用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)、光刻設(shè)備以及器件制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2013年9月27日遞交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)61/883,775和2013年12月5日遞交的申請(qǐng)US61/912,383的權(quán)益，并且其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全文并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)、光刻設(shè)備以及使用光刻設(shè)備制造器件的方法。

背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也能夠通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒(méi)到具有相對(duì)高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤(rùn)濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，可以是具有比水高的折射率的流體。除氣體之外的流體尤其是希望的。這樣的想法是為了實(shí)現(xiàn)更小特征的成像，因?yàn)樵谝后w中曝光輻射將會(huì)具有更短的波長(zhǎng)。(液體的影響也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒(méi)液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達(dá)10nm的顆粒)的液體。所懸浮的顆?？梢跃哂谢蚩梢圆痪哂信c它們懸浮所在的液體的折射率相似或相同的折射率?？赡芎线m的其它液體包括烴，例如芳香族化合物、氟代烴和/或水溶液。使襯底或襯底和襯底臺(tái)淹沒(méi)在液體浴器中(例如參見(jiàn)，美國(guó)專利號(hào)4,509,852)意味著在掃描曝光過(guò)程中必須加速較大體量的液體。這需要額外的或者更強(qiáng)大的電機(jī)，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望的和不可預(yù)測(cè)的效應(yīng)。在浸沒(méi)設(shè)備中，通過(guò)流體處理系統(tǒng)、裝置結(jié)構(gòu)或設(shè)備處理浸沒(méi)流體。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供浸沒(méi)流體，并且因此可以為流體供給系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分限制浸沒(méi)流體，并且由此可以為流體限制系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以給浸沒(méi)流體提供阻擋件，并且由此可以為阻擋構(gòu)件，例如流體限制結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以例如形成或使用氣流以輔助控制浸沒(méi)流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒(méi)流體，因此流體處理結(jié)構(gòu)可以被稱為密封構(gòu)件；該密封構(gòu)件可以為流體限制結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，浸沒(méi)液體被用作浸沒(méi)流體。在那種情況中，流體處理系統(tǒng)可以為液體處理系統(tǒng)。參考前述說(shuō)明，在本段中對(duì)關(guān)于流體限定的特征的引用可以被理解為包括關(guān)于液體限定的特征。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
在光刻設(shè)備中利用浸沒(méi)流體可能引入某些困難。例如，浸沒(méi)流體的使用可能引起光刻設(shè)備內(nèi)的附加的熱負(fù)荷，這可能影響襯底上圖像的形成的精度。在一些情況下，熱負(fù)荷在襯底上可能是不均勻的，引起圖像的不均勻變化。舉例來(lái)說(shuō)，熱負(fù)荷可能由流體處理系統(tǒng)的操作和/或由浸沒(méi)流體的蒸發(fā)而引起。這些效應(yīng)可能被局部化集中在一部分襯底上。結(jié)果，在襯底中可能存在局部的溫度改變，導(dǎo)致襯底的局部的熱膨脹或收縮。這又可能導(dǎo)致重疊誤差和/或臨界尺寸(CD)的局部變化。支撐臺(tái)可以包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)以調(diào)節(jié)襯底的溫度。支撐臺(tái)可以包括多個(gè)突起部以增大襯底和支撐臺(tái)之間的熱耦合。該突起部會(huì)限制襯底和支撐臺(tái)之間的氣流。這會(huì)減慢襯底夾持或裝載到支撐臺(tái)上的速度。這會(huì)降低光刻設(shè)備的生產(chǎn)量。例如，期望提供能夠提高夾持或裝載的速度和/或能夠提高生產(chǎn)量的系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置為支撐襯底的下表面，其中所述支撐臺(tái)包括：基部表面，所述基部表面被配置為與支撐在支撐臺(tái)上的襯底的下表面基本上平行；多個(gè)凸起(burls)，所述多個(gè)凸起突出于基部表面之上，所述多個(gè)凸起中的每一個(gè)凸起具有各自的遠(yuǎn)端(distalend)和高于基部表面的第一高度，所述多個(gè)凸起被布置為使得當(dāng)襯底被支撐臺(tái)支撐時(shí)，襯底被多個(gè)凸起中的每一個(gè)凸起的各自的遠(yuǎn)端支撐；和被間隙分開(kāi)的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部，所述多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部中的每一個(gè)具有高于基部表面的第二高度，其中所述多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部在凸起之間突出于基部表面之上，并且第二高度小于第一高度；其中突出部被布置為使得多個(gè)間隙被對(duì)準(zhǔn)以形成朝向基部表面的邊緣的至少一個(gè)直線氣流路徑。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括：本文所述的支撐臺(tái)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種器件制造方法，包括使用光刻設(shè)備以將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上，其中光刻設(shè)備包括支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)被配置為支撐襯底的下表面，其中所述支撐臺(tái)包括：基部表面，所述基部表面被配置為與支撐在支撐臺(tái)上的襯底的下表面基本上平行；多個(gè)凸起，所述多個(gè)凸起突出于基部表面之上，所述多個(gè)凸起中的每一個(gè)凸起具有各自的遠(yuǎn)端和高于基部表面的第一高度，所述多個(gè)凸起被布置為使得當(dāng)襯底被支撐臺(tái)支撐時(shí)，襯底被多個(gè)凸起中的每一個(gè)凸起的各自的遠(yuǎn)端支撐；和被間隙分開(kāi)的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部，所述多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部中的每一個(gè)具有高于基部表面的第二高度，其中所述多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的凸起的突出部在凸起之間突出于基部表面之上，并且第二高度小于第一高度；其中突出部被布置為使得多個(gè)間隙被對(duì)準(zhǔn)以形成朝向基部表面的邊緣的至少一個(gè)直線氣流路徑。附圖說(shuō)明現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中：圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和3示出光刻投影設(shè)備中使用的液體供給系統(tǒng)；圖4示出光刻投影設(shè)備中使用的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出光刻投影設(shè)備中使用的另一液體供給系統(tǒng)；圖6以剖面圖示出光刻投影設(shè)備中使用的另一液體供給系統(tǒng)；圖7以平面圖示出用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)；圖8以平面圖示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)；圖9以平面圖示出圖8的支撐臺(tái)的區(qū)段的放大視圖；圖10以剖面圖示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)；和圖11和12分別以剖面圖示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)的細(xì)節(jié)。具體實(shí)施方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括：照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射、深紫外(DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與被配置用于根據(jù)某些參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；支撐臺(tái)，例如支撐一個(gè)或多個(gè)傳感器的傳感器臺(tái)，或者襯底臺(tái)WT，其被構(gòu)造用以保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的襯底)W并且與配置用于根據(jù)某些參數(shù)精確地定位臺(tái)(例如襯底W)的表面的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程LCD面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。