本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種掩模版的修正方法。
背景技術(shù):
在光刻過程中,掩模版上的布局圖案通過曝光工藝能夠被復(fù)制到半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層中。
現(xiàn)有掩模版的制作方法包括:
參照圖1,在透光板1上涂布鉻膜2,鉻膜2為非透光膜,透光板1和鉻膜2組成基板,接著,在鉻膜2上形成光刻膠層3;
參照圖2,以掩模版布局軟件控制光學(xué)直寫、電子束直寫或掃描電鏡(SEM,Scan Electron Microscopy)直寫等曝光方法,對光刻膠層3進(jìn)行曝光以寫入出布局圖案,之后經(jīng)過顯影程序后,在光刻膠層3中形成布局圖案;
參照圖3,以圖案化后的光刻膠層3(參照圖2)為掩模,刻蝕鉻膜2至露出透光板1,在鉻膜2中形成布局圖案。之后去除光刻膠層。
通常,在形成掩模版過程中,不可避免地會在透光板1上表面形成灰塵微粒、鉻膜殘留等凸起10,凸起10相對于布局圖案為瑕疵。在應(yīng)用該掩模版的曝光工藝中,凸起10會阻擋曝光光線進(jìn)入透光板1,造成曝光不充分,凸起10的圖案會被復(fù)制到光刻膠中,曝光后的布局圖案與預(yù)設(shè)圖案相比較存在瑕疵。因此在形成掩模版后,會使用聚焦粒子束設(shè)備(Focused Ion beam,FIB)對掩模版進(jìn)行修正,以轟擊去除透光板1上表面的凸起10。
但是,修正后的透光板1出現(xiàn)厚度分布差異的問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明解決的問題是,使用現(xiàn)有技術(shù)制造及修正的掩模版,透光板出現(xiàn)了厚度分布差異的問題。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種掩模版的修正方法,該修正方法包括:
提供掩模版,所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的圖案化的非透光膜;
對所述透光板露出的上表面進(jìn)行瑕疵檢測,獲知在所述透光板露出的上表面形成有凸起,所述凸起對于非透光膜中的布局圖案為瑕疵;
在所述透光板、非透光膜和凸起上形成掃描阻擋層;
定位所述凸起并聚焦去除所述凸起及其上的掃描阻擋層,在定位所述凸起的過程中,所述掃描阻擋層遭到轟擊以保護(hù)所述透光板免遭轟擊;
在去除所述凸起后,去除剩余的掃描阻擋層。
可選地,所述掃描阻擋層的材料為Al2O3。
可選地,所述掃描阻擋層的形成方法包括:
在所述透光板、非透光膜和凸起上沉積Al,在沉積Al的過程中或者在沉積Al之后,對Al進(jìn)行氧化處理,形成Al2O3。
可選地,所述掃描阻擋層的厚度范圍為500?!?000埃。
可選地,使用濕法刻蝕去除剩余的掃描阻擋層。
可選地,在所述濕法刻蝕過程中,使用的刻蝕劑為純氨水溶液。
可選地,所述瑕疵檢測的方法包括:
使用激光掃描所述透光板的上表面及其上的非透光膜,獲取所述激光的反射光光強(qiáng)分布圖像;
所述反射光光強(qiáng)分布圖像具有對應(yīng)所述布局圖案的第一光強(qiáng)圖像和第二光強(qiáng)圖像,所述第二光強(qiáng)圖像對應(yīng)所述凸起;
獲取所述第二光強(qiáng)圖像在掩模版上對應(yīng)的掃描區(qū)域;
之后,在所述掃描區(qū)域中定位所述凸起。
可選地,使用聚焦離子束掃描所述掩模版以定位所述凸起,并聚焦去除所述凸起及其上的掃描阻擋層。
可選地,所述聚焦離子束為鎵離子束。
