本發(fā)明涉及光器件、集成光學(xué)和光互連領(lǐng)域，特別涉及一種光波導(dǎo)制造方法及光波導(dǎo)。

背景技術(shù)：

隨著云計(jì)算、流媒體和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等各種數(shù)據(jù)通信業(yè)務(wù)和電信業(yè)務(wù)需求的爆炸性增長(zhǎng)，路由器、終端設(shè)備、交換機(jī)的吞吐量迅速增大，這些設(shè)備的功能模塊中板到板，板到背板之間的互連遇到了新問(wèn)題，如瓶頸阻塞、時(shí)鐘歪斜、串話(huà)、功耗等。隨著芯片集成度、互連密度和傳輸速率的不斷提高，這些問(wèn)題造成的影響變得日益突出。而且，由于電互連內(nèi)在物理機(jī)制的限制，在電互連的范疇，這些問(wèn)題很難得到獲得根本的解決。

光互連的引入為解決上述問(wèn)題開(kāi)辟了新途徑。光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)在全球范圍內(nèi)大規(guī)模鋪展，并且不斷從長(zhǎng)距離向短距離和超短距離滲透。繼光纖在全球網(wǎng)、廣域網(wǎng)、城域網(wǎng)和局域網(wǎng)中成功取代傳統(tǒng)的銅連線之后，以光作為載波的數(shù)據(jù)傳輸在存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)及更短距離的傳輸系統(tǒng)中也獲得日益廣泛的應(yīng)用。典型地，光纖作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)拿浇樵跀?shù)據(jù)中心內(nèi)部不同層次的數(shù)據(jù)連接，如機(jī)柜之間和機(jī)柜內(nèi)部，目前，電路板之間和電路板上的光互連成為下一步重點(diǎn)突破的目標(biāo)。

光波導(dǎo)是實(shí)現(xiàn)電路板間和電路板上光互連的基礎(chǔ)。目前用于板級(jí)光互連的光波導(dǎo)技術(shù)主要包括兩類(lèi)，一類(lèi)是基于離子交換技術(shù)的光波導(dǎo)技術(shù)，另一類(lèi)是聚合物基光波導(dǎo)技術(shù)。與后者相比，光波導(dǎo)技術(shù)具有傳輸帶寬大、傳輸損耗低，環(huán)境穩(wěn)定性好的顯著特性，因此受到研究者們的重視。

通常使用的離子交換技術(shù)是在玻璃基片表面制作薄膜，并在薄膜上制作離子交換窗口，形成光波導(dǎo)制作所用掩膜，然后將帶有掩膜的玻璃基片放入含有摻雜離子的熔鹽中進(jìn)行離子交換，含有摻雜離子的熔鹽中的摻雜離子通過(guò)光波導(dǎo)制作所用掩膜形成的離子交換窗口與玻璃基片中的鈉離子進(jìn)行交換，摻雜離 子進(jìn)入玻璃基片并形成玻璃表面的離子摻雜區(qū)，作為表面光波導(dǎo)的芯層。然而，在玻璃表面的離子摻雜區(qū)形成過(guò)程中，由于摻雜離子的橫向擴(kuò)散，玻璃表面的離子摻雜區(qū)呈扁平狀，因此其光波導(dǎo)模場(chǎng)分布不對(duì)稱(chēng)，光波導(dǎo)與光纖的耦合損耗很大；另一方面，玻璃表面的離子摻雜區(qū)位于玻璃基片的表面，光導(dǎo)波在玻璃表面缺陷處的散射將引入很高的傳輸損耗。