這里如圖所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多臺(tái)(或平臺(tái)或支撐件)的類型，例如兩個(gè)或多個(gè)襯底臺(tái)，或者一個(gè)或多個(gè)襯底臺(tái)和一個(gè)或多個(gè)清洗、傳感器或測(cè)量臺(tái)的組合。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備為多平臺(tái)設(shè)備，所述多平臺(tái)設(shè)備包括定位在投影系統(tǒng)的曝光側(cè)的兩個(gè)或多個(gè)臺(tái)，每一個(gè)臺(tái)包括和/或保持一個(gè)或多個(gè)物體。在一個(gè)實(shí)施例中，所述臺(tái)中的一個(gè)或多個(gè)可以保持輻射敏感襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，所述臺(tái)中的一個(gè)或多個(gè)可以保持傳感器以測(cè)量來(lái)自投影系統(tǒng)的輻射。在一個(gè)實(shí)施例中，多平臺(tái)設(shè)備包括被配置為保持輻射敏感襯底的第一臺(tái)(即，襯底臺(tái))和沒(méi)有被配置為保持輻射敏感襯底的第二臺(tái)(下文通常地并且非限制性地被稱為測(cè)量、傳感器和/或清洗臺(tái))。第二臺(tái)可以包括和/或可以保持除了輻射敏感襯底的一個(gè)或多個(gè)物體。所述一個(gè)或多個(gè)物體可以包括從下面選擇的一個(gè)或多個(gè)：測(cè)量來(lái)自投影系統(tǒng)的輻射的傳感器、一個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和/或清洗裝置(以清洗例如液體限制結(jié)構(gòu))。在這種“多平臺(tái)”(或“多個(gè)平臺(tái)”)機(jī)器中，可以平行地使用所述多臺(tái)，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟，而一個(gè)或多個(gè)其它的臺(tái)被用于曝光。光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或更多個(gè)圖案形成裝置臺(tái)(或者平臺(tái)或支撐件)，其可以以與襯底、清洗、傳感器和測(cè)量臺(tái)相似的方式平行地被使用。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以包括編碼器系統(tǒng)以測(cè)量設(shè)備的部件的位置、速度等。在一個(gè)實(shí)施例中，該部件包括襯底臺(tái)。在一個(gè)實(shí)施例中，該部件包括測(cè)量和/或傳感器和/或清洗臺(tái)。編碼器系統(tǒng)可以附加于或者替代本文描述的用于臺(tái)的干涉儀系統(tǒng)。編碼器系統(tǒng)包括傳感器、變換器或相關(guān)的讀出頭，例如成對(duì)的、具有刻度或柵格。在一個(gè)實(shí)施例中，可移動(dòng)的部件(例如，襯底臺(tái)和/或測(cè)量和/或傳感器和/或清洗臺(tái))具有一個(gè)或多個(gè)刻度或柵格，并且部件相對(duì)于其移動(dòng)的光刻設(shè)備的框架具有傳感器、變換器或讀出頭中的一個(gè)或多個(gè)。傳感器、變換器或讀出頭中的一個(gè)或多個(gè)與刻度(或多個(gè)刻度)或柵格(或多個(gè)柵格)協(xié)作以確定部件的位置、速度等。在一個(gè)實(shí)施例中，部件相對(duì)于其移動(dòng)的光刻設(shè)備的框架具有一個(gè)或多個(gè)刻度或柵格，并且可移動(dòng)的部件(例如，襯底臺(tái)和/或測(cè)量和/或傳感器和/或清洗臺(tái))具有傳感器、變換器或讀出頭中的一個(gè)或多個(gè)，傳感器、變換器或讀出頭中的一個(gè)或多個(gè)與刻度(或多個(gè)刻度)或柵格(或多個(gè)柵格)協(xié)作以確定部件的位置、速度等。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD一起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括被配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。與源SO類似，照射器IL可以被看作或不被看作光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分或可以是與光刻設(shè)備分開(kāi)的實(shí)體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝其上?？蛇x地，照射器IL是可分離的并且可以單獨(dú)地設(shè)置(例如，由光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商提供)。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B(niǎo)聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中：1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后使所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。雖然本文具體參考光刻設(shè)備在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解，這里所述的光刻設(shè)備可以具有在制造具有微尺度或甚至納米尺度的特征的部件中的其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。用以將液體提供到投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間的布置可以被分成三種一般類型。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒(méi)系統(tǒng)和全浸濕浸沒(méi)系統(tǒng)。在浴器類型布置中，整個(gè)襯底W和(可選地)襯底臺(tái)WT的一部分浸沒(méi)到液體浴器中。局部浸沒(méi)系統(tǒng)使用液體供給系統(tǒng)，其中將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域。由液體填充的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面，并且在襯底在由液體填充的區(qū)域下面移動(dòng)的同時(shí)，該區(qū)域相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。圖2-6示出了可被用于所述系統(tǒng)的不同的供給裝置。密封特征存在以將液體密封在局部區(qū)域。已經(jīng)提出來(lái)的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開(kāi)號(hào)為W099/49504的PCT專利申請(qǐng)出版物中公開(kāi)了。在一個(gè)全浸濕布置中，液體是非限制的。襯底的整個(gè)頂表面和襯底臺(tái)的全部或一部分被浸沒(méi)液體覆蓋。覆蓋至少襯底的液體的深度是小的。液體可以是在襯底上的液體的膜，例如薄膜。浸沒(méi)液體可以被供給至或在投影系統(tǒng)和面對(duì)投影系統(tǒng)的面對(duì)表面(所述面對(duì)表面可以為襯底和/或襯底臺(tái)的表面)的區(qū)域中?？梢栽谒鱿到y(tǒng)中使用圖2-5的液體供給裝置中的任一個(gè)。然而，密封特征不存在、沒(méi)有起作用、不如正常狀態(tài)有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。如圖2和3所示，液體通過(guò)至少一個(gè)入口、優(yōu)選沿著襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給到襯底上。液體在已經(jīng)通過(guò)投影系統(tǒng)下面之后通過(guò)至少一個(gè)出口去除。當(dāng)襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時(shí)，液體在元件的+X一側(cè)供給并且在-X一側(cè)去除。圖2示意地示出所述布置，其中液體通過(guò)入口供給，并在元件的另一側(cè)通過(guò)與低壓源相連的出口去除。在圖2的圖示中，雖然液體沿著襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，但這并不是必須的。可以在最終元件周圍定位具有各種取向和數(shù)目的入口和出口；圖3示出一個(gè)示例，其中在最終元件的周圍在兩側(cè)上以規(guī)則圖案設(shè)置了四組入口和出口。注意通過(guò)圖2和3中的箭頭示出了液體的流動(dòng)方向。在圖4中示出了另一個(gè)具有局部液體供給系統(tǒng)的浸沒(méi)光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS兩側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，并由布置在入口的徑向向外的位置上的多個(gè)離散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，并且投影束通過(guò)該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，由此造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。注意通過(guò)圖4中的箭頭示出了襯底和液體流動(dòng)的方向。已經(jīng)提出的另一種布置是提供液體限制結(jié)構(gòu)給液體供給系統(tǒng)，所述液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)具有液體移除裝置，所述液體移除裝置具有用網(wǎng)眼或類似的多孔材料覆蓋的入口。