本發(fā)明涉及光柵、光柵的制造方法和光柵的再生方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體集成電路的微細(xì)化、高集成化，在半導(dǎo)體曝光裝置中要求分辨力的提高。下文中將半導(dǎo)體曝光裝置簡稱為“曝光裝置”。因此進(jìn)行了由曝光用光源輸出的光的短波長化。在曝光用光源中，使用了氣體激光裝置來替換現(xiàn)有的汞燈。目前，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長248nm的紫外線的krf準(zhǔn)分子激光裝置以及輸出波長193nm的紫外線的arf準(zhǔn)分子激光裝置。

作為目前的曝光技術(shù)，液浸曝光已經(jīng)實(shí)用化。液浸曝光是通過將曝光裝置側(cè)的投影透鏡與晶片間的間隙充滿液體，改變該間隙的折射率，而使曝光用光源的表觀波長短波長化。將arf準(zhǔn)分子激光裝置用作曝光用光源進(jìn)行液浸曝光的情況下，在水中對晶片照射波長134nm的紫外光。將該技術(shù)稱為arf液浸曝光。arf液浸曝光也被稱為arf液浸平版印刷。

krf、arf準(zhǔn)分子激光裝置自然振蕩時(shí)的光譜線寬約為350pm～400pm，線寬較寬，因而通過曝光裝置側(cè)的投影透鏡而被縮小投影在晶片上的激光(紫外光)產(chǎn)生色差，分辨力降低。因此，需要將由氣體激光裝置輸出的激光的光譜線寬窄頻帶化至能夠無視色差的程度。光譜線寬也被稱為光譜寬度。因此，在氣體激光裝置的激光諧振器內(nèi)設(shè)置具有窄頻帶化元件的窄頻帶化模塊(linenarrowmodule)，利用該窄頻帶化模塊實(shí)現(xiàn)光譜寬度的窄頻帶化。需要說明的是，窄頻帶化元件可以為校準(zhǔn)器、光柵等。將如此進(jìn)行了光譜寬度的窄頻帶化的激光裝置稱為窄頻帶化激光裝置。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：美國專利第6511703號說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在本發(fā)明的窄頻帶化激光裝置中，1個(gè)觀點(diǎn)涉及光柵，其是用于使以真空紫外區(qū)的波長從激光裝置輸出的激光窄頻帶化的光柵，該光柵可以包含光柵基板、形成在光柵基板上且表面具有槽狀的第1鋁金屬膜以及通過ald法形成在第1鋁金屬膜上的第1保護(hù)膜。

本發(fā)明的另一觀點(diǎn)涉及光柵，其是用于使以真空紫外區(qū)的波長從激光裝置輸出的激光窄頻帶化的光柵，該光柵可以包含光柵基板、形成在光柵基板上且表面具有槽狀的第1鋁金屬膜、形成在第1鋁金屬膜上的第1保護(hù)膜、形成在第1保護(hù)膜上的第2鋁金屬膜以及形成在第2鋁金屬膜上的第2保護(hù)膜。

本發(fā)明的另一觀點(diǎn)涉及光柵的制造方法，其是用于使以真空紫外區(qū)的波長從激光裝置輸出的激光窄頻帶化的光柵的制造方法，該方法可以包括在光柵基板上形成表面具有槽狀的第1鋁金屬膜以及在第1鋁金屬膜上通過ald法形成第1保護(hù)膜。

本發(fā)明的另一觀點(diǎn)涉及光柵的再生方法，其是用于使以真空紫外區(qū)的波長從激光裝置輸出的激光窄頻帶化的光柵的再生方法，該光柵包含光柵基板、形成在光柵基板上且表面具有槽狀的第1鋁金屬膜以及形成在第1鋁金屬膜上的第1保護(hù)膜，該再生方法可以包括在第1保護(hù)膜上形成第2鋁金屬膜以及在第2鋁金屬膜上形成第2保護(hù)膜。