本發(fā)明還提供另一種掩模版的修正方法,該修正方法包括:
提供掩模版,所述掩模版包括透光板和位于所述透光板上的圖案化的非透光膜;
對所述透光板露出的上表面進(jìn)行瑕疵檢測,獲知在所述透光板露出的上表面中形成有凹陷,所述凹陷對于非透光膜中的布局圖案為瑕疵;
在所述透光板和非透光膜上及凹陷內(nèi)壁形成掃描阻擋層;
定位且聚焦所述凹陷以去除所述凹陷內(nèi)的掃描阻擋層,并在所述凹陷內(nèi)填充透明材料,所述透明材料的上表面和透光板的上表面持平,在定位所述凹陷的過程中,所述掃描阻擋層遭到轟擊以保護(hù)所述透光板免遭轟擊;
在所述凹陷內(nèi)填充透明材料后,去除剩余的掃描阻擋層。
可選地,所述掃描阻擋層的材料為Al2O3。
可選地,所述掃描阻擋層的形成方法包括:
在所述透光板、非透光膜上和凹槽內(nèi)壁沉積Al,在沉積Al的過程中或者在沉積Al之后,對Al進(jìn)行氧化處理,形成Al2O3。
可選地,使用刻蝕工藝去除剩余的掃描阻擋層。
可選地,所述刻蝕工藝為濕法刻蝕。
可選地,在所述濕法刻蝕過程中,使用的刻蝕劑為純氨水溶液。
可選地,所述瑕疵檢測的方法包括:
使用激光掃描所述透光板的上表面及其上的非透光膜,獲取所述激光的反射光光強(qiáng)分布圖像;
所述反射光光強(qiáng)分布圖像具有對應(yīng)所述布局圖案的第一光強(qiáng)圖像和第二光強(qiáng)圖像,所述第二光強(qiáng)圖像對應(yīng)所述凹陷;
獲取所述第二光強(qiáng)圖像在掩模版上對應(yīng)的掃描區(qū)域;
之后,在所述掃描區(qū)域中定位所述凹陷
可選地,使用聚焦離子束掃描所述掩模版以定位所述凹陷、和聚焦去除 所述凹陷內(nèi)的掃描阻擋層。
可選地,所述聚焦離子束為鎵離子束。
可選地,所述透明材料與透光板的材料為同一種材料。
可選地,使用聚焦離子束聚焦所述凹陷且在所述凹陷內(nèi)沉積透明材料。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
在定位所述凸起之前,在透光板、非透光膜及凸起上形成掃描阻擋層,掃描阻擋層在定位凸起的過程中,先于透光板遭到轟擊而避免了透光板遭受轟擊損傷免遭損傷,在去除所述凸起及剩余掃描阻擋層后,未被非透光膜覆蓋的透光板在各個位置的厚度分布保持一致性,不存在厚度差異,對掩模版布局圖案進(jìn)行有效修正,消除瑕疵。
進(jìn)一步地,當(dāng)在透光板的上表面中形成有凹陷時,在定位凹陷之前,先形成掃描阻擋層,掃描阻擋層在定位凹陷的過程中能夠保護(hù)透光板免遭轟擊損傷,未被非透光膜覆蓋的透光板在各個位置的厚度分布保持一致性,不存在厚度差異,解決布局圖案出現(xiàn)缺陷的問題。
附圖說明
圖1~圖4是現(xiàn)有技術(shù)的掩模版在形成過程各個階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5~圖9是本發(fā)明具體實施例的掩模版在形成過程各個階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖10~圖14是本發(fā)明第一實施例的掩模版修正過程中各個階段的示意圖,其中圖11是對圖10進(jìn)行激光掃描后得到的反射光光強(qiáng)分布圖像;
圖15~圖19是本發(fā)明第二實施例的掩模版修正過程中各個階段的示意圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,發(fā)明人進(jìn)行了分析并發(fā)現(xiàn),使用聚焦粒子束系統(tǒng)對掩模版上的布局圖案進(jìn)行修正的過程包括:
首先,參照圖3和圖4,使用聚焦離子束對掩模版進(jìn)行掃描,包括對透光 板1的上表面和非透光膜2進(jìn)行掃描,以定位凸起10,獲取凸起10的具體位置;
待定位凸起10后,使用聚焦離子束聚焦并轟擊去除凸起10。
在掃描過程中,聚焦離子束會轟擊裸露的透光板1,對透光板1露出的上表面及鉻膜2上表面造成物理損傷(請參照圖4中虛線區(qū)域B)。當(dāng)去除凸起10后,凸起10下的透光板部分(參照圖4的區(qū)域A)的厚度不變,但凸起10之外未覆蓋非透光膜2的透光板部分(請參照圖4的區(qū)域B)的厚度減小,導(dǎo)致透光板1中區(qū)域A和區(qū)域B的厚度分布存在差異。由于區(qū)域A和區(qū)域B共同定義了布局圖案,在使用本掩模版的曝光過程,曝光光線在區(qū)域A和區(qū)域B中穿行的距離不同,導(dǎo)致曝光光線穿過透光板1后的光強(qiáng)存在差異,這會造成光刻膠對應(yīng)區(qū)域A的區(qū)域曝光不充分、或造成光刻膠對應(yīng)區(qū)域B的區(qū)域過曝光的問題,導(dǎo)致光刻膠中的布局圖案存在缺陷。
對此,發(fā)明人提出了一種新的掩模版的修正方法,確保在對透光板的上表面的凸起進(jìn)行修正的過程中不會損傷到透光板。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。
第一實施例
參照圖5,提供基板100,基板100包括透光板11和位于透光板11上的非透光膜12。
其中,透光板11允許曝光光線穿過,一般選擇透明的石英玻璃,透光板11的尺寸可根據(jù)待形成的芯片來選擇。非透光膜12用于形成布局圖案,該布局圖案可以是半導(dǎo)體器件圖案或?qū)?zhǔn)標(biāo)記圖案等。非透光膜12的材料通常選擇鉻等金屬,能夠提供較強(qiáng)強(qiáng)度。作為選擇例,還會在非透光膜上形成遮光層,該遮光層能夠起到增強(qiáng)非透光膜阻擋曝光光線的作用,遮光層可選擇氧化鉻等抗反射材料。
在光刻過程中,透光板11而非透光膜12能夠起到阻擋曝光光線的作用,這樣穿過透光板11的曝光光線對光刻膠進(jìn)行曝光,以將布局圖案復(fù)制到光刻膠中。
繼續(xù)參照圖5,在非透光膜12上形成光刻膠層13,光刻膠層13的厚度由非透光膜12的特性和后續(xù)刻蝕的厚度來決定。
具體地,使用旋涂工藝形成光刻膠層13。除此之外,也可使用現(xiàn)有的其他方法形成光刻膠層。除光刻膠層外,還可選擇其他硬掩模材料制成的掩模層,如TiN。
接著,對光刻膠層13進(jìn)行圖形化,在光刻膠層13中定義出布局圖案。具體地,在光刻膠層13中寫入布局圖案的方法包括:
首先,參照圖6,在光刻膠層13中寫入布局圖案,寫入布局圖案的方式可以是:光學(xué)直寫、投影式電子束直寫或掃描電鏡直寫。
以投影式電子束直寫為例,將電子束聚焦成形后打在光刻膠層13中,此時光刻膠層13為電子束光刻膠,遭到電子束轟擊的光刻膠層部分(請參照陰影C)變性,與未遭到電子束轟擊的光刻膠層相比,物質(zhì)屬性發(fā)生改變。使用這種方式,變性的光刻膠部分和未變性的光刻膠層部分共同定義了中繪制布局圖案,實現(xiàn)在光刻膠層13中繪制布局圖案。光學(xué)直寫和掃描電鏡直寫的原理也是改變光刻膠層的物質(zhì)屬性,具體工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段,在此不再贅述。
之后,結(jié)合參照圖7,在光刻膠層13中寫入布局圖案后,對光刻膠層13進(jìn)行顯影或刻蝕以去除物質(zhì)屬性發(fā)生改變的光刻膠層部分(參照圖3中陰影部分C),形成圖形化的光刻膠層130,布局圖案復(fù)制到圖形化的光刻膠層130中。