網(wǎng)眼或類似的多孔材料提供二維陣列的孔，所述二維陣列的孔接觸投影系統(tǒng)的最終元件和可移動(dòng)的臺(tái)(例如，襯底臺(tái))之間的空間內(nèi)的浸沒(méi)液體。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)眼或類似的多孔材料包括蜂窩或其它多邊形網(wǎng)眼。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)眼或類似的多孔材料包括金屬網(wǎng)眼。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)眼或類似的多孔材料始終圍繞光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)的像場(chǎng)延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)眼或類似的多孔材料位于液體限制結(jié)構(gòu)的底表面上，并且具有朝向臺(tái)面對(duì)的表面。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)眼或類似的多孔材料具有大致與臺(tái)的頂表面平行的至少一部分臺(tái)的底表面。圖5示意性地圖示了局部液體供給系統(tǒng)或流體處理結(jié)構(gòu)12。該流體處理結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(請(qǐng)注意下文中對(duì)襯底W的表面的提及也附加地或替代地指襯底臺(tái)的表面，除非另外明確聲明)。盡管可以在Z方向上存在一些相對(duì)移動(dòng)(在光軸的方向上)，流體處理結(jié)構(gòu)12相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在一實(shí)施例中，在流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間形成密封，并且所述密封可以是非接觸密封，例如氣體密封(在歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)EP-A-1,420,298中公開(kāi)了具有氣體密封的該系統(tǒng))或液體密封。流體處理結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11中。對(duì)襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間內(nèi)部。該空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件的下面和周圍的流體處理結(jié)構(gòu)12形成。液體通過(guò)液體入口13被引入到投影系統(tǒng)PS下面的所述空間中和流體處理結(jié)構(gòu)12內(nèi)。液體可以通過(guò)液體出口13被去除。所述流體處理結(jié)構(gòu)12可以延伸至稍高于投影系統(tǒng)的最終元件的位置。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖。在一個(gè)實(shí)施例中，所述流體處理結(jié)構(gòu)12的內(nèi)周的上端處的形狀與投影系統(tǒng)的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀緊密一致，并且例如可以是圓形。在底部，內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀緊密一致，例如矩形，但這并不是必須的。液體可以被在使用時(shí)形成在流體處理結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16限制在空間11中。氣體密封由氣體形成。該氣體密封中的氣體在壓力下通過(guò)入口15提供到流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。該氣體通過(guò)出口14抽取。氣體入口15處的過(guò)壓、出口14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內(nèi)地限制液體的高速氣流16。氣體作用在流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內(nèi)。入口/出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這種系統(tǒng)在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US2004-0207824中公開(kāi)，該文獻(xiàn)以其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文中。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理結(jié)構(gòu)12不具有氣體密封。圖6圖示了作為液體供給系統(tǒng)的一部分的流體處理結(jié)構(gòu)12。流體處理結(jié)構(gòu)12圍繞投影系統(tǒng)PS的最終元件的外周(例如，圓周)延伸。在部分限定空間11的表面中的多個(gè)開(kāi)口23為空間11提供液體。液體在進(jìn)入空間11之前通過(guò)對(duì)應(yīng)的腔室34、36分別穿過(guò)側(cè)壁28、32中的開(kāi)口29、23.在流體處理結(jié)構(gòu)12的底面和面對(duì)表面(例如，襯底W或襯底臺(tái)WT或兩者)之間提供密封。在圖6中，密封裝置被配置為提供非接觸式密封，并且由幾個(gè)部件組成。從投影系統(tǒng)PS的光軸徑向外側(cè)，設(shè)置有(可選的)流動(dòng)控制板53，所述流動(dòng)控制板延伸進(jìn)入空間11?？刂瓢?3可以具有開(kāi)口55以允許流動(dòng)液體從其中通過(guò)；如果控制板53被沿Z方向(例如，與投影系統(tǒng)PS的光軸平行)移位，開(kāi)口55可以是有益的。在面對(duì)(例如，與其相反)面對(duì)表面(例如，襯底W)的流體處理結(jié)構(gòu)12的底面上的流動(dòng)控制板53的徑向外側(cè)可以為開(kāi)口180。開(kāi)口180可以沿朝向面對(duì)表面的方向提供液體。在成像過(guò)程中，這通過(guò)使用液體填充襯底W和襯底臺(tái)WT之間的間隙而在防止浸沒(méi)液體中的氣泡形成方面可以是有用的。開(kāi)口180的徑向外側(cè)可以為抽取器組件70，以從流體處理結(jié)構(gòu)12和面對(duì)表面之間抽取液體。抽取器組件70可以作為單相抽取器或作為雙相抽取器工作。抽取器組件70作為液體的彎液面320的彎液面釘扎特征。抽取器組件的徑向外側(cè)可以為氣刀90。在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)US2006/0158627中詳細(xì)公開(kāi)了抽取器組件和氣刀的布置，該專利文獻(xiàn)通過(guò)引用全文引入本文中。作為單相抽取器的抽取器組件70可以包括液體移除裝置、抽取器或入口，例如在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)US2006-0038968中公開(kāi)的，該專利文獻(xiàn)通過(guò)引用全文引入本文中。在一個(gè)實(shí)施例中，液體移除裝置70包括入口120，所述入口被覆蓋在多孔材料111中，多孔材料用于使液體與氣體分離以實(shí)現(xiàn)單液體相的液體抽取。腔室121中的低壓被選擇使得形成在多孔材料111的孔中的彎液面防止環(huán)境氣體被吸入液體移除裝置70的腔室121中。然而，當(dāng)多孔材料111的表面與液體接觸時(shí)，沒(méi)有彎液面限制流動(dòng)，并且液體能夠自由流入液體移除裝置70的腔室121中。多孔材料111具有大量的小孔，每一個(gè)小孔都具有在5至50微米范圍內(nèi)的尺寸，例如寬度(諸如，直徑)。多孔材料111可以被保持在表面(諸如，面對(duì)表面，例如，襯底W的表面)以上50至300微米范圍內(nèi)的高度處，液體將從所述表面被移除。在一個(gè)實(shí)施例中，多孔材料111是至少略微親液體的，即對(duì)浸沒(méi)液體(例如，水)具有小于90°的動(dòng)態(tài)接觸角，期望地小于85°或者期望地小于80°。氣刀90的徑向外部可以設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)出口210以從氣刀90和/或可能經(jīng)過(guò)氣刀90逃逸的液體中移除氣體。一個(gè)或多個(gè)出口210可以位于氣刀的一個(gè)或多個(gè)出口之間。為了方便引導(dǎo)流體(氣體和/或液體)至出口210，在液體限制結(jié)構(gòu)12中可以設(shè)置凹部220，所述凹部從氣刀90的出口和/或從氣刀90的出口之間指向出口210。雖然圖6中未明確示出，液體供給系統(tǒng)具有處理液體的液位變化的裝置。正是在投影系統(tǒng)PS和液體限制結(jié)構(gòu)12之間積累(并且形成彎液面400)的該液體可以被處理并且不會(huì)逃逸。處理該液體的一種方法是提供疏液的(例如疏水的)涂層。涂層可以圍繞包圍開(kāi)口的流體處理結(jié)構(gòu)12的頂部和/或圍繞投影系統(tǒng)PS的最后的光學(xué)元件形成帶。涂層可以在投影系統(tǒng)PS的光軸的徑向外側(cè)。疏液的(例如疏水的)涂層輔助將浸沒(méi)液體保持在空間11中。附加地或者替代地，可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)出口201以移除相對(duì)于結(jié)構(gòu)12達(dá)到某一高度的液體。另一種局部區(qū)域的布置是利用氣體拖曳原理的流體處理結(jié)構(gòu)。例如在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)US2008-0212046、US2009-0279060和US2009-0279062中已經(jīng)描述了所謂的氣體拖曳原理。在該系統(tǒng)中，抽取孔被布置成可以期望地具有角的形狀。該角可以與諸如步進(jìn)或掃描方向等優(yōu)選的移動(dòng)方向?qū)?zhǔn)。相比兩個(gè)出口垂直于優(yōu)選方向?qū)R，這種方式降低了對(duì)于沿優(yōu)選方向的給定速度在流體處理結(jié)構(gòu)的表面中的兩個(gè)開(kāi)口之間的彎液面上的力。