述公共電極之間的絕緣層上的過孔相連接。
[0016]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括第一屏蔽電極；
[0017]其中，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影完全重合；
[0018]或者，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影部分重合；
[0019]或者，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影不重合。
[0020]進(jìn)一步的，所述第一屏蔽電極與所述公共電極線同層設(shè)置，并與所述公共電極線直接連接。
[0021]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括第二屏蔽電極；
[0022]其中，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影完全重合；
[0023]或者，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影部分重合；
[0024]或者，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影不重合。
[0025]進(jìn)一步的，所述第二屏蔽電極與所述公共電極線同層設(shè)置，且所述第二屏
[0026]蔽電極與所述公共電極線連接。
[0027]進(jìn)一步的，設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極完全覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線；
[0028]或者，設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極部分覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線；
[0029]或者，設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極未覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線。
[0030]進(jìn)一步的，所述公共電極在與同一子像素內(nèi)的所述薄膜晶體管所對(duì)應(yīng)的位置上形成有切口部。
[0031]進(jìn)一步的，所述公共電極上設(shè)有第一狹縫；
[0032]所述像素電極上設(shè)有第二狹縫或者所述像素電極為板狀電極。
[0033]一種顯示面板，包括彩膜基板，還包括如上所述的陣列基板。
[0034]一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0035]本實(shí)用新型的有益效果如下:
[0036]本實(shí)用新型所提供的陣列基板中，至少一部分子像素內(nèi)分別單獨(dú)設(shè)置有公共電極，并且該公共電極由與其位于同一子像素內(nèi)的公共電極線來提供信號(hào)，與傳統(tǒng)的陣列基板相比，可減小公共電極的電阻，降低公共電極信號(hào)的壓降，提高顯示均勻性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為本實(shí)用新型所提供的陣列基板的第一種實(shí)施例的一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2為圖1中A-A向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖3為圖1中B-B向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4表示為本實(shí)用新型所提供的陣列基板的第二種實(shí)施例的一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖5為本實(shí)用新型所提供的陣列基板的第三種實(shí)施例的一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖6為本實(shí)用新型所提供的陣列基板的第三種實(shí)施例的一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖7為圖6中A-A向結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖8為本實(shí)用新型所提供的陣列基板的第四種實(shí)施例的一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0045]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0046]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的公共電極為一整塊ITO電極覆蓋在陣列基板的顯示區(qū)，并由位于顯示區(qū)外圍的公共電極線來提供信號(hào)，公共電極壓降大，會(huì)影響顯示均勻性的問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，能夠減少公共電極壓降，提高顯示均勻性。
[0047]如圖1至圖3所示，本實(shí)用新型所提供的陣列基板包括:
[0048]襯底基板100 ；