在顯影過程中,屬性發(fā)生改變的光刻膠層部分(參照圖6中陰影部分C)被顯影液腐蝕掉。在刻蝕過程中,屬性發(fā)生改變的光刻膠層部分相比其他光刻膠層部分的刻蝕選擇比發(fā)生改變,刻蝕劑將屬性發(fā)生改變的光刻膠層部分刻蝕掉,而屬性未發(fā)生改變的光刻膠層部分被保留并對應(yīng)布局圖案。
參照圖8,以圖形化的光刻膠層130為掩模,刻蝕非透光膜12,布局圖案轉(zhuǎn)移到非透光膜12中;
參照圖9,去除圖形化的光刻膠層130(參照圖8),具體可使用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層,至此形成掩模版,該掩模版包括透光板11及位于透 光板11上的圖案化的非透光膜12。
刻蝕非透光膜12的工藝可以選擇干法刻蝕或濕法刻蝕??紤]到在刻蝕非透光膜12的過程會產(chǎn)生殘留物質(zhì),如化學(xué)反應(yīng)生成物、污染物等。因此,在刻蝕非透光膜12后,需要清洗刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物質(zhì),避免透光層11表面、剩余非透光膜12表面附著殘留物質(zhì)。清洗過程中使用的清洗劑為超純水,在清洗過程中,是將整個掩模版浸潤在清洗劑中,這樣在清洗后,掩模版表面會殘留有清洗劑。因此,在清洗后,對掩模版進(jìn)行甩干處理以去除清洗劑。
本實施例介紹了使用光刻工藝在非透光膜12中形成布局圖案的工藝。作為變形例,還可以是:
直接使用聚焦離子束轟擊非透光膜,遭到轟擊的非透光膜部分被直接去除以形成布局圖案,未遭轟擊的非透光膜部分則保留以作為非透光圖案。在非透光膜遭轟擊后,剩余非透光膜表面也會附著雜質(zhì),需要后續(xù)清洗和甩干步驟。
在形成上述掩模版的過程中,參照圖9,操作環(huán)境以及操作人員攜帶的灰塵微粒或者非透光膜12上掉落的殘渣等顆粒,可能殘留在透光板11上表面形成凸起110。如果該凸起110不被去除,在應(yīng)用該掩模版的光刻工藝中,由于凸起110對曝光光線形成阻擋,會造成對應(yīng)的光刻膠部分曝光不充分,在顯影后光刻膠布局圖案的不符合預(yù)期,凸起110的圖案會被復(fù)制到布局圖案中,形成圖案瑕疵,該圖案瑕疵會進(jìn)一步影響后續(xù)工藝進(jìn)程或器件性能。
因此,在形成掩模版后,會繼續(xù)對掩模版進(jìn)行修正,以消除掩模版中布局圖案的瑕疵。
參照圖10,對掩模版進(jìn)行激光掃描,包括對整個透光板11上表面及其上的非透光膜12進(jìn)行激光掃描,獲取激光的反射光光強(qiáng)分布圖像。
結(jié)合參照圖11,反射光光強(qiáng)分布圖像包括由透光光強(qiáng)圖像E和遮光光強(qiáng)圖像F組成的第一光強(qiáng)圖像,以及第二光強(qiáng)圖像G,其中第一光強(qiáng)圖像對應(yīng)布局圖案。其中,透光光強(qiáng)圖像E為黑色,對應(yīng)上表面露出的透光板部分,在激光掃描過程中,上表面露出的透光板11允許激光穿過,因此沒有反射光 射出,反射光光強(qiáng)最弱,反映到反射光光強(qiáng)分布圖像中圖像E最暗,呈黑色。遮光光強(qiáng)圖像F為白色,對應(yīng)非透光膜12,非透光膜12會將激光反射回去,反射光光強(qiáng)最強(qiáng),反映到反射光光強(qiáng)分布圖像中圖像F最亮,為白色。第二光強(qiáng)圖像G呈灰色,對應(yīng)凸起110,凸起110也會對激光形成反射,因此在第一光強(qiáng)圖像之中還形成了第二光強(qiáng)圖像G,第二光強(qiáng)圖像G摻雜在第一光強(qiáng)圖像中。