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于在平面中具有任何形狀、或者具有諸如布置成任何形狀的抽取開(kāi)口等部件的流體處理系統(tǒng)。在非限制性列表中，所述形狀可以包括諸如圓形的橢圓形、諸如矩形的直線形狀(例如正方形)、或諸如菱形的平行四邊形、或具有多于四個(gè)角的有角的形狀(例如四角或多角星)。在本發(fā)明的實(shí)施例可能涉及的US2008/0212046A1的系統(tǒng)的變形中，在其中布置有開(kāi)口的有角形狀的幾何形狀對(duì)于沿掃描和步進(jìn)方向?qū)?zhǔn)的角允許存在銳角(在約60°至90°之間，期望地在75°至90°之間，并且更期望地在75°至85°之間)。這允許沿每一個(gè)對(duì)準(zhǔn)的角的方向的增大的速度。這是因?yàn)闇p小了沿掃描方向由于不穩(wěn)定的彎液面(例如在超過(guò)臨界速度的情況下)導(dǎo)致的液滴的形成。在角與掃描和步進(jìn)方向?qū)?zhǔn)的情況下，可以在那些方向上獲得增大的速度。期望地，沿掃描和步進(jìn)方向的移動(dòng)的速度可以基本上相等。在光刻設(shè)備中，襯底可以被支撐在襯底臺(tái)上。具體地，支撐臺(tái)可以被配置為支撐襯底的下表面。襯底臺(tái)例如可以包括基部表面，基部表面具有從基部表面上突出的多個(gè)凸起。襯底的下表面可以被支撐在凸起的上表面上。這種布置可以最小化或降低襯底與支撐臺(tái)接觸的總面積，最小化或降低污染物在支撐臺(tái)和襯底之間被轉(zhuǎn)移的可能性和/或最小化或降低污染物落在襯底和支撐臺(tái)上的其支撐件之間的可能性，而上述的可能性可能導(dǎo)致襯底的變形。在一個(gè)實(shí)施例中，在襯底下面、圍繞凸起的空間可以與低壓源連接。相應(yīng)地，襯底可以被真空夾持在支撐臺(tái)上。在局部熱負(fù)荷作用在襯底和/或支撐臺(tái)上的情況下，例如在襯底內(nèi)可能存在局部溫度變化，最顯著地，這導(dǎo)致在平行于襯底的上和下主面的方向上的局部熱膨脹或熱收縮。然而，襯底的熱膨脹和/或熱收縮可能受到夾持襯底的支撐臺(tái)的抵抗。具體地，抵抗熱膨脹和/或熱收縮的力可以通過(guò)凸起施加在襯底上。在朝向襯底的中心的區(qū)域內(nèi)，圍繞襯底的每個(gè)局部在每一個(gè)方向上具有凸起。這些包圍的凸起可以提供抵抗熱膨脹和/或熱收縮的力。然而，在襯底的邊緣附近的區(qū)域，僅沿朝向襯底的中心的方向與凸起接觸。換句話說(shuō)，沒(méi)有力從襯底的邊緣之外施加在襯底的區(qū)域上以抵擋熱膨脹和/或熱收縮。因此，對(duì)于襯底的局部區(qū)域的給定的溫度改變，襯底的凈熱膨脹或收縮(即考慮了由與凸起接觸提供的對(duì)膨脹或收縮的抵抗)在靠近襯底的邊緣的區(qū)域內(nèi)將比襯底的中心更大。該效應(yīng)不僅適用于由于襯底的局部熱負(fù)荷和/或局部溫度變化導(dǎo)致的熱膨脹和/或收縮，而且適用于均勻地施加在襯底上的熱負(fù)荷和/或溫度改變。為了降低或最小化襯底內(nèi)的溫度改變，可以設(shè)置為支撐臺(tái)供給熱能和/或從支撐臺(tái)移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng)。相應(yīng)地，能夠供給或移除熱量，以便補(bǔ)償襯底和/或支撐臺(tái)上的熱負(fù)荷。調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以為支撐臺(tái)直接提供熱量或者從支撐臺(tái)直接移除熱量，以補(bǔ)償支撐臺(tái)上的熱負(fù)荷。而且，調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以為支撐臺(tái)提供熱量或者能夠從支撐臺(tái)移除熱量，使得熱量從支撐臺(tái)流向襯底、或者從襯底流向支撐臺(tái)，以便補(bǔ)償襯底上的熱負(fù)荷。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)、調(diào)節(jié)系統(tǒng)、或者二者被配置為使得在使用過(guò)程中由于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作產(chǎn)生的至襯底的熱傳遞或來(lái)自襯底的熱傳遞在襯底上是不均勻的。具體地，在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)被配置為使得襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來(lái)自襯底的熱傳遞在襯底的、襯底的邊緣處的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中比位于或接近襯底的中心處的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中更大。換句話說(shuō)，支撐臺(tái)和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)被配置為使得調(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用在襯底的邊緣區(qū)域比在中心區(qū)域更大。這種系統(tǒng)可以被配置為使得，對(duì)于給定的熱負(fù)荷，襯底在其邊緣區(qū)域中的溫度改變可以小于襯底在其中心區(qū)域的溫度改變。這可以補(bǔ)償對(duì)于給定的局部溫度改變?cè)谝r底上產(chǎn)生的熱膨脹和/或熱收縮中的上述變化。相應(yīng)地，可以減小或最小化在襯底上產(chǎn)生的襯底的熱膨脹和/或熱收縮中的上述變化。下面描述的是不同的實(shí)施例，所述不同的實(shí)施例可以在調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作過(guò)程中在襯底的邊緣區(qū)域比中心區(qū)域產(chǎn)生更大的襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來(lái)自襯底的熱傳遞?？梢詮恼{(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用被最大化或增大的襯底的一個(gè)或多個(gè)邊緣區(qū)域向調(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用不那么大的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部區(qū)域逐漸改變。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以被配置為使得在調(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用較大的邊緣區(qū)域與調(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用相對(duì)減小的中心區(qū)域之間存在明顯差別。不論何種情況，可以合適地選定邊緣區(qū)域與中心區(qū)域的相對(duì)位置的布置，以便在調(diào)節(jié)系統(tǒng)的作用上的變化能夠最好地補(bǔ)償襯底的響應(yīng)于局部溫度改變的熱膨脹和/或熱收縮的變化。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)可以利用這些方面的任意組合。圖7示出了用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)WT。支撐臺(tái)WT被配置為支撐襯底W的下表面。支撐臺(tái)WT包括基部表面22(參見(jiàn)圖10)。基部表面22被配置為與支撐在支撐臺(tái)WT上的襯底W的下表面基本上平行。支撐臺(tái)WT包括多個(gè)凸起20。凸起20突出于基部表面22之上。多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起具有各自的末端。多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起具有高于基部表面22的第一高度。凸起20被布置為使得當(dāng)襯底W被支撐臺(tái)WT支撐時(shí)，襯底W被多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起的各自的末端支撐。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底W僅與凸起20的上表面接觸。在使用中，襯底W被支撐臺(tái)WT支撐。當(dāng)襯底W被支撐臺(tái)WT支撐時(shí)，襯底W被多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起的各自的末端支撐。凸起20被用于以相對(duì)少的襯底W和支撐臺(tái)WT之間的接觸將襯底W保持在支撐臺(tái)WT上。例如，在襯底W的約1％到3％的面積的范圍內(nèi)與支撐臺(tái)WT的凸起20接觸。通過(guò)少量的接觸，減小了污染物敏感性。在使用中，流體處理結(jié)構(gòu)12在襯底W上施加熱負(fù)荷。例如，流體處理結(jié)構(gòu)12的熱負(fù)荷能夠冷卻襯底W和/或支撐臺(tái)WT。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)21(例如，參見(jiàn)圖10)。調(diào)節(jié)系統(tǒng)21給支撐臺(tái)WT(即，支撐襯底W的支撐臺(tái)WT的部分)供給熱能和/或從支撐臺(tái)WT(即，支撐襯底W的支撐臺(tái)WT的部分)移除熱能。支撐臺(tái)WT在曝光過(guò)程中可以調(diào)節(jié)襯底W，以便減小由于流體處理結(jié)構(gòu)12的熱負(fù)荷導(dǎo)致的襯底W的變形。調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以調(diào)節(jié)支撐臺(tái)WT本身。在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)21給支撐臺(tái)WT的其余部分供給熱能和/或從支撐臺(tái)WT的其余部分移除熱能。調(diào)節(jié)支撐臺(tái)WT能夠減小支撐臺(tái)WT的變形。支撐臺(tái)WT的變形的減小能夠?qū)е乱r底W的變形的減小。