[0049]形成于所述襯底基板100上的多條柵線200和多條數(shù)據(jù)線300，多條柵線200和多條數(shù)據(jù)線300相互交叉形成多個(gè)子像素；
[0050]設(shè)置于所述子像素內(nèi)的像素電極400 ；
[0051]設(shè)置于所述子像素內(nèi)與所述像素電極400相對(duì)設(shè)置且相互絕緣的公共電極700 ；
[0052]設(shè)置于所述子像素內(nèi)的薄膜晶體管，與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線300、柵線200及像素電極400連接，其中所述薄膜晶體管的柵極501與對(duì)應(yīng)的柵線200連接，所述薄膜晶體管的源極502與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線300連接，所述薄膜晶體管的漏極503與對(duì)應(yīng)的像素電極400連接；
[0053]至少一個(gè)所述子像素內(nèi)還設(shè)置有公共電極線600，且至少一個(gè)所述子像素內(nèi)的所述公共電極線600和與其位于同一子像素內(nèi)的所述公共電極700連接。
[0054]上述方案中，陣列基板的公共電極線600可以布置在子像素內(nèi)，并且布置有公共電極線600的子像素內(nèi)可以單獨(dú)設(shè)置公共電極700，且公共電極700和與其同一子像素內(nèi)的公共電極線600連接，從而每一子像素內(nèi)的公共電極700可以分別由該子像素內(nèi)的公共電極線600來提供信號(hào)，降低了由于公共電極700的電阻存在導(dǎo)致的公共電極700信號(hào)的壓降，提高了顯示均勻性。
[0055]需要說明的是，在本實(shí)用新型的陣列基板中，可以是，在該陣列基板的任一子像素內(nèi)均單獨(dú)設(shè)置公共電極700與公共電極線600，并且同一子像素內(nèi)的公共電極700與公共電極線600相連接，不同子像素內(nèi)的公共電極700之間相互絕緣；
[0056]還可以是，在該陣列基板的僅一部分子像素內(nèi)采用上述單獨(dú)設(shè)置公共電極700與公共電極線600的結(jié)構(gòu)，例如:
[0057]多個(gè)子像素可以間隔地設(shè)置上述公共電極線600及公共電極700的結(jié)構(gòu)，也就是說，多個(gè)子像素中相鄰兩個(gè)子像素中一個(gè)子像素內(nèi)單獨(dú)設(shè)置公共電極700與公共電極線600，所述公共電極700與所述公共電極線600連接，與其相鄰的另一個(gè)子像素內(nèi)不設(shè)置公共電極線600，所述相鄰的另一個(gè)子像素內(nèi)的公共電極與所述相鄰兩個(gè)子像素中一個(gè)子像素內(nèi)的公共電極為一體結(jié)構(gòu)且相互連接。
[0058]此外，在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖1至圖3所示，所述公共電極線600與所述柵線200同層設(shè)置且相互絕緣，所述公共電極線600與所述公共電極700處于不同層，并通過位于所述公共電極線600與所述公共電極700之間的的絕緣層上的過孔900相連接，所述絕緣層包括柵極絕緣層101、鈍化層801和平坦層802。
[0059]采用上述方案，所述公共電極線600與所述柵線200可以制作在同一層，并且，優(yōu)選的，所述公共電極線600可以與所述柵線200采用同一材質(zhì)，從而，可以通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板100上形成柵線200、薄膜晶體管的柵極501的同時(shí)，在子像素內(nèi)形成所述公共電極線600，可以簡(jiǎn)化制造步驟。
[0060]當(dāng)然可以理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述公共電極線600與所述柵線200也可以處于不同層，所述公共電極線600與所述柵線200也可以采用不同材質(zhì)形成，例如:所述公共電極線600也可以與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，所述公共電極線600與所述數(shù)據(jù)線可以采用相同材質(zhì)形成；在此僅提供一種公共電極線600的優(yōu)選布線方式，但并不對(duì)此進(jìn)行限定。
[0061]此外，上述方案中，所述公共電極線600與所述公共電極700通過過孔900連接，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際需要，采用其他方式實(shí)現(xiàn)所述公共電極線600與所述公共電極700之間的連接，例如:所述公共電極700與所述公共電極線600也可以同層設(shè)置，并直接連接。
[0062]此外，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖1所示，所述公共電極線600與所述柵線200平行設(shè)置，且設(shè)置有所述公共電極線600的子像素內(nèi)的所述公共電極線600和所述柵線200分別位于同一子像素內(nèi)的所述像素電極400的相對(duì)兩側(cè)。
[0063]采用上述方案，陣列基板的布線方式更為簡(jiǎn)單。當(dāng)然可以理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，所述公共電極線600的布線方式不僅局限于此，還可以是其他方式，例如:所述公共電極線600與所述柵線200位于同一子像素內(nèi)的所述像素電極400的同側(cè)。