本發(fā)明的另一觀點(diǎn)涉及光柵的再生方法，其是用于使以真空紫外區(qū)的波長從激光裝置輸出的激光窄頻帶化的光柵的再生方法，該光柵包含光柵基板、形成在光柵基板上且表面具有槽狀的第1鋁金屬膜以及形成在第1鋁金屬膜上的第1保護(hù)膜，該再生方法可以包括對第1保護(hù)膜的至少一部分進(jìn)行蝕刻、在第1鋁金屬膜上形成第2鋁金屬膜以及在第2鋁金屬膜上形成第2保護(hù)膜。

附圖說明

下面僅以本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式為例，參照附圖進(jìn)行說明。

圖1a示意性示出第1實(shí)施方式的激光裝置的構(gòu)成。

圖1b示意性示出第1實(shí)施方式的激光裝置的構(gòu)成。

圖2是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。

圖3是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。

圖4是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。

圖5a是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。

圖5b是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。

圖6a是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。

圖6b是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。

圖6c是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。

圖7是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。

圖8是示出上述各實(shí)施方式中使用的ald法成膜裝置的示例的截面圖。

具體實(shí)施方式

<內(nèi)容>

1.概要

2.具有光柵的激光裝置

2.1激光腔室

2.2窄頻帶化模塊

2.3輸出耦合鏡

3.包含通過ald法成膜出的保護(hù)膜的光柵(第1實(shí)施方式)

4.包含由ald法形成在蒸鍍膜上的保護(hù)膜的光柵(第2實(shí)施方式)

5.包含由ald法形成的2個(gè)保護(hù)膜的光柵(第3實(shí)施方式)

6.光柵的再生(第4實(shí)施方式)

7.光柵的再生(第5實(shí)施方式)

8.不具有復(fù)制的槽形成部件的光柵(第6實(shí)施方式)

9.其他(ald法成膜裝置)

下面參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。以下所說明的實(shí)施方式示出了本發(fā)明的幾個(gè)示例，并構(gòu)成對本發(fā)明的內(nèi)容的限定。另外，各實(shí)施方式中說明的所有構(gòu)成和動(dòng)作未必是作為本發(fā)明的構(gòu)成和動(dòng)作所必須的。需要說明的是，對于同一構(gòu)成要件附以同一參考符號，省略重復(fù)說明。

1.概要

作為窄頻帶化激光裝置中的窄頻帶化元件，其可以使用光柵。光柵可以是在表面具有槽狀的鋁金屬膜上形成有mgf2等保護(hù)膜的光柵。但是，光柵在長期暴露于真空紫外區(qū)的脈沖激光中時(shí)，光柵的衍射效率有時(shí)會降低。例如，配置光柵的容器中的微量的氧可能透過保護(hù)膜而使鋁金屬膜的表面發(fā)生氧化。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，光柵可以在表面具有槽狀的第1鋁金屬膜上具備通過ald法形成的第1保護(hù)膜。

需要說明的是，在光柵的說明中，“上”可以意味著從光柵基板的一面?zhèn)认蛑c該一面相反的面?zhèn)鹊姆较颉＠?，在記述為在光柵基板“上”形成槽形成部件的情況下，并不限于槽形成部件與光柵基板的上述相反的面直接相接的情況，也可以包含隔著其他層在光柵基板的上述相反的面?zhèn)刃纬刹坌纬刹考那闆r。

2.具有光柵的激光裝置

圖1a和圖1b示意性示出第1實(shí)施方式的激光裝置的構(gòu)成。圖1a中示出的激光裝置可以包含激光腔室10、一對放電電極11a和11b、窄頻帶化模塊14以及輸出耦合鏡15。激光裝置可以為對入射到未圖示的增幅器中的種子光進(jìn)行激光振蕩并輸出的主振蕩器。

在圖1a中示出了從與一對放電電極11a和11b之間的放電方向大致平行的方向觀察到的激光裝置的內(nèi)部構(gòu)成。圖1b中示出了從與一對放電電極11a和11b之間的放電方向大致垂直且與輸出耦合鏡15輸出的激光的行進(jìn)方向大致垂直的方向觀察到的激光裝置的內(nèi)部構(gòu)成。由輸出耦合鏡15輸出的激光的行進(jìn)方向可以為z方向。一對放電電極11a和11b之間的放電方向可以為v方向或-v方向。與這兩方垂直的方向可以為h方向。-v方向可以與重力方向大致一致。