結(jié)合參照圖10和圖11,由于凸起110的尺寸,如體積、厚度等非常小,遠(yuǎn)小于非透光膜12,因此第二光強(qiáng)圖像G的面積小于遮光光強(qiáng)圖像F的面積。通常凸起110具有不規(guī)則形狀,會對激光形成散射,使得第二光強(qiáng)圖像G形狀不同于凸起110在透光板的上表面的投影,且第二光強(qiáng)圖像G的面積會大于凸起110在透光板的上表面的投影面積。另外,凸起110與非透光膜12相比,形狀、材料等屬性存在差異,反映到光強(qiáng)圖像中,第二光強(qiáng)圖像G的亮度相比于透光光強(qiáng)圖像E和遮光光強(qiáng)圖像F的亮度,也會不同,介于最亮與最暗之間。
需要說明的是,作為變形例,如果在激光掃描后獲得的反射光光強(qiáng)分布圖像中,未發(fā)現(xiàn)有第二光強(qiáng)圖像這一摻雜圖像,則證明在透光板的上表面未形成有凸起這一瑕疵。因此,從反射光光強(qiáng)分布圖像中可以檢測出透光板11上表面是否存在凸起110。在檢測到存在凸起110后,獲取第二光強(qiáng)圖像G在掩模版上對應(yīng)的掃描區(qū)域。之后,對該掃描區(qū)域進(jìn)行聚焦離子束掃描以準(zhǔn)確定位凸起110,獲取凸起110的具體位置。
在定位凸起110之前,參照圖12,在掩模版上形成掃描阻擋層20,掃描阻擋層20覆蓋透光板11、非透光膜12和凸起110,掃描阻擋層20能夠在對掃描區(qū)域進(jìn)行掃描的過程中阻擋聚焦離子束轟擊透光板11露出的上表面。
掃描阻擋層20的材料選擇Al2O3,其形成方法包括:
使用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積工藝,在透光板11和非透光膜12及凸起110上形成Al,在沉積Al的過程中或在沉積Al之后,對Al進(jìn)行氧化處理,形成Al2O3。設(shè)定掃描阻擋層20的厚度范圍為500埃~5000埃,可以確保掃描阻擋層20在定位凸起110過程中對聚焦離子束形成有效阻擋,且能夠 很容易被去除。
如果掃描阻擋層20較薄,覆蓋透光板11上表面的掃描阻擋層可能會在聚焦子離子束掃描過程中過早被去除掉,而不能起到較好的阻擋作用。如果掃描阻擋層20較厚,在聚焦離子束掃描過程中,凸起110上表面的掃描阻擋層需要很長時間去除,且透光板11及非透光膜12上的掃描阻擋層也需要花費(fèi)較長時間來去除,不僅增加時間成本,生產(chǎn)效率下降,還會增加產(chǎn)品成本。因此,根據(jù)需要合理確定掃描阻擋層20的厚度。
除Al2O3外,掃描阻擋層20還可選擇其他可行材料。掃描阻擋層20的材料需確保:能夠較容易被去除且不會引入其他污染物,而且在最后刻蝕去除掃描阻擋層時,掃描阻擋層相比于透光板和非透光膜具有高刻蝕選擇比,避免透光板和非透光膜遭到損傷。
之后,繼續(xù)參照圖12,使用聚焦離子束掃描掩模版上的掃描區(qū)域,以獲取凸起110的具體位置,在該過程中,聚焦離子束照射到掃描阻擋層20上,掃描阻擋層20能夠阻擋聚焦離子束損傷透光板11。在掃描定位過程中,掃描阻擋層20能夠確保透光板11上表面免遭損傷,未覆蓋有非透光膜12的透光板部分的厚度分布不存在差異,厚度分布一致。