在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以包括位于支撐臺(tái)WT內(nèi)的通道。可以提供調(diào)節(jié)流體以流過(guò)通道。在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以包括加熱器系統(tǒng)，所述加熱器系統(tǒng)能夠給支撐臺(tái)WT提供熱能。在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以被控制器500控制，所述控制器可以提供對(duì)調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的改進(jìn)的控制。在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2013/094005中公開(kāi)了調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的特征，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用引入本文中。由流體處理結(jié)構(gòu)12引起的襯底W上的熱負(fù)荷會(huì)使襯底W變形。例如，襯底W可能收縮。凸起20是剛性的以抑制襯底W的變形。支撐臺(tái)WT的調(diào)節(jié)系統(tǒng)21調(diào)節(jié)襯底W的溫度。然而，由于襯底W與支撐臺(tái)WT之間有限的接觸面積，襯底W與支撐臺(tái)WT之間的熱耦合相對(duì)較低。低的熱耦合可能導(dǎo)致襯底W經(jīng)受比支撐臺(tái)WT的溫度變化更大的溫度變化。這是不期望的。具體地，襯底W與支撐臺(tái)WT之間少量的接觸面積限制了可被支撐臺(tái)WT的調(diào)節(jié)系統(tǒng)21調(diào)節(jié)的襯底W的溫度范圍。不期望增大襯底W與支撐臺(tái)WT之間的接觸的量，因?yàn)檫@將增大污染敏感性。如圖7所示，支撐臺(tái)WT包括多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被間隙分開(kāi)。多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45中的每一個(gè)具有高于基部表面22的第二高度。多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45在凸起20之間在基部表面22之上突起。第二高度小于第一高度。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被配置為形成一系列同心的環(huán)形部。每一個(gè)環(huán)形部被分成幾個(gè)區(qū)段。通過(guò)設(shè)置多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45，在細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45定位所在的位置處襯底W與支撐臺(tái)WT之間的氣體層厚度被減小。這增大了襯底W與支撐臺(tái)WT之間的熱耦合。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的頂部低于凸起20的頂部。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45不與襯底W接觸。否則細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45將影響襯底W的平坦度。在使用中，襯底W被支撐臺(tái)WT保持。具體地，襯底W可以被夾持在支撐臺(tái)WT上?？梢酝ㄟ^(guò)使襯底W與支撐臺(tái)WT之間的區(qū)域處于相比環(huán)境壓力(即襯底W與支撐臺(tái)WT周圍的壓力)較低的壓力下來(lái)輔助該夾持。被支撐臺(tái)WT和襯底W圍住的區(qū)域可以在接近真空的壓力下，使得襯底W被真空夾持在支撐臺(tái)WT上。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT包括形成在其中的一個(gè)或多個(gè)孔。孔便于襯底W的夾持?？梢酝ㄟ^(guò)該孔從被襯底W與支撐臺(tái)WT圍住的區(qū)域中抽取氣體，由此減小該區(qū)域內(nèi)用于襯底W的夾持的壓力。改進(jìn)襯底W與支撐臺(tái)WT之間的熱耦合的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45能夠限制從襯底W下面朝向孔的氣流。這可以減緩襯底W到支撐臺(tái)WT的夾持或裝載。這可以減小光刻設(shè)備的生產(chǎn)量。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以在襯底W下面在真空(或者接近真空)中產(chǎn)生非均勻性。在襯底W下面在真空的該非均勻性會(huì)影響襯底W的平坦度。圖8以平面圖示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)WT。用于光刻設(shè)備的支撐臺(tái)WT被配置為支撐襯底W的下表面。支撐臺(tái)WT包括基部表面22(參見(jiàn)圖10)，基部表面22被配置為與支撐在支撐臺(tái)WT上的襯底W的下表面基本上平行。支撐臺(tái)WT包括突出于基部表面22之上(例如，從基部表面上突出)的多個(gè)凸起20。多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起具有各自的末端。多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起具有高于基部表面22的第一高度。多個(gè)凸起20被設(shè)置為使得當(dāng)襯底W被支撐臺(tái)WT支撐時(shí)，襯底W被多個(gè)凸起20中的每一個(gè)凸起的各自的末端支撐。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底W僅與凸起20接觸。支撐臺(tái)WT包括被間隙分開(kāi)的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45中的每一個(gè)具有處于基部表面22之上的第二高度。多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45在凸起20之間在基部表面22之上突起(例如，從基部表面上突起)。第二高度小于第一高度。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為使得多個(gè)間隙(分開(kāi)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的)被對(duì)準(zhǔn)以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個(gè)直線氣流路徑82。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被配置為形成一個(gè)或多個(gè)形狀，每一個(gè)形狀被間隙分成細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45具有臺(tái)面(mesas)的形式。然而，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45不必需要具有臺(tái)面的形式。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以被配置為使得它們的上表面基本上形成圍繞支撐臺(tái)WT的外部區(qū)域24(參見(jiàn)圖11)延伸的一系列環(huán)形部(例如，一系列同心環(huán))。每一個(gè)環(huán)形部被分成多個(gè)區(qū)段(即，每一個(gè)區(qū)段對(duì)應(yīng)于形成環(huán)形部的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45中的一個(gè))。這在細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間提供了多個(gè)間隙以輔助確保在環(huán)形部的徑向內(nèi)側(cè)處的基部表面22的區(qū)域和環(huán)形部的徑向外側(cè)處的基部表面22的區(qū)域之間更容易形成氣流。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的間隙可以降低用于將襯底W真空夾持到支撐臺(tái)WT上的低壓的局部壓降。如下面進(jìn)一步討論的，在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以分布在整個(gè)支撐臺(tái)WT上，即同時(shí)在外部區(qū)域24和內(nèi)部區(qū)域25中(參見(jiàn)圖11)。在這種布置中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以被配置為一系列同心環(huán)，所述同心環(huán)的每一個(gè)可以具有如上所述的多個(gè)間隙。在這種布置中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的相鄰的同心環(huán)可以布置在凸起20之間。提供這種布置可以便于支撐臺(tái)WT的制造。在圖8中，形狀被示出為環(huán)形。然而，其它形狀也是可行的，例如正方形、矩形或星形。具體地，形狀可以被選擇為與襯底W和/或支撐臺(tái)WT的形狀對(duì)應(yīng)。例如，在襯底W和/或支撐臺(tái)WT具有正方形形狀的情況下，由多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45形成的形狀可以為正方形。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為形成大致同心的形狀。每一個(gè)形狀由被間隙分開(kāi)的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45形成。在一個(gè)實(shí)施例中，同心的形狀形成一系列同心的形狀。順序的形狀包圍彼此。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45形成兩個(gè)(第一和第二)形狀，其中第一形狀被第二形狀包圍。