制作掩埋式的光波導(dǎo)可以改善光波導(dǎo)芯層折射率分布的對(duì)稱(chēng)性，因此可以使光波導(dǎo)模場(chǎng)分布的對(duì)稱(chēng)性得到改善，降低光波導(dǎo)器件與光纖的耦合損耗。同時(shí)，使光波導(dǎo)的芯部埋入玻璃表面以下，可消除玻璃表面缺陷引起的光導(dǎo)波的散射，降低器件的傳輸損耗。掩埋式光波導(dǎo)的制作通常采用電場(chǎng)輔助離子遷移的方式，對(duì)一次離子交換后的玻璃基片進(jìn)行電場(chǎng)輔助離子遷移，在此過(guò)程中，在玻璃基片兩側(cè)的不含摻雜離子的熔鹽中分別插入兩根分別連接直流電源的正電極和負(fù)電極的電極引線，在玻璃基片的兩側(cè)施加直流偏壓。在此直流偏壓的作用下，離子交換形成的玻璃表面的離子摻雜區(qū)被掩埋進(jìn)入玻璃基片，形成掩埋式的離子摻雜區(qū)，而玻璃基片表面形成去摻雜區(qū)。這種電場(chǎng)輔助離子遷移技術(shù)雖然可以獲得性能優(yōu)良的光波導(dǎo)，但由于電場(chǎng)輔助離子遷移需要在高溫下進(jìn)行，而且同時(shí)要保證玻璃基片兩側(cè)的不含摻雜離子的熔鹽之間彼此絕緣，因此通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)制作掩埋式光波導(dǎo)需要較高的成本，也使大尺寸的光波導(dǎo)器件的制作相當(dāng)困難，因此制作用于光互連的光波導(dǎo)難以實(shí)用化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種光波導(dǎo)制造方法及光波導(dǎo)，其目的是為了解決現(xiàn)有的光波導(dǎo)制造方法引起較高的耦合損耗、傳輸損耗以及成本高、難以實(shí)用化的問(wèn)題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種光波導(dǎo)的制造方法，該方法包括以下步驟：

提供一玻璃基片；

在所述玻璃基片上，波導(dǎo)芯部?jī)蓚?cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)；

在形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)的所述玻璃基片上，波導(dǎo)芯部的區(qū)域形成離子摻雜區(qū)；

在形成離子摻雜區(qū)的所述玻璃基片上，所述離子摻雜區(qū)的表面形成去摻雜 區(qū)。

進(jìn)一步地，在所述玻璃基片上，波導(dǎo)芯部?jī)蓚?cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)的步驟包括：

在所述玻璃基片上，形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)所用的掩膜；且所述掩膜覆蓋波導(dǎo)芯部所在的區(qū)域；

將形成有掩膜的玻璃基片置于含一種陽(yáng)離子的的熔鹽中，并保持第一預(yù)設(shè)時(shí)間段，在所述玻璃基片的掩膜兩側(cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)。

進(jìn)一步地，在所述玻璃基片上，形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)所用的掩膜的步驟包括：

在所述玻璃基片的上表面用熱蒸發(fā)或者濺射的方法制作一層薄膜；

通過(guò)光刻和濕法腐蝕工藝保留所述玻璃基片上波導(dǎo)芯部區(qū)域上方寬度為第一預(yù)設(shè)寬度的薄膜，作為含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)所用的掩膜。

進(jìn)一步地，所述掩膜的材質(zhì)為鋁或鉻銅合金或二氧化硅。

進(jìn)一步地，所述含一種陽(yáng)離子的熔鹽中的陽(yáng)離子為鉀離子。

進(jìn)一步地，將形成有掩膜的玻璃基片置于含一種陽(yáng)離子的的熔鹽中，并保持第一預(yù)設(shè)時(shí)間段，在所述玻璃基片的掩膜兩側(cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)的步驟包括：

將形成有掩膜的玻璃基片置于330-420℃的硝酸鉀熔鹽中，保持第一預(yù)設(shè)時(shí)間段；

所述硝酸鉀熔鹽中的鉀離子經(jīng)熱擴(kuò)散作用在所述玻璃基片的掩膜兩側(cè)的區(qū)域形成鉀離子擴(kuò)散區(qū)。

進(jìn)一步地，所述波導(dǎo)為條形，所述掩膜覆蓋條形波導(dǎo)芯部區(qū)域，所述掩膜的中心位置與所述條形波導(dǎo)的中心位置重合，所述掩膜的長(zhǎng)度大于或等于所述條形波導(dǎo)的芯部的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步地，在形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)的所述玻璃基片上，波導(dǎo)芯部的區(qū)域形成離子摻雜區(qū)的步驟包括：

從所述玻璃基片上去除所述掩膜；

將所述玻璃基片置于含有摻雜離子的熔鹽中，保持第二預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述摻雜離子擴(kuò)散進(jìn)入波導(dǎo)芯部的區(qū)域，形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)的兩側(cè) 分別與所述鉀離子擴(kuò)散區(qū)相連。

進(jìn)一步地，所述摻雜離子為鈦離子、銀離子或銫離子中的至少一種。

進(jìn)一步地，從所述玻璃基片上去除所述掩膜的步驟包括：

將所述玻璃基片冷卻后，采用腐蝕的方法去除所述玻璃基片表面的掩膜。

進(jìn)一步地，所述含有摻雜離子的熔鹽為硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀的混合熔鹽；其中，硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀三種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％、0.1-5％。