在聚焦離子束掃描過程,聚焦離子束系統(tǒng)能夠利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸,再打到掃描阻擋層20。聚焦離子束系統(tǒng)包括電子顯微鏡、金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、電子控制面板等設(shè)備,金屬離子源是聚焦離子束系統(tǒng)的核心,常用的金屬離子源為液相金屬離子源,如鎵金屬。聚焦離子束系統(tǒng)的工作原理為:外加電場(Suppressor)于液相金屬離子源,可使液態(tài)金屬形成細(xì)小尖端,再加上負(fù)電場(Extractor)牽引尖端的金屬,而導(dǎo)出金屬離子束;在一般工作電壓下,以電透鏡對導(dǎo)出的金屬離子束進(jìn)行聚焦,通過經(jīng)過一連串變化孔徑(Automatic Variable Aperture,AVA)來調(diào)整離子束的大小,再經(jīng)過二次聚焦至掃描阻擋層20的上表面。掃描阻擋層20上表面受金屬離子聚焦撞擊而激發(fā)出二次電子和二次離子,接收該二次電子和二次離子并進(jìn)行處理轉(zhuǎn)化為數(shù)字圖像,二次電子和二次離子攜帶了掃描阻擋層20的表面信息。
聚焦離子束系統(tǒng)還配備有自動定位導(dǎo)航系統(tǒng)或影像重疊定位裝置,將該數(shù)字圖像傳送到自動定位系統(tǒng),通過自動定位系統(tǒng),電子顯微鏡能準(zhǔn)確定位凸起110;或者,在影像重疊定位裝置中,將獲得的數(shù)字圖像與預(yù)設(shè)圖像進(jìn)行重疊比對,也能準(zhǔn)確定位凸起110的位置。
在聚焦離子束掃描定位過程中,可根據(jù)需要調(diào)整變化孔徑的大小控制離子束大小,及調(diào)整工作電壓大小以控制離子束能量。
參照圖13,在定位凸起110(參照圖12)后,緊接著聚焦且轟擊去除凸起110及其上的掃描阻擋層至露出透光板11上表面。
相比于掃描定位進(jìn)程,聚焦去除凸起110過程中聚焦離子束的能量較高,這樣高能離子束能夠?qū)ν蛊?10及其上的掃描阻擋層形成強(qiáng)力轟擊,達(dá)到去除目的。聚焦離子束能夠?qū)崿F(xiàn)定點(diǎn)、精確聚焦且去除凸起110,同時不會損傷到周圍的掃描阻擋層。
本實施例中,聚焦離子束可選擇鎵離子或其他可行的金屬離子。另外,作為變形例,還可以選擇聚焦離子束以外的其他替代方式對掩模版進(jìn)行掃描定位及聚焦去除凸起。
參照圖14,刻蝕去除剩余的掃描阻擋層20(參照圖13)。
具體地,使用純氨水溶液作為刻蝕劑,濕法刻蝕去除剩余的掃描阻擋層20,反應(yīng)機(jī)理為:Al2O3+2NH3·H2O→2NH4AlO2+H2O,其中NH4AlO2易溶于水,能夠在刻蝕后隨水被排出。在該過程中,對于NH3·H2O,非透光膜12和透光板11相比于Al2O3具有較低刻蝕選擇比,非透光膜12和透光板11基本不會遭到損傷。
作為變形例,當(dāng)掃描阻擋層選擇其他材料時,可根據(jù)所選材料確定刻蝕劑的類型。作為另一種變形例,還可以選擇干法刻蝕工藝來去除剩余的掃描阻擋層,具體地,可根據(jù)掃描阻擋層及透光板和非透光膜的材料選擇合適的刻蝕氣體,確保在同一刻蝕條件下,掃描阻擋層的刻蝕選擇比高于透光板和非透光膜的刻蝕選擇比,保證掃描阻擋層可以被有效去除,且不會損傷到透光板和非透光膜。
經(jīng)過以上修正步驟,去除了透光板11上表面的凸起,且透光板11未遭 到損傷,能夠保證透光板11的厚度一致性,尤其是未被非透光膜12覆蓋的透光板部分的厚度一致性,消除了布局圖案中的瑕疵缺陷。在應(yīng)用該掩模版的光刻工藝中,在對應(yīng)布局圖案的光刻膠部分的曝光量均等,不存在差異,光刻膠中的布局圖案不存在缺陷。
第二實施例
與第一實施例相比,第二實施例的不同之處在于:
參照圖15,在透光板110上表面中形成有凹陷111,凹陷111相對于布局圖案為瑕疵。對透光板110露出的上表面進(jìn)行瑕疵檢測的方法包括:
首先,使用激光掃描透光板110上表面及其上的非透光膜120,獲取激光的反射光光強(qiáng)分布圖像。
接著,反射光光強(qiáng)分布圖像具有對應(yīng)布局圖案的第一光強(qiáng)圖像和第二光強(qiáng)圖像,第二光強(qiáng)圖像對應(yīng)凹陷111。由于凹陷111低于透光板110上表面,因此激光入射到凹陷111表面時,凹陷111表面會對激光形成散射,造成凹陷111表面的反射光傳播方向不同于透光板110上表面的反射光傳播方向。這樣,在反射光光強(qiáng)分布圖像中,對應(yīng)凹陷111位置的反射光光強(qiáng)圖像由于接收不到反射光或反射光減少而造成亮度較暗,相比之下,未形成有凹陷111的透光板對應(yīng)的透光光強(qiáng)圖像亮度較亮。根據(jù)圖像差異,可檢測出凹陷111是否存在,并在檢測出凹陷111存在后,根據(jù)第二光強(qiáng)圖像獲取凹陷111在透光板111上的大概區(qū)域,該大概區(qū)域為掃描區(qū)域。
凹陷111相比于非透光膜120中的布局圖案也為瑕疵,造成上表面露出的透光板區(qū)域的厚度分布呈現(xiàn)差異性。在應(yīng)用掩模版,將布局圖案經(jīng)曝光工藝轉(zhuǎn)移至光刻膠中時,凹陷111會對進(jìn)入透光板110中的曝光光線形成散射,造成從凹陷111位置的透光板中射出的曝光光線偏離預(yù)設(shè)路線,導(dǎo)致轉(zhuǎn)移至光刻膠中的布局圖案與預(yù)期圖案存在缺陷。
因此,需要對非透光膜120中的布局圖案進(jìn)行修復(fù)。
參照圖16,在透光板110和非透光膜120上及凹陷111內(nèi)壁形成掃描阻擋層200,凹陷111內(nèi)的掃描阻擋層上表面低于透光板110上表面,掃描阻擋層200可選擇Al2O3。
掃描阻擋層200的形成方法包括:在透光板110、非透光膜120上和凹槽111內(nèi)壁沉積Al,在沉積Al的過程中或者在沉積Al之后,對Al進(jìn)行氧化處理,形成Al2O3。
在本實施例中,掃描阻擋層200的厚度范圍為500?!?000埃。
參照圖17,使用聚焦離子束掃描所述掃描區(qū)域,以定位凹陷111;
在定位缺陷111后,聚焦凹陷111并轟擊去除凹陷111內(nèi)的掃描阻擋層部分,露出凹陷111內(nèi)壁。其中,聚焦離子束可選擇鎵離子束。
在定位凹陷111的過程中,掃描阻擋層200對聚焦離子束形成阻擋,透光板110上表面不會遭到聚焦離子束轟擊,確保透光板110上表面平坦,透光板110在各處的厚度分布具有一致性,保證掩模版品質(zhì)較佳。如果未形成有掃描阻擋層,聚焦離子束在掃描定位凹陷111的過程中會轟擊透光板110曝露的上表面而造成損傷,導(dǎo)致非透光膜120下的透光板與周圍的透光板的厚度存在差異,透光板110上表面粗糙度增加,這會導(dǎo)致掩模版失效。
參照圖18,在凹陷111(參照圖17)內(nèi)填充透明材料112,透明材料112上表面與透光板110上表面持平。具體地,使用聚焦離子束聚焦凹陷111,聚焦后沉積透明材料112的離子束,至透明材料112上表面與透光板110上表面持平。
透明材料112與透光板110的材料為同一種透明材料,確保同一種光線以同一角度照射到透明材料112上表面和透光板110上表面時,產(chǎn)生相同的反射及折射。
參照圖19,去除剩余的掃描阻擋層200(參照圖18)。
除與第一實施例的不同之處外,第二實施例中的其他修正步驟及方案可參考第一實施例的相關(guān)內(nèi)容,在此不再贅述。
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