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為形成三個(gè)大致同心的形狀。在這種情況下，第三形狀包圍第二形狀(并因此也包圍第一形狀)。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為形成多于三個(gè)的大致同心的形狀。在這種情況下，每一個(gè)后續(xù)的形狀包圍在該系列內(nèi)在前的形狀，以上面針對(duì)具有三個(gè)形狀的情況描述的方式。在一個(gè)實(shí)施例中，形狀可以不是大致同心的。形狀可以被間隙分成細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為使得多個(gè)間隙被對(duì)準(zhǔn)以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個(gè)直線氣流路徑82。通過(guò)設(shè)置間隙被對(duì)準(zhǔn)以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個(gè)直線氣流路徑82，可以補(bǔ)償由于細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45導(dǎo)致的在真空夾持上的時(shí)間損失。直線氣流路徑82提供更干凈的通道，氣體可以沿著該通道流動(dòng)。直線氣流路徑82可以減小由細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45導(dǎo)致的對(duì)氣流的限制。直線氣流路徑82加速并改進(jìn)了襯底W的夾持。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82的底部低于基部表面22，使得至少一個(gè)直線氣流路徑82在基部表面22中形成槽。更深的槽提供更大的空間和對(duì)氣流更小的限制?？梢栽龃髿饬?，由此改進(jìn)襯底W的夾持。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82的底部與基部表面22處于基本上相同的高度上。通過(guò)將直線氣流路徑82和基部表面22設(shè)置在基本上相同的高度上，改進(jìn)了支撐臺(tái)WT的可制造性。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被布置為形成多個(gè)形狀，由此進(jìn)一步增大了襯底W與支撐臺(tái)WT之間的熱耦合。增大的熱耦合增大了支撐臺(tái)WT的調(diào)節(jié)系統(tǒng)21能夠調(diào)節(jié)襯底W的溫度的范圍。這有助于減小由于流體處理結(jié)構(gòu)12的熱負(fù)荷導(dǎo)致的襯底W的變形。在一個(gè)實(shí)施例中，形狀是大致同心的。通過(guò)將形狀設(shè)置為大致同心的，改進(jìn)了支撐臺(tái)WT的可制造性。如上所述，在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT包括形成在其中的孔。在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一個(gè)直線氣流路徑82在孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45中的至少一些在孔的徑向外側(cè)，由此限制孔和基部表面22的邊緣之間的氣流。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的直線氣流路徑82改進(jìn)了孔和基部表面22的邊緣之間的氣流。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82的底部整個(gè)處在基部表面22以下大致相同的距離處。通過(guò)設(shè)置直線氣流路徑82，增大了襯底W以下的氣流。在襯底W的裝載過(guò)程中，通過(guò)該孔抽取氣體。在支撐臺(tái)WT的直線氣流路徑82內(nèi)的氣流比在其它區(qū)域內(nèi)的氣流速度更大。在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一個(gè)直線氣流路徑82相對(duì)于基部表面22的中心是大致徑向的。這在圖8中被示出。通過(guò)設(shè)置每一個(gè)直線氣流路徑82大致徑向地延伸，尤其是孔和基部表面22的邊緣之間的氣流被增大。每一個(gè)直線氣流路徑82不必精確地沿徑向方向延伸。例如，直線氣流路徑82可以沿相對(duì)于徑向方向形成角度的方向延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)直線氣流路徑可以大致切向地延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)直線氣流路徑82形成大致直線。然而，在一個(gè)實(shí)施例中，氣流路徑可以為彎的或彎曲的。例如，彎的氣流路徑的一部分可以沿徑向方向延伸。彎的氣流路徑的另一部分可以相對(duì)于徑向方向形成角度。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)直線氣流路徑82至少在孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)延伸。通過(guò)設(shè)置直線氣流路徑82在孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)，增大了出口孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)的氣流。具體地，增大了孔和基部表面22的邊緣之間的區(qū)域內(nèi)的氣流。這是特別有幫助的，因?yàn)榉駝t在該區(qū)域內(nèi)氣流將會(huì)特別低。在支撐臺(tái)WT的邊緣處的增大的氣流是特別有益的，因?yàn)榇蟛糠謿怏w抽取在支撐臺(tái)WT的邊緣處。在裝載襯底W的過(guò)程期間，襯底W首先在基部表面22的中心區(qū)域內(nèi)與支撐臺(tái)WT接觸。因此，相比基部表面22的中心區(qū)域，從基部表面22的外周區(qū)域有更多的氣流(例如，被吸入的)。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82被設(shè)置為朝向支撐臺(tái)WT的邊緣。例如，直線氣流路徑82可以至少在一個(gè)或多個(gè)孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，壓力在支撐臺(tái)WT上基本上是均勻的。壓力的這種均勻性改進(jìn)了襯底W的平坦度。在朝向支撐臺(tái)WT的邊緣的區(qū)域內(nèi)需要更大的氣流以保持襯底W。夾持力從中心朝向邊緣傳播。使直線氣流路徑82朝向支撐臺(tái)WT的邊緣能夠有助于引入環(huán)境氣體，同時(shí)減小或最小化任何壓降。然而，直線氣流路徑82在一個(gè)或多個(gè)孔的徑向外側(cè)的區(qū)域內(nèi)不是必須的。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82可以在孔的徑向內(nèi)側(cè)處的區(qū)域內(nèi)。在這種情況下，直線氣流路徑82增大孔的徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的氣流。這增大了夾持襯底W的速度，由此增大了光刻設(shè)備的生產(chǎn)量。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82可以相對(duì)于孔同時(shí)向內(nèi)和向外延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)間隙被對(duì)準(zhǔn)以從基部表面22的中心朝向基部表面22的邊緣形成所述至少一個(gè)直線氣流路徑82。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82可以一直延伸到基部表面22的中心。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82在孔之間徑向地延伸。當(dāng)裝載襯底W時(shí)氣流在孔與孔的徑向外側(cè)之間的區(qū)域內(nèi)可以特別低。通過(guò)設(shè)置孔之間的直線氣流路徑82，在該區(qū)域氣流被增大，由此對(duì)于夾持襯底W的速度具有特別大的作用。在一個(gè)實(shí)施例中，孔位于所述至少一個(gè)直線氣流路徑82內(nèi)?？卓梢栽谥本€氣流路徑82的直線上。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82可以從孔朝向支撐臺(tái)WT的邊緣沿徑向向外延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)孔位于對(duì)應(yīng)的直線氣流路徑82的一端處。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)孔位于對(duì)應(yīng)的直線氣流路徑82的徑向內(nèi)側(cè)末端處。這種直線氣流路徑82具有增大襯底W和支撐臺(tái)WT之間的區(qū)域內(nèi)的氣流的優(yōu)點(diǎn)，在該區(qū)域處與出口孔連接的低壓可以具有最大的效用。直線氣流路徑82為直接引向孔的通道，使得氣流被大大增大，由此加速襯底W的夾持。在一個(gè)實(shí)施例中，可以僅具有在孔之間徑向延伸的直線氣流路徑82(即沒(méi)有任何孔位于直線氣流路徑82內(nèi))。在一個(gè)實(shí)施例中，可以僅具有如下直線氣流路徑82，即直線氣流路徑具有定位在其內(nèi)的孔(即，沒(méi)有任何直線氣流路徑82在孔之間徑向延伸)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以既具有在孔之間徑向延伸的直線氣流路徑82也具有包括孔的直線氣流路徑82。圖9以平面圖示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)WT的區(qū)段的放大視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT還包括從所述至少一個(gè)直線氣流路徑82的底部上突出的多個(gè)另外的凸起40。另外的凸起40被布置為使得當(dāng)襯底W被支撐臺(tái)WT支撐時(shí)，襯底W被多個(gè)另外的凸起40中的每一個(gè)的對(duì)應(yīng)的遠(yuǎn)端(末端)支撐。