2.1激光腔室

激光腔室10可以為封入作為激光介質(zhì)的激光氣體的腔室，該激光氣體包括例如作為稀有氣體的氬氣、作為鹵素氣體的氟氣、作為緩沖氣體的氖氣等。在激光腔室10的兩端可以設(shè)置窗10a和10b。

一對放電電極11a和11b可以作為用于通過放電來激發(fā)激光介質(zhì)的電極而配置在激光腔室10內(nèi)?？梢杂晌磮D示的脈沖功率模塊對一對放電電極11a和11b施加脈沖狀的高電壓。

若在一對放電電極11a和11b之間施加高電壓，則能夠在一對放電電極11a和11b之間發(fā)生放電。激光腔室10內(nèi)的激光介質(zhì)被該放電能量所激發(fā)，能夠轉(zhuǎn)移到高能級。被激發(fā)的激光介質(zhì)其后向低能級轉(zhuǎn)移時(shí)，能夠放出與其能級差相應(yīng)的波長的光。

如圖1a所示，窗10a和10b可以配置成光相對于這些窗的入射面與hz平面大致一致，并且該光的入射角度大致為布儒斯特角。在激光腔室10內(nèi)產(chǎn)生的光可以經(jīng)由窗10a和10b射出到激光腔室10的外部。

2.2窄頻帶化模塊

窄頻帶化模塊14可以包含2個(gè)棱鏡14a和14b、光柵14c以及支架16a～16c。棱鏡14a可以由支架16a支承、棱鏡14b可以由支架16b支承、光柵14c可以由支架16c支承。

棱鏡14a和14b可以放大由激光腔室10的窗10a射出的光在h方向的波束寬度，使該光入射到光柵14c中。另外，棱鏡14a和14b可以縮小來自光柵14c的反射光在h方向的波束寬度，同時(shí)使該光經(jīng)由窗10a返回到激光腔室10的放電區(qū)域。

光柵14c可以為中階梯光柵，槽的表面物質(zhì)由高反射率的材料構(gòu)成，在表面以規(guī)定間隔形成多個(gè)槽，各槽為例如直角三角形。該中階梯光柵可以是通過復(fù)制經(jīng)機(jī)械加工而形成有槽的標(biāo)準(zhǔn)光柵而制作的光柵。由棱鏡14a和14b入射到光柵14c中的光被這些槽所反射，同時(shí)可以向與光的波長對應(yīng)的方向衍射。光柵14c可以按照光由棱鏡14a和14b入射到光柵14c的入射角與所期望波長的衍射光的衍射角一致的方式進(jìn)行利特羅配置。由此，可以使所期望波長附近的光經(jīng)由棱鏡14a和14b返回到激光腔室10中。

2.3輸出耦合鏡

在輸出耦合鏡15的表面可以涂布有部分反射膜。從而，輸出耦合鏡15可以透過并輸出由激光腔室10的窗10b輸出的光中的一部分，對另外一部分進(jìn)行反射并使其返回到激光腔室10內(nèi)。

窄頻帶化模塊14和輸出耦合鏡15可以構(gòu)成光諧振器。由激光腔室10射出的光在窄頻帶化模塊14與輸出耦合鏡15之間往復(fù)，在通過放電電極11a和11b之間的放電空間時(shí)能夠被增幅并發(fā)生激光振蕩。激光被窄頻帶化模塊14折回時(shí)能夠被窄頻帶化。此外，通過配置上述的窗10a和10b，能夠選擇h方向的偏振光成分。這樣被增幅的激光能夠由輸出耦合鏡15輸出。該激光可以具有真空紫外區(qū)的波長。該激光的波長可以為193nm。

3.包含通過ald法成膜出的保護(hù)膜的光柵(第1實(shí)施方式)

圖2為本發(fā)明的第1實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。第1實(shí)施方式的光柵14c可以具備光柵基板21、槽形成部件22、第1鋁金屬膜23以及第1保護(hù)膜24。