進(jìn)一步地，在所述玻璃基片上，所述離子摻雜區(qū)的表面形成去摻雜區(qū)的步驟包括：

將所述玻璃基片置于不含摻雜離子的熔鹽中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)的表面的離子進(jìn)入不含摻雜離子的熔鹽中，在所述離子摻雜區(qū)的表面形成去摻雜區(qū)。

進(jìn)一步的，將所述玻璃基片置于不含摻雜離子的熔鹽中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)的表面的離子進(jìn)入不含摻雜離子的熔鹽中，在所述離子摻雜區(qū)的表面形成去摻雜區(qū)的步驟包括：

將所述玻璃基片置入220-300℃下硝酸鈉和碳酸鈣的混合熔鹽中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)的表面的離子進(jìn)入不含摻雜離子的熔鹽中，在所述離子摻雜區(qū)的表面形成去摻雜區(qū)；其中，硝酸鈉和碳酸鈣兩種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％。

進(jìn)一步地，所述離子摻雜區(qū)中，所述去摻雜區(qū)以下的區(qū)域?yàn)椴▽?dǎo)芯部。

進(jìn)一步地，所述去摻雜區(qū)的折射率低于所述波導(dǎo)芯部的折射率；所述離子摻雜區(qū)下部的玻璃基片的折射率低于所述波導(dǎo)芯部的折射率。

進(jìn)一步地，所述鉀離子擴(kuò)散區(qū)的折射率低于所述波導(dǎo)芯部的折射率。

進(jìn)一步地，所述玻璃基片的材質(zhì)為硅酸鹽玻璃或硼硅酸鹽玻璃或磷酸鹽玻璃或硼酸鹽玻璃。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種光波導(dǎo)，該光波導(dǎo)是如上述方法制造的光波導(dǎo)。

本發(fā)明的上述方案至少包括以下有益效果：

本發(fā)明提供的光波導(dǎo)制造方法通過(guò)離子交換技術(shù)形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)，掩埋式的離子摻雜區(qū)的左右兩側(cè)分別與含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū) 相連，通過(guò)含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)對(duì)摻雜離子的壓制作用限制掩埋式的離子摻雜區(qū)的橫向尺寸，使光波導(dǎo)模場(chǎng)分布的對(duì)稱(chēng)性得到改善，降低了耦合損耗與傳輸損耗。通過(guò)離子反交換技術(shù)形成去摻雜區(qū)，保證所形成的光波導(dǎo)為掩埋式光波導(dǎo)，降低了光波導(dǎo)的耦合損耗以及由于玻璃基片表面缺陷處的散射引入的傳輸損耗。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述的光波導(dǎo)的制造方法的步驟流程圖；

圖2為圖1中步驟12的具體流程圖；

圖3為步驟22之后的玻璃基片以及含一種陽(yáng)離子的的熔鹽的示意圖；

圖4為圖1中步驟13的具體流程圖；

圖5為步驟32之后的玻璃基片以及含摻雜離子的的熔鹽的示意圖；

圖6為步驟14之后的玻璃基片以及不含摻雜離子的的熔鹽的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例所述的光波導(dǎo)的示意圖；

圖8為實(shí)施例一的步驟流程圖；

圖9為實(shí)施例二的步驟流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1、玻璃基片；2、波導(dǎo)芯部；3、含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)；4、離子摻雜區(qū)；5、去摻雜區(qū)；6、掩膜；7、含一種陽(yáng)離子的熔鹽；8、含有摻雜離子的熔鹽；9、不含摻雜離子的熔鹽。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

參見(jiàn)圖1，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的問(wèn)題，提供了一種波導(dǎo)的制造方法，該方法包括以下步驟：

步驟11，提供一玻璃基片1；所述玻璃基片1的材質(zhì)為硅酸鹽玻璃或硼硅酸鹽玻璃或磷酸鹽玻璃或硼酸鹽玻璃。

步驟12，在所述玻璃基片1上，波導(dǎo)芯部2兩側(cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離 子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3；

步驟13，在形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3的所述玻璃基片1上，波導(dǎo)芯部2的區(qū)域形成離子摻雜區(qū)4；

步驟14，在形成離子摻雜區(qū)4的所述玻璃基片1上，所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5。