通過(guò)在直線氣流路徑82內(nèi)設(shè)置另外的凸起40，增大了被支撐臺(tái)WT支撐的襯底W的平坦度。通過(guò)在直線氣流路徑82內(nèi)設(shè)置另外的凸起40，降低了支撐襯底W的凸起20和/或另外的凸起40之間的最大距離，由此降低了襯底W在凸起20和/或另外的凸起40之間下沉或彎曲的可能性。然而，在一個(gè)實(shí)施例中，在直線氣流路徑82內(nèi)沒(méi)有設(shè)置另外的凸起。在這種情況下，直線氣流路徑82被用于以更大程度增大氣流。氣流沒(méi)有被另外的凸起40干擾。在一個(gè)實(shí)施例中，直線氣流路徑82內(nèi)的另外的凸起40中的每一個(gè)為臺(tái)階式的凸起，即在垂直于基部表面22的平面內(nèi)的橫截面具有臺(tái)階狀輪廓。臺(tái)階狀輪廓具有第一部分41，第一部分具有第三高度和各自的末端(遠(yuǎn)端)，以便支撐襯底W的下表面。在一個(gè)實(shí)施例中，第一高度與第三高度基本上相等。臺(tái)階狀輪廓還具有包圍第一部分41的第二部分42。第二部分從所述至少一個(gè)直線氣流路徑82的底部上突起。第二部分具有高于基部表面22的第四高度。第四高度小于第三高度。假設(shè)其足夠大，那么第二部分42增大了襯底W和支撐臺(tái)WT之間的熱耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，第二高度與第四高度基本上相等，使得第二部分42的上表面與用于改進(jìn)熱耦合的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的上表面基本上平行。另外的凸起40在可制造性方面是有利的。另外的凸起40具有第一部分41，第一部分被布置為與襯底W的下表面接觸并且可以對(duì)應(yīng)于非臺(tái)階式的凸起20。另外的凸起40還包括第二部分42，第二部分不與襯底W的下表面接觸。相應(yīng)地，另外的凸起40的第二部分42中的每一個(gè)提供如下區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)支撐臺(tái)WT和襯底W的下表面之間的間隔被減小，但是不會(huì)影響襯底W的下表面的與襯底W接觸的每單位面積的凸起20的總面積。另外的凸起40中的每一個(gè)的第二部分42可以包圍第一部分41。對(duì)于所有的另外的凸起40，第二部分42的尺寸不必相同。相應(yīng)地，例如，另外的凸起40的第二部分42的寬度和/或高度可以隨著距離基部表面22的中心的距離增大而增大，使得對(duì)支撐臺(tái)WT和襯底W之間的熱傳遞的抵抗朝向襯底W的邊緣降低。不期望的襯底W的溫度改變的效果可以在襯底W的邊緣處更大。然而，朝向襯底W邊緣的降低的對(duì)支撐臺(tái)WT與襯底W之間的熱傳遞的抵抗允許更好的調(diào)節(jié)被施加在襯底W的邊緣上。相對(duì)于在中心的溫度改變，在襯底W的邊緣處的更好的調(diào)節(jié)更好地減小了在襯底W的邊緣處的溫度改變，由此補(bǔ)償了在襯底W的邊緣處的溫度改變的更大的影響。直線氣流路徑82內(nèi)的另外的凸起40不必具有臺(tái)階式的橫截面。另外的凸起40的第二部分42可以被省略，由此增大直線氣流路徑82內(nèi)的空間。直線氣流路徑82內(nèi)的增大的空間可以具有增大通過(guò)直線氣流路徑82的氣流的作用。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT在距離基部表面22的中心一定距離處包括多個(gè)孔。支撐臺(tái)WT可以具有半徑范圍，該半徑范圍內(nèi)具有便于襯底W的夾持的孔的陣列。然而，其不必為孔的陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，可以僅具有一個(gè)單獨(dú)的孔。在一個(gè)實(shí)施例中，可以具有距離基部表面22的中心不同距離的多個(gè)孔。直線氣流路徑82的底部相對(duì)于基部表面22的任何下降將進(jìn)一步改進(jìn)氣流，由此進(jìn)一步加速襯底W的夾持和提高光刻設(shè)備的生產(chǎn)量。在一個(gè)實(shí)施例中，底部至少與凸起20從基部表面22之上突出一樣程度地低于基部表面22，使得所述至少一個(gè)直線氣流路徑82在基部表面22中形成槽。在這種情況下，襯底W和直線氣流路徑82的基部表面22之間的距離為襯底W的下表面和基部表面22之間的距離的至少兩倍。這有利于從基部表面22的邊緣向基部表面22的中心的快速氣體輸送。如圖8所示，在一個(gè)實(shí)施例中，順序形狀的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的間隙沿著大致徑向方向?qū)?zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)形狀包含基部表面22的中心。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)形狀相對(duì)于基部表面22是居中的。在一個(gè)實(shí)施例中，支撐臺(tái)WT還包括環(huán)形密封件85。環(huán)形密封件85從基部表面22上突出。環(huán)形密封件85包圍凸起20。環(huán)形密封件85在支撐臺(tái)WT和襯底W之間。環(huán)形密封件85以及回填氣體可以輔助控制襯底W的溫度。在美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2013/094005中公開(kāi)了支撐臺(tái)WT的另外的可選的特征，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用引入本文中。圖10示意性地示出了支撐臺(tái)WT，本發(fā)明的實(shí)施例可以設(shè)置在該支撐臺(tái)中。圖10所示的實(shí)施例被簡(jiǎn)化，并且支撐臺(tái)WT的不需要解釋本發(fā)明的實(shí)施例的特征沒(méi)有被示出。無(wú)論如何，本發(fā)明的實(shí)施例的支撐臺(tái)WT可以包括許多此種附加的特征。如圖所示，支撐臺(tái)WT可以進(jìn)一步包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)21，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)被配置為給支撐臺(tái)WT供給熱能和/或從支撐臺(tái)WT移除熱能。襯底W與支撐區(qū)段22熱耦合，例如利用通過(guò)與襯底W的下表面物理接觸的凸起20的熱傳導(dǎo)。換句話說(shuō)，當(dāng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)21給支撐臺(tái)WT供給熱能或從支撐臺(tái)WT移除熱能時(shí)，能量依次分別從支撐臺(tái)WT向襯底W傳遞，或者從襯底W向支撐臺(tái)WT傳遞。如下所述，支撐臺(tái)WT和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)21被配置為使得，在操作過(guò)程中，襯底W的每單位面積上至襯底W或者來(lái)自襯底W的熱傳遞在襯底W的第一、外部區(qū)域(即臨近襯底W的邊緣的區(qū)域)中比在襯底的第二、內(nèi)部區(qū)域中更大。為便于說(shuō)明，可以領(lǐng)會(huì)：支撐臺(tái)WT包括與襯底W的外部區(qū)域臨近并且熱耦合的外部區(qū)域24。支撐區(qū)段還包括與襯底W的內(nèi)部區(qū)域臨近并且熱耦合的內(nèi)部區(qū)域25。如圖11所示，支撐臺(tái)WT可以包括設(shè)置在凸起20之間的一個(gè)或多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以被布置為使得它們不鄰接任何凸起20。這可以便于制造支撐臺(tái)WT。然而，通過(guò)在外部區(qū)域24內(nèi)設(shè)置支撐臺(tái)WT的最上側(cè)表面與襯底W的下表面之間的間隔被減小的局部區(qū)域，對(duì)通過(guò)氣體間隙在支撐臺(tái)WT與襯底W之間傳遞熱能的抵抗可以被減小。反過(guò)來(lái)，對(duì)支撐臺(tái)WT與襯底W之間的熱能的傳遞的抵抗在外部區(qū)域24內(nèi)可以比在內(nèi)部區(qū)域25內(nèi)更低。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45被設(shè)置為形成環(huán)形部。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)環(huán)形部由被間隙分開(kāi)的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45形成。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)環(huán)形部圍繞支撐臺(tái)WT的外部區(qū)域24延伸，即包含內(nèi)部區(qū)域25。這可以便于制造。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45可以被配置為使得細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的上表面與由支撐臺(tái)WT支撐的襯底W的下表面之間的間隔為10μm或更小。在該實(shí)施例中，基部表面22與襯底W的下表面的間隔可以為150μm。替代地，基部表面22與襯底W的下表面之間的間隔可以更大，例如400μm或更大。在具有多個(gè)細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的實(shí)施例中，襯底W的下表面的面積的約50％可以直接位于細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之上。相應(yīng)地，可以改進(jìn)支撐臺(tái)WT和襯底W之間的導(dǎo)熱性。具體地，熱傳遞可以以約2-3倍的系數(shù)被增大，所有其它系數(shù)保持不變。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖12所示，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的位置和尺寸可以被選定為使得，在浸沒(méi)式光刻設(shè)備的支撐臺(tái)WT的使用過(guò)程中，浸沒(méi)流體的薄層被布置在細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的上表面與襯底W的下表面之間。