[0064]此外，TFT-1XD的顯示性能和電場(chǎng)密切相關(guān)，但真正與顯示相關(guān)的電場(chǎng)是由像素電極400和公共電極700產(chǎn)生的電場(chǎng)，除此之外的電場(chǎng)都應(yīng)該視為是干擾信號(hào)，會(huì)對(duì)顯示造成不利影響。
[0065]有鑒于此，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述陣列基板還包括第一屏蔽電極601，所述第一屏蔽電極601位于所述數(shù)據(jù)線300所在區(qū)域，并與所述數(shù)據(jù)線300處于不同層且相互絕緣，所述數(shù)據(jù)線300所在區(qū)域是指數(shù)據(jù)線300所在位置及周邊區(qū)域。
[0066]上述方案，第一屏蔽電極601設(shè)置在數(shù)據(jù)線300所在區(qū)域，即，在陣列基板上布設(shè)有所述數(shù)據(jù)線300的區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置與所述數(shù)據(jù)線300絕緣的所述第一屏蔽電極601，數(shù)據(jù)線300作為感應(yīng)源，而像素電極400作為受感器，在感應(yīng)源和受感器之間增加一個(gè)屏蔽電極，能夠阻擋數(shù)據(jù)線300上電信號(hào)產(chǎn)生的電場(chǎng)傳輸?shù)较袼仉姌O400，也就是說，可以屏蔽數(shù)據(jù)線300的電壓變化對(duì)像素電極400的電壓造成的干擾，提高顯示質(zhì)量。
[0067]上述方案中，所述第一屏蔽電極601只要位于數(shù)據(jù)線300所在區(qū)域內(nèi)，同時(shí)第一屏蔽電極601位于數(shù)據(jù)線300和像素電極400之間即可。具體地，所述第一屏蔽電極601與所述數(shù)據(jù)線300的位置關(guān)系可以有以下幾種:
[0068]所述第一屏蔽電極601位于所述數(shù)據(jù)線300的正下方或正上方，即，所述第一屏蔽電極601與所述數(shù)據(jù)線300在所述襯底基板100上的投影完全重合；
[0069]或者，所述第一屏蔽電極601中一部分位于所述數(shù)據(jù)線300的正下方或正上方，即，所述第一屏蔽所述第一屏蔽電極601與所述數(shù)據(jù)線300在所述襯底基板100上的投影部分重合；
[0070]或者，所述第一屏蔽電極601位于所述數(shù)據(jù)線300的側(cè)上方或側(cè)下方，即，所述第一屏蔽電極601與所述數(shù)據(jù)線300在所述襯底基板100上的投影不重合。
[0071]優(yōu)選的，所述第一屏蔽電極601位于所述數(shù)據(jù)線300的正下方或正上方，這樣，所述第一屏蔽電極601可以同時(shí)屏蔽所述數(shù)據(jù)線300對(duì)與其相鄰的兩個(gè)所述像素電極400所產(chǎn)生的干擾信號(hào)，結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)化。
[0072]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一屏蔽電極601位于所述數(shù)據(jù)線300的正下方。采用上述方案，如圖2所示，通常，所述像素電極400與所述數(shù)據(jù)線300都位于柵極絕緣層101上，將所述第一屏蔽電極601設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線300的正下方，屏蔽干擾信號(hào)效果更好。
[0073]需要說明的是，所述第一屏蔽電極601還可以位于所述數(shù)據(jù)線300所在區(qū)域，并與所述數(shù)據(jù)線300處于同層且相互絕緣。
[0074]此外，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述第一屏蔽電極601與所述公共電極線600連接，可以是通過過孔方式連接或直接連接。采用上述方案，可以由所述公共電極線600直接為所述第一屏蔽電極601提供信號(hào)，所述第一屏蔽電極601可以將其與所述數(shù)據(jù)線300之間產(chǎn)生的耦合信號(hào)導(dǎo)入公共信號(hào)線，而不會(huì)對(duì)像素電極400產(chǎn)生信號(hào)干擾。
[0075]當(dāng)然可以理解的是，所述第一屏蔽電極601也可以是由其他信號(hào)線來提供信號(hào)，例如:所述第一屏蔽電極601可以接地，而將其與所述數(shù)據(jù)線300之間產(chǎn)生的寄生電容短接到地。
[0076]此外，進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖1所示，所述第一屏蔽電極601與所述公共電極線600同層設(shè)置，并與所述公共電極線600直接連接。采用上述方案，所述第一屏蔽電極601可以與所述公共電極線600采用同一次構(gòu)圖工藝形成，工藝簡(jiǎn)化，且結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單。
[0077]當(dāng)然可以理解的是，所述第一屏蔽電極601與所述公共電極線600也可以是處于不同層，而通過過孔進(jìn)行連接。
[0078]此外，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述陣列基板還可以包括:
[0079]第二屏蔽電極，所述第二屏蔽電極位于所述柵線200所在區(qū)域，并與所述柵線200處于不同層，并且相互絕緣，所述柵線200所在區(qū)域是指柵線200所在位置及周邊區(qū)域。