參見(jiàn)圖2及圖3，步驟12包括：

步驟21，在所述玻璃基片1上，形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3所用的掩膜6；且所述掩膜6覆蓋波導(dǎo)芯部2所在的區(qū)域；

步驟22，將形成有掩膜6的玻璃基片1置于含一種陽(yáng)離子的的熔鹽7中，并保持第一預(yù)設(shè)時(shí)間段，在所述玻璃基片1的掩膜6兩側(cè)的區(qū)域形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3；進(jìn)一步地，所述含一種陽(yáng)離子的熔鹽7中的陽(yáng)離子為鉀離子。

進(jìn)一步地，步驟21包括：

在所述玻璃基片1的上表面用熱蒸發(fā)或者濺射的方法制作一層薄膜；

進(jìn)一步地，所述掩膜6的材質(zhì)為鋁或鉻銅合金或二氧化硅；所述波導(dǎo)為條形，所述掩膜6覆蓋條形波導(dǎo)芯部2區(qū)域，所述掩膜6的中心位置與所述條形波導(dǎo)的中心位置重合，所述掩膜6的長(zhǎng)度大于或等于所述條形波導(dǎo)的芯部的長(zhǎng)度。

通過(guò)光刻和濕法腐蝕工藝保留所述玻璃基片1上波導(dǎo)芯部2區(qū)域上方寬度為第一預(yù)設(shè)寬度的薄膜，作為含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3所用的掩膜6。

進(jìn)一步地，步驟22具體包括：

將形成有掩膜6的玻璃基片1置于330-420℃的硝酸鉀熔鹽中，保持第一預(yù)設(shè)時(shí)間段；

所述硝酸鉀熔鹽中的鉀離子經(jīng)熱擴(kuò)散作用在所述玻璃基片1的掩膜6兩側(cè)的區(qū)域形成鉀離子擴(kuò)散區(qū)。

參見(jiàn)圖4及圖5，步驟13包括：

步驟31，從所述玻璃基片1上去除所述掩膜6；

步驟32，將所述玻璃基片1置于含有摻雜離子的熔鹽8中，保持第二預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述摻雜離子擴(kuò)散進(jìn)入波導(dǎo)芯部2的區(qū)域，形成離子摻雜區(qū)4，所 述離子摻雜區(qū)4的兩側(cè)分別與所述鉀離子擴(kuò)散區(qū)相連；進(jìn)一步地，所述摻雜離子為鈦離子、銀離子或銫離子中的至少一種；所述含有摻雜離子的熔鹽8為硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀的混合熔鹽；其中，硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀三種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％、0.1-5％。

進(jìn)一步地，步驟31包括：

將所述玻璃基片1冷卻后，采用腐蝕的方法去除所述玻璃基片1表面的掩膜6。

參見(jiàn)圖6，步驟14具體包括：

將所述玻璃基片1置于不有摻雜離子的熔鹽9中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)4的表面的離子進(jìn)入不有摻雜離子的熔鹽9中，在所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5。

進(jìn)一步的，將所述玻璃基片1置于不有摻雜離子的熔鹽9中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)4的表面的離子進(jìn)入不有摻雜離子的熔鹽9中，在所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5的步驟包括：

將所述玻璃基片1置入220-300℃下硝酸鈉和碳酸鈣的混合熔鹽中，保持第三預(yù)設(shè)時(shí)間段，所述離子摻雜區(qū)4的表面的離子進(jìn)入不有摻雜離子的熔鹽9中，在所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5；其中，硝酸鈉和碳酸鈣兩種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％。

參見(jiàn)圖7，本發(fā)明還提供了一種光波導(dǎo)，該光波導(dǎo)是如上述方法制造的光波導(dǎo)，所述離子摻雜區(qū)4中，所述去摻雜區(qū)5以下的區(qū)域?yàn)椴▽?dǎo)芯部2；所述去摻雜區(qū)5的折射率低于所述波導(dǎo)芯部2的折射率；所述離子摻雜區(qū)4下部的玻璃基片1的折射率低于所述波導(dǎo)芯部2的折射率；所述鉀離子擴(kuò)散區(qū)的折射率低于所述波導(dǎo)芯部2的折射率。

為了更加清楚描述本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下以?xún)蓚€(gè)具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例一：參見(jiàn)圖8，制作芯部尺寸約為10微米的光波導(dǎo)；