光柵基板21可以由熱膨脹率小的材料形成。

槽形成部件22可以由環(huán)氧樹脂形成在光柵基板21上。對于槽形成部件22，例如可以通過由標(biāo)準(zhǔn)光柵復(fù)制光柵基板21上所形成的環(huán)氧樹脂層而進(jìn)行槽加工，由此形成槽形成部件22。

第1鋁金屬膜23可以通過蒸鍍而形成在槽形成部件22上。

第1保護(hù)膜24可以通過ald(atomiclayerdeposition，原子層沉積)法形成在第1鋁金屬膜23上。第1保護(hù)膜24可以包含mgf2、sio2和al2o3中的至少1種。第1保護(hù)膜24的膜厚可以為能夠抑制氧的透過的膜厚。例如，第1保護(hù)膜24的膜厚可以為1nm以上26nm以下。另外，第1保護(hù)膜24的膜厚可以為使得由光柵選擇的波長成分的相移達(dá)到2π的膜厚。該膜厚根據(jù)第1保護(hù)膜24的折射率而不同，在由光柵選擇的波長成分為193nm的情況下，例如第1保護(hù)膜24的膜厚可以約為23nm。

ald法可以為下述成膜方法：在成膜容器內(nèi)配置基板，使原料化合物的分子逐層地吸附在基板上，其后使其與其他氣體反應(yīng)，從而進(jìn)行成膜。在ald法中，通過反復(fù)進(jìn)行分子一層層逐層的吸附和反應(yīng)，可以成膜至所期望的膜厚。例如，通過在基板上吸附四乙氧基硅烷并使其與氧氣發(fā)生反應(yīng)，可以形成sio2膜。另外，例如，通過在基板上吸附三甲基鋁并使其與氧氣發(fā)生反應(yīng)，可以形成al2o3膜。

通過ald法成膜出的第1保護(hù)膜24能夠具有下述特征。

(1)使第1鋁金屬膜23的表面的槽狀、凹凸形狀在第1保護(hù)膜24的表面也得以忠實(shí)地再現(xiàn)。

(2)膜厚大致均勻，能夠抑制針孔的發(fā)生。

(3)能夠由一層分子的尺寸量級調(diào)整成所期望的膜厚。

(4)能夠形成無定形的膜。

(5)能夠在低溫下成膜。

(6)由于分子一層層逐層地成膜，因而能夠得到致密的膜。

第1實(shí)施方式的光柵具備通過ald法成膜出的第1保護(hù)膜24，第1保護(hù)膜24是致密的，因而能夠抑制氧的透過。從而可抑制第1鋁金屬膜23的氧化、抑制光柵的衍射效率的降低，能夠延長光柵壽命。

4.包含由ald法在蒸鍍膜上形成的保護(hù)膜的光柵(第2實(shí)施方式)

圖3為本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。第2實(shí)施方式的光柵14d在第1鋁金屬膜23與第1保護(hù)膜24之間具備蒸鍍膜25，這一點(diǎn)與第1實(shí)施方式可以不同。

蒸鍍膜25可以包含mgf2。也可以已經(jīng)制造在第1鋁金屬膜23上形成有蒸鍍膜25的光柵。根據(jù)第2實(shí)施方式，通過在現(xiàn)有光柵上形成由ald法成膜出的第1保護(hù)膜24，能夠降低光柵的制造工序數(shù)。

關(guān)于其他方面，可以與第1實(shí)施方式同樣。

5.包含由ald法形成的2個(gè)保護(hù)膜的光柵(第3實(shí)施方式)

圖4是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。第3實(shí)施方式的光柵14e中，由ald法成膜出的第1保護(hù)膜24包括保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b，這一點(diǎn)與第1實(shí)施方式可以不同。

第1保護(hù)膜24所含有的保護(hù)膜24a可以通過ald法在第1鋁金屬膜23上進(jìn)行成膜。第1保護(hù)膜24所含有的保護(hù)膜24b可以通過ald法在保護(hù)膜24a上進(jìn)行成膜。保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b可以為例如下述組合中的任一種。