[0080]上述方案，第二屏蔽電極設(shè)置在所述柵線200所在區(qū)域，即，在陣列基板上布設(shè)有所述柵線200的區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置有與所述柵線200絕緣的所述第二屏蔽電極，所述柵線200作為感應(yīng)源，而所述像素電極400作為受感器，在感應(yīng)源和受感器之間增加一個(gè)屏蔽電極，能夠阻擋所述柵線200上電信號(hào)產(chǎn)生的電場(chǎng)傳輸?shù)剿鱿袼仉姌O400，通過抑制寄生電容的耦合達(dá)到了電場(chǎng)屏蔽的目的，提高顯示質(zhì)量。
[0081]上述方案中，所述第二屏蔽電極只要位于柵線200所在區(qū)域內(nèi)，同時(shí)第二屏蔽電極位于柵線200和像素電極400之間即可。具體地，所述第二屏蔽電極與所述柵線200的位置關(guān)系可以有以下幾種:
[0082]所述第二屏蔽電極位于所述柵線200的正下方或正上方，即，所述第二屏蔽電極與所述柵線200在所述襯底基板100上的投影完全重合；
[0083]或者，所述第二屏蔽電極中一部分位于所述柵線200的正下方或正上方，即，所述第二屏蔽電極與所述柵線200在所述襯底基板100上的投影部分重合；
[0084]或者，所述第二屏蔽電極位于所述柵線200的側(cè)上方或側(cè)下方，即，所述第二屏蔽電極與所述柵線200在所述襯底基板100上的投影不重合。
[0085]優(yōu)選的，所述第二屏蔽電極位于所述柵線200的正下方或正上方，由此所述第二屏蔽電極可以同時(shí)屏蔽所述柵線200對(duì)與其相鄰的兩個(gè)所述像素電極400所產(chǎn)生的干擾信號(hào)，結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)化。
[0086]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第二屏蔽電極位于所述柵線200的正上方。采用上述方案，通常，如圖所示，所述像素電極400制作在所述柵線200的側(cè)上方位置，將所述第二屏蔽電極設(shè)置在所述柵線200的正上方，屏蔽干擾信號(hào)效果更好。
[0087]需要說明的是，所述第二屏蔽電極還可以位于所述柵線200所在區(qū)域，并與所述柵線200處于同層，并且相互絕緣。
[0088]此外，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述第二屏蔽電極可以與所述公共電極線600連接，可以是通過過孔方式連接或直接連接。采用上述方案，可以由所述公共電極線600直接為所述第二屏蔽電極提供信號(hào)，所述第二屏蔽電極可以將其與所述柵線200之間產(chǎn)生的耦合信號(hào)導(dǎo)入公共信號(hào)線，而不會(huì)對(duì)像素電極400產(chǎn)生信號(hào)干擾。
[0089]當(dāng)然可以理解的是，所述第二屏蔽電極也可以是由其他信號(hào)線來提供信號(hào)，例如:所述第二屏蔽電極可以接地，而將其與所述柵線200之間產(chǎn)生的寄生電容短接到地。
[0090]此外，在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第一屏蔽電極601與所述公共電極線600同層設(shè)置且直接連接，所述公共電極線600與所述柵線200同層設(shè)置，所述第二屏蔽電極可與所述數(shù)據(jù)線300同層設(shè)置，且所述第二屏蔽電極通過所述第一屏蔽電極601與所述第二屏蔽電極之間的柵極絕緣層101上的過孔與第一屏蔽電極601相連接，從而實(shí)現(xiàn)所述第二屏蔽電極與所述公共電極線600的連接。
[0091]當(dāng)然可以理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，所述第二屏蔽電極的布線方式并不僅局限于此，還可以采用其他布線方式，例如:所述第一屏蔽電極601與所述第二屏蔽電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，且所述第一屏蔽電極601與所述第二屏蔽電極直接連接。
[0092]優(yōu)選的，所述第一屏蔽電極601與所述公共電極線600同層設(shè)置且直接連接，所述公共電極線600與所述柵線200同層設(shè)置，所述第二屏蔽電極可與所述公共電極線600同層設(shè)置，且所述第二屏蔽電極與所述第一屏蔽電極601相連接，從而實(shí)現(xiàn)所述第二屏蔽電極與所述公共電極線600的連接。
[0093]此外，本實(shí)用新型中，設(shè)置有所述公共電極線600的子像素內(nèi)的所述公共電極700與形成對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線300和/或柵線200之間可以有幾下幾種位置關(guān)系:
[0094]如圖1所示，設(shè)置有所述公共電極線600的子像素內(nèi)的所述公共電極700完全覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線300和/或所述柵線200，即，所述公共電極700完全覆蓋其周邊的數(shù)據(jù)線300和/或柵線200 ；
[0095]或者，如圖5所示，設(shè)置有所述公共電極線600的子像素內(nèi)的所述公共電極700部分覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線300和/或所述柵線200，即，所述公共電極700部分覆蓋其周邊的數(shù)據(jù)線300和/或柵線200 ；