步驟41，提供一厚度為1.5毫米的玻璃基片1。

步驟42，在所述玻璃基片1上表面用熱蒸發(fā)或?yàn)R射的方法制作一層厚度為80～200納米的鋁膜，通過(guò)光刻和濕法腐蝕工藝保留玻璃基片1上制作光波導(dǎo)的區(qū)域上寬度為15-40微米的薄膜，作為掩膜6。

步驟43，將形成有掩膜6的玻璃基片1置于330-420℃的硝酸鉀熔鹽中保 持20-200分鐘；此過(guò)程中，所述硝酸鉀熔鹽中的鉀離子經(jīng)熱擴(kuò)散作用在所述玻璃基片1的掩膜6兩側(cè)的區(qū)域形成鉀離子擴(kuò)散區(qū)；

步驟44，將所述玻璃基片1冷卻后，采用腐蝕的方法去除所述玻璃基片1表面的掩膜6；

步驟45，將所述玻璃基片1置于硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀的混合熔鹽中保持5-60分鐘，波導(dǎo)芯部2的區(qū)域形成離子摻雜區(qū)4；其中，三種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％、0.1-5％；此過(guò)程中的溫度在220-300℃之間；

步驟46，將所述玻璃基片1置入220-300℃下硝酸鈉和碳酸鈣的混合熔鹽中，保持3-60分鐘，所述離子摻雜區(qū)4的表面的離子進(jìn)入不有摻雜離子的熔鹽9中，在所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5；所述離子摻雜區(qū)4中，所述去摻雜區(qū)5以下的區(qū)域?yàn)椴▽?dǎo)芯部2；其中，硝酸鈉和碳酸鈣兩種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％。

實(shí)施例二：參見(jiàn)圖9，制作芯部尺寸約為50微米的光波導(dǎo)；

步驟51，提供一厚度為1.5毫米的玻璃基片1；

步驟52，在所述玻璃基片1上表面用熱蒸發(fā)或?yàn)R射的方法制作一層厚度為80～200納米的鋁膜，通過(guò)光刻和濕法腐蝕工藝保留玻璃基片1上制作光波導(dǎo)的區(qū)域上寬度為100-150微米的薄膜，作為掩膜6。

步驟53，將形成有掩膜6的玻璃基片1置于330-420℃的硝酸鉀熔鹽中保持60-900分鐘；此過(guò)程中，所述硝酸鉀熔鹽中的鉀離子經(jīng)熱擴(kuò)散作用在所述玻璃基片1的掩膜6兩側(cè)的區(qū)域形成鉀離子擴(kuò)散區(qū)；

步驟54，將所述玻璃基片1冷卻后，采用腐蝕的方法去除所述玻璃基片1表面的掩膜6；

步驟55，將所述玻璃基片1置于硝酸鈉、碳酸鈣和硝酸銀的混合熔鹽中保持20-240分鐘，波導(dǎo)芯部2的區(qū)域形成離子摻雜區(qū)4；其中，三種成分的摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％、0.1-5％；此過(guò)程中的溫度在220-300℃之間；

步驟56，將所述玻璃基片1置入220-300℃下硝酸鈉和碳酸鈣的混合熔鹽中，保持20-180分鐘，所述離子摻雜區(qū)4的表面的離子進(jìn)入不有摻雜離子的熔鹽9中，在所述離子摻雜區(qū)4的表面形成去摻雜區(qū)5；所述離子摻雜區(qū)4中，所述去摻雜區(qū)5以下的區(qū)域?yàn)椴▽?dǎo)芯部2；其中，硝酸鈉和碳酸鈣兩種成分的 摩爾百分?jǐn)?shù)分別為10-90％、10-90％。

本發(fā)明提供的光波導(dǎo)制造方法通過(guò)離子交換技術(shù)形成含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3，掩埋式的離子摻雜區(qū)4的左右兩側(cè)分別與含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3相連，通過(guò)含一種陽(yáng)離子的熔鹽擴(kuò)散區(qū)3對(duì)摻雜離子的壓制作用限制掩埋式的離子摻雜區(qū)4的橫向尺寸，使光波導(dǎo)模場(chǎng)分布的對(duì)稱(chēng)性得到改善，降低了耦合損耗與傳輸損耗。通過(guò)離子反交換技術(shù)形成去摻雜區(qū)5，保證所形成的光波導(dǎo)為掩埋式光波導(dǎo)，降低了光波導(dǎo)的耦合損耗以及由于玻璃基片1表面缺陷處的散射引入的傳輸損耗。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。