(1)保護(hù)膜24a包含sio2、保護(hù)膜24b包含al2o3。

(2)保護(hù)膜24a包含mgf2、保護(hù)膜24b包含al2o3。

(3)保護(hù)膜24a包含mgf2、保護(hù)膜24b包含sio2。

保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b各自的膜厚可以為能夠抑制氧的透過的膜厚。例如，保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b各自的膜厚可以為1nm以上26nm以下。另外，保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b各自的膜厚可以為使得由光柵選擇的波長成分的相移達(dá)到2π的膜厚。該膜厚根據(jù)保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b的折射率而不同，在由光柵選擇的波長成分為193nm的情況下，例如保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b各自的膜厚可以約為23nm。

根據(jù)第3實(shí)施方式，光柵具備通過ald法成膜出的保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b，保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b是致密的，因而能夠抑制氧的透過。從而可抑制第1鋁金屬膜23的氧化、抑制光柵的衍射效率的降低，能夠延長光柵壽命。

保護(hù)膜24a和保護(hù)膜24b并不限于兩者通過ald法成膜的情況，任意一者也可以通過蒸鍍進(jìn)行成膜。

6.光柵的再生(第4實(shí)施方式)

圖5a和圖5b是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。在第4實(shí)施方式中，例如，在參照圖2說明的第1實(shí)施方式的光柵14c發(fā)生劣化、衍射效率降低的情況下，可以通過進(jìn)行光柵的再生而恢復(fù)衍射效率。

圖5a示出再生前的光柵14f。再生前的光柵14f可以與參照圖2說明的光柵同樣地具備光柵基板21、槽形成部件22、第1鋁金屬膜23和第1保護(hù)膜24。

圖5b示出再生后的光柵14g。對于再生后的光柵14g，可以通過蒸鍍在第1保護(hù)膜24上新形成有第2鋁金屬膜26、在第2鋁金屬膜26上進(jìn)一步通過ald法形成有第2保護(hù)膜27。在形成第2鋁金屬膜26之前可以具有對第1保護(hù)膜24的表面進(jìn)行清洗的工序。

第2保護(hù)膜27可以包含mgf2、sio2和al2o3中的至少1種。第2保護(hù)膜27的膜厚可以為能夠抑制氧的透過的膜厚。例如，第2保護(hù)膜27的膜厚可以為1nm以上26nm以下。另外，第2保護(hù)膜27的膜厚可以為使得由光柵選擇的波長成分的相移達(dá)到2π的膜厚。該膜厚根據(jù)第2保護(hù)膜27的折射率而不同，在由光柵選擇的波長成分為193nm的情況下，例如第2保護(hù)膜27的膜厚可以約為23nm。

根據(jù)第4實(shí)施方式，可在大致維持再生前的光柵14f的表面形狀的情況下制作再生后的光柵14g，能夠使衍射效率接近劣化前的光柵的衍射效率。由于能夠再利用再生前的光柵14f來制作再生后的光柵14g，因而與重新制作光柵的情況相比，能夠降低光柵的成本。

另外，根據(jù)第4實(shí)施方式，由于通過ald法形成第2保護(hù)膜27、第2保護(hù)膜27是致密的，因而能夠抑制氧的透過。從而可抑制第2鋁金屬膜26的氧化、抑制光柵的衍射效率的降低，能夠延長再生后的光柵的壽命。

此處對于通過ald法成膜出第2保護(hù)膜27的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在第4實(shí)施方式中，第2保護(hù)膜27并不限于通過ald法進(jìn)行成膜，也可以通過蒸鍍進(jìn)行成膜。

另外，此處對于通過與參照圖2說明的方法同樣的ald法成膜出第1保護(hù)膜24的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在第4實(shí)施方式中，第1保護(hù)膜24并不限于通過ald法進(jìn)行成膜，也可以通過蒸鍍進(jìn)行成膜。

另外，此處對于進(jìn)行一次光柵的再生的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在包含第2鋁金屬膜26和第2保護(hù)膜27的再生后的光柵14g發(fā)生劣化的情況下，可以通過蒸鍍新形成未圖示的第3鋁金屬膜，在第3鋁金屬膜上進(jìn)一步形成第3保護(hù)膜。在形成第3鋁金屬膜之前也可以追加對第2保護(hù)膜27進(jìn)行清洗的工序。