浸沒(méi)流體的該薄層可以顯著減小對(duì)支撐臺(tái)WT與襯底W之間的熱傳遞的抵抗，而不會(huì)給襯底W提供物理限制，例如如果細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45與襯底W直接物理接觸將會(huì)發(fā)生的那樣。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45中的一個(gè)或多個(gè)可以位于兩個(gè)密封件47之間，所述密封件被布置為阻止或限制在襯底W下面的浸沒(méi)流體從襯底W的邊緣向襯底W的中心轉(zhuǎn)移。所述兩個(gè)密封件47可以由環(huán)形的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部形成，所述環(huán)形的細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部延伸到足夠接近襯底W的下側(cè)的位置，以提供期望的密封功能。在一個(gè)實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部被布置為形成不是環(huán)形的形狀，以輔助確保在兩個(gè)密封件47之間的區(qū)域內(nèi)的壓力是均勻的。例如，該形狀可以被布置在外周(例如，圓周)路徑內(nèi)，所述外周路徑具有在細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的間隙中的一個(gè)或多個(gè)間隙，以將最內(nèi)側(cè)密封件47與細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的區(qū)域和最外側(cè)密封件47與細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45之間的區(qū)域連接。在該位置，例如，在使用過(guò)程中，浸沒(méi)流體可以在凸起20周圍提供的低壓下被朝向細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45吸入，所述低壓被用于將襯底W真空夾持在支撐臺(tái)WT上。細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45相對(duì)于襯底W的下表面的高度可以被選定為使得細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45的頂部與襯底W的下表面之間的間隙使得浸沒(méi)流體被保持在間隙內(nèi)。具體地，間隙的尺寸可以被選定為使得將浸沒(méi)流體保持在間隙內(nèi)的毛細(xì)壓力大于在細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45上的氣體壓力中的差值，該差值可以由用于將襯底W真空夾持在支撐臺(tái)WT上的低壓產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中，除了已經(jīng)被提供用于執(zhí)行浸沒(méi)式光刻術(shù)的流體之外的流體可以被提供給細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。相應(yīng)地，合適地選定的流體的供給可以被提供給細(xì)長(zhǎng)凸起的突出部45。如將領(lǐng)會(huì)的，上面描述的特征中的任何特征可以與任何其它特征一起使用，并且不僅僅是覆蓋在本申請(qǐng)中的明確描述的那些組合。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于圖2-4的實(shí)施例。而且，這里討論的加熱或加熱器應(yīng)當(dāng)理解為分別包含冷卻或冷卻器。而且，雖然上面為方便起見(jiàn)在浸沒(méi)式光刻設(shè)備的背景下描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會(huì)本發(fā)明的實(shí)施例可以與任何形式的光刻設(shè)備結(jié)合使用。雖然本文具體參考光刻設(shè)備在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解，這里所述的光刻設(shè)備可以具有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，在這樣替換的應(yīng)用情形中，任何使用的術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”可以分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)的內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。此處所用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有等于或約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)構(gòu)件。雖然上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以認(rèn)識(shí)到的是，除了所描述的方式，本發(fā)明還可以以其它方式實(shí)施。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采取包含一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序或于其中存儲(chǔ)該計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式，其中該機(jī)器可讀指令描述了上面所討論的方法。而且，該機(jī)器可讀指令可以包含在兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中。該兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)不同的存儲(chǔ)器和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上。在通過(guò)位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序時(shí)，這里所說(shuō)的任何控制器可以每一個(gè)或組合地操作?？刂破骺梢悦恳粋€(gè)或組合地具有任何合適的結(jié)構(gòu)用于接收、處理以及發(fā)送信號(hào)。一個(gè)或多個(gè)處理器配置成與至少一個(gè)控制器通信。例如，每一個(gè)控制器可以包括一個(gè)或更多個(gè)用于執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序的處理器，所述計(jì)算機(jī)程序包括用于上述的方法的機(jī)器可讀指令?？刂破鬟€可以包括用于存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，和/或用以接收這種介質(zhì)的硬件。因而，控制器可以根據(jù)一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令操作。本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸沒(méi)式光刻設(shè)備，具體地但不排他地，應(yīng)用于上述的那些類型、無(wú)論浸沒(méi)液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區(qū)域上提供浸沒(méi)液體的類型或浸沒(méi)液體是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒(méi)液體可以流過(guò)襯底和/或襯底臺(tái)的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺(tái)的整個(gè)未覆蓋表面被浸濕。在這種非限制的浸沒(méi)系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒(méi)流體或其可以提供一定比例的浸沒(méi)液體限制，但是基本上不是完全的浸沒(méi)液體限制。這里所述的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地解釋。在特定的實(shí)施例中，其可以是將液體供給至投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間的機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。其可以包括一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)、一個(gè)或更多個(gè)流體開(kāi)口的組合，所述一個(gè)或更多個(gè)流體開(kāi)口包括一個(gè)或更多個(gè)液體開(kāi)口、一個(gè)或更多個(gè)氣體開(kāi)口或一個(gè)或更多個(gè)用于兩相流動(dòng)的開(kāi)口。所述開(kāi)口每一個(gè)可以為進(jìn)入浸沒(méi)空間的入口(或離開(kāi)流體處理結(jié)構(gòu)的出口)或離開(kāi)浸沒(méi)空間的出口(或進(jìn)入流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一個(gè)實(shí)施例中，空間的表面可以為襯底和/或襯底臺(tái)的一部分，或者空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或者空間可以包圍襯底和/或襯底臺(tái)。液體供給系統(tǒng)可選地可以進(jìn)一步包括一個(gè)或更多個(gè)元件以控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流量或任何其它特征。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)清楚的是，在不背離下面提出的權(quán)利要求書的范圍的情況下，可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行修改。