技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種提高玻璃基光波導(dǎo)芯片均勻性的方法，包括：將玻璃基片置于含K+熔鹽中進(jìn)行離子交換處理，在所述玻璃基片表面的非光波導(dǎo)區(qū)域形成高電阻率的內(nèi)阻擋層；通過(guò)離子交換處理和電場(chǎng)輔助遷移處理，在帶有內(nèi)阻擋層的玻璃基片上形成與所述內(nèi)阻擋層不接觸的掩埋式離子摻雜區(qū)；其中，在進(jìn)行所述電場(chǎng)輔助遷移處理過(guò)程中，通過(guò)用玻璃基片表面的高電阻率的內(nèi)阻擋層，增大玻璃基片非光波導(dǎo)區(qū)域的電阻，來(lái)抑制玻璃基片的溫升幅度，提高玻璃基片中作為光波導(dǎo)的掩埋式離子摻雜區(qū)的掩埋深度均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：郝寅雷;曾福林;王志堅(jiān);安維;馮澤明;王根成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中興通訊股份有限公司;浙江大學(xué)
文檔號(hào)碼：201510240514
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.12
技術(shù)公布日：2017.01.04