另外，并不限于第1實(shí)施方式的光柵發(fā)生劣化的情況，在第2或第3實(shí)施方式的光柵發(fā)生劣化的情況下也同樣地可以進(jìn)行再生。

7.光柵的再生(第5實(shí)施方式)

圖6a～圖6c是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式的光柵的再生方法的工序截面圖。第5實(shí)施方式的光柵的再生方法中，代替對第1保護(hù)膜24進(jìn)行的清洗，進(jìn)行對第1保護(hù)膜24的蝕刻，這一點(diǎn)與第4實(shí)施方式可以不同。

圖6a示出再生前的光柵14h。再生前的光柵14h可以與參照圖2進(jìn)行說明的光柵同樣地具備光柵基板21、槽形成部件22、第1鋁金屬膜23和第1保護(hù)膜24。

圖6b示出由再生前的光柵14h蝕刻除去了第1保護(hù)膜24的狀態(tài)。第1保護(hù)膜24可以通過例如濕蝕刻除去。此時(shí)，第1鋁金屬膜23能夠發(fā)揮出作為蝕刻阻止層的功能。即，通過選擇容易蝕刻第1保護(hù)膜24且不容易蝕刻第1鋁金屬膜23的蝕刻液作為蝕刻液，能夠使蝕刻在第1保護(hù)膜24與第1鋁金屬膜23的邊界面處終止。

圖6c示出再生后的光柵14i。對于再生后的光柵14i，可以在第1鋁金屬膜23上通過蒸鍍新形成有第2鋁金屬膜26、在第2鋁金屬膜26上進(jìn)一步通過ald法形成有第2保護(hù)膜27。

根據(jù)第5實(shí)施方式，可在大致維持再生前的光柵14h的表面形狀的情況下制作再生后的光柵14i，能夠使衍射效率接近劣化前的光柵的衍射效率。由于能夠再利用再生前的光柵14h來制作再生后的光柵14i，因而與重新制作光柵的情況相比，能夠降低光柵的成本。

另外，根據(jù)第5實(shí)施方式，由于通過ald法形成第2保護(hù)膜27，第2保護(hù)膜27是致密的，因而能夠抑制氧的透過。從而可抑制第2鋁金屬膜26的氧化、抑制光柵的衍射效率的降低，能夠延長再生后的光柵的壽命。

另外，作為再生前的光柵14h的衍射效率降低的原因，也考慮到是由于在第1保護(hù)膜24的表面附著了污垢。通過蝕刻第1保護(hù)膜24，能夠連這樣的污垢也除去，恢復(fù)衍射效率。

此處對于通過ald法成膜出第2保護(hù)膜27的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在第5實(shí)施方式中，第2保護(hù)膜27并不限于通過ald法進(jìn)行成膜，也可以通過蒸鍍進(jìn)行成膜。

另外，此處對于通過與參照圖2說明的方法同樣的ald法成膜出第1保護(hù)膜24的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在第5實(shí)施方式中，第1保護(hù)膜24并不限于通過ald法進(jìn)行成膜，也可以通過蒸鍍進(jìn)行成膜。

另外，此處對于進(jìn)行一次光柵的再生的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。在包含第2鋁金屬膜26和第2保護(hù)膜27的再生后的光柵14g發(fā)生劣化的情況下，可以除去第2保護(hù)膜27，通過蒸鍍形成未圖示的第3鋁金屬膜，進(jìn)一步形成第3保護(hù)膜。

關(guān)于其他方面，可以與第4實(shí)施方式相同。

8.不具有復(fù)制的槽形成部件的光柵(第6實(shí)施方式)

圖7是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的光柵的一部分的截面圖。第6實(shí)施方式的光柵14j不具有由樹脂形成的槽形成部件，這一點(diǎn)與第1～第5實(shí)施方式可以不同。

如圖7所示，第6實(shí)施方式的光柵14j可以在表面平坦的光柵基板21上具有表面被加工為槽狀的第1鋁金屬膜23a。該鋁金屬膜23a的槽加工可以通過半導(dǎo)體制造的平版印刷工藝來進(jìn)行。在第1鋁金屬膜23a上可以具有通過ald法成膜出的第1保護(hù)膜24。