[0096]或者，如圖4所示，設(shè)置有所述公共電極線600的子像素內(nèi)的所述公共電極700未覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線300和/或所述柵線200，即，所述公共電極700不覆蓋其周邊的數(shù)據(jù)線300和/或柵線200。
[0097]優(yōu)選的，公共電極700完全覆蓋其周邊的數(shù)據(jù)線300和/或柵線200，從而所述公共電極700也可以同時(shí)起到屏蔽數(shù)據(jù)線300和/或柵線200的電壓變化對(duì)像素電極400的電壓造成的干擾，進(jìn)一步提高顯示質(zhì)量。
[0098]此外，本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖8所示，所述公共電極700在與同一子像素內(nèi)的所述薄膜晶體管所對(duì)應(yīng)的位置上形成有切口部702。
[0099]采用上述方案，在所述薄膜晶體管的上方，公共電極700設(shè)置有切口部702，可以降低公共電極700和薄膜晶體管之間的寄生電容，進(jìn)一步提高顯示質(zhì)量。
[0100]此外，本實(shí)用新型所提供的陣列基板優(yōu)選為FFS陣列基板，所述公共電極700上設(shè)有第一狹縫；所述像素電極400上設(shè)有第二狹縫401 (如圖6和圖7所示)，或者，所述像素電極400也可以為板狀電極(如圖1至圖5所示)。
[0101]以下說明本實(shí)用新型的陣列基板的一優(yōu)選實(shí)施例。
[0102]如圖1至圖3所示,本實(shí)施例中，所述陣列基板包括:
[0103]襯底基板100 ；
[0104]形成于所述襯底基板100上的同層設(shè)置的柵線200、柵極501、公共電極線600及第一屏蔽電極601，其中所述柵線200與所述柵極501連接，所述公共電極線600與所述第一屏蔽電極601連接；
[0105]覆蓋在所述柵線200、所述柵極501、所述公共電極線600及所述第一屏蔽電極601之上的柵極絕緣層101 ；
[0106]形成于所述柵極絕緣層101之上的像素電極400 ；
[0107]形成于所述柵極絕緣層101之上的有源層504 ；
[0108]形成于所述柵極絕緣層101之上的源極502、漏極503和數(shù)據(jù)線300，其中所述數(shù)據(jù)線300與所述柵線200交叉設(shè)置，所述像素電極400位于所述數(shù)據(jù)線300與所述柵線200交叉形成的子像素內(nèi)，且所述數(shù)據(jù)線300位于所述第一屏蔽電極601的上方，所述源極502和所述漏極503分別連接在所述有源層504的兩側(cè)，所述源極502與所述數(shù)據(jù)線300連接，所述漏極503與所述像素電極400連接；
[0109]覆蓋所述源極502、所述漏極503、所述數(shù)據(jù)線300及所述像素電極400之上的鈍化層801 ；
[0110]覆蓋于所述鈍化層801之上的平坦層802，其中所述柵極絕緣層101、所述鈍化層801、所述平坦層802與在所述公共電極線600對(duì)應(yīng)位置形成有過孔900 ；
[0111]形成于所述平坦層802之上的公共電極700，所述公共電極700設(shè)置于所述像素電極400上方，且所述公共電極700與所述公共電極線600通過柵極絕緣層101、所述鈍化層801、與所述平坦層802上的過孔900相連接，所述公共電極700上設(shè)有第一狹縫701。
[0112]本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述柵線200、所述公共電極線600、所述數(shù)據(jù)線300可以采用金屬材料(如:銅、鋁、錳、鈦、鉻、鎢等)制作而成，也可以采用合金材料制成；
[0113]柵線200可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)；
[0114]柵極絕緣層101可以采用氮化硅或氧化硅制作；
[0115]柵極絕緣層101可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)；
[0116]有源層可以采用非晶硅或氧化物半導(dǎo)體制作；
[0117]鈍化層801可以采用無機(jī)物如氮化硅制成；
[0118]平坦層802可以采用有機(jī)物如樹脂等制成；
[0119]像素電極400可以采用ITO(氧化銦錫)、IZO(銦摻雜氧化鋅)或其他透明金屬氧化物導(dǎo)電材料制作；
[0120]公共電極700可以采用ITO(氧化銦錫)、IZO(銦摻雜氧化鋅)或其他透明金屬氧化物導(dǎo)電材料制作。
[0121]以下說明上述優(yōu)選實(shí)施例中的陣列基板的一種制作方法。
[0122]本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法包括:
[0123]提供一襯底基板100 ；
[0124]在所述襯底基板100上沉積金屬層，并通過一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板100上形成柵線200、柵極501、公共電極線600及第一屏蔽電極601的圖形；
[0125]在形成有柵線200、柵極501、公共電極線600及第一屏蔽電極601的襯底基板100上沉積形成柵極絕緣層101 ；
[0126]在所述柵極絕緣層101上沉積透明金屬氧化物導(dǎo)電層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成像素電極400的圖形；
[0127]在所述柵極絕緣層101上沉積半導(dǎo)體層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；
[0128]在所述柵極絕緣層101上沉積金屬層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成源極502、漏極503和數(shù)據(jù)線300的圖形；
[0129]在所述源極502、所述漏極503、所述數(shù)據(jù)線300及所述像素電極400之上沉積形成鈍化層801 ；
[0130]在所述鈍化層801之上沉積形成平坦層802，并通過一次構(gòu)圖工藝在所述所述柵極絕緣層101、鈍化層801和所述平坦層802上與所述公共電極線600對(duì)應(yīng)位置形成過孔900 ；
[0131]在所述平坦層802上沉積透明金屬氧化物導(dǎo)電層，并通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極700的圖形，所述公共電極700通過所述過孔900與所述公共電極線600連接。
[0132]此外，本實(shí)用新型還提供了一種顯示面板，包括彩膜基板和本實(shí)用新型所提供的陣列基板。
[0133]此外，本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型所提供的陣列基板。
[0134]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括: 襯底基板； 形成于所述襯底基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線相互交叉形成多個(gè)子像素； 設(shè)置于所述子像素內(nèi)的像素電極； 設(shè)置于所述子像素內(nèi)與所述像素電極相對(duì)設(shè)置且相互絕緣的公共電極； 設(shè)置于所述子像素內(nèi)的薄膜晶體管，與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵線及像素電極連接；其特征在于， 至少一個(gè)所述子像素內(nèi)還設(shè)置有公共電極線，且至少一個(gè)所述子像素內(nèi)的所述公共電極線和與其位于同一子像素內(nèi)的所述公共電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置且相互絕緣，且所述公共電極線與所述公共電極處于不同層，并通過位于所述公共電極線與所述公共電極之間的絕緣層上的過孔相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括第一屏蔽電極； 其中，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影完全重合； 或者，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影部分重合； 或者，所述第一屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的投影不重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一屏蔽電極與所述公共電極線同層設(shè)置，并與所述公共電極線直接連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括第二屏蔽電極； 其中，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影完全重合； 或者，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影部分重合； 或者，所述第二屏蔽電極與所述柵線在所述襯底基板上的投影不重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二屏蔽電極與所述公共電極線同層設(shè)置，且所述第二屏蔽電極與所述公共電極線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極完全覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線； 或者，設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極部分覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線； 或者，設(shè)置有所述公共電極線的子像素內(nèi)的所述公共電極未覆蓋形成對(duì)應(yīng)的子像素的所述數(shù)據(jù)線和/或所述柵線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極在與同一子像素內(nèi)的所述薄膜晶體管所對(duì)應(yīng)的位置上形成有切口部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極上設(shè)有第一狹縫； 所述像素電極上設(shè)有第二狹縫或者所述像素電極為板狀電極。
10.一種顯示面板，包括彩膜基板，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK203941365SQ201420378231
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】程鴻飛, 喬勇, 先建波, 李文波, 李盼 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司