本發(fā)明并不限于此，例如也可以在表面被加工為槽狀的光柵基板上具有第1鋁金屬膜。

另外，槽狀并不限于像第1～第5實(shí)施方式中所說明的那樣截面為直角三角形的情況，也可以像圖7所示那樣為正弦曲線狀。

由于第6實(shí)施方式的光柵14j不具有由樹脂形成的槽形成部件，因而也可以不將由ald法形成第1保護(hù)膜24時(shí)的處理溫度抑制地較低。從而，能夠形成更致密的保護(hù)膜24。

9.其他(ald法成膜裝置)

圖8是示出上述各實(shí)施方式中使用的ald法成膜裝置的示例的截面圖。ald法成膜裝置30可以包含成膜容器31、加熱板32、原料氣體供給口33、原料氣體排氣口34、氧化劑供給口35以及剩余氧化劑和反應(yīng)生成物的排氣口37。

成膜容器31可以收納加熱板32。加熱板32在成膜容器31內(nèi)固定光柵基板21，可以對光柵基板21進(jìn)行加熱。

原料氣體供給口33和原料氣體排氣口34可以與成膜容器31連接。原料氣體供給口33可以將基于ald法的原料化合物的氣體供給到成膜容器31的內(nèi)部從而使上述氣體被光柵的表面吸附。原料氣體排氣口34可以將未吸附到光柵的表面的原料化合物的氣體排出。如上所述，原料化合物可以為例如四乙氧基硅烷，也可以為三甲基鋁。

氧化劑供給口35可以經(jīng)由歧管36與成膜容器31連接。氧化劑供給口35可以經(jīng)由歧管36將例如氧氣供給到成膜容器31的內(nèi)部。

剩余氧化劑和反應(yīng)生成物的排氣口37可以排出未與光柵表面的原料化合物發(fā)生反應(yīng)的氧氣和反應(yīng)生成物這兩者。

通過上述構(gòu)成，首先，可以在成膜容器31的內(nèi)部配置光柵基板21，通過加熱板32將光柵基板21加熱到規(guī)定的處理溫度。

(a)接著，可以通過原料氣體供給口33將基于ald法的原料化合物的氣體供給到成膜容器31的內(nèi)部。由此，可以使原料化合物被光柵基板21吸附。

(b)接著，可以通過原料氣體排氣口34將未被光柵表面吸附的原料化合物的氣體排出到成膜容器31外。

(c)接著，可以通過氧化劑供給口35經(jīng)由歧管36將氧氣供給到成膜容器31的內(nèi)部。由此，可以使被光柵基板21吸附的原料化合物與供給到成膜容器31的內(nèi)部的氧氣發(fā)生反應(yīng)。

(d)接著，可以通過排氣口37將剩余氧化劑和反應(yīng)生成物排出到成膜容器31外。

(e)通過將上述(a)～(d)作為1個(gè)循環(huán)來反復(fù)進(jìn)行，可在每1循環(huán)中形成一層保護(hù)膜，能夠成膜至所期望的膜厚。

在像第1～第5實(shí)施方式中所說明的那樣光柵具有由樹脂形成的槽形成部件的情況下，優(yōu)選將ald法的處理溫度抑制地較低。這種情況下，為了促進(jìn)ald法的反應(yīng)，可以在成膜容器31的內(nèi)部生成等離子體?？梢栽诠鈻呕?1與歧管36之間配置用于生成等離子體的未圖示的天線。

上述的說明并非為限制性的，而僅旨在進(jìn)行例示。因此，能夠在不脫離所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)對本發(fā)明的實(shí)施方式加以變更，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。

本說明書和所附權(quán)利要求書全文中所使用的術(shù)語應(yīng)該解釋為“非限定性的”術(shù)語。例如，“含有”或“所含”這樣的術(shù)語應(yīng)該解釋為“并不限于所記載的所含的事物”?！熬哂小边@一術(shù)語應(yīng)該解釋為“并不限于所記載的具有的事物”。另外，本說明書和所附權(quán)利要求書中記載的修飾句“1個(gè)”應(yīng)該解釋為意指“至少1個(gè)”或“1個(gè)或其以上”。